DE19523977A1 - Microchip-Sicherung - Google Patents
Microchip-SicherungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Mikrochip-
Sicherung, die für die Oberflächenmontage auf einer ge
druckten Schaltung oder dergleichen geeignet ist.
Eine Mikrochip-Sicherung bzw. -Schmelzsicherung ent
sprechend dem Stand der Technik besteht aus einem zy
lindrischen Gehäuse, einem länglichen schmelzbaren Ele
ment, das sich durch einen Hohlraum zwischen den gegen
überliegenden Wänden des Gehäuses erstreckt, und dec
kelartigen leitenden Kontakten, die an den gegenüber
liegenden Enden des Gehäuses angebracht sind, und die
elektrisch mit den Enden des Schmelzelements verbunden
sind (z. B. US-PS Nr. 4 920 327).
Eine Sicherung ist bezüglich der Distanz zwischen den
Rändern bzw. Spitzen der gegenüberliegenden Kontakte
gewissen Beschränkungen unterworfen. Das heißt die
Kriechstrecke muß eine geforderte Länge aufweisen, da
mit eine gewünschte elektrische Charakteristik erhalten
wird. Bei einer Mikrochip-Sicherung nach dem oben be
schriebenen Stand der Technik sind Mantel- bzw. Um
fangsteile der deckelförmigen Kontakte so auf das Ge
häuse gepaßt, daß die Seitenflächen des Gehäuses be
deckt werden. Die Entfernung zwischen den Rändern der
Kontakte ist damit um die doppelte Breite der Umfangs
teile der Kontakte kürzer als die Entfernung zwischen
den gegenüberliegenden Außenflächen des Gehäuses. Kon
sequenterweise ist die Gesamtlänge der Sicherung in
Richtung der Kontakte infolge der oben erwähnten Be
grenzung durch die Kriechstrecke auf etwa 6 mm be
grenzt.
Andererseits wurden häufig Elektroden verwendet, die
eine Metallfolie in L-Form besitzen und an die gegen
überliegenden Außenflächen und ihre angrenzende Um
fangsfläche des Zylindergehäuses angebracht sind. So
bald sich jedoch die Teile der Metallfolie über die
Seitenflächen des Gehäuses erstrecken, gab es aus dem
gleichen Grund wie bei den oben geschilderten deckel
förmigen Kontakten bezüglich der Verkürzung der Länge
der Sicherung ebenso eine Begrenzung.
Gerade aber im Hinblick auf die Miniaturisierung elek
tronischer Bauelemente ist die Überwindung der oben ge
schilderten Begrenzungen vonnöten. Außerdem ist aus
Gründen der schnelleren Ansprechzeit von Mikrochip-
Sicherungen eine Verkürzung der Länge der Schmelzele
mente notwendig. Es werden also Sicherungen mit einer
Gesamtlänge von unter 6 mm zwischen den Elektroden ge
fordert. Tatsächlich wäre eine Größenordnung von 1,5 mm
wünschenswert. Eine Mikrochip-Sicherung nach dem Stand
der Technik wäre für eine derartig hohe Miniaturisie
rung ungeeignet, da deren Außenmantelbreite bei einer
Kontaktanschlußkonstruktion und bei Metallfolienelek
troden in der Größenordnung von 0,5 bis 1 mm sein müß
te.
Es ist denkbar, eine dünne Elektrode zu konstruieren,
indem eine Metalldampfabscheidung oder dergleichen an
den gegenüberliegenden Außenflächen eines Gehäuses vor
genommen wird. Die Metalldampfabscheidung erfordert je
doch Vakuumgeräte, die zu hohen Anlage- und Objektko
sten führen. Darüber hinaus ist die Produktionseffizi
enz aufgrund der Chargenproduktion nicht hoch, wodurch
auch übermäßige Produktionskosten entstehen. Demzufolge
wird dieses Verfahren momentan nicht angewandt.
Wie oben geschildert ist das Gehäuse der Mikrochip-
Sicherung gemäß dem Stand der Technik in vielen Fällen
zylindrisch. Der Durchmesser einer Mikrochip-Sicherung
mit einer Gesamtlänge von etwa 6 mm beträgt normal er
weise 2 bis 3 mm. Somit ist es aus Sicht der Produktion
nicht einfach, ein sehr dünnes Schmelzelement mit einer
Abmessung von einigen zehn µm zwischen den gegenüber
liegenden Außenflächen des Gehäuses durch einen kleinen
zylindrischen Hohlkörper zu spannen.
Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung von minia
turisierten Mikrochip-Sicherungen für die Massenproduk
tion, die die oben erwähnten Probleme überwinden, die
durch den während des Schmelz- bzw. Unterbrechungsvor
gangs erzeugten Gasdruck kaum zerstörbar sind und die
dennoch die Isolationscharakteristiken konventioneller
Mikrochip-Sicherungen besitzen.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß eine Mi
krochip-Sicherung nach Anspruch 1 zur Verfügung ge
stellt.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich
aus den Unteransprüchen.
Die Leitpaste wird aufgebracht und auf die entsprechen
den äußeren Endflächen des Oberteils und des Unterteils
gesintert, so daß eine dadurch entstehende Elektrode an
den äußeren Endflächen anhaftet. Da der Sinterprozeß
unter Umgebungsbedingungen durchgeführt werden kann,
kann die erfindungsgemäße Mikrochip-Sicherung kosten
günstig produziert werden. Darüber hinaus befinden sich
die Elektroden nur an den gegenüberliegenden Endflächen
des Gehäuses und nicht an dessen Seitenflächen. Dadurch
wird eine maximale Kriechstrecke zwischen den gegen
überliegenden Elektroden erreicht, wodurch die Siche
rung gegenüber konventionellen Sicherungen weiter mi
niaturisiert werden kann, ohne eine Mindestkriechstrec
ke zu unterschreiten. Mit dieser Miniaturisierung kann
also die Länge des Schmelzelements weiter verkürzt wer
den, wodurch raschere Ansprechcharakteristiken gegen
über dem Stand der Technik erreicht werden können.
Durch die Paßkonstruktion des Gehäuses mit dem Ober-
und dem Unterteil ist ein leichtes Einbringen des
Schmelzelements möglich und eine wirtschaftliche Mas
senproduktion realisierbar.
Es wird also eine Mikrochip-Sicherung zur Verfügung ge
stellt, die aus einem Gehäuse besteht, welches aus ei
nem kastenförmigen Unter- und Oberteil zusammengesetzt
ist. Auf den Endflächen beider Teile sind Elektroden
angebracht, die durch elektrochemisches Abscheiden ei
nes Metalls auf einer gesinterten Leitpaste auf den
Endflächen gebildet werden. An den Teilen sind Ausspa
rungen vorgesehen, die mit Isolatormaterial gefüllt
werden. Ein Schmelzelement erstreckt sich durch das
Isoliermaterial und den Innenraum, der gebildet wird,
wenn beide Teile miteinander verbunden werden. Die En
den des Schmelzelements werden an die Elektroden gelö
tet. Durch eine dünne Wand vom Innenraum abgegrenzt ist
im Gehäuse ein Hohlraum vorgesehen, der den Gasdruck
dämpfen soll, welcher während des Durchschmelzens der
Sicherung erzeugt wird.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen
näher erläutert; es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Mi
krochip-Sicherung gemäß einer Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung
mit einem Teilausbruch;
Fig. 2A einen Querschnitt entlang der Linie
IIA-IIA von Fig. 1;
Fig. 2B eine Vergrößerung des in Fig. 2A mit
IIB gekennzeichneten Ausschnitts;
Fig. 3 einen Teilquerschnitt entlang der Linie
III-III von Fig. 2A; und
Fig. 4 eine partielle Explosionsansicht einer
Mikrochip-Sicherung gemäß einer anderen
Ausführungsform der Erfindung.
Einige bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung werden nun mit Bezug auf die Zeichnungen er
läutert. Dazu sei bemerkt, daß die Zeichnungen teilwei
se unvollständig und teilweise überproportional die je
weilige Ansicht der Ausführungsform darstellen.
In Fig. 1 ist das Gehäuse 1 durch einen Würfel mit ei
ner Kantenlänge von etwa 1,5 mm definiert und es be
steht aus zwei Teilen, dem Oberteil 2 und dem Unterteil
3. In der vorliegenden Ausführungsform bestehen das
Oberteil 2 und das Unterteil 3 aus einem elektrisch
isolierenden Material, zum Beispiel durch übliche For
mungsverfahren hergestellte Keramiken, und besitzen
identische, kastenförmige Gestalt. Halbkreisförmige
Aussparungen 6 befinden sich entsprechend an den glei
chen Stellen in der Mitte der Kantenabschnitte 5 der
dazugehörigen Endflächenteile 4 des Oberteils 2 und des
Unterteils 3 (Ober- und Unterteilendflächen 4). Jeweils
an der gleichen Stelle der Kantenabschnitte 8 der ent
sprechenden Seitenteile 7 des Oberteils 2 und des Un
terteils 3 (Ober- und Unterteilseiten 7) befindet sich
eine Aussparung 9 mit fächerförmigem Querschnitt. Diese
erstreckt sich zwischen den gegenüberliegenden Endflä
chen des Oberteils 2 und des Unterteils 3 und ist von
der Außenwandfläche und der Innenwandfläche des Seiten
teils 7 abgesetzt. Wenn das Oberteil 2 und das Unter
teil 3 zusammengefügt werden, bilden deren Aussparungen
9 einen Hohlraum 13 an der Seitenwand des Gehäuses.
Dieser ist vom Innenraum 10 des Gehäuses 1 durch eine
dünne Wandfläche 11 und ebenso durch eine zweite Wand
fläche 12 abgegrenzt. Der Hohlraum 13 muß sich nicht
notwendigerweise über die gesamte Strecke zwischen den
gegenüberliegenden Endflächen im Seitenbereich des Ge
häuses 1 erstrecken, sondern kann auch nur in einem
Teilstück davon ausgebildet sein. Darüber hinaus kann
der Hohlraum 13 auch unmittelbar angrenzend an den In
nenraum 10 nur durch eine dünne Wand getrennt an jeder
beliebigen Stelle vorgesehen werden, zum Beispiel als
Abdeckteil oder dergleichen des Oberteils 2 oder des
Unterteils 3.
Durch den mit der ersten Wandfläche 11 vom Innenraum 10
abgetrennten Hohlraum 13 kann der Druck, dem das Gehäu
se 1, bestehend aus dem Oberteil 2 und dem Unterteil 3,
standhalten muß, wenn beim Durchschmelzen des Schmelz
elements Gas erzeugt wird, erhöht werden. Dies ist des
halb möglich, da der Druck, der durch das Gas beim
Schmelzen aufgebaut wird, infolge des Durchbruchs der
ersten Wandfläche 11 abgeschwächt wird. Die erste Wand
fläche 11 und der Hohlraum 13 dienen somit zur Druck
dämpfung. Folglich kann für ein Gehäuse 1 mit gleichen
Abmessungen eine höhere Schwellspannung erzielt werden,
ohne daß es zu einem Bruch kommt, womit schließlich die
Bruchcharakteristiken verbessert werden.
Darüber hinaus ist es durch Füllen des Hohlraums 13 mit
dem gleichen elektrisch isolierenden Material, welches
auch für den elektrischen Isolator 16 (unten beschrie
ben) verwendet wird, möglich, den beim Durchschmelzen
des Schmelzelements hervorgerufenen Gasdruck weiter zu
dämpfen und so auch den Bruch des Gehäuses zu verhin
dern.
Gemäß Fig. 2B wird an den Außenflächen der entsprechen
den Endflächenteile 4 des Oberteils 2 und des Unter
teils 3 eine Leitpaste aus Silber (Ag), Silber-Palla
dium (Ag-Pd) oder dergleichen aufgebracht. Diese Paste
wird bei einer Temperatur von etwa 850°C gesintert und
bildet dann einen Teil der Elektrode 14, die fest an
den Außenflächen der entsprechenden Endflächenteile 4
haftet. Die Dickem einer solchen Elektrode, die durch
Sintern der Silber-Palladium-Paste erzeugt wird, be
trägt lediglich 10 bis 20 µm. Nebenbei bemerkt kann das
Aufbringen einer solchen Paste auch durch Eintauchen
erfolgen. Der Sinterprozeß kann unter Umgebungsbedin
gungen durchgeführt werden, so daß teure Produktions
einrichtungen nicht notwendig sind, und die Produktion
erleichtert wird. Danach wird, wie in Fig. 2B gezeigt,
ein Metall 15, z. B. Nickel, auf der gesinterten Elek
trode 14 beispielsweise elektrochemisch abgeschieden.
Ein derartig abgeschiedenes Metall ist nur bei bestimm
ten Anwendungen erforderlich.
Bei der erfindungsgemäßen Mikrochip-Sicherung kann die
Elektrode im Gegensatz zum metallischen, deckelförmigen
Kontakt nach dem Stand der Technik, der eine Dicke von
0,5 bis 1,5 mm erfordert, sehr dünn gehalten werden,
nämlich 10 bis 20 µm. Dabei kann die Kriechstrecke zwi
schen den Elektroden vergrößert und die Mikrochip-
Sicherung der vorliegenden Ausführungsform gegenüber
den gängigen Sicherungen bei gleicher Kriechstrecke
weiter miniaturisiert werden.
Für ein rascheres Ansprechverhalten muß das Schmelzele
ment verkürzt werden. Bei den bisher bekannten Mikro
chip-Sicherungen, bei denen deckelförmige Kontakte und
Elektroden verwendet werden, muß die Länge des Schmelz
elements mindestens der doppelten Breite des Mantel
teils des Kontakts entsprechen, womit das zwischen den
Elektroden befindliche Schmelzelement bezüglich seiner
minimalen Länge beschränkt ist. Im Gegensatz dazu kann
bei der vorliegenden Ausführungsform die Länge des
Schmelzelements kürzer als die Gesamtbreite der Mantel
teile gängiger Kontakte sein, da die erfindungsgemäßen
Kontakte keine Mantelteile besitzen. Folglich können
mit Mikrochip-Sicherungen der vorliegenden Ausführungs
form schnellere Durchbruchcharakteristiken als beim
Stand der Technik erreicht werden.
In die Aussparungen 6 wird ein elektrischer Isolator
16, zum Beispiel Siliziumharz, Glaspaste, anorganischer
Klebstoff oder dergleichen, eingefüllt. Ein derartiger
Isolator 16 besteht aus einem Material, das bei erhöh
ten Temperaturen nicht verkohlt. Ein sehr dünnes,
drahtartiges Schmelzelement 17 besteht beispielsweise
aus Kupfer, Silber oder dergleichen und hat einen
Durchmesser von 10 bis 20 µm. Es ist im Innenraum 10
des Gehäuses 1 aufgespannt, ist in die mit dem Isolator
16 gefüllten Aussparungen 6 eingebettet und ragt durch
die Aussparungen 6 aus dem Gehäuse 1 heraus. Das Ober
teil 2 und das Unterteil 3 werden an den Verbindungs
flächen durch einen Klebstoff, zum Beispiel Epoxydharz
oder dergleichen, miteinander verklebt.
Entsprechend der vorliegenden Ausführungsform der Mi
krochip-Sicherung ist das Gehäuse 1 aus einem Oberteil
2 und einem Unterteil 3 konstruiert, die dann als Paß
bzw. Gegenstücke miteinander verbunden werden. Damit
ist es einfach, das Schmelzelement 17 einzubauen, und
eine wirtschaftliche Produktion kann erreicht werden.
Insbesondere bei dünnen Drähten für Schwachströme ist
der Einbau hier wesentlich einfacher als bei konventio
nellen zylindrischen Gehäusen. Weiterhin kann die An
zahl unterschiedlicher Teile dadurch reduziert werden,
daß dem Oberteil 2 und dem Unterteil 3 die gleiche Ge
stalt gegeben wird, wodurch die Fertigungsanlagen, wie
beispielsweise Formen und dergleichen, im Hinblick auf
die Wirtschaftlichkeit reduziert bzw. vereinfacht und
sowohl Kontrolle als auch Management der Komponenten
einfacher gestaltet werden können.
An den Aussparungen 6, durch die sich das Schmelzele
ment 17 erstreckt, ist der Gegendruck gegen den Gas
druck, der beim Schmelzen des Schmelzelements vor des
sen Trennung erzeugt wird, relativ gering. Deshalb die
nen die in die Aussparungen 6 eingebrachten Isolatoren
16 zur Dämpfung des Gasdrucks und verhindern den Bruch
des Gehäuses. Weiterhin dienen die Isolatoren 16 zum
Einschluß des geschmolzenen Metalls, das vor dem Tren
nen des Schmelzelements 17 während des Schmelzvorgangs
anfällt, und folglich verhindern sie, daß das geschmol
zene Metall zur Elektrode 14 gelangt, wodurch der Iso
lationscharakter der Sicherung aufrechterhalten bleibt.
Wie Fig. 2B zeigt, sind die Enden des Schmelzelements
17, die aus den Isolatoren 16 herausragen, in das Löt
metall entlang der mit dem elektrochemisch abgeschiede
nen Metall 15 beschichteten Elektrode 14 eingebettet.
Die Enden werden durch Lotkügelchen auf der Elektrode
14 aufgelötet, was durch das Lot 18 gekennzeichnet ist.
Im Hinblick auf eine deutlichere Darstellung ist in
Fig. 1 das Ende des Schmelzelements 17 abwärts orien
tiert, wogegen es in der Praxis lateral orientiert ist.
Die Ausrichtung des auf der Elektrode 14 befindlichen
Schmelzelements 17 ist beliebig.
Die Abmessungen des Oberteils 2 und des Unterteils 3
sind gemäß der vorliegenden Erfindung wie folgt: die
Dicke des Endflächenteils 4 und des Seitenteils 7 sowie
die Tiefe der Mulde des Oberteils 2 bzw. des Unterteils
3 betragen etwa 0,4 mm, der Radius der Aussparung 6 be
trägt etwa 0,15 mm und die Aussparungen 9 besitzen von
der Innenwand und der Außenwand des Seitenteils 7 etwa
einen Abstand von 0,1 mm.
Die Mikrochip-Sicherung gemäß der vorliegenden Ausfüh
rungsform mit dem oben beschriebenen Aufbau hat folgen
de elektrische Eigenschaften: AC-Nennspannung 125 V und
Unterbrechungs-Nennstrom 100 A bei einem Nennstrom von
1A oder mehr. Die Mikrochip-Sicherung kann mit Hilfe
der sogenannten SMD (Surface Mounted Device = oberflä
chenmontierte Bauelemente) -Reflow-Löttechnik auf eine
gedruckte Schaltung oder dergleichen aufgelötet werden.
Fig. 4 ist eine perspektivische Explosionsansicht eines
Teils einer Mikrochip-Sicherung gemäß einer anderen
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Bezugs
zeichen in Fig. 4 entsprechen denen in Fig. 1, weshalb
an dieser Stelle auf eine weitere Erläuterung verzich
tet wird.
Der Unterschied der Mikrochip-Sicherung aus Fig. 4 zu
der von Fig. 1 besteht darin, daß auf der Elektrode 14,
die aus der aufgetragenen und gesinterten Silber-Palla
dium-Paste hergestellt ist, kein Nickel 15 elektroche
misch abgeschieden ist. Eine Metallfolie 19, die im
voraus mit Lot 18 versehen ist, wird auf die, bei
spielsweise aus Silber-Palladium hergestellte Elektrode
14 aufgelötet. Durch diesen Lötvorgang wird das Ende
des Schmelzelements 17, die Elektrode 14 aus Silber-
Palladium und die Metallfolie 19 elektrisch miteinander
kontaktiert. Die Dicke der Metallfolie 19 beträgt vor
zugsweise 50 µm und ihre Flächenabmessung ist im we
sentlichen die gleiche wie die der Endflächen des Ge
häuses 1. Mit Hilfe dieser Metallfolie 19 wird die End
fläche des Gehäuses 1 verstärkt, wodurch die Bruchfe
stigkeit der Endfläche des Gehäuses 1 gegen den Gas
druck, der vor der Unterbrechung durch das Schmelzen
des Schmelzelements erzeugt wird, erhöht werden kann.
Somit können die Bruchcharakteristiken bei gleichen Ab
messungen verbessert werden.
Claims (7)
1. Mikrochip-Sicherung mit
einem aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellten Oberteil (2) mit einem Paar von Ober teilendflächen (4), die in einem vorgegebenen Ab stand gegenüberliegend angeordnet sind, einem Paar Oberteilseiten (7), die die gegenüberliegenden Sei tenabschnitte des Paars von Oberteilendflächen (4) verbinden, und einer Oberteildeckfläche, welche die Oberkanten des Paars von Oberteilendflächen (4) und des Paars von Oberteilseiten (7) bedeckt,
einem aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellten Unterteil (3) mit einem Paar von Un terteilendflächen (4), die in einem gegebenen Ab stand gegenüberliegend angeordnet sind, einem Paar von Unterteilseiten (7), die die gegenüberliegenden Seitenabschnitte des Paars von Unterteilendflächen (4) verbinden, und einer Unterteildeckfläche, wel che die Unterkanten des Paars von Unterteilendflä chen (4) und der Unterteilseiten (7) bedeckt, und
Elektroden (14), die an den Außenflächen des Paars von Oberteilendflächen (4) des Oberteils (2) und des Paars von Unterteilendflächen (4) des Un terteils (3) durch Sintern einer darauf aufgebrach ten elektrischen Leitpaste hergestellt sind,
wobei die Unterkanten der Oberteilendflächen (4) und die Oberkanten der Unterteilendflächen (4) so wie die Unterkanten der Oberteilseiten (7) und die Oberkanten der Unterteilseiten (7) so zusammenge fügt sind, daß die Endflächen beider Teile (2, 3) eine plane Oberfläche bilden und durch das Oberteil (2) und das Unterteil (3) ein abgeschlossener Raum definiert ist, und
die Mikrochip-Sicherung weiterhin ein drahtför miges Schmelzelement (17) aufweist, das zwischen die Unterkantenteile (5) der Oberteilendflächen (4) und die Oberkantenteile (5) der Unterteilendflächen (4) eingebaut ist und sich durch den abgeschlosse nen Raum (10) erstreckt, wobei die entsprechenden Enden des Schmelzelements (17) elektrisch mit den Elektroden (14) verbunden sind.
einem aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellten Oberteil (2) mit einem Paar von Ober teilendflächen (4), die in einem vorgegebenen Ab stand gegenüberliegend angeordnet sind, einem Paar Oberteilseiten (7), die die gegenüberliegenden Sei tenabschnitte des Paars von Oberteilendflächen (4) verbinden, und einer Oberteildeckfläche, welche die Oberkanten des Paars von Oberteilendflächen (4) und des Paars von Oberteilseiten (7) bedeckt,
einem aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellten Unterteil (3) mit einem Paar von Un terteilendflächen (4), die in einem gegebenen Ab stand gegenüberliegend angeordnet sind, einem Paar von Unterteilseiten (7), die die gegenüberliegenden Seitenabschnitte des Paars von Unterteilendflächen (4) verbinden, und einer Unterteildeckfläche, wel che die Unterkanten des Paars von Unterteilendflä chen (4) und der Unterteilseiten (7) bedeckt, und
Elektroden (14), die an den Außenflächen des Paars von Oberteilendflächen (4) des Oberteils (2) und des Paars von Unterteilendflächen (4) des Un terteils (3) durch Sintern einer darauf aufgebrach ten elektrischen Leitpaste hergestellt sind,
wobei die Unterkanten der Oberteilendflächen (4) und die Oberkanten der Unterteilendflächen (4) so wie die Unterkanten der Oberteilseiten (7) und die Oberkanten der Unterteilseiten (7) so zusammenge fügt sind, daß die Endflächen beider Teile (2, 3) eine plane Oberfläche bilden und durch das Oberteil (2) und das Unterteil (3) ein abgeschlossener Raum definiert ist, und
die Mikrochip-Sicherung weiterhin ein drahtför miges Schmelzelement (17) aufweist, das zwischen die Unterkantenteile (5) der Oberteilendflächen (4) und die Oberkantenteile (5) der Unterteilendflächen (4) eingebaut ist und sich durch den abgeschlosse nen Raum (10) erstreckt, wobei die entsprechenden Enden des Schmelzelements (17) elektrisch mit den Elektroden (14) verbunden sind.
2. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß zumindest im Unterkantenteil (5)
der Oberteilendfläche (4) oder im Oberkantenteil
(5) der Unterteilendfläche (4) und der jeweils ge
genüberliegenden Endfläche (4) Aussparungen (6)
vorgesehen sind, die zur Dämpfung des Gasdrucks,
der vor der Unterbrechung beim Schmelzen des
Schmelzelements (17) erzeugt wird, mit Isolatoren
(16) gefüllt sind, wobei das Schmelzelement (17)
durch die Isolatoren (16) hindurchragt.
3. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß mindestens ein Hohlraum (13) zu
mindest im Oberteil (2) oder im Unterteil (3) durch
eine Trennwand (11) vom angrenzenden abgeschlosse
nen Raum (10) abgetrennt vorgesehen ist.
4. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Hohlraum (13) durch eine Aus
sparung (9) definiert ist, die richtungsmäßig nach
dem Schmelzelement (17) ausgerichtet ist und minde
stens im Unterkantenteil (8) der Oberteilseite (7)
des Oberteils (2) oder im Oberkantenteil (8) der
Unterteilseite (7) des Unterteils (3) vorgesehen
ist.
5. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß Metallfolien (19) mit im wesent
lichen der gleichen Größe wie die der planen End
fläche auf die Elektroden (14) aufgebracht, mecha
nisch fixiert und mit Hilfe eines Lots (18) mit
diesen Elektroden elektrisch verbunden sind.
6. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Elektroden (14) aufgetragen
bzw. elektrochemisch abgeschieden werden.
7. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Oberteil (2) und das Unter
teil (3) identischen Aufbau besitzen.
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