DE1812665A1 - Traeger fuer Halbleiterbauelemente - Google Patents
Traeger fuer HalbleiterbauelementeInfo
- Publication number
- DE1812665A1 DE1812665A1 DE19681812665 DE1812665A DE1812665A1 DE 1812665 A1 DE1812665 A1 DE 1812665A1 DE 19681812665 DE19681812665 DE 19681812665 DE 1812665 A DE1812665 A DE 1812665A DE 1812665 A1 DE1812665 A1 DE 1812665A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- carrier
- disc
- conductors
- glass
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000011049 pearl Substances 0.000 claims description 10
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 claims 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 235000013311 vegetables Nutrition 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- CYXIENZYTDFIFC-UHFFFAOYSA-N cobalt iron Chemical compound [Fe].[Fe].[Co] CYXIENZYTDFIFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 230000001605 fetal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/045—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads having an insulating passage through the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3736—Metallic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
- H01L2223/6622—Coaxial feed-throughs in active or passive substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
bipl.-lng. ERICH E. WAlTHER 1812665 pm. 3207,
- 3207
"Träger for Halbleiterbauelenente".
Die Erfindung besieht «ich auf einem flachen Träger für
Halbleiterbauelemente, insbesondere für integrierte Schaltungen mit einer Anzahl Leiter, die im wesentlichen senkrecht auf dor Ebene des
Trägers stehen und die den Kantellinien eines Zylinders mit kreisförmigen Querschnitt gemüse verlaufen*
Si· integrierten Schaltungen, die dadurch hergestellt werden, dass Platten aus Halbleitermaterial , wie mono-kristallinem SiIisium, mit kleinen Abmessungen örtlioh bestimmten Behandlungen ausgesetat werden» sind in »wei wiohtigen Ausfuhrungsformen im Handel erhältlich.
In der «inen Ausfährungsform ist die intonierte Sohaltung in einem flaohen blookformigen Halter angeordnet·-Dieser meisten«
aus einem Isoliermaterial, vie Qlas oder Keramik, gebildete Halter wird
909834/0915
PBN. 3207.
mit einem Deckel geschlossen und enthält Durchführungsleiter, die mit den
unterschiedlichen Elektroden oder Kontaktstellen der genannten Schaltung elektrisch verbunden sind, und die seitlich genäse zwei einander
gegenüberliegenden ßändern des Halters gerichtet sind. Sie Anzahl dieser
Elektroden oder Kontaktstellen, der die Anzahl Durchführungsleiter entsprechen muss, liegt nicht fest, beträgt jedoch meistens vierzehn.
In der anderen Ausführungaform ist die integrierte Schaltung an einem flachen, meistens kreisförmigen Träger aus Glas und Metall
Angeordnet. Im allgemeinen hat dieser Träger genormte Abmessungen, gleich
denen desjenigen Typs von Trägern, die gewöhnlich zum Anschluss von
Transistoren mit geringer Wärmeableitung verwendet werden. Der Träger
ist jedoch mit einer grossen Anzahl von Anschlussleitern versehen und
von einer an eeinea Umfang festgeklemmten oder mit dem Träger verlöteten
Kappe geschüttt.
Wenn dieser bekannte Träger die genannten genormten Abmessungen aufweist, ist es nicht möglich, daran integrierte Schaltungen mit
mehr als zwölf Ausgangselektroden anzusehliessen. Ein derartiger Träger
enthält ja eine metallene Platte mit einer Anzahl Löcher, und in jedem dieser Löcher wird ein Leiter duroh eine Glasperle oder dergleichen, die
mit einer die ganze unter· Fläche des Träger» bedeckenden Glasscheibe
verbunden ist, koaxial festgehalten. Auf diesem Träger sind di,e Leiter
in einem Krei» mit genormtes Durchmesser von etwa 5,1 mm verteilt« Will
■an die metallene Platte nicht ajl«u viel abschwächen und sie als Einheit
behalten, eo soll ein Metallstreifen mit einer bestimmten Breite »wischen
den Löchern beibehalten werden. Veil dabei dar Durchmesser der Giaeperl®
einen minimalen Wert nicht unterschreiten darf, dies wegen der Aufrechterhaltung der mechanischen und elektrischen isolierenden Eigenschaften
90S83A/098E
.„■■:, ■■■,- .Γ r:,»»„»»,, ,,,;
PIiN. 3^07.
1817665
der unterschiedlichen Leiter, iat es nicht möglich, mehr als zwölf
Leiter in einem Kreis mit einem derart kleinen Durchmesser anzuordnen. Dadurch sind diese bekannten Träger zum Anschluss von integrierten
Schaltungen ungeeignet.
Der eingangsenrfihnte Träger ist daduroh gekennzeichnet,
dass er einen metallenen Aussenring und eine innerhall) dieses Ringes liegende !fetalIseheibe enthfilt, wobei der Aussenring und die Soheibe
ungeflhr konzentrisch mittels eines aus Isoliermaterial hergestellten
Innenringes, der die genannten Leiter umgibt, fest miteinander verbunden sind.
Der Träger nach der Erfindung kann vierzehn regelndes ig
über die genannte kreisförmige Basiafliche verteilte Leiter enthalten,
obsohon er, was die form und die Abmessungen anbelangt, zu der Kategorie
der in der Technik unter der Typenbeseiohnung "To 5" bekannten Träger
gerechnet werden kann» die eine Anzahl elektrisch gegeneinander isolierter und auf einer kreisförmigen üasieflache mit einem Durchmesser von
etwa 5»1 ο» angeordneter Leiter enthalten und die an ihrem Umfang an A
eine das auf den Trfiger angeordnete Halbleiterbauelement schützende
Kappe anechliessbar sind, wobei diese Träger zum elektrischen Anschluss
des genannten Baiblei terbaue lernen tee dienen. Kit der erfindungs gema'se en
Tra'gerkonstruktion ist es nioht mehr notwendig, einen Metallstreifen
zwischen den Leitern aufrechtzuerhalten und diese können diohter nebeneinander angeordnet werden, ohne dass daduroh die Gefahr entsteht, dass
zwischen jenen Leitern und einem anderen metallenen Teil des Trager·
Kurseohluss entsteht. Daduroh iat ee mSglioh, die Anzahl Leiter eines
Trägere vom "To 5"-Vn von swolf auf viersehn su bringen. Bs ist sogar
909834/0986
möglioh, einen derartigen Träger mit einer grösseren Anzahl von Leitern
zu versehen, es ist dann aber schwierig, diese Leiter mit äusseren Anordnungen zu verbinden, ohne dass ein foangel an Isolation oder sogar
Kurzschluss zwischen den Anschlusselementen und diesen Bauelementen entsteht.
Das Halbleiterbauelement wird auf bekannte Weiee mit dem
Ilittelteil dos Trägers (mit der Scheibe) verlötet und die unterschiedlichen
Elektroden werden mittels sehr dünner Metalldrähte, im allgemeinen
Golddrähte, mit den Leitern des Trägers verbunden. Ein Teil der durch
das Halbleiterbauelement im Betriebszustand erzeugten Wärme wird zur zentralen
Scheibe des Trägers geführt, während der übrige Teil durch Strahlung
und Konvektion zur Kappe und von dort in die Umgebung abgeführt wird. Der gläserne Innenring zwischen der zentralen Scheibe und dem
Aussenring weist einen bestimmten thermischen Widerstand auf, der zwar
dem Wegfliessen der Wärme durch Leitung zwischen diesen beiden Elementen
entgegenwirkt, aber in den meisten Fällen kann dieser Widerstand keine
wesentliche Erhöhung der Gleichgewiohtstemperatur beim Halbleiterbauelement
verursachen. Übrigens bietet die zentrale Scheibe, die ziemlich dick sein kann, den Vorteil, dass sie über die Fläche, gegenüber der,
auf der das genannte Jauelement angeordnet ist, in direkter Verbindung
mit der Umgebung steht. Falls eine beträchtliche Wärme in dieqem Halbleiterbauelement
erzeugt wird, kann zwischen dem Träger und beispielsweise der Platte der gedruckten Schaltung, auf der der Träger liegt,
eine Platte aus elektrisch isolierendem Material angeordnet werden, die jedoch eine gute Wärmeleitfähigkeit aufweist, wie Berylliumoxid, damit
di« thermische Verbindung zwischen dem zentralen und äuseeren Teil dee
Trägers wiederhergestellt wird. In aussergewohnlich kritischen Fällen
909834/0985
PHN. 3207·
kann der zentrale Teil des Trägere naoh auseen verlängert «erden, und
zwar mittels eines vorzugsweise mit Gewinde versehenen Metalletab», auf
dem ein kleiner Radiator angeordnet werden kann. Auf diese Weise gibt es keine Unterbrechung mehr im Kreis, über den die im Halbleiterbauelement
erzeugte Wärme wegfllessen kann·
Zur Herstellung des erfindungsgemässen Trägers wird die
bekannte 'Tressglastechnik" angewandt. Aueβer vielen anderen Vorteilen
liefert dieses Verfahren vollkommen dichte Verschmelzungen, die eine
sehr grossβ mechanische Festigkeit aufweisen.
Ein derartiger Träger wird wie folgt hergestellt. Loiter
ait einem geeigneten Durchmesser, im allgemeinen zwischen 0,4 und 0,5 mm,
werden un einen flachen kreisförmigen Träger aus hitzebostandigem I-aterial, wie Graphit, verteilt. Jeder dieser Leiter wird Bit einer Perle
versehen, die aus einem Gemisch von Glaspulver und einem Bindemittel vorgeformt, oder durch Zerschneidung eines Glasrohre erhalten wird. Danaoh werden die Motallscheib« und der metallene Aus3enring auf den Träger gelegt. Der Durchmesser der Glasperlen muss derart gewählt werden,
dass diese Perlen mit einem minimalen Spiel zwischen der Soheibe und |
den Hotallring passen können. Dabei ist es vorteilhaft, die Hohe dieser
Perlen etwas grosser zu wählen als.die endgültige Hohe des Glasringes,
so dass der Zwischenraum gut gefüllt wird.
Der Aussenring wird aus einen Netall mit einen hohen
linearen Ausdehnungskoeffizienten, wie weichen Stahl (linearer Ausdehnungskoeffizient! 125.10~')hergestellt, während die zentrale Soheibe
aus1 einem lie tall oder einer Legierung nit einem linearen Ausdehnung»-
koeffizienten, der bedeutend niedriger ist als der des Stahls, besteht.
Als Material tür dies· Soheibe wird beispielsweise eine in der Teohnik
909834/0985
PHH. 3207.
der Qlas-Metallverschmelzungen bekannte, Eisen-liokel-Kobalt-Legierung
mit einem linearen Ausdehnungskoeffizienten von nahezu 50.10 verwendet. Die Leiter werden aus derselben Legierung hergestellt. Der Qlaaring besteht vorzugsweise aus einem Borosilikatglae, im Handel unter
den Namen "Siverel 747" bekannt, mit einem linearen Ausdehnungskoeffizienten, der dicht bei dem der obengenannten Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung liegt.
Das Ganze wird in einen Ofen gestellt, in dem binnen einigen Minuten gemäsa einem geeigneten Temperaturanstiegzyklus auf die Einschmelztemperatur gebracht wird. Diese Temperatur lie^t zwischen 900
und 1100° C und hängt von der verwendeten Glassorte ab. Während dieser Behandlung schmilzt die Glasperle um jeden Leiter und vermischt sich
mit den benachbarten Perlen, wobei ein ununterbrochener Glasring erhalten wird. Da das Metall des Aussenringes und das der zentralen Scheibe
völlig verschiedene lineare Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, wird beim Abkühlen der Glasring am ganzen Umfang festgedrüokt, so dass ein
abgedichtetes Ganze grosser mechanischer Festigkeit erhalten wird.
Ausfuhrungsbeispielen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 eine Draufsicht eines erfindungegemässen Trägers,
in der zur linken Seite der Linie A-A die unterschiedlichen Teile des Träger» vor der Wärmebehandlung und zur rechten Seite der genannten
Linie ein Teil des fertigen Trägere dargestellt ist,
Fig. 3 einen Querschnitt einer anderen Ausführungsform
des erfindungsgemässen Trägers, wobei Spessialmittel zum Abführen der
vom Halbleiterbauelement erzeugten Wärme verwendet werden müssen.
909834/0985
PEN. 32CT.
Der erfindunßsgemässe Träger enthält Pinen netaller.en
Aussenring 10 und eine zentrale konzer.trinche r-letallschcibe 11 nahezu
gleicher Höhe, zwischen denen sich ein gläserner Innenrin? 12 befindet.
Durch diesen Slasrinp sind Leiter 13 pefuhrt, die senkrecht auf der
Scheibe 11 stehen und gemüse den Mantellinien eines Zylinders mit kreisförmigem Querschnitt, dessen Achse mit der des Aussenringes 1C dazu
zusammenfällt, verlaufen. Diese Drähte sind regelmässig verteilt, und
beispielsweise bei einen Kreis mit einen genormten Durchmesser von *,1
mm beträgt ihre Anzahl vierzehn.
Der gläserne Innenring 12 wird beispielsweise aus zylindrischen Glasperlen erhalten. Diese Perlen werden zunächst in den ringförmigen Raum zwischen dec Aussenring 10 und der Scheibe 11 gelegt.
Durch jede dieser Perlen ist ein Leiter 13 geführt.
Das Verschmelzen der Teile erfolgt auf einer flachen Bodenplatte 13 aus Graphit. Diese bodenplatte ist an der Stelle der Leiter 13 mit Löchern 16 vursehen.
Der metallene Aussenring 10 wird beispielsweise aus weichem Stahl und die Scheibe 11 aus einem Stahl mit einem niedrigeren Ausdehnungekoeffizienten als der des genannten weichen Stahls hergestellt.
Als Material fur die Seheibe ist eine Eisen-ilickel-Kobalt-Legierung
durchaus geeignet, da diese Legierung sich gut mit Glas verschmelzen
lässt. Jeder der beiden letallteile, nämlich der Auesenring 10 und die
Scheibe 11, wird vor dem Verschmelzen mit einer Metallschicht bedeckt,
die dazu gemeint ist, später die Herstellung 4er Verbindung einerseits
zwischen dem dazu mit eines Kragen 10 a versehenen Rand des Aussenringee und der Schutzkappe und andererseits zwischen der Scheibe und den
Halbleiterbauelement «u fordern. So können beispielsweise der Auasen-
909834/0985
PHK.3207.
ring 10 und die Scheibe 11 vernickelt bav.% vergoldet werden*
Die Höhe der Perlen 14 ist grosser als die Dicke des Aue-Benringes
10 und'der Scheibe 11, eo dass beim Verechraelsen der Raun; 17
zwischen den Perlen aufgefüllt wird. Der Ausdehnungskoeffizient" des
Metalls des Leiters 13 muss nahe bei dem des Olasee der Perlen 14 liegen,
so dass zwischen diesen beiden Teilen eine Verbindung dauerhafter Dichtigkeit erhalten wird. Da die Leiter im allgemeinen aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung
bestehen, wird ein Borosilikatglas verwendet.
Zum Verschmelzen wird das Ganze in einen Ofen gestellt, in
dem die Temperatur allmählich auf ein Maximum von etwa 1000° C gebracht
wird. Die30 Temperatur wird während empirisch bestimmten Dauer aufrechterhalten.
Die Glasperlen 14, die je einen Leiter 13 umgeben, bilden dann zusammen einen ununterbrochenen gläsernen Innenring 12. Beim Abkühlen,
das ebenfalls allmählich erfolgt, wird ein Druck auf diesen gläsernen
Innenring 12 ausgeübt, weil der lineare Ausdehnungskoeffizient des Metalls des Aussenringa 10 grosser ist ale der des Metalls der Scheibe
11, wodurch ein dichtes Glänze grosser mechanischer Festigkeit erhalten
wird.
Der Träger nach Fig. 3 weicht dadurch von denen nach Fig.
1 und 2 ab, dass die zentrale Scheibe 11 mit einem metallenen zylinderforraigen Stab 19 verlängert ist. Dieser Stab dient dazu, das Wegfliessen
der von dem auf der genannten Scheibe angeordneten Halbleiterbauelement
20 erzeugten Wärme zu fo'rdern. Dieses Halbleiterbauelement besteht aus einer Halbleiterplatte, auf der ein· Schaltung, beispielsweise
an der oberen Fläche, angeordnet ist. Die erforderliohen elektrischen
Verbindungen zwischen der integrierten Schaltung und den Leitern 13 des Trägere werden mittels Drähte 21, die meistens durch ein Thermo-
909834/0985
PHIi. 3207.
1817665
druckverfahren befestigt werden, einerseits mit den Ausgangakoηtaktstellen der bekannten Schaltung und andererseits mit dem Ende jedes der
Leiter 13 verbunden. Auf dem Hand des Au33enringes 10 wird eine das Element 20 schützende Kappe' 22. befestigt.
Dieses mit dem Träger verbundene und von der Kappe 22 geschütztes Bauelement wird mit auf der oberen und unteren Fläche einer
isolierenden Bodenplatte 25 angebrachten Leiteratreifen, v.'ie 23 und 24,
verbunden. Der Lederstreifen 23 ist mit einer metallisierten Öffnung 2ή -verbunden, durch die einer der Leiter 13 des Trägers hinciurchraj-t, während der Leiteratreifen 24 bis an eine metallisierte ''ffnun;: 2? reicht,
in der ein anderer Leiter 13 angeordnet ist. Die Leiterstreifen der gedruckten Schaltung, die mit je einer einen der Leiter des Trägers erhaltenden metallisierten Cffnung verbunden sind, werden, im Verteilkreis der genannten Leiter auf dem 'Präger gesehen, vorsugsweise abwechselnd auf der oberen bzw. unteren Fläche der Bodenplatte «.'5 angeordnet,
so dass jede Kurzschlussgefahr wegen der Tatsache, dass zwei dieser Streifen zu dicht nebeneinander liegen, vermieden ist. 3o sind die Leiterstreifen 23 und 24 auf der unteren bzw. oberen Fläche der Bodenplatte \
25 angeordnet. Die elektrische Verbindung «wischen den Leiterstreifen
und den Leitern wird durch Weichlot 26, das durch die Kapillarität
längs der Wände der raetalisierten Öffnungen nach oben flieset, wenn die
Lötbehandlung, beispielsweise nach den sogenannten "Wellenlötverfahren"
durchgeführt wird, erhalten.
Zwischen der Fläoh· gegenüber der, auf der das Halbleiterbauelement 20 festgelötet ist, und der oberen Fläche der den Leiterstreifen 24 tragenden bodenplatte 25 befindet sich eine Platte 2$ aus
keramischem Material, wie iJerylliunoxid. Biese Platte 29 dient einer-
909834/0986
vim. 32C7.
1817665
seits dazu, len rcatallenen Ausaenrin;; tO ties Tr:.\:er3 gegen den auf der
oberen PlSohe der Bodenplatte ?5 angeordneten Lei tors Greifen der gedruckten
Schaltung zu isolieren, und andererseits un swischen der Scheibe 11
und dem Ausnenring 10 eine thermische Kontinuität hervorzurufen, wodurch
die '..'arme nach Schutskappe ?2 abfiiessen l:aiui xxnl nach Auaaen aun™
•;e3trahlt wird. Dadurch, lass lie mit ier Träger ion taktierte Fläche
'ler Platte 29 rmr. Teil metallisiert vfirl, Ist ea möglich, eine elektrische
Verbindung zwischen den metallenen i-.ittsl- uni Ausoenteilen dea
■ienannton Trägers zu verwirklichen.
I/er durch die Bodenplatte 25 ft*eführte Stab 19 ist mit
Gewinde versehen, dies sur Erleichtcnui*; >ler Befestigung einer Itadiätzvorrichtung,
die das Aüfliesssn der νοω ilalbleiterb:.iielement erzeti(?ten
Wäriao in den aienlich seltenen Fällen erleichtert, in denen in der irenannten
Schaltuni· eine erhebliche Ua'rGieerseu^un ζ stattfindet, j er Stab
19 kann zugleich als Erdverbinduii·? für die Schaltimr 2υ dienen»
Es dürfte einleuchten, dass sich die Srfiniumr nicht auf
die hier als 3ei3piel beschriebenen Herstellungsverfahren beschränkt,
sondern dass im Halmen der Erfindung viele Abänderungen nöfüch rcind.
BAD ORiGiNAt,
909834/0985
Claims (11)
1. Flacher Träger für Halbleiterbauelemente, insbesondere
für integrierte Schaltungen Bit einer Anzahl Leiter, die im wesentlichen
senkrecht auf der Ebene des Tracers stehen und die den ketallinien eines
Zylinders mit kreisförmigem Querschnitt gemase verlaufen, dadurch gekennzeichnet, dass der 'frä-er einen metallenen Aus:>eurin? unu eine innerhalb dieses Ringes liegende Hetallsoheibe enthält, wobei der Auseen-
ring und die Scheibe unf-*ef£hr konzentrisch mittels eines aus Isolier- λ
material hergestellten Innenringes, der die genannten Leiter umgibt,
feet miteinander verbunden sind.
2. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
Träger vom "TOS'^-l^p ist, oit einen kreisförmigen Querschnitt von etwa
5,1 mm und dass dieser Träger viersehn Leiter enthält.
3. Träger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
dass der Ausβearing aus einem Ketall hergestellt ist, dessen linearer
Ausdehnungskoeffizient hoher ist als der des Metalles, aus den die
Scheibe gebildet ist, «aiirend da3 Isoliermaterial des Innenrings einen
linearen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der in der Mähe des linearen f
Ausdehnungskoeffizienten der Scheibe liegt.
4. Trager nach einen der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daas der Innenring aus Isoliermaterial aus einem Borosilikatglas besteht, während der Ausaenring aus einem nit einer dünnen
Niokelschicht bedeckten weichen Stahl besteht.
5. Trager nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennaeichnet, daas die Scheibe und der Aussenring ungefähr dieselbe Dicke aufweisen.
909134/0916
PHN. 3207,
6. Träger nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet» dass die Scheibe an der dem Halbleiterbauelement gegenüberliegenden
Fläche mit einem vorzugsweise mit Gewinde versehenen Stab verbunden ist, auf dem ein Wärmeableitmittel angeordnet «erden kann.
7, Verfahren zur Herstellung eines Trägers nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass metallene Leiter
derart in Löchern in der hitzebeatändigen ebenen Bodenplatte angeordnet
werden, dass sie senkrecht auf der Bodenplatte stehen» und den Kantellinien
eines Zylinders gemäss verlaufen, wobei auf jedem dieser Leiter
eine auf der genannten Bodenplatte liegende Glasperle angeordnet wird, während auf der genannten Bodenplatte eine Scheibe und ein metallener
Auesenring innerhalb bzw, aus3erhalb eines genannten Zylinders konzentrisch
angeordnet werden, wonach das Ganze auf eine Temperatur gebracht wird, die ausreicht um die Perlen schmelzen zu lassen, so dass ein einziger,
wenigstens einen Teil des ringförmigen Baume zwischen der Scheibe und dem Aussenring füllender Innenring erhalten wird, und das Glas eich
mit den weiteren Metallteilen des Trägere verschmilzt«
&.
Verfahren nach Anspruch 7t dadurch gekennzeichnet, dass
die Glasperlen aus einem Gemisch von Glas und einem Bindemittel vorgeformt werden.
9* Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, dass
die Glasperlen durch Zerschneidung tines Glasrohrs erhalten werden.
10, Verfahren nach einem der Ansprüche 7 hie 9» dadurch ge»
kennzeichnet, dass die Abmessungen der Perlen derart gewählt werden,
dass der ganze ringförmige Raum zwischen der Scheibe und dem Auseenring
aufgefüllt wird.
909834/0985
PHM. 3207,
1817665
11. Vorrichtung mit einer Montageplatte, beispielsweise einer Platte für gedruckte Schaltung, auf der ein elektronisches Bauelement
angeordnet ist, mit einem Träger nach einem der Anspruch· 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine thermisch gut leitende, vorzugsweise
isolierende Platte zwischen der genannten Montageplatte und dem Träger angeordnet wird, wobei die isolierende Platte ungefähr die ganze Oberfläche des genannten Trägers bedeckt.
909834/0985
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR132691 | 1967-12-18 | ||
FR132691 | 1967-12-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1812665A1 true DE1812665A1 (de) | 1969-08-21 |
DE1812665B2 DE1812665B2 (de) | 1976-07-22 |
DE1812665C3 DE1812665C3 (de) | 1977-03-31 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1243846A (en) | 1971-08-25 |
NL6818014A (de) | 1969-06-20 |
FR1555833A (de) | 1969-01-31 |
DE1812665B2 (de) | 1976-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1514273B2 (de) | Halbleiteranordmng | |
DE2245140A1 (de) | Einkapselung fuer elektronische bauelemente | |
DE1961314A1 (de) | Geschuetztes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1212220B (de) | Halbleiteranordnung mit einem durch einen lamellenfoermigen Deckel verschlossenen Gehaeuse | |
DE2248303A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2012440C3 (de) | Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene scheibenförmige Halbleiterelemente | |
DE2937051A1 (de) | Flachpaket zur aufnahme von elektrischen mikroschaltkreisen und verfahren zu seiner herstellung | |
DE1576663A1 (de) | Zuendkerze fuer Brennkraftmaschinen | |
DE1052572B (de) | Elektrodensystem, das einen halbleitenden Einkristall mit wenigstens zwei Teilen verschiedener Leitungsart enthaelt, z. B. Kristalldiode oder Transistor | |
DE2252833A1 (de) | Zusammengesetzte halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung derselben | |
DE2306842C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Halbleiterelementen aus einer einzigen Halbleiterscheibe | |
DE2318736A1 (de) | Verfahren zum abdichten von umhuellungen fuer elektrische teile | |
DE1812665A1 (de) | Traeger fuer Halbleiterbauelemente | |
DE69315533T2 (de) | Elektrische Verbinder | |
DE1900425B2 (de) | Präzisionsschichtwiderstand in einem dampfundurchlässigen Gehäuse | |
DE1812665C3 (de) | Sockel für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1514211A1 (de) | Halbleiter-Gleichrichter | |
DE1489916B2 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1564390A1 (de) | Halbleitervorrichtung,insbesondere fuer hohe Spannungen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1809716A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE2252830C2 (de) | Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterelement in einem hermetisch geschlossenen Gehäuse | |
DE1614169A1 (de) | Halbleiter-Bauelement mit Waermeableitung | |
DE1041600B (de) | In einem metallischen Gehaeuse eingebautes, waermeempfindliches, elektrisches Halbleiterbauelement, wie Leistungstransistor oder Richtleiter | |
DE1489916C (de) | Halbleiteranordnung | |
AT269221B (de) | Sockel für Halbleitervorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |