DE1965163B2 - Batteriebetriebener mehrstufiger transistorverstaerker mit gleichstrom- gegenkopplung - Google Patents
Batteriebetriebener mehrstufiger transistorverstaerker mit gleichstrom- gegenkopplungInfo
- Publication number
- DE1965163B2 DE1965163B2 DE19691965163 DE1965163A DE1965163B2 DE 1965163 B2 DE1965163 B2 DE 1965163B2 DE 19691965163 DE19691965163 DE 19691965163 DE 1965163 A DE1965163 A DE 1965163A DE 1965163 B2 DE1965163 B2 DE 1965163B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- stage
- emitter
- negative feedback
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/02—Manually-operated control
- H03G3/04—Manually-operated control in untuned amplifiers
- H03G3/10—Manually-operated control in untuned amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/12—Manually-operated control in untuned amplifiers having semiconductor devices incorporating negative feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
- H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/02—Manually-operated control
- H03G3/04—Manually-operated control in untuned amplifiers
- H03G3/10—Manually-operated control in untuned amplifiers having semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2225/00—Details of deaf aids covered by H04R25/00, not provided for in any of its subgroups
- H04R2225/33—Aspects relating to adaptation of the battery voltage, e.g. its regulation, increase or decrease
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R25/00—Deaf-aid sets, i.e. electro-acoustic or electro-mechanical hearing aids; Electric tinnitus maskers providing an auditory perception
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen batteriebetriebenen mehrstufigen Transistorverstärker mit einem Gleichstrom-Gegenkopplungszweig
von der Ausgangsklemme der Ausgangsstufe auf die Eingangsklemme der
Eingangsstufe, wobei der Gegenkopplungszweig einen Längswiderstand aufweist, der an einem Abgriff eines
Spannungsteilers an der Ausgangsklemme angeschlossen ist.
Ein Transistorverstärker dieser Art ist aus der DT-AS 63 851 bekannt. Der Gegenkopplungszweig erbringt
eine höchst wirksame gleichstrommäßige Stabilisierung des Arbeitspunktes und damit der wirksamen Verstärkung
eines derartigen mehrstufigen Transistorverstärkers, indem in abgeglichenen Zustand der Gegenkopplungszweig
praktisch stromlos und damit die Vorspannung am Eingang der Eingangsstufe auf einen am
Ausgang der Ausgangsstufe abgegriffenen Wert festge-'egt ist
Aus der 7r'ischrifi »Philips' technische Rundschau«
1%b. Abb. 13 auf S. 190, ist es als solches bekannt bei
mein batteriebetriebenen mehrstufigen Transistorverstärker
für Schwerhörigengeräte in integrierter Scha1
tung für die Eingangsstufe einen Transistor vorzusehen
der zum Transistor der Ausgangsstufe komplementär ist Eine Gegenkopplung der oben beschriebenen Λ π
vom Ausgang der Ausgangsstufe auf der. Eingang der
Eingangsstufe ist dort nicht in Betracht gezogen
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde., die
c eines batteriebetriebenen mehrstufiger Tran
sistorverstärkers der eingangs genannten Art in dem Sinne zu verbessern, daß arbeitspunktverschiebende
Einflüsse wie Temperatursehwankungen und Batteriespannungsschwankungen dadurch möglichst ganz ausgeschaltet werden, daß diese Einflüsse keine Auswirkungen auf den Spannungsvergleich im Zuge der
Gegenkopplung mehr zeigen.
Diese Aufgabe wird bei einem mehrstufigen Transistorverstärker der eingangs genannten Art erfindungsgemäß im wesentlichen dadurch gelöst, daß in den
Spannungsteiler eine Konstantspannungseinspeisung über eine Diodenstrecke erfolgt
Da diese Diodenstrecke den gleichen temperatur- und spannungsschwankungsabhängigen Einflüssen ausgesetzt
ist, wie die Basis-Emitter-Strecke des Transistors der Eingangsstufe, führen Schwankungen dieser
Umgebungsbedingungen nicht mehr zu Arbeitspunktveränderungen für die Schaltung und damit zu einer
besonders stabilen Arbeitsweise eines solchen mehrstufigen Transistorverstärkers.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist es bei einem Transistorverstärker mit zur Eingangsstufe
komplementärer Ausgangsstufe zweckmäßig, den Spannungsteiler der Kollektor-EmiUer-Strecke der
Ausgangsstufe parallel zu schalten und die Diodenstrekke demjenigen Teil des Spamnungsteilers in Durchlaßrichtung
parallel zu schaltern, an den der Gegenkopplungszweig zwischen einen» einstellbaren Widerstand
und einem festen Widerstand angeschlossen ist.
Eine andere zweckmäßige Weiterbildung eines Transistorverstärkers mit zur Eingangsstufe komplementärer
Ausgangsstufe besteht darin, den Spannungsteiler dem Ausgang parallel zu schalten und als die
Diodenstrecke die Basis-Emitter-Strecke eines der Ausgangsstufe in Emitter-Schaltung vorgeschalteten
komplementären Transistors zu verwenden, dessen Emitter an dem Abgriff des Spannungsteilers angeschlossen
ist, mit Anschluß des Gegenkopplungszweiges an die Basis des vorgeschalteten Transistors.
Diese Schaltungen nach der Enindung zeichnen sich
insbesondere dadurch aus, daß im Zuge des Entladens einer Speisebatterie von vollgeladenem auf nahezu
entladenen Zustand praktisch keil, spürbarer Lautstärkeunterschied,
bezogen auf eine vorgegebene Lautstärkeeinstellung, auftritt.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus nachstehender Beschreibung zweier in
der Zeichnung dargestellter bevorzugter Ausführungsbeispiele unter Berücksichtigung von vereinfachten
Diagrammen zur Erläuterung der Stromabhängigkeit in einer vom Verstärker angesteuerten Last. Es zeigt
Fig. 1 ein Schaltbild für ein erstes bevpr7i:ptes
Ausführungsbeispiel nach der Erfindung,
F i g. 2 ein Schaltbild für ein zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel nach der Erfindung,
F i g. 3 die Abhängigkeit des Last-Stromes von der Batteriespannung eines Verstärkers nach Fig. ! oder
F 1 g. 2 und
Fig. 4 die Abhängigkeit des Las'.-Stromes ah
Funktion der Umgebungstemperatur bei einen· Verstär
ker nach F i g. 1 oder F i g. 2.
Das in Fig. 1 dargestellte Ausführungsbeispiel füi
einen erfindungsgemäßer Transistor·Verstärker weis
dre; Verstärkerstufen auf. nämlich zwei Stufen in Forn
zweier Transistoren Qi. QI und eine Ausgangsstufi
Q 3. Von der Ausgangsstufe Q 3 zum ersten Transisto Q t (Eingangsstufe) ist eine Gleichstrom-Gegenkopp
lung über Rückkopplungs-Widerstände R 2 und R.
vorgesehen.
Als Spannurigsquelle für den Transistor-Verstärker
dient eine Batterie Vb, deren positiver Pol 10 über eine Versorgungsleitung 14 und deren negativer Pol 12 über
eine Versorgungsleitung 16 zur Speisung der Transistoren Q dienen.
Kollektorseitig weist der als Eingangsstufe wirkende Transistor Q1 einen Kollektorwiderstand R1 auf. Der
Transistor Ql ist bezüglich der beiden anderen Transistoren Q 2 und Q 3 des Transistorverstärkers
nach F i g· 1 komplementär, also von entgegengesetzter Polarität im dargestellten Beispielsfalle nämlich ein
PNP-Transistor, gegenüber den Transistoren Q 2 und η 3 die vom NPN-Typ sind. Zwischen der Versorgungsleitung 14 und dem Kollektor des Transistors Q 2 ist ein
Kollektorwiderstand R 4 angeordnet Zwischen die Versorgungsleitung 14 und dem Kollektor des die
Ausgangsstufe darstellenden Transistor» Q 3 ist als Verbraucher oder Last ein Tonwiedergabegerät T
eingeschaltet.
Eingangsseitig erfolgt die Ansteuerung des Transistor.Verstärkers
über einen Wandler, im dargestellten Beispielsfalle über ein Mikrofon M, das einerseits über
einen Kondensator Cl in Serie an die Basis des Eingangsstufen-Transistors Q1 und andererseits an die
zweite Versorgungsleitung 16 angeschlossen ist.
Für die durch Rückkopplung gewonnene Stabilisierung des Transistor-Verstärkers ist ein Gegenkopplungszweig
18 vorgesehen. Als Bezugsspannung für die Gegenkopplung dient die über der Basis-Emitter-Diode
des die Eingangsstufe darstellenden Transistors QI abfallende Spannung, die bei einem Silizium-Transistor
typischerweise etwa 0,55 Volt beträgt
Im in F i g. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Gegenkopplungszweig 18 nicht direkt mit dem Kollektor
des Transistors der Ausgangsstufe Q 3 verbunden. Vielmehr ist für den Anschluß des Gegenkopplungszweiges 18 ein besonderer Schaltungsteil 22 vorgesehen,
der aus einer Diode D und einem mit ihr in Serie geschalteten Widerstand R 7 besteht, wobei der Diode
D ein Spannungsteiler aus einem einstellbaren Widerstand R 5 und einem festen Widerstand Ä6 parallel
geschaltet ist. Zwischen diesen beiden Widerständen R 5 und Λ 6 ist der Gegenkopplungszweig 18 angeschlossen.
Unter normalen Betriebsbedingungen beträgt die Spannungsdifferenz zwischen der Basis des die Eingangsstufe
darstellenden Transistors Q1 und der an den positiven Pol 10 angeschlossenen Versorgungsleitung
14 etwa 0,55 Volt. Unter der Voraussetzung, daß der Spannungsabfall über den in Serie geschalteten
Rückkopplungswiderständen R2-R3 vernachlässigbar
ist, weist auch der Schaltungspunkt a zwischen den beiden Widerständen R 5, R 6 des Spamungsteilers, an
den der Gegenkopplungszweig 18 angeschlossen ist, gegenüber der Versorgungsleitung 14 gemessen eine
Spannung von etwa 0,55 Volt auf. Bei einem Transistor-Verstärker der hier betrachteten Art wird die
Ausgangsstufe Q 3 in der Regel derart ausgelegt, daß über dem Tonwiedergabegerät T im Mittel eine
Spannung von etwa 0,35 Volt abfällt. Durch Verstellen des einstellbaren Widerstandes R 5 des Spannungsteilers
kann die gegenüber der Versorgungsleitung gemessene Spannung exakt auf den Betrag des
Spannungsabfalles über der Basis-Emitter-Diode des Transistors Q1 der Eingangsstufe eingestellt werden.
Falls in dem Schaltungsteil 22 als Diode D eine
Silizium-Diode Anwendung findet, die folglich ebenso lesbine
40
wie die Basis-Emitter-Diode des^ingangsstufen-Transistors Ql einen Spannungsabfall von etwa 0,55VoIt
aufweist, ist der Spannungsteiler aus den beiden Widerständen R 5 - R 6 folglich derart einzustellen, daß
sein Teilerverhältnis etwa 2 :3 beträgt
Die Werte für die Widerstände R 2, R 3, R 5 und R 6
sind relativ niedrig gewählt, so daß der Basisstrom des Eingangsstufen-Transistors Q1, der sich mit Veränderung des Gleichstrom-Verstärkungsfaktors
dieses Tran sistors Q1 ändert keinen merklichen Spannungsabfall
über diese Widerstände hervorruft In der Praxis kann deshalb bei solcher Auslegung des Transistor-Verstärkers
die Spannung am Widerstand R 5 dazu verwendet werden, um sowohl eine Streuung des Spannungsabfalles
über der Diode D als auch eine Streuung der Spannung über der Basis-Emitter-Strecke des Eingangsstufen-Transistors Q1 zu kompensieren.
Außer ihrer stabilen Arbeitsweise weist die beschriebene Gegenkopplungs-Schaftung insbesondere auch
noch den Vorteil auf, daß der Kollektorstrom des Eingangsstufen-Transistors Q1 auf einem relativ
niedrigen Wert gehalten wird, so daß der Geräuschpegel ebenfalls niedrig bleibt. Bei der praktischen
Anwendung eines solchen Transistorverstärkers wird es zusätzlich als angenehm empfunden, daß dieser ohnehin
niedrige Geräuschpegel darüber hinaus auch im wesentlichen konstant bleibt, unabhängig von Schwankungen
der Spannung der Batterie Vb.
Beim in F i g. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ι nach der Erfindung sind die Transistoren Q 2 und Q 3
komplementär in bezug auf den Eingangsstufen-Transistor QI. Die Basis-Emitter-Diode des Transistors Q 2
ist zu dem Kollektor-Widerstand R 1 des Eingangsstufen-Transistors
Q 1 parallel geschaltet, wobei der Strom =, durch diesen Widerstand im wesentlichen konstant
gehalten wird. Dieser Strom wird von dem Spannungsabfall über die Basis-Emitter-Diodc des Transistors Q 2
bestimmt.
Die Ströme durch die Eingangsstufen- und Ausgangsstufen-Transistoren
Ql und Q 3 werden also im wesentlichen konstant gehalten. Hieraus resultiert, daß
die Wechselspannungs-Verstärkung eines solchen Transistor-Verstärkers in diesen beiden Stufen im wesentlichen
konstant ist.
Beim in F i g. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein Kondensator C2 an die zum negativen Pol 12 der
Batterie Vb führende zweite Versorgungsleitung einerseits und andererseits — gegebenenfalls über
einen einstellbaren Widerstand 20 — an den Gegenkopplungszweig 18 angeschlossen. Dieser mit dem
Kondensator C2 in Serie liegende Widerstand 20 kann zur Lautstärkeeinstellung benutzt werden, wenn der
Transistor-Verstärker ein Tonwiedergabegerät T betreibt.
Das gegenüber demjenigen nach F i g. 1 abgewandelte,
in Fig. 2 dargestellte Ajsführungsbeispiel für einen
Transistor-Verstärker nach der Erfindung weist durch Zwischenschaltung zweier Transistoren Q 4 und Q 5 vor
Hern Transistor der Ausgangsstufe Q 3 fünf Verstärkerstufen auf. Die Transistoren Ql. Q2 und Q3 sind
gegenüber dem Ausfübrungsbeispiel nach Fi g. 1 gegenpolig
ausgebildet, d. h., der Eingangsstufen-Transistor Ql ist ein NPN-Transistor, dessen Emitter mit der
Versorgungsleitung 16 vom negativen Pol 12 der Batterie Vb verbunden ist, während der Transistor der
Ausgangsstufe Q3 ein PNP-Transistor ist, dessen Kollektor über das Tonwiedergabegerät T mit dieser
zweiten Versorgungsleitung 16 verbunden ist. Als
zweite Verstärkerstufe ist ein PNP-Transistor Ql
vorgesehen, dessen Kollektor nun über einen Widerstand R 4 mit dieser negativen Versorgungsleitung 16
verbunden ist, während der zusätzliche Transistor Q4
vom PNP-Typ ist, mit Anschluß seines Kollektors über
einen Widerstand R 10 an die negative Versorgungsleitung 16.
Der NPN-Transistor Q5, dessen Kollektor über
einen Widerstand R14 an die Versorgungsleitung 14
des positiven Poles 10 der Batterie Vb angeschlossen ist, weist in seinem Emitter-Kreis ein Schaltungsteil auf, das
außerdem in dem Kollektorkreis des Ausgangsstufen-Transistors QZ liegt und im einzelnen unten erläutert
wird.
Ein im Emitter-Kreis des Transistors QX der Eingangsstufe liegender einstellbarer Widerstand RS
nach F i g. 2 entspricht funktionsmäßig dem einstellbaren Widerstand R 5 bei dem Ausführungsbeispiel nach
Fig. 1. Dem einstellbaren Widerstand R8 ist ein
Kondensator C3 zur wechselstrommäßigsn Überbrükkung parallel geschaltet, so daß die Gegenkopplungswirkung des Emitter-Widerstandes R 8 sich nicht auf ein
Wechselstromsignal auswirkt.
Das in Zusammenhang mit dem Transistor Q5
erwähnte Schaltungsteil weist einen Widerstand R 13 auf, der einerseits an den Kollektor des Transistors der
Ausgangsstufe Q 3 und andererseits an den Emitter des
dieser vorgeschalteten Transistors Q 5 angeschlossen ist. Dieser Emitter ist einerseits über einen Widerstand
R 12 und andererseits über eine Serienschaltung aus einem Widerstand All und einem Kondensator C 4 mit
der zweiten Versorgungsleitung 16 für den negativen Pol 12 verbunden.
Die Widerstände R 12 und R 13, die einen Spannungsteiler
parallel zum Ausgang des Transistor-Verstärkers darstellen, werden so dimensioniert, daß am Widerstand
R12 ein Bruchteil des Spannungsabfalles über der
Basis-Emitter-Diode des Transistors Q 5 auftritt, beispielsweise
ein Fünftel der Basis-Emitter-Spannung und somit etwa 0,10 VoIl
Wie auc der Darstellung der F i g. 2 ersichtlich, ist der
Gegenkopplungszweig 18 an die Verbindung zwischen dem Kollektor des Transistors Q4 und der Basis des
Transistors Q 5 angeschlossen. Die Spannungsdifferenz zwischen der Basis des Transistors Q 5 und dem
Schaltungspunkt b des zuvor erläuterten Schaltungspunkt b des zuvor erläuterten Schaltungsteiles beträgt,
wenn es sich beim Transistor Q 5 wieder um einen Silizium-Transistor handelt, abermals 035 Volt. Gemessen
gegen die negative Versorgungsleitung 16 liegt somit an der Basis des Transistors Q 5 0,65 Volt an.
Wie schon im Falle des Ausführungsbeispieles nach F i g. 1 ist es auch hier nicht erwünscht, daß über den
Rückkopplungswiderständen R2-R3 ein spürbarer
Spannungsabfall auftritt Deshalb ist es erforderlich, daß auch der anderweitige Anschluß des Gegenkopplungszweiges 18 derart an der Basis des Eingangsstufen-Transistors
Qt erfolgt, daß auch hier eine Spannung von
0,65 Volt gegenüber der negativen Versorgungsleitung 16 herrscht
Dieses wird dadurch erreicht daß der Spannungsabfall am einstellbaren Widerstand RS von geeigneter
Größe zusätzlich zum ohnehin vorhandenen Spannungsabfall von 035 Volt über die Basis-Emitter-Diode
des Eingangsstufen-Transistors Q1 eingestellt wird.
Der Widerstand wird also stets so eingestellt daß an den beiden Enden des Gegenkopplungszweiges 18 die
gleiche Spannung herrscht, wonach über diese Rückkopplung konstante Spannung an der Basis des
Transistors Q 5 bewirkt wird. Die Folge ist eine Stabilisierung der Kollektorspannung des Transistors
der Ausgangsstufe Q 3 und somit das Eintreten des
s angestrebten Effektes, einen konstanten Strom durch
das Tonwiedergabegerät T zu gewährleisten. Durch entsprechende Einstellung des oben beschriebenen
Schaltungsteiles ist es zugleich möglich, etwaige Streuungen hinsichtlich der Basis-Emitter-Spannungen
, 0 an den Transistoren Q1 und Q 4 auszugleichen.
Während die Stabilisierung für die Einspeisung in den Gegenkopplungszweig 18 bei dem Ausführungsbeispiel
nach F i g. 1 durch die gesondert vorgesehene Diode C erfolgt, dient dafür bei dem Ausführungsbeispiel nach
, 5 F i g. 2 die Basis-Emitter-Diode des Transistors Q 5, die
insoweit in gleicher Weise Bestandteil des spannungsregelnden Schaltungskreises ist. Diese Basis-Emitter-Spannung
bildet zusammen mit der aufgrund Orientierung am Basis-Emitter-Spannungsabfall des Eingangsstufen-Transistors
Qt konstanten Basis-Spannung des Transistors Q 5 die Spannung am Schaltungspunkte t
aus, die somit als Referenzspannung für die Einspeisung in den Gegenkopplungszweig 18 dient.
Wie im Beispielsfalle nach F i g. 1 hat die Parallel-
2S schaltung des Kollektorwiderstandes R 1 des Eingangsstufen-Transistors
QX mit der Basis-Emitter-Diode de?
Transistors Q 2 zur Folge, daß der Kollektorstrom des Transistors Q1 konstant gehalten wird.
Mit dem Widerstand All ist ein Kondensator C4 ir
■,ο Serie geschaltet dessen Impedanz im Vergleich zurr
Wert des Widerstandes RXl klein ist. Hieraus resultier)
in Zusammenwirkung mit den Widerständen R 12 unc R 13 eine Wechselstromgegenkopplung für die beider
letzten Stufen des in Fig.2 dargestellten Transistor
Verstärkers.
Die vorteilhafte Wirkungsweise von Transistor-Ver
starkem nach der Erfindung hinsichtlich Stabilisierung
gegenüber Temperatur- und Batteriespannungsschwan kungen gehen aus den in F i g. 3 und F i g. 4 dargestellter
Diagrammen hervor.
Die Kurven Bl und EX geben die Abhängigkeit de;
Stromes durch das Tonwiedergabegerät 7~(nach F i g. 1 oder F i g. 2) als Funktion der Batteriespannung bzw
der Temperatur für einen herkömmlichen Verstärkei wieder, der sich gegenüber dem in F i g. 1 dargestellter
Ausführungsbeispiel nach der Erfindung dadurcr unterscheidet daß das Schaltungsteil 22 fortgelassen isi
und alle Transistoren vom gleichen Typ sind, so daß ihre Emitter mit dem gleichen Pol der Batterie verbunder
sind
Die Kurven Bund Esind die entsprechenden Kurver
für einen erfindungsgemäßen Verstärker gemäß dem ir Fi g. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel.
In Fig.3 zeigen die Kurven BX und B der Gleichstrom durch die vom Verstärker angesteuert« Last (Tonwiedergabegerät) als Funktion der Batterie spannung. Wie diese Kurven eindeutig zeigen, ander sich dieser Strom bei einem herkömmlichen Verstärkei sehr stark mit einer Variation der Batteriespannung Der Strom geht etwa auf die Hälfte seines Nennwerte; zurück, wenn die Batteriespannung von ungefähi 1.5 Volt auf etwa 1,1 Volt abgesunken ist Bei dem nacl der Erfindung gestalteten Transistor-Verstärker bleib jedoch dieser Strom konstant und zwar bei einei Schwankung der Betriebsspannung von etwa 1,7 VoI bis unterhalb 1,0 Volt Die praktische Bedeutung diese; Erscheinung liegt darin, daß es bei einem Tansistor-Ver stärker nach der Erfindung möglich ist, die Batteriei
In Fig.3 zeigen die Kurven BX und B der Gleichstrom durch die vom Verstärker angesteuert« Last (Tonwiedergabegerät) als Funktion der Batterie spannung. Wie diese Kurven eindeutig zeigen, ander sich dieser Strom bei einem herkömmlichen Verstärkei sehr stark mit einer Variation der Batteriespannung Der Strom geht etwa auf die Hälfte seines Nennwerte; zurück, wenn die Batteriespannung von ungefähi 1.5 Volt auf etwa 1,1 Volt abgesunken ist Bei dem nacl der Erfindung gestalteten Transistor-Verstärker bleib jedoch dieser Strom konstant und zwar bei einei Schwankung der Betriebsspannung von etwa 1,7 VoI bis unterhalb 1,0 Volt Die praktische Bedeutung diese; Erscheinung liegt darin, daß es bei einem Tansistor-Ver stärker nach der Erfindung möglich ist, die Batteriei
sehr viel länger zu verwenden, praktisch bis /u ihrer rungsbeispieles kann der erfindungsgemäßc Transistorvölligen
Entladung. ' Verstärker auch mit einem NPN-Transistor und mit
In entsprechender Weise geht aus Γ i g. 4 hervor, daß, zwei PNP-Transistoren aulgebaut werden, wobei dann
während bei einem herkömmlichen Verstärker der lediglich die Umkehrung der Polarität der Batterie und
Strom durch das Tonwiedergabegerät im wesentlichen s der die Referenzspannung liefernden Diode vorzuneh-
von der Temperatur abhängig ist und mit der men ist Ferner kann ein Transistor-Verstärker nach dei
Temperatur ansteigt, ein nach der Erfindung aufgebau- Erfindung ohne ueueres auch mittels geeignetei
ter Transistor-Verstärker einen Ausgangsstrom liefen, phasendrehender Schahungskreisc für sogenannter
der im wesentlichen unabhängig von derTemperatur ist. »Push-Pullw-Betneb Anwendung finden. Die Erfindung
Dieses ist insbesondere von praktischer Bedeutung bei 10 ist also nicht auf die dargestellten und beschriebener
Hörgeräten, die unter Bedingungen mit großen Ausfiihrungsbeispiele beschränkt, sie umfaßt auch aiii
Temperaturschwankungen wie z. B. zu verschiedenen fachmännischen Abwandlungen sowie Teil- und Unter
Jahreszeiten verwendet werden. kombinationen der beschriebenen und/oder dargestell
In Abwandlung des in Fig. I dargestellten Ausfüh- ten Merkmale und Maßnahmen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Batteriebetriebener mehrstufiger Transistorverstärker mit einem Gleichstrom-Gegenkopplungszweig von der Ausgangsklemme der Ausgangsstufe auf die Eingangsklemme der Eingangsstufe,
wobei der Gegenkopplungszweig einen Längswiderstand aufweist, der an einen Abgriff eines
Spannungsteilers an der Ausgangsklemme angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß in den Spannungsteiler (R5-R6-R7; Ri3—Ri2) eine Konstantspannungseinspeisung
über eine Diodenstrecke erfolgu
2. Transistorverstärker nach Anspruch 1, mit zur Eingangsstufe komplementärer Ausgangsstufe, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler
(R5-R6-R7) der Kollektor-Emitter-Strecke der Ausgangsstufe (Q 3) parallelgeschaltet ist und daß
die Diodenstrecke (Diode D) dem Teil des Spannungsteilers (R 5 — R 6) in Durchlaßrichtung
parallelgeschaltet ist, an den der Gegenkopplungszweig (18) zwischen einem einstellbaren Widerstand
(R 5) und einem festen Widerstand (R 6) angeschlossen ist.
3. Transistorverstärker nach Anspruch 1, mit zur Eingangsstufe komplementärer Ausgangsstufe, dadurch
gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler (Ri3 — Ri2) dem Ausgang parallelgeschaltet ist und
daß die Diodenstrecke die Basis-Emitter-Strecke eines der Ausgangsstufe (Q 3) in Emitterschaltung
vorgeschalteten komplementären Transistors (Q 5) ist, dessen Emitter an den Abgriff des Spannungsteilers
(7? 13 — /? 12) angeschlossen ist, mit Anschluß
des Gegenkopplungszweiges (18) an die Basis des vorgeschalteten Transistors (Q 5).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB6195868 | 1968-12-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1965163A1 DE1965163A1 (de) | 1970-09-24 |
DE1965163B2 true DE1965163B2 (de) | 1977-05-18 |
Family
ID=10487701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691965163 Withdrawn DE1965163B2 (de) | 1968-12-31 | 1969-12-27 | Batteriebetriebener mehrstufiger transistorverstaerker mit gleichstrom- gegenkopplung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3729588A (de) |
DE (1) | DE1965163B2 (de) |
DK (1) | DK142437B (de) |
GB (1) | GB1297625A (de) |
NL (1) | NL169004C (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4543453A (en) * | 1983-03-30 | 1985-09-24 | Beltone Electronics Corporation | Electronic hearing aid control circuit |
US5131046A (en) * | 1989-11-03 | 1992-07-14 | Etymotic Research Inc. | High fidelity hearing aid amplifier |
JP2765257B2 (ja) * | 1991-04-11 | 1998-06-11 | 日本電気株式会社 | 増幅回路 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3166719A (en) * | 1961-03-07 | 1965-01-19 | Warwick Electronics Inc | Transistorized sliding class a amplifier |
US3096487A (en) * | 1961-04-03 | 1963-07-02 | Willis L Lee | Directly coupled transistor amplifier with positive and negative feedback |
US3303380A (en) * | 1963-11-08 | 1967-02-07 | Burroughs Corp | Direct coupled transistor amplifier having complementary symmetry output and switchable feedback loop for driving a deflection coil |
US3320365A (en) * | 1964-06-08 | 1967-05-16 | A V Electronics Inc | Self-biasing amplifier |
US3457519A (en) * | 1967-07-12 | 1969-07-22 | Westinghouse Electric Corp | High input impedance amplifier |
US3519946A (en) * | 1968-09-30 | 1970-07-07 | Hans R Camezind | Class a audio amplifier |
US3555442A (en) * | 1969-05-12 | 1971-01-12 | Philco Ford Corp | Transistorized push-pull amplifier circuit utilizing dual bias supply |
-
1968
- 1968-12-31 GB GB6195868A patent/GB1297625A/en not_active Expired
-
1969
- 1969-12-23 DK DK682469AA patent/DK142437B/da not_active Application Discontinuation
- 1969-12-27 DE DE19691965163 patent/DE1965163B2/de not_active Withdrawn
- 1969-12-29 US US00888343A patent/US3729588A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-12-30 NL NLAANVRAGE6919529,A patent/NL169004C/xx active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3729588A (en) | 1973-04-24 |
DE1965163A1 (de) | 1970-09-24 |
DK142437B (da) | 1980-10-27 |
NL6919529A (de) | 1970-07-02 |
GB1297625A (de) | 1972-11-29 |
NL169004C (nl) | 1982-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3341345A1 (de) | Laengsspannungsregler | |
DE2718491C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Verstärkung der Signale eines elektromagnetischen Wandlers und zur Vorspannungserzeugung für den Wandler | |
DE2831065A1 (de) | Automatische pegelregelschaltung | |
DE3335379A1 (de) | Monolithisch integrierbare konstantstromquellenschaltung mit niedriger speisespannung | |
DE2849216B2 (de) | Schaltungsanordnung zum Regeln der Drehzahl eines Gleichstrommotors | |
DE2429310B2 (de) | Monolithisch integrierbare Serienregelschaltung | |
DE3011835A1 (de) | Leistungsverstaerker | |
DE1909721B2 (de) | Schaltungsanordnung zur gleichspannungsteilung | |
DE2250625B2 (de) | Schaltungsanordnung zur Konstanthaltung eines an eine Last gelieferten Stromes | |
DE69117032T2 (de) | Endstufe mit dem Verstärkungsfaktor Eins insbesondere für monolithisch integrierbare Leistungsverstärker | |
DE3102398A1 (de) | Spannungs- und temperaturstabilisierte konstantstromquellenschaltung | |
DE1537656B2 (de) | ||
DE1965163B2 (de) | Batteriebetriebener mehrstufiger transistorverstaerker mit gleichstrom- gegenkopplung | |
DE3850923T2 (de) | Operationsverstärkerstufen. | |
DE1180000B (de) | Transistor-Leistungsverstaerkerstufe | |
DE2822037C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Regelung des Arbeitspunktes bei einem Gegentakt-B-Verstärker | |
DE1033261B (de) | Mehrstufiger Transistorverstaerker fuer Wechselstroeme mit Stabilisierung der Transistorarbeitspunkte | |
DE3931893A1 (de) | Schaltung zur strombegrenzung mit foldback-verhalten | |
DE2729722A1 (de) | Tonfrequenzverstaerker mit nebenschlusspannungsregelung | |
DE3901560C2 (de) | ||
DE2702536A1 (de) | Ab-verstaerker mit konstantem stromverbrauch | |
DE102005044630B4 (de) | Spannungsregler | |
DE3032675A1 (de) | Tonfrequenz-leistungsverstaerker-schaltung. | |
DE4320006C2 (de) | Schaltungsanordnung zur elektronischen Nachbildung von Arbeitswiderständen | |
DE2635574B2 (de) | Stromspiegelschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8272 | Divisional inventive unit in: |
Ref document number: 1967361 Country of ref document: DE Format of ref document f/p: P |
|
Q271 | Divided out to: |
Ref document number: 1967361 Country of ref document: DE |
|
8239 | Disposal/non-payment of the annual fee |