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DE19700839C2 - Chuckanordnung - Google Patents

Chuckanordnung

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DE19700839C2
DE19700839C2 DE1997100839 DE19700839A DE19700839C2 DE 19700839 C2 DE19700839 C2 DE 19700839C2 DE 1997100839 DE1997100839 DE 1997100839 DE 19700839 A DE19700839 A DE 19700839A DE 19700839 C2 DE19700839 C2 DE 19700839C2
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Description

Die Erfindung betrifft eine Chuckanordnung nach dem Oberbe­ griff des Anspruchs 1, wie beispielsweise aus der DE 39 43 482 A1 bekannt.
Derartige Chuckanordnungen bzw. Teststationen werden in der automatisierten Messtechnik von Halbleiterwafern bzw. -schei­ ben eingesetzt. Die Teststation besitzt eine geeignet gela­ gerte Chuckanordnung, weiche motorgetrieben in wenigstens zwei unterschiedliche Richtungen bewegbar ist, vorzugsweise entlang einer vertikalen Z-Richtung und in einer horizontalen Richtung, beispielsweise entweder in X- und/oder Y-Richtung, oder in einer Richtung schwenkbar um die Z-Achse bis zu einem maximalen Verstellwinkel. Die Chuckanordnung besitzt eine Auflage mit einer im Wesentlichen ebenen Oberfläche, auf wel­ cher der zu messende Halbleiterwafer abgelegt und für die durchzuführende Messung angesaugt wird. Zu diesem Zweck ist die Auflage mit mehreren Bohrungen versehen, welche mit einer Vakuumquelle oder dergleichen Saugeinrichtung in Verbindung stehen. Damit Halbleiterwafer mit unterschiedlichen Wafer­ durchmessern gemessen werden können, besitzt eine solche Teststation in der Regel mehrere austauschbare Chuckanord­ nungen für unterschiedliche Waferdurchmesser. Bei den vorbe­ kannten Standard-Chuckanordnungen mit nur einer Vakuumversor­ gung sind die in der Auflage vorgesehenen Bohrungen in kon­ zentrischen oder spiralförmigen Sicken angeordnet, um eine optimale Aufteilung der Vakuumansaugung über die gesamte Wa­ ferfläche hinweg vorzusehen, wodurch eine sichere Fixierung des Halbleiterwafers auf der Auflage und damit sichere Kon­ taktierung am Messautomaten gewährleistet und damit ein Ver­ rutschen der Halbleiterscheibe vermieden werden kann. Aller­ dings können mit den bekannten Chuckanordnungen keine Bruch­ stücke von Halbleiterwafern mit der notwendigen Sicherheit fixiert werden. Durch die konzentrische oder spiralförmige Anordnung der Sicken wird die Vakuumversorgung bei der Ab­ stützung eines Bruchstückes eines Halbleiterwafers unterbro­ chen, so dass eine Bruchscheibe auf der Chuckanordnung nicht mehr ausreichend sicher haftet, und damit eine sichere Kon­ taktierung am Messautomaten nicht mehr gewährleistet werden kann. Eine Bruchscheibe, deren Form nicht einem Kreis oder Quadrat entspricht, kann somit nicht gemessen werden und wird als Ausfall verworfen.
Weiterhin besitzen die bekannten Teststationen zur definier­ ten Einstellung der Temperatur der Auflage eine elektronisch regelbare Temperaturstabilisierung, bei welcher eine dem Wa­ fer zugeordnete Auflageplatte auf einem bestimmten thermi­ schen Potential gehalten wird. Aufgrund von unterhalb oder neben der Teststation angeordneten elektromechanischen Kompo­ nenten, die zusätzlich Wärme erzeugen, ist ein genaues Ausregeln der Temperatur der Chuckanordnung wegen erheblicher Schwankungen der Temperatur des thermischen Gegenpotentials meist nicht möglich.
Aus der DE-OS 28 48 684 ist eine Chuckanordnung bekannt ge­ worden, bei der in der Auflageebene eine Anzahl von Öffnungen vorgesehen ist, welche unter Unterdruck stehen, wobei zwei oder mehreren Öffnungen bzw. Gruppen von Öffnungen getrennte Unterdrucksysteme zugeordnet sind. Die Öffnungen münden in sektorförmige Ausnehmungen der Auflageebene.
Die DE 44 25 874 A1 zeigt eine Chuckanordnung mit einer Auf­ nahmefläche, in der eine Mehrzahl von Ansaugöffnungen ausge­ bildet sind, die mit einer Vakuumpumpe zur Erzeugung des Un­ terdrucks verbindbar sind, wobei Absperrmittel zum gesteuer­ ten individuellen oder gruppenweisen Herstellen oder Unter­ brechen der Verbindung zwischen den Ansaugöffnungen und der Vakuumpumpe vorgesehen sind.
Die DE 39 43 482 A1 zeigt eine Chuckanordnung mit einer in einem Gehäuse auf- und abbewegbar geführten Werkstückauflage, vermittels welcher ein scheibenförmiges Werkstück in eine Prozesskammer einer Vakuumanlage transportierbar ist. Die ge­ nannte Chuckanordnung enthält ferner eine regelbare Heizeinrichtung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Chuckanordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der eine Regelung der Messtemperatur mit Abweichungen von der gewünschten Soll­ temperatur von maximal ±0,1° Celsius gewährleistet werden kann.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt mit den Merkmalen des Anspruchs 1.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Temperaturstabili­ sierungseinrichtung zwei unabhängig voneinander regelbare Stabilisierungsstufen aufweist, von denen die erste Stufe der Einstellung der Temperatur der Auflage und die zweite Stufe der Abführung der von der ersten Stufe abgegebenen Verlust­ leistung zugeordnet ist.
Dem Prinzip der Erfindung folgend kann hierbei des Weiteren vorgesehen sein, dass die erste und die zweite Stabilisie­ rungsstufe jeweils durch ein Peltierelement ausgebildet sind.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein vermittels Kühlluft gekühltes thermisches Gegenpotential vorgesehen ist. Hierbei kann von Vorteil vorgesehen sein, dass die zur Kühlung des thermischen Gegenpotentials einge­ brachte Kühlluft in einer durch eine Doppelschnecke ausgebil­ deten Kühlschlange geführt ist.
Bei einer bevorzugten konstruktiven Ausführung ist vorgese­ hen, dass jeweils eine zusammengehörende Gruppe von Bohrungen in eine von mehreren, jeweils unabhängig voneinander über Va­ kuumschalter mit der Vakuumquelle koppelbaren Kammern mündet. Hierbei kann des Weiteren vorgesehen sein, dass einer Kammer eine zusammengehörende Gruppe von in einem Kreissegment ange­ ordneter Bohrungen für die gemeinsame Kopplung mit der Vaku­ umquelle zugeordnet ist. Zweckmäßigerweise wird die Vakuuman­ saugung auf mehrere, einzeln schaltbare Segmente aufgeteilt. Abhängig von der Form des zu messenden Bruchstückes eines Halbleiterwafers wird nur noch das Segment freigegeben, auf dem tatsächlich eine Scheibenfläche aufliegt. Die anderen Segmente, auf denen kein Teil des zu messenden Scheibenstü­ ckes zum Liegen kommt, sind gesperrt und verhindern eine Un­ terbrechung der Vakuumversorgung.
Von Vorteil ist hierbei vorgesehen, dass die Abstände der in einem Kreissegment angeordneten Bohrungen einer zusammengehö­ renden Gruppe zum Rand der Auflage hin in radialer Richtung zunehmen. Des Weiteren kann der Durchmesser der inneren Boh­ rungen größer sein als die der äußeren. Dadurch kann der zu messende Halbleiterwafer bzw. das zu messende Halbleiterwa­ ferbruchstück in der Mitte der Auflage stärker angesaugt wer­ den als in den Randbereichen. Leicht gekrümmte Halbleiterwa­ fer bzw. Bruchstücke bekommen im Zentrum somit eine höhere Ansaugkraft und liegen plan auf. Ein plötzliches Abheben wäh­ rend des Messvorgangs, was zu einer Zerstörung des Halblei­ terwafers oder der Nadelkarte oder sonstiger Messinstrumente führen würde, kann vermieden werden.
Bei Bruchstücken von Halbleiterwafern gibt es oftmals eine bevorzugte Bruchrichtung. Die entstehenden Waferformen sind in der Regel hierbei rechteckig. Im Extremfall besitzen die Bruchstücke eine Länge entsprechend des vollen Halbleiterwa­ ferdurchmessers, sind jedoch lediglich nur wenige Chipsysteme breit. Um auch solche extrem schmalen Scheibenstreifen mit einer ausreichenden Ansaugkraft auf der Auflage fixieren zu können, ist vorgesehen, dass wenigstens eine zusammengehören­ de Gruppe von in einem Kreissegment angeordneter Bohrungen doppelreihig oder mehrfachreihig in radialer Richtung ange­ ordnet ist. Nachdem wegen der Lage der Chips auf der Scheibe die beiden Möglichkeiten vorhanden sind, die schmalen Rechte­ cke entweder im Hochformat oder im Querformat auf der Auflage der Chuckanordnung auflegen zu müssen, kann vorgesehen sein, dass wenigstens zwei Segmente mit doppelreihig angeordneten Bohrungen ausgeführt sind, wobei jeweils ein Segment in hori­ zontaler Richtung, und ein anderes in vertikaler Richtung verläuft. Von Vorteil ergibt sich hiermit eine im Wesentli­ chen doppelte Ansaugkraft und damit Abstützung in X- oder Y- Richtung auch bei solchen Scheibenbruchstücken, die lediglich auf einem schaltbaren Segment aufliegen.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die Vakuumschalter unmittelbar am Rand der Chuckanordnung angebracht, und vermittels flexibler Schlauchleitungen mit den einzeln und unabhängig voneinander mit der Vakuumquelle koppelbaren Kam­ mern verbunden. Die Vakuumschalter sind somit direkt an der Chuckanordnung befestigt, um die Zuleitungen möglichst kurz zu halten. Im Sinne einer möglichst kompakten Bauweise können vorzugsweise vier Vakuumschalter zu einem Block zusammenge­ fasst sein, wobei bei einer bevorzugten Aufteilung der Vaku­ umversorgung in Form einer Achter-Teilung die beiden Vakuum­ schalterblöcke sehr nahe an der Chuckanordnung befestigt sind, um beim Verfahren der Chuckanordnung nicht an Stützsäu­ len des Messautomaten oder sonstigem Messinstrumentarium an­ zufahren.
Bei einer weiterhin bevorzugten Ausführungsform kann vorgese­ hen sein, dass eine oder mehrere Bohrungen in der Mitte der Auflage separat an eine weitere Vakuumquelle angeschlossen ist bzw. sind. Eine im Zentrum der Auflage vorgesehene sepa­ rate Vakuumansaugung, die ständig in Betrieb sein kann, be­ sitzt hierbei den Vorteil, dass bei extrem kleinen Bruchstü­ cken alle anderen Segmente geschlossen werden können, so dass die gesamte Ansaugwirkung nur noch für die kleine Fläche zur Verfügung steht und demzufolge eine hohe Ansaugkraft bewirkt.
Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung weiter erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Seitenansicht einer Teststation mit einer Chuckanordnung nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Draufsicht der Teststation;
Fig. 3 eine schematische Schnittansicht der Teststation ent­ lang der Linie III-III;
Fig. 4 eine schematische Schnittansicht der Teststation ent­ lang der Linie IV-IV;
Fig. 5 eine schematische Schnittansicht der Teststation ent­ lang der Linie V-V.
Das in den Fig. 1 bis 5 dargestellte Ausführungsbeispiel der Erfindung umfasst eine Teststation 1 für einen Halblei­ terwafer bzw. ein Bruchstück 2 eines Halbleiterwafers mit ei­ ner Chuckanordnung 3, welche eine Auflage 4 mit einer im We­ sentlichen ebenen Oberfläche besitzt, die mit mehreren Boh­ rungen 5 versehen ist, welche für die lösbare Fixierung des Bruchstückes bzw. Halbleiterwafers 2 durch Ansaugen auf der Auflage 4 mit einer (in den Figuren nicht näher dargestell­ ten) Vakuumpumpe gekoppelt sind. Die Teststation 1 umfasst des Weiteren eine in Fig. 1 lediglich schematisch angedeute­ te Messanordnung 6 mit elektronischen Steuer- und Auswerte­ schaltkreisen, Messgeräten und mit an Positioniereinrichtun­ gen befestigten Sondenarmen 7, 8, die in an sich bekannter Weise am freien Ende jeweils eine Testsonde bzw. Mess-Spitze 9, 10 abstützen, die in Kontakt mit einem Anschluss einer in­ tegrierten Schaltung an einer vorbestimmten Stelle auf der Oberfläche des Halbleiterwafers 2 zu bringen ist. Die Test­ station 1 mit Chuckanordnung 3 und Messanordnung 6 dient der Messung der elektronischen Eigenschaften der auf dem Halblei­ terwafer 2 in hoher Integrationsdichte gefertigten Mikro­ schaltkreise und dergleichen Halbleiterbauelemente, und zwar noch im Waferverbund befindlichen Schaltkreise und Bauelemen­ te. Der prinzipielle Aufbau und die Wirkungsweise einer sol­ chen Teststation ist dem Fachmann geläufig und braucht an dieser Stelle nicht näher erläutert zu werden; insbesondere sind nähere Einzelheiten der elektrischen Verbindungen, etwa von der Mess-Spitze zum Messeingang des in der Messanordnung 6 vorgesehenen Messgerätes und weitere erforderliche Mess- und Auswerteschaltungen in den Figuren nicht näher darge­ stellt. Für die Kontaktierung der Mess-Spitzen 9 und 10 auf den vorbestimmten Kontaktflächen auf der Oberfläche des Halb­ leiterwafers 2 ist die Chuckanordnung 3 und die Messanordnung 6 relativ zueinander beweglich gelagert. Beim dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Chuckanordnung 3 entlang einer Z-Achse 11 in vertikaler Richtung, und über Antriebsmittel 12 um einen maximalen Schwenkwinkel von etwa 90° entlang der durch den Pfeil 13 angedeuteten Richtung bewegt werden. Zu­ sammen mit der in wenigstens einer Richtung quer zur Z-Achse 11 bewegbaren Positioniereinrichtung bzw. Sondenarmen 7, 8 entlang einer X- oder Y-Richtung kann jede gewünschte Stelle auf der Oberfläche des Halbleiterwafers 2 erreicht und mit den Mess-Spitzen 9, 10 kontaktiert werden.
Wie dies insbesondere aus der schematischen Draufsicht nach Fig. 2 ersichtlich ist, sind die in der Auflage 4 vorgesehe­ nen Bohrungen 5 in zusammengehörenden Gruppen 14a bis 14h dergestalt geordnet, dass jeweils eine zusammengehörende Gruppe 14 von Bohrungen 5 in eine von mehreren, jeweils unab­ hängig voneinander über Vakuumschalter 15a bis 15h mit einer an Vakuumleitungen 16 und 18 angeschlossenen Vakuumquelle koppelbaren Kammern 17a bis 17h mündet. Jede Kammer 17a bis 17h kann hierbei über die vermittels flexibler Anschlusslei­ tungen 19a bis 19h verbundenen, jeweils einzeln elektrisch betätigbaren Vakuumschalter 15a bis 15h mit der Vakuumquelle gekoppelt werden, um auf diese Weise Halbleiterwafer bzw. Bruchstücke von Halbleiterwafern in unterschiedlichen Größen sicher auf der Auflage 4 zu fixieren. Hierbei sind die Boh­ rungen 5 einer zugehörenden Kammer vorzugsweise segmentweise zu Gruppen 14a bis 14h geordnet, d. h. Bohrungen entlang einer radial von der Mitte bis zum Rand der Auflage verlaufenden Linie gehören zusammen. Die Segmente für die Aufteilung des Vakuums wurden hierbei in Form einer 8-er-Teilung gewählt. Jedes Segment wird einzeln durch den zugehörenden Vakuum­ schalter geschaltet. Die Vakuumschalter 15a bis 15h sind hierbei von Vorteil in unmittelbarer Nähe und direkt an der Chuckanordnung 3 befestigt, um die Zuleitungen 16 bzw. 19a bis 19h möglichst kurz zu halten. Im Sinne einer besseren Kompaktheit wurden hierbei jeweils vier Vakuumschalter zu ei­ nem Block zusammengefasst. Beide Schalterblöcke sind sehr na­ he an der Chuckanordnung 3 befestigt, um bei einem Verfahren der Chuckanordnung 3 nicht an (in der Figur nicht dargestell­ te) Stützsäulen der Messanordnung 6 anzufahren.
Im Zentrum der Chuckanordnung 3 befindet sich eine zentrale Kammer 20, die mit zentralen Bohrungen 21 in Verbindung steht, und an eine (nicht näher dargestellte) zentrale Vakuu­ mansaugung gekoppelt ist, die ständig in Betrieb sein kann. Der Vorteil bei dieser Ausbildung besteht darin, dass bei sehr kleinen Bruchstücken eines Halbleiterwafers alle anderen Segmente geschlossen werden können, so dass das gesamte Vaku­ um nur noch für die kleine Fläche in der Mitte der Auflage 4 zur Verfügung steht und eine hohe Ansaugkraft bewirkt.
Die im Wesentlichen kreisförmige Oberfläche der Auflage 4 wurde für einen Waferdurchmesser von fünf Zoll ausgelegt. Die Bohrungen 5 einer jeden Gruppe sind so angeordnet, dass der Abstand von Bohrung zu Bohrung von der Mitte der Auflage nach außen hin zum Rand zunimmt. Der Durchmesser der inneren Boh­ rungen ist hierbei größer als die der äußeren. Dadurch wird der Halbleiterwafer 2 im Zentrum stärker angesaugt als in den Randbereichen. Die oftmals leicht konkav gekrümmten Wafer be­ kommen damit im Zentrum eine höhere Ansaugkraft und liegen dann plan auf. Ein plötzliches Abheben während des Prüfvor­ gangs, was zur Zerstörung des Wafers und/oder der Mess- Spitzen 9, 10 führen würde, wird vermieden.
Zur sicheren Fixierung auch sehr schmaler Bruchstücke von Halbleiterwafern mit einer im Wesentlichen rechteckigen Form sind die Bohrungen 5 bei den Gruppen 14a und 14c doppelreihig in radialer Richtung angeordnet. Damit ergibt sich eine dop­ pelte Ansaugkraft und Stützung eines schmalen Bruchstückes entweder in X- oder in Y-Richtung auch bei solchen Wafern, die nur auf einem schaltbaren Segment aufliegen.
In den Fig. 3 bis 5 sind nähere Einzelheiten einer elek­ tronisch regelbaren Temperaturstabilisierungseinrichtung dar­ gestellt, die zur definierten Einstellung der Temperatur der Auflage 4 und damit der Temperatur des zu messenden Halblei­ terwafers 2 dient. Eine Temperaturstabilisierung der Auflage 4 ist im Sinne einer ausreichenden Messgenauigkeit und Repro­ duzierbarkeit der vorgenommenen Messungen erforderlich, wobei die gewählte Temperatur des zu messenden Halbleiterwafers auf wenigstens ±0,1° Celsius stabil gehalten werden soll. Eine Schwierigkeit besteht hier vor allem darin, dass sich unter­ halb der Chuckanordnung 3 in der Regel elektromechanische Komponenten befinden, die zusätzlich Wärme erzeugen. Zur Ab­ führung dieser Wärme ist ein thermisches Gegenpotential bei­ spielsweise in Form einer Luftkühlung vorgesehen, dessen Tem­ peratur gegenüber den Wafertemperaturen größeren Schwankungen unterworfen ist, was dazu führt, dass ein genaues Ausregeln der Temperatur der Chuckanordnung aufgrund der Schwankungen des Gegenpotentials besondere Maßnahmen erfordert. Erfin­ dungsgemäß ist nunmehr vorgesehen, dass die Chuckanordnung 3 wenigstens über zwei unabhängig voneinander regelbare Wär­ mestabilisierungsstufen 22 und 23 verfügt, von denen die er­ ste Stufe 22 der Einstellung der Temperatur der Auflage 4 und die zweite Stufe 23 der Abführung der Verlustleistung der er­ sten Stufe 22 zugeordnet ist. Von Vorteil werden für beide Stufen sogenannte Peltierelemente verwendet, und zwar Peltie­ relemente 24 für die erste Stufe der Wärmestabilisierung (vgl. Fig. 3) und Peltierelemente 25 für die zweite Stabili­ sierungsstufe (vgl. insbesondere Fig. 4). Die Peltierelemen­ te 24, 25 befinden sich in innigem thermischen Kontakt zu un­ terhalb der Auflage 4 angeordneten vorzugsweise aus Metall oder anderem gut wärmeleitenden Material gefertigten Platten 26, 27, 28 der Chuckanordnung 3. Die elektrischen Versor­ gungs- und Regelungseinrichtungen für die Peltierelemente 24, 25 sind in den Figuren nicht näher dargestellt. Peltierele­ mente sind in vielen Typen und Ausgestaltungen bekannt, so dass deren genauere Beschreibung weggelassen werden kann. Wichtig ist, dass die Peltierelemente 24 solchermaßen regel­ bar sind, dass in der Auflage 4 und damit in dem zu messenden Halbleiterwafer 2 eine gleichmäßig konstante Messtemperatur von typischerweise etwa der Zimmertemperatur (etwa 15° Celsi­ us bis 25° Celsius) mit einer Genauigkeit von wenigstens ±0,1° Celsius einstellbar ist. Normalerweise arbeiten die Pel­ tierelemente 24 als Heizelemente; durch einfaches Umpolen der Spannungsversorgung sind die Peltierelemente 24 auch als Küh­ lelemente betreibbar, so dass in der Auflage 4 auch Messtem­ peraturen von kleiner als Zimmertemperatur mit ausreichender Genauigkeit regelbar sind. Die Peltierelemente 25 der zweiten Stabilisierungsstufe 23 dienen im Wesentlichen zur Abführung der von der ersten Stufe erzeugten Verlustleistung. Durch den relativ geringen Wirkungsgrad der Peltierelemente 24, 25 ent­ steht meistens nur eine geringfügig höhere Temperatur in der ersten Stufe gegenüber der zweiten Stufe. Bei einem bevorzug­ ten Ausführungsbeispiel wird die Regelung für die zweite Stu­ fe deshalb so geschaltet, dass sie grundsätzlich nur Wärme von der ersten Stufe abführt, aber niemals Wärme des Gegenpo­ tentials auf die erste Stufe 22 überführen kann. Zur Einstel­ lung des thermischen Gegenpotentials ist Luft als Medium be­ vorzugt, da Flüssigkeiten als Kühlmedien wegen der hohen Elektrifizierung der gesamten Teststation 1 konstruktive Nachteile mit sich bringen. Bei dem bevorzugten Ausführungs­ beispiel wird die Kühlluft in einer in Form einer Doppel­ schnecke ausgebildeten Kühlschlange 29 geführt, die an Lei­ tungen 30 zur Einspeisung des Kühlmediums und 31 zur Abfuhr des Kühlmediums angeschlossen ist, und innerhalb der aus Vollmaterial gefertigten Platte 28 ausgebildet ist.

Claims (11)

1. Chuckanordnung zur Messung der elektronischen Eigenschaf­ ten von im Waferverbund befindlichen Halbleiterschaltungen, mit einer eine im Wesentlichen ebene Oberfläche aufweisenden Auflage (4) zur Abstützung des Halbleiterwafers (2) oder Bruchstücken davon und einer elektronisch regelbaren Tempera­ turstabilisierungseinrichtung zur definierten Einstellung der Temperatur der Auflage (4), dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturstabilisierungseinrichtung zwei unabhängig voneinander regelbare Stabilisierungsstufen (22, 23) auf­ weist, von denen die erste Stufe der Einstellung der Tempera­ tur der Auflage (4) und die zweite Stufe der Abführung der von der ersten Stufe abgegebenen Verlustleistung zugeordnet ist.
2. Chuckanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und die zweite Stabilisierungsstufe (22, 23) jeweils durch ein Peltierelement (24, 25) ausgebildet sind.
3. Chuckanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein vermittels Kühlluft gekühltes thermisches Gegenpo­ tential vorgesehen ist.
4. Chuckanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zur Kühlung des thermischen Gegenpotentials einge­ brachte Kühlluft in einer durch eine Doppelschnecke ausgebil­ deten Kühlschlange (29) geführt ist.
5. Chuckanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflage (4) mit mehreren Bohrungen (5) versehen ist, welche für die lösbare Fixierung des Halbleiterwafers bzw. Bruchstückes (2) durch Ansaugen auf der Auflage (4) mit einer Vakuumquelle gekoppelt sind und jeweils eine zusammengehören­ de Gruppe von Bohrungen (5) in eine von mehreren, jeweils un­ abhängig voneinander über Vakuumschalter (15a bis 15h) mit der Vakuumquelle koppelbaren Kammern (17a bis 17h) mündet.
6. Chuckanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass einer Kammer (17a bis 17h) eine zusammengehörende Gruppe (14a bis 14h) von in einem Kreissegment angeordneter Bohrun­ gen (5) für die gemeinsame Kopplung mit der Vakuumquelle zu­ geordnet ist.
7. Chuckanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Abstände der in einem Kreissegment angeordneten Boh­ rungen (5) einer zusammengehörenden Gruppe (14a bis 14h) zum Rand der Auflage (4) hin in radialer Richtung zunehmen.
8. Chuckanordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchmesser der in einem Kreissegment angeordneten Bohrungen (5) einer zusammengehörenden Gruppe (14a bis 14h) zum Rand der Auflage (4) hin in radialer Richtung abnehmen.
9. Chuckanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine zusammengehörende Gruppe (14a bis 14h) von in einem Kreissegment angeordneten Bohrungen (5) doppel­ reihig oder mehrfachreihig in radialer Richtung angeordnet ist.
10. Chuckanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumschalter (15a bis 15h) unmittelbar am Rand der Chuckanordnung (3) angebracht und vermittels flexibler Schlauchleitungen mit den einzeln und unabhängig voneinander mit der Vakuumquelle koppelbaren Kammern (17a bis 17h) ver­ bunden sind.
11. Chuckanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Bohrungen (5) in der Mitte der Auflage (4) separat an eine weitere Vakuumquelle angeschlossen ist bzw. sind.
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