DE1048358B

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Info

Publication number: DE1048358B
Application number: DENDAT1048358D
Authority: DE
Priority date: 1955-08-12
Publication date: 1959-01-08
Also published as: GB809071A; FR1155743A; US2810873A; GB838987A

Description

DEUTSCHES

kl. 21g 11/02

INTERNAT. KL. H 01 1

PATENTAMT

G 20266 VIII c/21g

ANMELDETAG: 7. AUGUST 1956

BEKANNTMACHUNG
DERANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 8. JANUAR 1959

Die Erfindung bezieht sich auf Transistoren, die aus einem Halbleiterkörper bestehen, der mit ihm in Kontakt stehende Emitter-, Kollektor- und Basiselektroden aufweist und der sich in einer vollständig geschlossenen Umhüllung befindet, von. der wenigstens der größere Teil. aus.'Metall besteht, und bei dem die Basiselektrode von einem verhältnismäßig massiven Metallelement gebildet wird, mit' dem der Halbleiterkörper, innig,.über einen ausgedehnten Bereich verbunden ist.

Es ist erwünscht, daß in einem Transistor während des Betriebes erzeugte Wärme in wirksamer Weise abgelei-tet wird, da sich die Kennwerte eines Transistors bei erhöhten Temperaturen verschlechtern und dieser Faktor normalerweise eine Begrenzung der Wärmeaufnahmefähigkeit des Transistors darstellt.

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Transistors der definierten Art, der gemäß dieser Bedingung entwickelt ist, ohne daß sein Aufbau übermäßig kompliziert ist.

Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die Basiselektrode über einen ausgedehnten Bereich gegen die Innenfläche eines Metallteiles der Umhüllung derart elastisch anliegt, daß ein guter Wärmeübergang vom Halbleiterkörper zu der Umhüllung gewährleistet ist.

Ein Transistor nach der Erfindung wird als Beispiel an Hand der Zeichnung beschrieben. Es zeigt Fig. 1 einen Schnitt eines Germaniumflächentransistors nach der Linie I-I der Fig. 2 und

Fig. 2 einen Schnitt nach der Linie II-TI der Fig. 1. Darstellungsgemäß weist der Transistor eine quadratische Platte 1 aus η-Germanium auf, die mit einer Emitterelektrode 2 und einer Kollektorelektrode 3 versehen ist, die auf gegenüberliegenden .Hauptflächen der Platte 1 zentrisch angeordnet sind. Die Elektroden 2 und 3 sind in bekannter Weise durch Aufschmelzen kleiner Indiummengen auf die entsprechenden Flächen der Platte 1 hergestellt und mit Zuleitungen in Form feiner Drähte 4 bzw. 5 versehen, deren Enden in den auf diese Weise erzeugten Indiumperlen eingebettet sind. Die Hauptfläche der Germaniumplatte 1, auf der die Emitterelektrode 2 liegt, ist an eine aus Blech hergestellte. Basiselektrode 6 angelötet, die allgemein die Form eines Teiles mit U-förmigem Querschnitt aufweist, in dessen¹ Basis eine quadratische Mulde 7 eingepreßt ist, die sich in das Innere des U erstreckt. Diese Mulde 7 dient zur Aufnahme der Germankimplatte 1, die mit der Basiselektrode 6 an dem Boden der Mulde 7 verlötet ist, wobei ein zentral angeordnetes Loch 8 mit einem Durchmesser, der etwas kleiner ist als die Länge einer Seite der Germaniuniplatte 1, in der Basiselektrode 6 für die Emitterelektrode 2 vorgesehen ist.

Transistor mit einer vollständig
umschlossenen Umhüllung

Anmelder:

The General Electric Company, Limited, Wembley, Middlesex (Großbritannien)

Vertreter:
Dipl.-Ing. W. Schmitzdorff, Dr.-Ing. H. Ruschke,

Berlin-Friedenau, Lauterstr. 37,

und Dipl.-Ing. K. Grentzenberg, München 27,

Patentanwälte

Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 12. August 1955

Ralph David Knott,

Wembley, Middlesex (Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden

Die oben beschriebene Einheit ist an einem Halter angebracht, der aus einer Kupferhülse 9 besteht, die eine Glasperle 10 umschließt, in die die drei hindurchgehenden Drähte 11, 12 und 13 eingeschmolzen, sind. Die Drähte 11, 12 und 13 sind mit den Emitter- und Kollektoranschlußdrähten 4 bzw. 5 und mit einer Zunge 14 verschweißt, die aus der Basiselektrode 6 geformt ist. Der Hauptte.il der Umhüllung des Transistors besteht aus einer kreiszylindrischen Kupferkappe 15, in die die montierte Einheit eingeführt wird, wobei die Hülse 9 in dem offenen Ende der Kappe 15 angeordent wird und sich die Längsachse der Basiselektrode 6 parallel zur Achse der Kappe 15 erstreckt. Die Basiselektrode 6 wird anfangs in einer solchen Größe hergestellt, daß beim Einführen in die Kappe 15 die Arme der Basiselektrode 6 nach innen gestoßen werden, so daß sie elastisch gegen die Innenfläche der Kappe 15 drücken, wobei die Ecken der Basiselektrode 6 an dem Ende, das zuerst eingeführt wird, geeignet abgerundet werden, um das Einführen zu erleichtern.

Die Umhüllung wird durch Kaltpreßschweißung der Flansche 16 und 17 hermetisch abgedichtet, die an den äußeren Enden der Hülse 9 bzw. der Kappe 15 geformt sind, wobei das Schweißen in einer trockenen Stickstoffatmosphäre durchgeführt wird, so daß die Umhüllung eine beständige inaktive Gasfüllung er-

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hält. Schließlich wird der Raum innerhalb der Hülse 9 mit einem elektrisch isolierenden Kunstharz 18 ausgefüllt.

Es sei darauf hingewiesen, daß bei der oben beschriebenen Anordnung die Basiselektrode 6 so ausgestaltet ist, daß ein guter Wärmeübergang vom Halbleiterkörper zu der Umhüllung hergestellt wird, wodurch die wirksame Verteilung der beim Arbeiten des Transistors erzeugten Wärme unterstützt wird. Dieses Ergebnis wird ohne zusätzliche Verbindungen zwischen Teilen des Transistors über und oberhalb des Behälters erreicht, wo ein solcher Wärmeübergang· nicht vorgesehen ist.

Bei eimer anderen von der oben beschriebenen abweichenden Anordnung kann die Basiselektrode mit einer oder mehreren Zungen versehen werden, die quer zu ihrer Längsachse vortreten und so angeordnet sind, daß sie elastisch an dem geschlossenen Ende der Kappe anliegen, wenn die Basiselektrode in die Kappe eingeführt ist.

Claims

PaTENTANSPKCCHE:

1. Transistor, bestehend aus einem Halbleiterkörper, der mit ihm in Kontakt stehende Emitter-, Kollektor- und Basiselektroden aufweist und der sich in einer vollständig geschlossenen Umhüllung befindet, von¹ der wenigstens der größere Teil aus Metall besteht, und bei dem die Basiselektrode von einem verhältnismäßig massiven Metallelement gebildet wird, mit dem der Halbleiterkörper innig über einen ausgedehnten Bereich verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode über einen ausgedehnten Bereich gegen die Innenfläche eines Metallteiles der Umhüllung derart elastisch anliegt, daß ein guter Wärmeübergang vom Halbleiterkörper zu der Umhüllung gewährleistet ist.

2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Hauptteil der Umhüllung von einer Metallkappe gebildet ist, in deren offenes Ende ein Halter eingeschlossen ist, auf dem die Basiselektrode angebracht ist, daß die Basiselektrode allgemein die Form eines Teiles mit U-förmigem Querschnitt besitzt und so groß ist, daß beim Einführen der Basiselektrode in die Kappe die Arme der Basiselektrode nach innen gestoßen werden, so daß sie an der Innenfläche der Kappe elastisch anliegen.

In Betracht gezogene Druckschriften¹:
Deutsche Patentschrift Nr. 840 569;
französische Patentschrift Nr. 1 040 717.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen