DE19711733A1

DE19711733A1 - Magnetisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number: DE19711733A1
Application number: DE19711733A
Authority: DE
Inventors: Keiji Ohkubo; Naoki Takizawa
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1996-03-21
Filing date: 1997-03-20
Publication date: 1997-10-30
Also published as: JPH09259418A; US5851628A; JP3045068B2

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein magnetisches Aufzeichnungsmedium, z. B. eine Festplatte in einer externen Speichervorrichtung eines Computers, und ein Verfahren zu seiner Herstellung.

In den letzten Jahren sind Techniken zur Erhöhung der Aufzeichnungsdichte eines magnetischen Aufzeichnungsmediums für einen Computer in erheblichem Umfang weiterentwickelt worden. Magnetische Aufzeichnungsmedien mit einer hohen Aufzeichnungsdichte müssen eine hohe Koerzitivkraft (Hc) und geringes Rauschen aufweisen sowie eine geringe Schwebehöhe (FH) eines zusammen mit dem Medium verwendeten Magnetkopfes zulassen. Fig. 28 ist eine Quer schnittsansicht des Aufbaus eines üblichen magnetischen Aufzeichnungsmediums. Zur Herstel lung dieses Aufzeichnungsmediums wird eine Ni-P-Plattierungsschicht 2 auf einem Träger 1 aus einer Al-Mg-Legierung gebildet. Die Plattierungsschicht 2 wird durch maschinelle Bearbeitung hochglanzpoliert und dann durch Strukturierung (Texturierung) mit winzigen Vorsprüngen und Vertiefungen versehen. Der Träger 1 mit der so behandelten Plattierungsschicht stellt dann einen Schichtträger (NiP/Al-Schichtträger) des Aufzeichnungsmediums dar, auf dem anschließend eine Cr-Grundschicht 3, eine magnetische Schicht 4 und eine Schutzschicht 5 nacheinander durch Sputtern ausgebildet werden. Sodann wird die Schutzschicht 5 mit einer Gleitschicht 6 versehen. Die magnetische Schicht 4 kann beispielsweise aus einer Legierung des CoCrTa-Systems bestehen.

Das bekannte Aufzeichnungsmedium, das eine CoCrTa-Legierung für die magnetische Schicht 4 verwendet, weist ein geringes Rauschen auf, seine Koerzitivkraft Hc beträgt jedoch höchstens 1760 A/cm (2200 Oe). Derzeit werden Techniken zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsmediums mit einer Aufzeichnungsdichte von 10 Gbit/in² entwickelt, und mit ihrer Verfügbarkeit ist bis zum Jahr 2000 zu rechnen. Das Aufzeichnungsmedium muß eine Koerzi tivkraft Hc von 2400 A/cm (3000 Oe) oder mehr aufweisen, um eine derart hohe Aufzeich nungsdichte erreichen zu können.

Zur Verwendung in einem tragbaren Notebook-Computer muß es sich beim magnetischen Aufzeichnungsmedium ferner um eine kleine, dünne Platte handeln, die eine hohe Stoßfestigkeit aufweist. Um diese Anforderungen zu erfüllen, wurde ein Aufzeichnungsmedium unter Verwen dung eines Glasschichtträgers entwickelt, der die erforderlichen mechanischen Eigenschaften, wie glatte Beschaffenheit, Härte und Young-Modul aufweist. Dieses Aufzeichnungsmedium wird, im Gegensatz zum vorerwähnten Aufzeichnungsmedium mit einem Schichtträger aus einer mit Ni und P plattierten Al-Legierung, keiner mechanischen Strukturierung unterworfen und nicht mit magnetischer Anisotropie in Umfangsrichtung versehen, wodurch es schwierig wird, beim diesem Aufzeichnungsmedium eine hohe Koerzitivkraft zu erreichen.

Zum Erreichen einer den vorstehenden Ausführungen entsprechenden hohen Koerzitivkraft wurde vorgeschlagen, als magnetisches Aufzeichnungsmaterial ein magnetisches Material mit hoher Koerzitivkraft einzusetzen, das auf dem CoCrPt-System, CoNiCrTa-System oder CoCrTaPt-System basiert, die Pt oder Ni als Element zur Erhöhung der magnetischen Anisotro pie der Kristallstruktur aufweisen. Auch bei Verwendung eines derartigen magnetischen Materi als mit hoher Koerzitivkraft zusammen mit dem NiP/Al-Schichtträger ist es schwierig, ein Aufzeichnungsmedium zu schaffen, das eine hohe Koerzitivkraft von 2240 A/cm (2800 Oe) oder mehr erreicht, wenn die magnetische Co-Schicht epitaxial auf der derzeit verfügbaren Cr- Grundschicht gezüchtet wird. Die Koerzitivkraft des Mediums mit dem Glasschichtträger weist ebenfalls eine Obergrenze von 1760 A/cm (2200 Oe) auf.

Die Aufzeichnungsmedien, die sich der vorerwähnten Materialien mit hoher Koerzitivkraft bedie nen, weisen jedoch im Vergleich zur Verwendung einer CoCrTa-Legierung den Nachteil eines starken Rauschens auf. Es ist somit schwierig, die zukünftigen Anforderungen an eine hohe Aufzeichnungsdichte zu erfüllen. Diesbezüglich muß die magnetische Aufzeichnungsschicht aus feinen magnetischen Co-Teilchen gebildet werden, um den Magnetisierungsübergangsbereich (Breite der magnetischen Wand) zwischen den Aufzeichnungsbits zu verkleinern und dadurch das Rauschen des Mediums zu verringern. Zu diesem Zweck wird die Teilchengröße der Cr-Teil chen vermindert, indem man die Dicke der Cr-Grundschicht verringert, so daß feine oder winzige magnetische Co-Teilchen epitaxial entlang der Korngrenze der Cr-Teilchen der Grund schicht gezüchtet werden.

Es ist eine erste Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein magnetisches Aufzeichnungsmedium mit einer magnetischen Schicht aus einem Material hoher Koerzitivkraft (CoCrPt-System, CoNiCrTa-System, CoCrTaPt-System) zu schaffen, das eine hohe Koerzitivkraft von 2400 A/cm (3000 Oe) oder mehr aufweist und dessen Rausch wert gleich dem oder geringer als der eines wenig rauschenden Mediums auf der Basis des CoCrTa-Systems ist. Eine zweite Aufgabe der Erfindung ist es, ein magnetisches Aufzeichnungsmedium mit einer magnetischen Schicht aus einem Material hoher Koerzitivkraft gemäß den vorstehenden Angaben mit einem Glasschicht träger zu schaffen, das eine Koerzitivkraft von 1920 A/cm (2400 Oe) oder mehr besitzt und dessen Rauschwert gleich dem oder geringer als der eines wenig rauschenden Mediums auf der Basis des CoCrTa-Systems ist. Eine dritte Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Aufzeichnungsmediums bereitzustellen.

Diese Aufgaben werden mit einem magnetischen Aufzeichnungsmedium gemäß Patentanspruch 1 bzw. einem Verfahren gemäß Patentanspruch 14 gelöst.

Um gemäß der ersten Aufgabe eine hohe Koerzitivkraft von 2400 A/cm (3000 Oe) oder mehr zu erreichen, wird ein magnetisches Aufzeichnungsmedium vorgeschlagen, das eine magnetische Schicht aus einem Material hoher Koerzitivkraft sowie eine Kristallkeimschicht, die zwischen einem Schichtträger und einer aus Cr oder einer Cr-Legierung gebildeten Grundschicht vorgese hen ist, aufweist. In diesem Fall besteht der Schichtträger vorzugsweise aus einer Aluminiumle gierung, die mit Ni und P plattiert ist, wobei die Grundschicht und die Kristallkeimschicht jeweils vorzugsweise eine Filmdicke im Bereich von 5 bis 100 nm (50 bis 1000 Å) aufweisen.

Um die zweite Aufgabe der Erfindung bei Verwendung eines Glasschichtträgers zu lösen, werden mindestens eine Grundschicht und eine magnetische Schicht durch Sputtern auf den Schichtträger aufgebracht, wobei der Schichtträger bei einer Temperatur von 150 bis 300°C gehalten wird und eine Vorspannung von -300 bis 0V an den Schichtträger angelegt wird.

Die Kristallkeimschicht kann aus einem Material aus der Gruppe Al-Co, Cu-Si, Ni-Ga, Cu-Be, Mn- V, Ni-Zn und Fe-V gebildet werden, die jeweils eine spezielle Zusammensetzung bzw. ein spezielles Verhältnis der Anteile der beiden Elemente aufweisen. Die Verwendung eines dieser Materialien erhöht die Kristallorientierung in der (110)-Ebene in raumzentrierten kubischen Kristallen von Cr oder Cr-X, die die Grundschicht bilden, und verbessert die Kristallorientierung in der (100)-Ebene, die parallel zur Achse der leichten Magnetisierung der magnetischen Co- Schicht, die epitaxial auf der Grundschicht gewachsen ist, verläuft. Infolgedessen liefert das Aufzeichnungsmedium eine beachtlich hohe Koerzitivkraft.

Bei Verwendung von Glas als Schichtträger des Aufzeichnungsmediums kann es sich beim Material der Kristallkeimschicht entweder um ein einzelnes Element aus der Gruppe Cr, Mo, Ta, Ti, W, V, Zr, Cu, Al, Si, Ag und In oder um eine Legierung mit einem Gehalt an mindestens einem dieser Elemente handeln. In diesem Fall wird die Abgabe von Gasen aus dem Schichtträ ger verhindert, und die Korrosionsbeständigkeit kann somit verbessert werden.

Ferner ist es bevorzugt, konzentrische Rillen durch Strukturierung der Oberfläche des Schicht trägers oder winzige Vorsprünge und Vertiefungen auf der Oberfläche entweder der Kristall keimschicht oder der Grundschicht zu bilden, indem man die Oberfläche mit einem Laserstrahl bestrahlt oder indem man eine ungleichmäßige Schicht mit winzigen Vorsprüngen und Vertie fungen zwischen der Kristallkeimschicht und der Grundschicht bildet.

Sofern eine gewünschte Koerzitivkraft Hc auf die vorstehend beschriebene Weise erzielt wird, kann die Filmdicke der Grundschicht verringert werden. Bei einer auf diese Weise verringerten Dicke der Grundschicht kann die auf der Grundschicht ausgebildete magnetische Schicht aus feinen magnetischen CO-Teilchen gebildet werden, was zu einer Verkleinerung des Magnetisie rungsübergangsbereichs (Breite der magnetischen Wand) zwischen Aufzeichnungsbits führt, wodurch das Rauschen des gebildeten Mediums verringert werden kann.

Nachstehend werden einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine Querschnittsansicht zur Darstellung eines Aufzeichnungsmediums gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 2 ein Diagramm zur Erläuterung der Beziehung zwischen der Filmdicke einer Kristall keimschicht und der Koerzitivkraft im Aufzeichnungsmedium der ersten Ausführungs form;

Fig. 3 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Filmdicke einer Grund schicht und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der ersten Ausführungs form;

Fig. 4 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Al und Co und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der ersten Ausführungsform;

Fig. 5 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Kristallkeimmaterials mit einem Gehalt an Cu und Si und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der ersten Ausführungsform;

Fig. 6 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Kristallkeimmaterials mit einem Gehalt an Ni und Ga und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der ersten Ausführungsform;

Fig. 7 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Cu und Be und der Koerzitiv kraft des Aufzeichnungsmediums der ersten Ausführungsform;

Fig. 8 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Mn und V und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der ersten Ausführungsform;

Fig. 9 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Ni und Zn und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der ersten Ausführungsform;

Fig. 10 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Fe und V und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der ersten Ausführungsform;

Fig. 11 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Filmdicke der Grundschicht und dem Rauschen des Aufzeichnungsmediums einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 12 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen dem Material für die Kristall keimschicht und dem Rauschen des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausfüh rungsform;

Fig. 13 eine Querschnittsansicht zur Darstellung des Aufbaus eines Beispiels für das Aufzeichnungsmedium der zweiten Ausführungsform, wobei winzige Vorsprünge und Vertiefungen vorgesehen sind;

Fig. 14 eine Querschnittsansicht zur Darstellung des Aufbaus eines weiteren Beispiels des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungsform, wobei eine ungleichmäßige Schicht mit winzigen Vorsprüngen und Vertiefungen vorgesehen ist;

Fig. 15(a) eine Querschnittsansicht zur Darstellung des Aufbaus eines weiteren Beispiels des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungsform, wobei winzige Vorsprünge und Vertiefungen auf dem Glasschichtträger gebildet sind;

Fig. 15(b) eine Querschnittsansicht zur Darstellung des Aufbaus eines weiteren Beispiels des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungsform, wobei winzige Vorsprünge und Vertiefungen auf der Kristallkeimschicht ausgebildet sind;

Fig. 16 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Temperatur des Schicht trägers während der Filmbildung durch Sputtern und der Koerzitivkraft des Aufzeich nungsmediums der zweiten Ausführungsform;

Fig. 17 ein Diagramm zur Darstellung der an den Schichtträger angelegten Vorspannung während der Filmbildung durch Sputtern und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungs mediums der zweiten Ausführungsform;

Fig. 18 ein Diagramm zur Darstellung der Filmdicke der Cr-Kristallkeimschicht und der Koerzi tivkraft des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungsform;

Fig. 19 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Filmdicke der Cr-Grund schicht und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungs form;

Fig. 20 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Al und Co und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungsform;

Fig. 21 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Cu und Si und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungsform;

Fig. 22 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Ni und Ga und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungsform;

Fig. 23 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Cu und Be und der Koerzitiv kraft des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungsform;

Fig. 24 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Mn und V und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungsform;

Fig. 25 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Ni und Zn und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungsform;

Fig. 26 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht mit einem Gehalt an Fe und V und der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungsform;

Fig. 27 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Filmdicke der Cr-Grund schicht und dem Rauschen des Aufzeichnungsmediums der zweiten Ausführungs form; und

Fig. 28 eine Querschnittsansicht zur Darstellung des Aufbaus eines bekannten magnetischen Aufzeichnungsmediums.

Erste Ausführungsform

Nachstehend wird die erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung beschrieben. Fig. 1 ist eine schematische Ansicht des Querschnittauf baus eines erfindungsgemäß aufgebauten magnetischen Aufzeichnungsmediums. Zur Herstel lung dieses Aufzeichnungsmediums wird zunächst ein Schichtträger hergestellt, indem man auf einem plattenartigen Träger 1 aus einer Al-Mg-Legierung eine Ni-P-Plattierungsschicht 2 ausbil det und die Plattierungsschicht 2 durch maschinelle Bearbeitung hochglanzpoliert und sodann durch Strukturierung in Umfangsrichtung der Grundlage mit feinen Vorsprüngen und Vertiefun gen versieht. Anschließend werden auf dem Schichtträger nacheinander eine Kristallkeimschicht 7, eine Cr-Grundschicht 3, eine magnetische Schicht 4 und eine Schutzschicht 5 durch Sputtern bei einer Vorspannung von 250 V ausgebildet, wobei der Schichtträger auf 250°C gehalten wird. Schließlich wird die erhaltene Schichtstruktur mit einer Gleitschicht 6 beschichtet. Das Strukturierungsverfahren wird auf der Oberfläche des Schichtträgers durchgeführt, um die magnetische Anisotropie der darauf ausgebildeten magnetischen Schicht zu korrigieren bzw. in eine Richtung auszurichten, und um dadurch die Koerzitivkraft Hc zu verbessern. Außerdem zeigen sich die auf dem Schichtträger gebildeten winzigen Vorsprünge und Vertiefungen nach der Bildung der vorstehenden Schichten 7, 3, 4, 5 und 6 an der Mediumoberfläche, wodurch die Reibung zwischen der Mediumoberfläche und einem in Verbindung mit dem Aufzeichnungs medium verwendeten Magnetkopf verringert wird.

Die erfindungsgemäß verwendete Kristallkeimschicht 7 ist aus einem Material gebildet, das aus folgender Gruppe ausgewählt ist: Al-Co, Cu-Si, Ni-Ga, Cu-Be, Mn-V, Ni-Zn und Fe-V.

Einige Proben für Aufzeichnungsmedien wurden hergestellt, die jeweils eine Kristallkeimschicht 7 aus Al-Co (Al: 50 Atom-%, Co: 50 Atom-%) und einer Cr-Grundschicht 3 mit einer konstan ten Filmdicke von 50 nm (500 Å) aufwiesen. Die magnetischen Schichten 4 dieser Proben wurden aus magnetischen Materialien des CoNiCrTa-Systems (Ni: 25 Atom-%, Cr: 10 Atom-%, Ta: 2-Atom-%), des CoCrTaPt-Systems (Cr: 11 Atom-%, Ta: 4 Atom-%, Pt: 3 Atom-%) bzw. des CoCrPt-Systems (Cr: 14 Atom-%, Pt: 7 Atom-%) gebildet. Fig. 2 ist ein Diagramm zur Darstellung der Abhängigkeit der Koerzitivkraft Hc der einzelnen Aufzeichnungsmedien von der Filmdicke der Kristallkeimschicht 7. Aus Fig. 2 ist ersichtlich, daß das Aufzeichnungsmedium eine Koerzitivkraft von 2400 A/cm (3000 Oe) oder mehr erreicht, wenn seine magnetische Schicht ein Material des CoCrPt-Systems aufweist und die Dicke der Kristallkeimschicht 7 30 nm (300 Å) oder mehr beträgt, oder wenn die magnetische Schicht ein Material des CoNiCrTa- oder CoCrTaPt-Systems aufweist und die Dicke der Kristallkeimschicht 750 nm (7500 Å) oder mehr beträgt.

In einem weiteren Versuch wurden ein Aufzeichnungsmedium mit einer aus Al und Co (Al: 50 Atom-%, Co: 50 Atom-%) gebildeten Kristallkeimschicht 7 von 50 nm (500 Å) sowie ein Aufzeichnungsmedium ohne Kristallkeimschicht 7 hergestellt, wobei jeweils die magnetische Schicht 4 aus einem magnetischen Material des CoCrTaPt-Systems hergestellt wurde. Das Diagramm von Fig. 3 zeigt die Abhängigkeit der Koerzitivkraft Hc der einzelnen Proben von der Filmdicke der Cr-Grundschicht 3. Die Koerzitivkraft Hc des magnetischen Aufzeichnungsmedi ums mit der 50 nm (500 Å) dicken Kristallkeimschicht 7 war um etwa 1200 A/cm (1500 Oe) höher als dies des Mediums ohne Kristallkeimschicht 7, unabhängig von der Dicke der Cr- Grundschicht. Aus Fig. 3 ist festzustellen, daß das Aufzeichnungsmedium mit der Kristallkeim schicht 7 eine erheblich höhere Koerzitivkraft von 2400 A/cm (3000 Oe) oder mehr erreicht, wenn die Dicke der Cr-Grundschicht 50 nm (500 Å) oder mehr beträgt.

Bezüglich Proben von magnetischen Aufzeichnungsmedien, bei denen die magnetische Schicht 4 aus einem magnetischen Material des CoCrTaPt-Systems gebildet war und die Cr-Grund schicht 3 eine konstante Filmdicke von 50 nm (500 Å) aufwies, ist die Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Materials der Kristallkeimschicht 7 und der Koerzitivkraft Hc der einzel nen Proben in den Diagrammen der Fig. 4 bis 10 dargestellt, wobei die Kristallkeimschichten 7 der jeweiligen Proben aus Al und Co, Cu und Si, Ni und Ga, Cu und Be, Mn und V, Ni und Zn bzw. Fe und V gebildet sind. Zur Verbesserung der Koerzitivkraft ist es erforderlich, die Kristal lorientierung der raumzentrierten kubischen Kristalle (bcc), die die Kristallstruktur der Cr- oder Cr-X-Grundschicht 3 (X: Mo, Ta, Ti, W) bilden, zu verbessern, was das epitaxiale Wachstum der darauf ausgebildeten magnetischen Co-Legierungsschicht 4 beschleunigt. Die nachstehende Tabelle zeigt die Zusammensetzungsbereiche der jeweiligen Materialien der Kristallkeimschicht, die die gleiche bcc-Kristallstruktur liefern können.

Material der Kristallkeimschicht
Bereich von X zur Erzielung der bcc-Struktur
Al_1-X-Co_X
0,45 X 0,65
Cu_1-X-Si_X	0,10 X 0,20
Ni_1-X-Ga_X	0,35 X 0,60
Cu_1-X-Be_X	0,30 X 0,60
Mn_1-X-V_X	0,01 X 0,10
Ni_1-X-Zn_X	0,40 X 0,60
Fe_1-X-V_X	0,45 X 0,55

Sofern die Zusammensetzungen der jeweiligen Materialien für die Kristallkeimschicht innerhalb der vorerwähnten Bereiche liegen, läßt sich eine hohe Koerzitivkraft Hc von 2400 A/cm (3000 Oe) oder mehr erzielen. Die Zusammensetzungen, die außerhalb der vorstehenden Bereiche liegen, liefern Metallverbindungen mit einem von der bcc-Kristallstruktur abweichenden Kristall system, wodurch die Koerzitivkraft Hc verringert wird.

Bezüglich eines magnetischen Aufzeichnungsmediums mit einer aus einem magnetischen Mate rial des CoCrTaPt-Systems gebildeten magnetischen Schicht 4 und einer aus Al und Co (Al: 50 Atom-%, Co: 50 Atom-%) gebildeten Kristallkeimschicht 7 von 50 nm (500 Å) Dicke, das eine Koerzitivkraft von 1920 A/cm (2400 Oe), einen Brδ-Wert von 1×10^-2 Tµm (100 Gµm) und eine lineare Aufzeichnungsdichte von 150 kFCl aufweist, wurde die Abhängigkeit des Rauschens (Rauschspannung) als eine Aufzeichnungs/Wiedergabe-Eigenschaft des Mediums von der Film dicke der Grundschicht ermittelt. Die Ergebnisse sind in Fig. 11 dargestellt. Das erfindungsge mäße Aufzeichnungsmedium mit einer Kristallkeimschicht 7 von 50 nm (500 Å) Dicke zeigt eine hervorragende Rauschspannung (3 µV), die derjenigen eines CoCrTa-Mediums (ohne Kristall keimschicht 7) unter Verwendung eines wenig rauschenden magnetischen Materials (CoCrTa) entspricht oder niedriger ist.

Das Diagramm von Fig. 12 zeigt die Rauschspannung von Proben magnetischer Aufzeich nungsmedien, die jeweils eine aus einem magnetischen Material des CoCrTaPt-Systems gebil dete magnetischen Schicht 4 und eine Kristallkeimschicht 7 von 50 nm (500 Å) Dicke aufwei sen, wobei die Kristallkeimschichten der jeweiligen Proben aus Al-Co, Cu-Si, Ni-Ga, Mn-V, Ni-Zn bzw. Fe-V gebildet sind. Dieses Diagramm zeigt auch die Rauschspannung einer Vergleichs probe ohne Kristallkeimschicht 7. Jede dieser Proben wies eine Koerzitivkraft von 1920 A/cm (2400 Oe), einen Brδ-Wert von 1×10² Tµm (100 Gµm) und eine lineare Aufzeichnungsdichte von 150 kFCl auf. Aus Fig. 12 ist ersichtlich, daß das Aufzeichnungsmedium mit der Kristall keimschicht 7 aus einem der vorstehenden Materialien eine hervorragende (geringe) Rausch spannung aufweist. Somit ist es erfindungsgemäß durch Vorsehen der Kristallkeimschicht 7 nicht nur mit Erfolg möglich, die gewünschten magnetischen Eigenschaften des Mediums zu erreichen, sondern es ergibt sich auch die Möglichkeit, die Filmdicke der Grundschicht 3 zu vermindern, was zu einer Verringerung des Rauschs führt. Obgleich die tatsächlichen Aufzeichnungs/Wiedergabe-Eigenschaften nicht bestätigt werden können, da die derzeit verfüg baren Magnetköpfe nicht zur zufriedenstellenden Aufzeichnung auf einem Medium einer Koerzi tivkraft von 2000 A/cm (2500 Oe) oder mehr befähigt sind, lassen sich die Überlegenheit oder die Vorteile des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmediums auch dann, wenn das Medium eine hohe lineare Aufzeichnungsdichte von 200 kFCl oder mehr aufweist, leicht aus den vorstehen den Versuchsergebnissen entnehmen.

Zweite Ausführungsform

Die Fig. 13, 14, 15(a) und 15(b) zeigen Querschnittsansichten von Beispielen für magneti sche Aufzeichnungsmedien gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei die Kristallkeimschicht 7, die Grundschicht 3, die magnetische Schicht 4 und die Schutz schicht 5 nacheinander durch Sputtern auf einem Glasschichtträger 10 gebildet werden und schließlich eine Gleitschicht 6 auf die erhaltene schichtförmige Struktur aufgebracht wird. Der Schichtträger 10 wird auf einer Temperatur von 150 bis 250°C gehalten, während die Kristall keimschicht 7, die Grundschicht 3, die magnetische Schicht 4 und die Schutzschicht 5 durch Sputtern gebildet werden. Eine Vorspannung von -300 bis 0 V wird während der Bildung der Grundschicht 3 und der magnetischen Schicht 4 durch Sputtern angelegt. Die Filmdicke der Kristallkeimschicht 7 wird in einem Bereich von 5 bis 100 nm (50 bis 1000 Å) kontrolliert. Die Filmdicke der Grundschicht 3 kann auf einen Bereich von 5 bis 100 nm (50 bis 1000 Å) vermindert werden. Das Aufzeichnungsmedium von Fig. 14 weist eine ungleichmäßige Al₂O₃- Schicht 8 mit winzigen Vorsprüngen und Vertiefungen auf, die durch Sputtern zwischen der Kristallkeimschicht 7 und der Grundschicht 3 über deren gesamte Oberflächen hinweg gebildet werden. Die Querschnittsansichten der Fig. 15(a) und 15(b) zeigen Aufzeichnungsmedien, die durch Bestrahlen einer Oberfläche des Glasschichtträgers 10 oder einer Metalldünnschicht der Kristallkeimschicht 7 mit einem Laserstrahl und durch Verschmelzen des Glases oder der Metalldünnschicht in der Weise gebildet werden, daß winzige Vorsprünge und Vertiefungen 9 in einem spiralförmigen oder konzentrischen Muster in einem radial inneren Bereich der Platte, die eine CSS-Region ergibt, gebildet werden. Das Material der Schicht 8 des Aufzeichnungsmedi ums von Fig. 14 ist nicht auf Al₂O₃ beschränkt, vielmehr kann sie beispielsweise auch aus einem Nitrid oder Oxid von Al, Ta, Ti, Si, B, Zr oder Cr gebildet sein.

Das Diagramm von Fig. 16 zeigt die Beziehung zwischen der Temperatur des Schichtträgers bei der Bildung der Cr-Kristallkeimschicht 7 und der Cr-Grundschicht 3, die jeweils eine Dicke von 30 nm (300 Å) aufweisen, sowie der magnetischen Schicht 4 aus CoCrTaPt (Cr: 11 Atom-%, Ta: 4 Atom-%, Pt: 3 Atom-%) mit einer Dicke von 15 nm (150 Å) durch Sputtern auf dem Schichtträger und der Koerzitivkraft Hc des erhaltenen Aufzeichnungsmediums. Aus Fig. 16 ist ersichtlich, daß sich eine Koerzitivkraft Hc von 1920 A/cm (2400 Oe) oder mehr erreichen läßt, wenn die Temperatur des Schichtträgers im Bereich von 150 bis 300°C liegt. In den folgenden Versuchen wird der Schichtträger während des Sputterns bei 200°C gehalten.

Das Diagramm von Fig. 17 zeigt die Beziehung zwischen der Vorspannung bei Bildung der Cr- Kristallkeimschicht 7 und der Cr-Grundschicht 3, die jeweils eine Dicke von 30 nm (300 Å) aufweisen, sowie einer magnetischen Schicht 4 aus CoCrTaPt (Cr: 11 Atom-%, Ta: 4 Atom-%, Pt: 3 Atom-%) mit einer Dicke von 15 nm (150 Å) durch Sputtern auf dem Schichtträger und der Koerzitivkraft Hc des erhaltenen Aufzeichnungsmediums. Aus Fig. 17 ist ersichtlich, daß sich eine Koerzitivkraft Hc von 1920 A/cm (2400 Oe) oder mehr erreichen läßt, wenn die an den Schichtträger angelegte Vorspannung im Bereich von -300 bis 0 V liegt. Im Diagramm von Fig. 17 bedeutet "○" ein Medium (wie in Fig. 13 dargestellt) ohne Vorsprünge und Vertiefun gen. Das Symbol "∆" bedeutet ein Medium (wie in Fig. 14 dargestellt) mit einer ungleichmäßi gen Schicht mit winzigen Vorsprüngen und Vertiefungen zwischen der Kristallkeimschicht 7 und der Grundschicht 3. Das Symbol "Δ" bedeutet ein Medium (wie in Fig. 15(b) dargestellt), bei dem Vorsprünge und Vertiefungen in der Kristallkeimschicht 7 mit einem Laserstrahl gebildet sind. Beim Anlegen einer Vorspannung von -100 V an den Schichtträger bei Bildung der vorstehenden Schichten 7, 3 und 4 auf dem Schichtträger ergeben die Aufzeichnungsmedien der vorstehenden drei Beispiele fast gleichwertige Koerzitivkräfte von 2296 A/cm (2870 Oe), 2264 A/cm (2830 Oe) bzw. 2280 A/cm (2850 Oe). In den folgenden Beispielen wird eine Vorspannung von -100 V an den Schichtträger während der Bildung der vorstehenden Schich ten 7, 3 und 4 angelegt.

Das Diagramm von Fig. 18 zeigt die Abhängigkeit der Koerzitivkraft des Aufzeichnungsmediums mit einer Cr-Grundschicht 3 mit einer Dicke von 30 nm (300 Å) und einer magnetischen Schicht 4 aus CoCrTaPt (Cr: 11 Atom-%, Ta: 4 Atom-%, Pt: 3 Atom-%) mit einer Dicke von 15 nm (150 Å) von der Filmdicke der Cr-Kristallkeimschicht. Dieses Diagramm zeigt auch die gleiche Beziehung für Aufzeichnungsmedien mit magnetischen Schichten 4, die aus magnetischen Materialien des CoNiCrTa-Systems (Ni: 25 Atom-%, Cr: 10 Atom-%, Ta: 2 Atom-%) bzw. des CoCrPt-Systems (Cr: 14 Atom-%; Pt: 7 Atom-%) hergestellt worden sind. Aus Fig. 18 ist ersichtlich, daß eine Koerzitivkraft von 1920 A/cm (2400 Oe) oder mehr erzielt werden kann, wenn die Filmdicke der Kristallkeimschicht 7 5 nm (50 Å) oder mehr beträgt.

Das Diagramm von Fig. 19 zeigt die Abhängigkeit der Koerzitivkraft eines Aufzeichnungsmedi ums mit einer Cr-Kristallkeimschicht 7 einer Dicke von 30 nm (300 Å) und einer magnetischen Schicht 4 aus CoCrTaPt (Cr: 11 Atom-%, Ta: 4 Atom-%, Pt 3 Atom-%) von 15 nm (150 Å) Dicke von der Filmdicke der Cr-Grundschicht. Aus Fig. 19 ist ersichtlich, daß sich eine Koerzi tivkraft von 1920 A/cm (2400 Oe) oder mehr erreichen läßt, wenn die Filmdicke der Grund schicht 0,3 bis 5 nm (3 bis 50 Å) oder mehr beträgt.

In den vorstehenden Versuchen wurden die Kristallkeimschicht 7 und die Grundschicht 4 aus Cr-Schichten mit einer Dicke von jeweils 30 nm (300 Å) gebildet. In diesem Fall wird die Cr- Kristallkeimschicht 7 zunächst durch Sputtern gebildet. Nach Beendigung dieses Sputterns wird eine weitere Cr-Schicht als Grundschicht auf der Oberfläche der Kristallkeimschicht 7 durch Sputtern erzeugt. Unmittelbar nach diesen Sputterstufen wird die Magnetschicht durch Sputtern ausgebildet. Da die Co-Legierung, die die Magnetschicht bildet, entlang den Korngrenzflächen der Cr-Grundschicht, die unmittelbar vor der Bildung der magnetischen Schicht durch Sputtern erzeugt worden ist, wächst, hängt die Größe der magnetischen Teilchen der Co-Legierung nur von der Teilchengröße der Cr-Grundschicht ab. Demgemäß kann die magnetische Schicht, die epitaxial auf der Cr-Grundschicht gezüchtet wird, aus feinen oder winzigen Teilchen gebildet werden, indem man die Filmdicke der Cr-Grundschicht und die Teilchengröße der Cr-Grund schicht verringert, so daß ein vermindertes Rauschen des erhaltenen Aufzeichnungsmediums gewährleistet wird. Die Kristallkeimschicht 7 kann aus einem Material gebildet werden, das unter einzelnen Elementen, wie Mo, Ta, Ti, W, V, Zr, Cu, Al, Si, Ag und In, sowie Unterlegie rungen mit einem Gehalt an mindestens einem dieser Elemente ausgewählt ist. Die Grundschicht 3 kann aus einem Material gebildet werden, das unter Cr-X-Legierungen (X: Mo, Ta, Ti, W) ausgewählt ist. Dadurch erreicht man eine Koerzitivkraft, die ebenso hoch oder höher als im vorstehend beschriebenen Fall ist, bei dem das Aufzeichnungsmedium die Cr-Kristallkeimschicht und die Cr-Grundschicht aufweist. Die aus einem der vorerwähnten Materialien gebildete Kristallkeimschicht kann eine Abgabe von Gasen aus dem Schichtträger verhindern, was eine verbesserte Korrosionsbeständigkeit gewährleistet. Auf der Grundlage der in den Fig. 18 und 19 dargestellten Ergebnisse, die bestätigen, daß eine ausreichend hohe Koerzitivkraft erzielt werden kann, wenn sowohl die Grundschicht als auch die Kristallkeimschicht eine Dicke im Bereich von 5 bis 100 nm (50 bis 1000 Å) aufweisen, kann die Dicke dieser Schichten je nach Wunsch bis auf eine Untergrenze von 5 nm (50 Å) vermindert werden.

Anstelle der Verwendung eines einzelnen Elements aus der Gruppe Cr, Mo, Ta, Ti, W, V, Zr, Cu, Al, Si, Ag und In gemäß der vorstehenden Aufzählung oder einer Legierung mit einem Gehalt an mindestens einem dieser Elemente zur Bildung der Kristallkeimschicht kann die Kristallkeimschicht aus beliebigen in der Tabelle 1 aufgeführten und in der ersten Ausführungs form verwendeten Materialien gebildet werden, so daß die Kristallorientierung der Grundschicht wie in der ersten Ausführungsform verbessert werden kann. Damit wird die Kristallorientierung der magnetischen Schicht aus der Co-Legierung unter Erzielung einer noch höheren Koerzitiv kraft verbessert.

Es wurden einige Proben von Aufzeichnungsmedien hergestellt, bei denen die magnetische Schicht 4 der einzelnen Proben jeweils aus einem magnetischen Material des CoCrTaPt-Systems (Cr: 11 Atom-%, Ta: 4 Atom-%, Pt: 3 Atom-%) gebildet waren und die Cr-Grundschicht 3 eine Filmdicke von 30 nm (300 Å) aufwies. Die Kristallkeimschichten 7 dieser Proben wurden aus den in Tabelle 1 angegebenen Materialien gebildet, wobei deren Zusammensetzungen stufen weise variiert wurden. Die Diagramme der Fig. 20 bis 26 zeigen die Beziehung zwischen der Zusammensetzung der einzelnen Materialien der Kristallkeimschicht 7 und der Koerzitivkraft Hc des gebildeten Aufzeichnungsmediums. Aus diesen Diagrammen ist ersichtlich, daß die Koerzi tivkraft Hc einen Wert von 1920 A/cm (2400 Oe) oder mehr erreicht, wenn die Zusammenset zung in einem Bereich liegt, der eine bcc-Kristallstruktur im Material der Kristallkeimschicht (vgl. Tabelle 1) wie bei der ersten Ausführungsform ergibt. Die Koerzitivkraft Hc wird verringert, wenn die Zusammensetzung außerhalb dieses Bereichs liegt und sich eine Metallverbindung ergibt, dessen Kristallsystem sich von der bcc-Kristallstruktur unterscheidet.

Bezüglich eines Aufzeichnungsmediums mit einer Magnetschicht 4 aus einem magnetischen Material des CoCrTaPt-Systems (Cr: 11 Atom-%, Ta: 4 Atom-%, Pt: 3 Atom-%) und einer Kristallkeimschicht 7 aus Al und Co (Al: 50 Atom-%, Co: 50 Atom-%) mit einer Dicke von 30 nm (300 Å), das eine Koerzitivkraft Hc von 1920 A/cm (2400 Oe), einen Brδ-Wert von 1×10-² Tµm (100 Gµm) und eine lineare Aufzeichnungsdichte von 150 kFCl aufweist, wurde die Abhängigkeit der Rauschspannung von der Filmdicke der Cr-Grundschicht ermittelt. Die Ergeb nisse sind im Diagramm von Fig. 27 dargestellt. Aus Fig. 27 ist ersichtlich, daß dann, wenn die Filmdicke der Cr-Grundschicht 100 nm (1000 Å) oder weniger beträgt, das Aufzeichnungsme dium eine hervorragende Rauschspannung (3 µV) zeigt, die unter derjenigen eines Vergleichs beispiels mit einer magnetischen CoCrTa-Schicht und ohne Kristallkeimschicht 7 liegt. Da das Aufzeichnungsmedium aufgrund des Vorsehens der Kristallkeimschicht 7 ein gewünschtes magnetisches Verhalten erreicht, kann die Filmdicke der Grundschicht 3 vermindert werden, was zu einer Verringerung des Rauschens des gebildeten Mediums führt. Obgleich auch hier die tatsächlichen Aufzeichnungs/Wiedergabeeigenschaften des Aufzeichnungsmediums nicht bestä tigt werden können, da die derzeit verfügbaren Magnetköpfe nicht zu einer zufriedenstellenden Aufzeichnung auf einem Medium mit einer Koerzitivkraft von 2000 A/cm (2500 Oe) oder mehr befähigt sind, kann die Überlegenheit oder die Vorteile des Aufzeichnungsmediums der vorliegenden Erfindung selbst dann, wenn das Medium eine hohe lineare Aufzeichnungsdichte von 200 kFCl oder mehr aufweist, leicht aus den mit der vorliegenden Ausführungsform erhalte nen Versuchsergebnissen abgeleitet werden.

Erfindungsgemäß wird zwischen dem Schichtträger und der Grundschicht eines magnetischen Aufzeichnungsmediums eine spezielle Kristallkeimschicht vorgesehen, um die Kristallorientierung der Grundschicht zu verbessern und um ferner die Kristallorientierung der magnetischen Co- Schicht, die epitaxial auf der Grundschicht gezüchtet wird, zu verbessern, wodurch sich eine hohe Koerzitivkraft (Hc 2400 A/cm (3000 Oe)) erreichen läßt.

Sofern der Schichtträger aus einem Glasmaterial gebildet ist, wird die Temperatur des Schicht trägers auf einen Bereich von 150 bis 300°C eingestellt, während die Kristallkeimschicht, die Grundschicht, die magnetische Schicht und die Schutzschicht durch Sputtern auf dem Schicht träger gebildet werden. An den Schichtträger wird eine Vorspannung von -300 bis 0 V ange legt, während die Grundschicht und die magnetische Schicht durch Sputtern gebildet werden, wobei die Filmdicke der Kristallkeimschicht auf einen Bereich von 5 bis 100 nm (50 bis 1000 Å) eingestellt wird. Auf diese Weise werden Gase, z. B. Feuchtigkeit, die im Schichtträger absor biert und festgehalten werden, aufgrund der Erhitzung des Schichtträgers entfernt, so daß die Kristallorientierung der Grundschicht und der epitaxial auf der Grundschicht gezüchteten magne tischen Schicht verbessert werden, wodurch sich eine beachtlich hohe Koerzitivkraft erreichen läßt.

Aufgrund der auf diese Weise erhöhten Koerzitivkraft läßt sich die Dicke der Grundschicht auf einen Bereich von 5 bis 100 nm (50 bis 1000 Å) verringern. Durch Verminderung der Dicke der Grundschicht kann die auf der Grundschicht gebildete magnetische Co-Schicht aus feinen oder winzigen Teilchen gebildet werden, was eine Verringerung des Magnetisierungsübergangsbe reichs (Breite der magnetischen Wand) zwischen Aufzeichnungsbits zur Folge hat, wodurch vermindertes Rauschen und eine hohe Koerzitivkraft gewährleistet werden.

Claims

1. Magnetisches Aufzeichnungsmedium, umfassend:
einen Schichtträger (1, 2; 10),
eine Grundschicht (3), die einen der Bestandteile Cr und eine Cr enthaltende Legierung umfaßt, wobei die Grundschicht auf den Schichtträger laminiert ist,
eine magnetische Schicht (4), die eine Legierung mit einem Gehalt an Co umfaßt und auf diese Grundschicht laminiert ist, und
eine zwischen dem Schichtträger und der Grundschicht vorgesehene Kristallkeim schicht (7).

2. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristallkeimschicht (7) ein Material aus folgender Gruppe umfaßt:
Al_1-X-Co_X, Cu_1-X-Si_X, Ni_1-X-Ga_X, Cu_1-X-Be_X, Mn_1-X-V_X, Ni_1-X-Zn_X und Fe_1-X-V_X, die Zusammensetzungen aufweisen, bei denen X in folgenden Bereichen liegt: 0,45 X 0,65, 0,10 X 0,20, 0,35 X 0,60, 0,30 X 0,60, 0,01 X 0,10, 0,40 X 0,60 bzw. 0,45 X 0,55.

3. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristallkeimschicht (7) ein einzelnes Element aus der Gruppe Cr, Mo, Ta, Ti, W, V, Zr, Cu, Al, Si, Ag und In oder eine Legierung mit einem Gehalt an mindestens einem Element aus dieser Gruppe umfaßt.

4. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetische Schicht (4) ein magnetisches Material mit einem der folgenden Systeme umfaßt: CoNiCrTa-System, CoCrPt-System und CoCrTaPt-System.

5. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundschicht (3) eine Cr-Legierung mit einem Gehalt an einem der Bestandteile Mo, Ta, Ti und W umfaßt.

6. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger (1, 2; 10) konzentrische Rillen aufweist, die durch Strukturierung einer Oberfläche des Schichtträgers gebildet worden sind.

7. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß einer der Bestandteile Schichtträger (1, 2; 10), Kristallkeimschicht (7) und Grundschicht (3) winzige Vorsprünge und Vertiefungen aufweist, die auf einer Oberfläche davon durch Bestrahlen der Oberfläche mit einem Laserstrahl gebildet worden sind.

8. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine ungleichmäßige Schicht (8) mit winzigen Vorsprüngen und Vertiefun gen zwischen dem Schichtträger (10) und der Kristallkeimschicht (7) oder zwischen der Kristall keimschicht und der Grundschicht ausgebildet ist.

9. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die ungleichmäßige Schicht (8) ein Oxid oder Nitrid von mindestens einem der Elemente aus der Gruppe Al, Cr, Ti, Ta, Zr, Bi und Si umfaßt.

10. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger (1, 2) eine mit Ni und P plattierte Schicht aus einer Al-Legierung umfaßt.

11. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger (10) ein Glasmaterial umfaßt.

12. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristallkeimschicht (7) eine Filmdicke im Bereich von 5 bis 100 nm (50 bis 1000 Å) aufweist.

13. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundschicht (3) eine Filmdicke im Bereich von 5 bis 100 nm (50 bis 1000 Å) aufweist.

14. Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsmediums mit einem ein Glasmaterial umfassenden Schichtträger (10), einer Cr oder eine Cr-Legierung umfassenden Grundschicht (3), einer eine Co-Legierung umfassenden magnetischen Schicht (4) und einer zwischen dem Schichtträger und der Grundschicht vorgesehenen Kristallkeimschicht (7), umfas send die Bildung der Grundschicht und der magnetischen Schicht durch Sputtern auf dem Schichtträger umfaßt, wobei die Temperatur des Schichtträgers auf einen Bereich von 150 bis 300°C eingestellt wird und eine Vorspannung von -300 bis 0 V an den Schichtträger angelegt wird.