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DE19523977A1 - Microchip-Sicherung - Google Patents

Microchip-Sicherung

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Publication number
DE19523977A1
DE19523977A1 DE19523977A DE19523977A DE19523977A1 DE 19523977 A1 DE19523977 A1 DE 19523977A1 DE 19523977 A DE19523977 A DE 19523977A DE 19523977 A DE19523977 A DE 19523977A DE 19523977 A1 DE19523977 A1 DE 19523977A1
Authority
DE
Germany
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pair
end surfaces
microchip
electrodes
edges
Prior art date
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DE19523977A
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English (en)
Inventor
Hiroo Arikawa
Akihiko Kanehara
Manabu Furusawa
Koh Ishimura
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SOC Corp
Original Assignee
SOC Corp
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Publication date
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H85/00Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/02Details
    • H01H85/04Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
    • H01H85/041Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
    • H01H85/0411Miniature fuses
    • HELECTRICITY
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    • H01H85/02Details
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01H85/00Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/0078Security-related arrangements
    • H01H85/0082Security-related arrangements preventing explosion of the cartridge

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Mikrochip- Sicherung, die für die Oberflächenmontage auf einer ge­ druckten Schaltung oder dergleichen geeignet ist.
Eine Mikrochip-Sicherung bzw. -Schmelzsicherung ent­ sprechend dem Stand der Technik besteht aus einem zy­ lindrischen Gehäuse, einem länglichen schmelzbaren Ele­ ment, das sich durch einen Hohlraum zwischen den gegen­ überliegenden Wänden des Gehäuses erstreckt, und dec­ kelartigen leitenden Kontakten, die an den gegenüber­ liegenden Enden des Gehäuses angebracht sind, und die elektrisch mit den Enden des Schmelzelements verbunden sind (z. B. US-PS Nr. 4 920 327).
Eine Sicherung ist bezüglich der Distanz zwischen den Rändern bzw. Spitzen der gegenüberliegenden Kontakte gewissen Beschränkungen unterworfen. Das heißt die Kriechstrecke muß eine geforderte Länge aufweisen, da­ mit eine gewünschte elektrische Charakteristik erhalten wird. Bei einer Mikrochip-Sicherung nach dem oben be­ schriebenen Stand der Technik sind Mantel- bzw. Um­ fangsteile der deckelförmigen Kontakte so auf das Ge­ häuse gepaßt, daß die Seitenflächen des Gehäuses be­ deckt werden. Die Entfernung zwischen den Rändern der Kontakte ist damit um die doppelte Breite der Umfangs­ teile der Kontakte kürzer als die Entfernung zwischen den gegenüberliegenden Außenflächen des Gehäuses. Kon­ sequenterweise ist die Gesamtlänge der Sicherung in Richtung der Kontakte infolge der oben erwähnten Be­ grenzung durch die Kriechstrecke auf etwa 6 mm be­ grenzt.
Andererseits wurden häufig Elektroden verwendet, die eine Metallfolie in L-Form besitzen und an die gegen­ überliegenden Außenflächen und ihre angrenzende Um­ fangsfläche des Zylindergehäuses angebracht sind. So­ bald sich jedoch die Teile der Metallfolie über die Seitenflächen des Gehäuses erstrecken, gab es aus dem gleichen Grund wie bei den oben geschilderten deckel­ förmigen Kontakten bezüglich der Verkürzung der Länge der Sicherung ebenso eine Begrenzung.
Gerade aber im Hinblick auf die Miniaturisierung elek­ tronischer Bauelemente ist die Überwindung der oben ge­ schilderten Begrenzungen vonnöten. Außerdem ist aus Gründen der schnelleren Ansprechzeit von Mikrochip- Sicherungen eine Verkürzung der Länge der Schmelzele­ mente notwendig. Es werden also Sicherungen mit einer Gesamtlänge von unter 6 mm zwischen den Elektroden ge­ fordert. Tatsächlich wäre eine Größenordnung von 1,5 mm wünschenswert. Eine Mikrochip-Sicherung nach dem Stand der Technik wäre für eine derartig hohe Miniaturisie­ rung ungeeignet, da deren Außenmantelbreite bei einer Kontaktanschlußkonstruktion und bei Metallfolienelek­ troden in der Größenordnung von 0,5 bis 1 mm sein müß­ te.
Es ist denkbar, eine dünne Elektrode zu konstruieren, indem eine Metalldampfabscheidung oder dergleichen an den gegenüberliegenden Außenflächen eines Gehäuses vor­ genommen wird. Die Metalldampfabscheidung erfordert je­ doch Vakuumgeräte, die zu hohen Anlage- und Objektko­ sten führen. Darüber hinaus ist die Produktionseffizi­ enz aufgrund der Chargenproduktion nicht hoch, wodurch auch übermäßige Produktionskosten entstehen. Demzufolge wird dieses Verfahren momentan nicht angewandt.
Wie oben geschildert ist das Gehäuse der Mikrochip- Sicherung gemäß dem Stand der Technik in vielen Fällen zylindrisch. Der Durchmesser einer Mikrochip-Sicherung mit einer Gesamtlänge von etwa 6 mm beträgt normal er­ weise 2 bis 3 mm. Somit ist es aus Sicht der Produktion nicht einfach, ein sehr dünnes Schmelzelement mit einer Abmessung von einigen zehn µm zwischen den gegenüber­ liegenden Außenflächen des Gehäuses durch einen kleinen zylindrischen Hohlkörper zu spannen.
Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung von minia­ turisierten Mikrochip-Sicherungen für die Massenproduk­ tion, die die oben erwähnten Probleme überwinden, die durch den während des Schmelz- bzw. Unterbrechungsvor­ gangs erzeugten Gasdruck kaum zerstörbar sind und die dennoch die Isolationscharakteristiken konventioneller Mikrochip-Sicherungen besitzen.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß eine Mi­ krochip-Sicherung nach Anspruch 1 zur Verfügung ge­ stellt.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Leitpaste wird aufgebracht und auf die entsprechen­ den äußeren Endflächen des Oberteils und des Unterteils gesintert, so daß eine dadurch entstehende Elektrode an den äußeren Endflächen anhaftet. Da der Sinterprozeß unter Umgebungsbedingungen durchgeführt werden kann, kann die erfindungsgemäße Mikrochip-Sicherung kosten­ günstig produziert werden. Darüber hinaus befinden sich die Elektroden nur an den gegenüberliegenden Endflächen des Gehäuses und nicht an dessen Seitenflächen. Dadurch wird eine maximale Kriechstrecke zwischen den gegen­ überliegenden Elektroden erreicht, wodurch die Siche­ rung gegenüber konventionellen Sicherungen weiter mi­ niaturisiert werden kann, ohne eine Mindestkriechstrec­ ke zu unterschreiten. Mit dieser Miniaturisierung kann also die Länge des Schmelzelements weiter verkürzt wer­ den, wodurch raschere Ansprechcharakteristiken gegen­ über dem Stand der Technik erreicht werden können.
Durch die Paßkonstruktion des Gehäuses mit dem Ober- und dem Unterteil ist ein leichtes Einbringen des Schmelzelements möglich und eine wirtschaftliche Mas­ senproduktion realisierbar.
Es wird also eine Mikrochip-Sicherung zur Verfügung ge­ stellt, die aus einem Gehäuse besteht, welches aus ei­ nem kastenförmigen Unter- und Oberteil zusammengesetzt ist. Auf den Endflächen beider Teile sind Elektroden angebracht, die durch elektrochemisches Abscheiden ei­ nes Metalls auf einer gesinterten Leitpaste auf den Endflächen gebildet werden. An den Teilen sind Ausspa­ rungen vorgesehen, die mit Isolatormaterial gefüllt werden. Ein Schmelzelement erstreckt sich durch das Isoliermaterial und den Innenraum, der gebildet wird, wenn beide Teile miteinander verbunden werden. Die En­ den des Schmelzelements werden an die Elektroden gelö­ tet. Durch eine dünne Wand vom Innenraum abgegrenzt ist im Gehäuse ein Hohlraum vorgesehen, der den Gasdruck dämpfen soll, welcher während des Durchschmelzens der Sicherung erzeugt wird.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert; es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Mi­ krochip-Sicherung gemäß einer Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung mit einem Teilausbruch;
Fig. 2A einen Querschnitt entlang der Linie IIA-IIA von Fig. 1;
Fig. 2B eine Vergrößerung des in Fig. 2A mit IIB gekennzeichneten Ausschnitts;
Fig. 3 einen Teilquerschnitt entlang der Linie III-III von Fig. 2A; und
Fig. 4 eine partielle Explosionsansicht einer Mikrochip-Sicherung gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung.
Einige bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun mit Bezug auf die Zeichnungen er­ läutert. Dazu sei bemerkt, daß die Zeichnungen teilwei­ se unvollständig und teilweise überproportional die je­ weilige Ansicht der Ausführungsform darstellen.
In Fig. 1 ist das Gehäuse 1 durch einen Würfel mit ei­ ner Kantenlänge von etwa 1,5 mm definiert und es be­ steht aus zwei Teilen, dem Oberteil 2 und dem Unterteil 3. In der vorliegenden Ausführungsform bestehen das Oberteil 2 und das Unterteil 3 aus einem elektrisch isolierenden Material, zum Beispiel durch übliche For­ mungsverfahren hergestellte Keramiken, und besitzen identische, kastenförmige Gestalt. Halbkreisförmige Aussparungen 6 befinden sich entsprechend an den glei­ chen Stellen in der Mitte der Kantenabschnitte 5 der dazugehörigen Endflächenteile 4 des Oberteils 2 und des Unterteils 3 (Ober- und Unterteilendflächen 4). Jeweils an der gleichen Stelle der Kantenabschnitte 8 der ent­ sprechenden Seitenteile 7 des Oberteils 2 und des Un­ terteils 3 (Ober- und Unterteilseiten 7) befindet sich eine Aussparung 9 mit fächerförmigem Querschnitt. Diese erstreckt sich zwischen den gegenüberliegenden Endflä­ chen des Oberteils 2 und des Unterteils 3 und ist von der Außenwandfläche und der Innenwandfläche des Seiten­ teils 7 abgesetzt. Wenn das Oberteil 2 und das Unter­ teil 3 zusammengefügt werden, bilden deren Aussparungen 9 einen Hohlraum 13 an der Seitenwand des Gehäuses.
Dieser ist vom Innenraum 10 des Gehäuses 1 durch eine dünne Wandfläche 11 und ebenso durch eine zweite Wand­ fläche 12 abgegrenzt. Der Hohlraum 13 muß sich nicht notwendigerweise über die gesamte Strecke zwischen den gegenüberliegenden Endflächen im Seitenbereich des Ge­ häuses 1 erstrecken, sondern kann auch nur in einem Teilstück davon ausgebildet sein. Darüber hinaus kann der Hohlraum 13 auch unmittelbar angrenzend an den In­ nenraum 10 nur durch eine dünne Wand getrennt an jeder beliebigen Stelle vorgesehen werden, zum Beispiel als Abdeckteil oder dergleichen des Oberteils 2 oder des Unterteils 3.
Durch den mit der ersten Wandfläche 11 vom Innenraum 10 abgetrennten Hohlraum 13 kann der Druck, dem das Gehäu­ se 1, bestehend aus dem Oberteil 2 und dem Unterteil 3, standhalten muß, wenn beim Durchschmelzen des Schmelz­ elements Gas erzeugt wird, erhöht werden. Dies ist des­ halb möglich, da der Druck, der durch das Gas beim Schmelzen aufgebaut wird, infolge des Durchbruchs der ersten Wandfläche 11 abgeschwächt wird. Die erste Wand­ fläche 11 und der Hohlraum 13 dienen somit zur Druck­ dämpfung. Folglich kann für ein Gehäuse 1 mit gleichen Abmessungen eine höhere Schwellspannung erzielt werden, ohne daß es zu einem Bruch kommt, womit schließlich die Bruchcharakteristiken verbessert werden.
Darüber hinaus ist es durch Füllen des Hohlraums 13 mit dem gleichen elektrisch isolierenden Material, welches auch für den elektrischen Isolator 16 (unten beschrie­ ben) verwendet wird, möglich, den beim Durchschmelzen des Schmelzelements hervorgerufenen Gasdruck weiter zu dämpfen und so auch den Bruch des Gehäuses zu verhin­ dern.
Gemäß Fig. 2B wird an den Außenflächen der entsprechen­ den Endflächenteile 4 des Oberteils 2 und des Unter­ teils 3 eine Leitpaste aus Silber (Ag), Silber-Palla­ dium (Ag-Pd) oder dergleichen aufgebracht. Diese Paste wird bei einer Temperatur von etwa 850°C gesintert und bildet dann einen Teil der Elektrode 14, die fest an den Außenflächen der entsprechenden Endflächenteile 4 haftet. Die Dickem einer solchen Elektrode, die durch Sintern der Silber-Palladium-Paste erzeugt wird, be­ trägt lediglich 10 bis 20 µm. Nebenbei bemerkt kann das Aufbringen einer solchen Paste auch durch Eintauchen erfolgen. Der Sinterprozeß kann unter Umgebungsbedin­ gungen durchgeführt werden, so daß teure Produktions­ einrichtungen nicht notwendig sind, und die Produktion erleichtert wird. Danach wird, wie in Fig. 2B gezeigt, ein Metall 15, z. B. Nickel, auf der gesinterten Elek­ trode 14 beispielsweise elektrochemisch abgeschieden.
Ein derartig abgeschiedenes Metall ist nur bei bestimm­ ten Anwendungen erforderlich.
Bei der erfindungsgemäßen Mikrochip-Sicherung kann die Elektrode im Gegensatz zum metallischen, deckelförmigen Kontakt nach dem Stand der Technik, der eine Dicke von 0,5 bis 1,5 mm erfordert, sehr dünn gehalten werden, nämlich 10 bis 20 µm. Dabei kann die Kriechstrecke zwi­ schen den Elektroden vergrößert und die Mikrochip- Sicherung der vorliegenden Ausführungsform gegenüber den gängigen Sicherungen bei gleicher Kriechstrecke weiter miniaturisiert werden.
Für ein rascheres Ansprechverhalten muß das Schmelzele­ ment verkürzt werden. Bei den bisher bekannten Mikro­ chip-Sicherungen, bei denen deckelförmige Kontakte und Elektroden verwendet werden, muß die Länge des Schmelz­ elements mindestens der doppelten Breite des Mantel­ teils des Kontakts entsprechen, womit das zwischen den Elektroden befindliche Schmelzelement bezüglich seiner minimalen Länge beschränkt ist. Im Gegensatz dazu kann bei der vorliegenden Ausführungsform die Länge des Schmelzelements kürzer als die Gesamtbreite der Mantel­ teile gängiger Kontakte sein, da die erfindungsgemäßen Kontakte keine Mantelteile besitzen. Folglich können mit Mikrochip-Sicherungen der vorliegenden Ausführungs­ form schnellere Durchbruchcharakteristiken als beim Stand der Technik erreicht werden.
In die Aussparungen 6 wird ein elektrischer Isolator 16, zum Beispiel Siliziumharz, Glaspaste, anorganischer Klebstoff oder dergleichen, eingefüllt. Ein derartiger Isolator 16 besteht aus einem Material, das bei erhöh­ ten Temperaturen nicht verkohlt. Ein sehr dünnes, drahtartiges Schmelzelement 17 besteht beispielsweise aus Kupfer, Silber oder dergleichen und hat einen Durchmesser von 10 bis 20 µm. Es ist im Innenraum 10 des Gehäuses 1 aufgespannt, ist in die mit dem Isolator 16 gefüllten Aussparungen 6 eingebettet und ragt durch die Aussparungen 6 aus dem Gehäuse 1 heraus. Das Ober­ teil 2 und das Unterteil 3 werden an den Verbindungs­ flächen durch einen Klebstoff, zum Beispiel Epoxydharz oder dergleichen, miteinander verklebt.
Entsprechend der vorliegenden Ausführungsform der Mi­ krochip-Sicherung ist das Gehäuse 1 aus einem Oberteil 2 und einem Unterteil 3 konstruiert, die dann als Paß­ bzw. Gegenstücke miteinander verbunden werden. Damit ist es einfach, das Schmelzelement 17 einzubauen, und eine wirtschaftliche Produktion kann erreicht werden.
Insbesondere bei dünnen Drähten für Schwachströme ist der Einbau hier wesentlich einfacher als bei konventio­ nellen zylindrischen Gehäusen. Weiterhin kann die An­ zahl unterschiedlicher Teile dadurch reduziert werden, daß dem Oberteil 2 und dem Unterteil 3 die gleiche Ge­ stalt gegeben wird, wodurch die Fertigungsanlagen, wie beispielsweise Formen und dergleichen, im Hinblick auf die Wirtschaftlichkeit reduziert bzw. vereinfacht und sowohl Kontrolle als auch Management der Komponenten einfacher gestaltet werden können.
An den Aussparungen 6, durch die sich das Schmelzele­ ment 17 erstreckt, ist der Gegendruck gegen den Gas­ druck, der beim Schmelzen des Schmelzelements vor des­ sen Trennung erzeugt wird, relativ gering. Deshalb die­ nen die in die Aussparungen 6 eingebrachten Isolatoren 16 zur Dämpfung des Gasdrucks und verhindern den Bruch des Gehäuses. Weiterhin dienen die Isolatoren 16 zum Einschluß des geschmolzenen Metalls, das vor dem Tren­ nen des Schmelzelements 17 während des Schmelzvorgangs anfällt, und folglich verhindern sie, daß das geschmol­ zene Metall zur Elektrode 14 gelangt, wodurch der Iso­ lationscharakter der Sicherung aufrechterhalten bleibt.
Wie Fig. 2B zeigt, sind die Enden des Schmelzelements 17, die aus den Isolatoren 16 herausragen, in das Löt­ metall entlang der mit dem elektrochemisch abgeschiede­ nen Metall 15 beschichteten Elektrode 14 eingebettet.
Die Enden werden durch Lotkügelchen auf der Elektrode 14 aufgelötet, was durch das Lot 18 gekennzeichnet ist.
Im Hinblick auf eine deutlichere Darstellung ist in Fig. 1 das Ende des Schmelzelements 17 abwärts orien­ tiert, wogegen es in der Praxis lateral orientiert ist.
Die Ausrichtung des auf der Elektrode 14 befindlichen Schmelzelements 17 ist beliebig.
Die Abmessungen des Oberteils 2 und des Unterteils 3 sind gemäß der vorliegenden Erfindung wie folgt: die Dicke des Endflächenteils 4 und des Seitenteils 7 sowie die Tiefe der Mulde des Oberteils 2 bzw. des Unterteils 3 betragen etwa 0,4 mm, der Radius der Aussparung 6 be­ trägt etwa 0,15 mm und die Aussparungen 9 besitzen von der Innenwand und der Außenwand des Seitenteils 7 etwa einen Abstand von 0,1 mm.
Die Mikrochip-Sicherung gemäß der vorliegenden Ausfüh­ rungsform mit dem oben beschriebenen Aufbau hat folgen­ de elektrische Eigenschaften: AC-Nennspannung 125 V und Unterbrechungs-Nennstrom 100 A bei einem Nennstrom von 1A oder mehr. Die Mikrochip-Sicherung kann mit Hilfe der sogenannten SMD (Surface Mounted Device = oberflä­ chenmontierte Bauelemente) -Reflow-Löttechnik auf eine gedruckte Schaltung oder dergleichen aufgelötet werden.
Fig. 4 ist eine perspektivische Explosionsansicht eines Teils einer Mikrochip-Sicherung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Bezugs­ zeichen in Fig. 4 entsprechen denen in Fig. 1, weshalb an dieser Stelle auf eine weitere Erläuterung verzich­ tet wird.
Der Unterschied der Mikrochip-Sicherung aus Fig. 4 zu der von Fig. 1 besteht darin, daß auf der Elektrode 14, die aus der aufgetragenen und gesinterten Silber-Palla­ dium-Paste hergestellt ist, kein Nickel 15 elektroche­ misch abgeschieden ist. Eine Metallfolie 19, die im voraus mit Lot 18 versehen ist, wird auf die, bei­ spielsweise aus Silber-Palladium hergestellte Elektrode 14 aufgelötet. Durch diesen Lötvorgang wird das Ende des Schmelzelements 17, die Elektrode 14 aus Silber- Palladium und die Metallfolie 19 elektrisch miteinander kontaktiert. Die Dicke der Metallfolie 19 beträgt vor­ zugsweise 50 µm und ihre Flächenabmessung ist im we­ sentlichen die gleiche wie die der Endflächen des Ge­ häuses 1. Mit Hilfe dieser Metallfolie 19 wird die End­ fläche des Gehäuses 1 verstärkt, wodurch die Bruchfe­ stigkeit der Endfläche des Gehäuses 1 gegen den Gas­ druck, der vor der Unterbrechung durch das Schmelzen des Schmelzelements erzeugt wird, erhöht werden kann.
Somit können die Bruchcharakteristiken bei gleichen Ab­ messungen verbessert werden.

Claims (7)

1. Mikrochip-Sicherung mit
einem aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellten Oberteil (2) mit einem Paar von Ober­ teilendflächen (4), die in einem vorgegebenen Ab­ stand gegenüberliegend angeordnet sind, einem Paar Oberteilseiten (7), die die gegenüberliegenden Sei­ tenabschnitte des Paars von Oberteilendflächen (4) verbinden, und einer Oberteildeckfläche, welche die Oberkanten des Paars von Oberteilendflächen (4) und des Paars von Oberteilseiten (7) bedeckt,
einem aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellten Unterteil (3) mit einem Paar von Un­ terteilendflächen (4), die in einem gegebenen Ab­ stand gegenüberliegend angeordnet sind, einem Paar von Unterteilseiten (7), die die gegenüberliegenden Seitenabschnitte des Paars von Unterteilendflächen (4) verbinden, und einer Unterteildeckfläche, wel­ che die Unterkanten des Paars von Unterteilendflä­ chen (4) und der Unterteilseiten (7) bedeckt, und
Elektroden (14), die an den Außenflächen des Paars von Oberteilendflächen (4) des Oberteils (2) und des Paars von Unterteilendflächen (4) des Un­ terteils (3) durch Sintern einer darauf aufgebrach­ ten elektrischen Leitpaste hergestellt sind,
wobei die Unterkanten der Oberteilendflächen (4) und die Oberkanten der Unterteilendflächen (4) so­ wie die Unterkanten der Oberteilseiten (7) und die Oberkanten der Unterteilseiten (7) so zusammenge­ fügt sind, daß die Endflächen beider Teile (2, 3) eine plane Oberfläche bilden und durch das Oberteil (2) und das Unterteil (3) ein abgeschlossener Raum definiert ist, und
die Mikrochip-Sicherung weiterhin ein drahtför­ miges Schmelzelement (17) aufweist, das zwischen die Unterkantenteile (5) der Oberteilendflächen (4) und die Oberkantenteile (5) der Unterteilendflächen (4) eingebaut ist und sich durch den abgeschlosse­ nen Raum (10) erstreckt, wobei die entsprechenden Enden des Schmelzelements (17) elektrisch mit den Elektroden (14) verbunden sind.
2. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß zumindest im Unterkantenteil (5) der Oberteilendfläche (4) oder im Oberkantenteil (5) der Unterteilendfläche (4) und der jeweils ge­ genüberliegenden Endfläche (4) Aussparungen (6) vorgesehen sind, die zur Dämpfung des Gasdrucks, der vor der Unterbrechung beim Schmelzen des Schmelzelements (17) erzeugt wird, mit Isolatoren (16) gefüllt sind, wobei das Schmelzelement (17) durch die Isolatoren (16) hindurchragt.
3. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß mindestens ein Hohlraum (13) zu­ mindest im Oberteil (2) oder im Unterteil (3) durch eine Trennwand (11) vom angrenzenden abgeschlosse­ nen Raum (10) abgetrennt vorgesehen ist.
4. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Hohlraum (13) durch eine Aus­ sparung (9) definiert ist, die richtungsmäßig nach dem Schmelzelement (17) ausgerichtet ist und minde­ stens im Unterkantenteil (8) der Oberteilseite (7) des Oberteils (2) oder im Oberkantenteil (8) der Unterteilseite (7) des Unterteils (3) vorgesehen ist.
5. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß Metallfolien (19) mit im wesent­ lichen der gleichen Größe wie die der planen End­ fläche auf die Elektroden (14) aufgebracht, mecha­ nisch fixiert und mit Hilfe eines Lots (18) mit diesen Elektroden elektrisch verbunden sind.
6. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Elektroden (14) aufgetragen bzw. elektrochemisch abgeschieden werden.
7. Mikrochip-Sicherung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Oberteil (2) und das Unter­ teil (3) identischen Aufbau besitzen.
DE19523977A 1994-10-03 1995-06-30 Microchip-Sicherung Ceased DE19523977A1 (de)

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