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DE1822190U - Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode. - Google Patents

Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode.

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Publication number
DE1822190U
DE1822190U DEN10548U DEN0010548U DE1822190U DE 1822190 U DE1822190 U DE 1822190U DE N10548 U DEN10548 U DE N10548U DE N0010548 U DEN0010548 U DE N0010548U DE 1822190 U DE1822190 U DE 1822190U
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
meh
transistor
semi
crystal diode
conductor device
Prior art date
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Expired
Application number
DEN10548U
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English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1822190U publication Critical patent/DE1822190U/de
Expired legal-status Critical Current

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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)

Description

  • N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven/Holland "Halbleitervorrichtung, z.B. Transistor oder Kristalldiode".
  • Die Neuerung bezieht sich auf eine Halbleitervorriehtung, z. B. ein Transistor oder eine Kristalldiode, die aus einer Hülle besteht, in der ein Halbleiterkörper angebracht ist.
  • Die elektrische Belastbarkeit einer solchen Vorrichtung wird vorwiegend durch den zwischen diesem Körper und der Umgebung auftretenden Wärmewiderstand bestimmt ; diese Umgebung kann z. B. aus einem Chassis oder einer Trägerplatte aus Metall bestehen, auf dem bzw. der die Vorrichtung befestigt werden kann. Um diesen Wärmewiderstand herabzusetzen, wurde bereits vorgeschlagen, die Hülle ganz oder zum Teil mit einem gut wärmeleitenden Mittel zu fallen, daß z. B. aus einem viskosen Bindemittel und einem gut wärmeleitenden Pulver zusammengesetzt war.
  • Die Neuerung bezweckt u. a., den Wärmewiderstand weiter herabzusetzen.
  • Gemäss der Neuerung ist in der Hülle eine metallene Wärmebrücke vorgesehen, die einmal mit der Hülle verbunden ist und die sich zum anderen in der unmittelbaren
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Claims (1)

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DEN10548U 1958-11-03 1959-10-30 Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode. Expired DE1822190U (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US771310A US2967984A (en) 1958-11-03 1958-11-03 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1822190U true DE1822190U (de) 1960-11-24

Family

ID=25091405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN10548U Expired DE1822190U (de) 1958-11-03 1959-10-30 Halbleitervorrichtung, z. b. transistor oder kristalldiode.

Country Status (5)

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US (1) US2967984A (de)
DE (1) DE1822190U (de)
FR (1) FR1239735A (de)
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3264531A (en) * 1962-03-29 1966-08-02 Jr Donald C Dickson Rectifier assembly comprising series stacked pn-junction rectifiers
US3274456A (en) * 1962-11-21 1966-09-20 Gen Instrument Corp Rectifier assembly and method of making same
US3243670A (en) * 1963-09-30 1966-03-29 Int Standard Electric Corp Mountings for semiconductor devices
US3265982A (en) * 1963-10-24 1966-08-09 Hazeltine Research Inc Common emitter transistor amplifier including a heat sink
DE1439460A1 (de) * 1964-10-19 1968-12-12 Siemens Ag Elektrisches Bauelement,insbesondere Halbleiterbauelement,mit einer aus isolierendemStoff bestehenden Huelle
US3462654A (en) * 1966-10-05 1969-08-19 Int Rectifier Corp Electrically insulating-heat conductive mass for semiconductor wafers
US3603106A (en) * 1969-03-27 1971-09-07 John W Ryan Thermodynamic container
US3783345A (en) * 1971-09-08 1974-01-01 Graham White Mfg Co Heat-dissipating encapsulated semi-conductor assembly
US3735209A (en) * 1972-02-10 1973-05-22 Motorola Inc Semiconductor device package with energy absorbing layer
US3996447A (en) * 1974-11-29 1976-12-07 Texas Instruments Incorporated PTC resistance heater
US4057101A (en) * 1976-03-10 1977-11-08 Westinghouse Electric Corporation Heat sink
US4303935A (en) * 1977-12-13 1981-12-01 Robert Bosch Gmbh Semiconductor apparatus with electrically insulated heat sink
EP0017472A1 (de) * 1979-04-06 1980-10-15 Lintott Engineering Limited Vakuumapparatur mit einer Vorrichtung zur Wärmeübertragung und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkomponenten unter Anwendung dieser Apparatus
US4387291A (en) * 1980-11-28 1983-06-07 Texas Instruments Incorporated Fuel heater system and self-regulating heater therefor
US4524238A (en) * 1982-12-29 1985-06-18 Olin Corporation Semiconductor packages
US5371404A (en) * 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2809332A (en) * 1953-07-29 1957-10-08 Rca Corp Power semiconductor devices
US2825014A (en) * 1953-11-30 1958-02-25 Philips Corp Semi-conductor device
DE1048358B (de) * 1955-08-12 1959-01-08

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GB862453A (en) 1961-03-08
NL244922A (de)
US2967984A (en) 1961-01-10
FR1239735A (fr) 1960-08-26

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