DE1792454B2 - Verfahren zum herstellen eines polykristallinen diamantkoerpers - Google Patents
Verfahren zum herstellen eines polykristallinen diamantkoerpersInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum
Herstellen eines polykristallinen Diamantkorpers, bei dem Diamantknstalle bei einem Druck von über 50
Kilobar und einer Temperatur von über 1300° C zu einem Diamantkorper verpreßt werden.
In der Natur findet man polykristallin Diamantkorper
in Form von Carbonados, die aus in einer Matrix
eingebetteten Diamantkristallen bestehen, wobei die Matrix normalerweise aus in der Erdkruste des
Fundortes vorkommenden Stoffen besteht Da Carbonados selten vorkommen und keine gleichmaßigen
Festigkeitseigenschdftcu aufweisen, können sie nur in
beschranktem Umfang zur spanabhebenden Matenalbearbeitung
eingesetzt werden
Es sind auch bereits Verfahren zur kunstlichen
Herstellung von polykristallinen Diamantkorpern bekannt, jedoch haben kunstlich hergestellte polyknstalhne
Diamantkorper bisher wegen mangelnder Festigkeit keine allzu große Bedeutung bei der
spanabhebenden Materialbearbeitung erlangt.
So ist aus der FR-PS 1445 573 bereits ein Verfahren
zum Herstellen eines polykristallinen Diamantkorpers bekannt, bei dem Diamantpulver, das gegebenenfalls
auch noch weitere Hartstoffe in Form von Karbiden, Bonden, Nitriden oder Oxyden enthalt, der
Einwirkung einer durch Explosion erzeugten Stoßwelle ausgesetzt wird. Der einwirkende Explosionsdruck
von 600 bis 2000 Kilobar bewirkt eine schlagartige Verdichtung der Diamantkristalle zu einem
Diamantkorper. Durch die bei der Verdichtung freigesetzte
Warme können im Diamantkorper örtlich
hohe Temperaturspitzen auftreten, die eine unerwünschte
Ruckbildung von Diamant zu Graphit zur Folge haben können. Durch die den Diamantkorper
durchlaufende Stoßwellenfront werden die einzelnen Kristalle kurzzeitig so stark beansprucht, daß sie gespalten
werden. Ein nach dem Explosionsverfahren hergestellter polyknstalliner Diamantkorper weist
hauptsächlich hexagonale Kristallstruktur auf und kann wegen seiner verhältnismäßig geringen Scherfestigkeit
in der Technik nicht als Ersatz fur die in der
Natur vorkommenden Carbonados oder mehrkaratigen Diamanteinknstalle eingesetzt werden.
Es sind auch bereits polykristallin Diamantkorper
bekannt, bei denen die Diamantkristalle durch einen Matrixwerkstoff verbunden oder lediglich unter Anwendung
von sehr hohen Drucken und Temperaturen miteinander verpreßt sind Auch diese polykristallinen
Diamantkorper haben bisher hauptsächlich wegen mangelnder Festigkeit keine größere technische
Bedeutung erlangt
Der Erfindung hegt die Aufgabe zugrunde, ein
Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen Diamantkorpers zu schaffen, mit dem großstuckige polyknstalline
Diamantkorper mit einer der Scherfestigkeit von Diamanteinkristallen entsprechenden Scherfestigkeit
hergestellt werden können
Gelost wird diese Aufgabe durch ein Verfahren der
eingangs genannten Art, das erfindungsgemaß dadurch gekennzeichnet ist, daß als Diarrtantkristalle mit
Bor dotierte Diamantkristalle eingesetzt werden.
Der Erfindung hegt die überraschende Erkenntnis zugrunde, daß sich durch Verprassen von mit Bor dotierten Diamantknstallen unter den Stabihtatsbedingungen der Diamanten polykristalhne Diamantkorper herstellen lassen, die eine der Scherfestigkeit von Diamanteinkistallen entsprechende Scherfestigkeit auf-
Der Erfindung hegt die überraschende Erkenntnis zugrunde, daß sich durch Verprassen von mit Bor dotierten Diamantknstallen unter den Stabihtatsbedingungen der Diamanten polykristalhne Diamantkorper herstellen lassen, die eine der Scherfestigkeit von Diamanteinkistallen entsprechende Scherfestigkeit auf-
!5 weisen und die somit vorteilhaft überall dort zur spanabhebenden
Materialbearbeitung eingesetzt werden können, wo bisher nur größere und daher kostspielige
Naturdiamanten verwendet werden konnten.
Mit Bor dotierte Diamantknstalle sind an sich bereits
aus der US-PS 3 148161 bekannt, waren jedoch bisher von der Fachwelt lediglich im Hinblick auf ihre
Halbleitereigenschaften von Interesse.
Die beim Verfahren nach der Erfindung zum Einsatz
gelangenden, mit Bor dotierten Diamantknstalle können beispielsweise gemäß der US-PS 3141855
hergestellt werden, indem kohlenstoffhaltiges Material wie Graphit einem Druck von über 40 Kilobar
und einer Temperatur von über 1200° C in Gegenwart von Bor oder einer Borverbindung und eines
Metallkatalysators ausgesetzt werden. Andererseits kann gemäß US-PS 3 141855 Bor auch in einen Diamantknstall
eindiffundiert werden, indem der Kristall einem Druck von über 8500 Atmosphären und einer
Temperatur über 1300° C in Gegenwart von Bor oder einer Borverbindung ausgesetzt wird. Mit Bor dotierter
Diamant kann auch direkt in Abwesenheit eines Katalysators bei verhältnismäßig hohen Drucken von
130 Kilobar und darüber hergestellt werden. Die Erfindung
erstreckt sich nicht auf die Art und Weise wie
mit Bor dotierte Diamantkristalle hergestellt werden Es ist lediglich erforderlich, daß mit Bor dotierter
Diamant verwendet wird, vorzugsweise Diamantknstalle mit einem Borgehalt von 0,01 bis 0,5 Gewichtsprozent.
Diamantknstalle mit einem Borgehalt innerhalb des vorgenannten Bereiches ergeben Diamantkorper
mit der höchsten Festigkeit
Mit Bor dotierte Diamanten werden vorzugsweise in einer Vorrichtung verpreßt und verbunden, wie sie
zur Herstellung synthetischer Diamantkristalle Ver-Wendung findet. Die erfindungsgemaß hergestellten
Diamantkorper weisen einheitlich gunstige Eigenschaften sowohl untereinander als auch im Hinblick
auf ihren eigenen Aufbau auf Darüber hinaus besitzen sie eine Scherfestigkeit von 35 bis 91 kg/mm2.
Diese Scherfestigkeitswerte sind gleich oder großer als die fur natürliche Diamantknstalle hoher Qualltat
oder Carbonados guter Qualität gemessenen Werte. Die Preßlinge weisen eine Dichte von über 3,2 g/cm3
auf, d.h., die Dichte betragt über 90% der theoretisehen
Dichte von einkristalhnem Diamant.
Die Erfindung wird nun naher an Hand der Zeichnung
erläutert, die einen Schnitt durch ein Reaktionsgefaß
fur eine Vorrichtung zum Erzeugen von hohen Drucken und hohen Temperaturen zeigt, die zur Herstellung
der polykristallinen Diamantkorper nach der Erfindung verwendet werden kann.
Die Sinterung und Verpressung der mit Bor dotierten
Diamantknstalle wird vorzugsweise bei einem
Druck von 65 Kilobar oder darüber und bei einer
Temperatur von 1500 bis 1800° C innerhalb einer Zeitspanne von 10 bis 30 Minuten durchgeführt. Eine
geeignete Vorrichtung zur Durchfuhrung der Sinterung ist in der US-PS 2941248 beschrieben Ein fur
diese Vorrichtung geeignetes Reaktionsgef aß ist in der
Zeichnung dargestellt Das in der Zeichnung dargestellte Reaktionsgefaß 1 wird indirekt beheizt und besteht
aus einem äußeren Zylinder 2 aus Pyrophyllit, innerhalb dem konzentrisch ein Graphitrohr 3 angeordnet
ist, das zum indirekten Aufheizen des zu verpressenden Materials in einen Stromkreis eingeschaltet
werden kann. Innerhalb des Graphitrohres 3 ist ein aus Aluminiumoxid bestehender Zylinder 4 angeordnet,
der innen mit einer aus Graphit bestehenden Auskleidung 5 versehen ist. Der von der inneren Auskleidung
umschlossene Raum zur Aufnahme des zu verpressenden Materials ist stirnseitig durch Graphitscheiben
6 bzw. 6' und Aluminiumoxidscheiben 7 bzw. 7' abgeschlossen, von denen die Graphitscheiben
6 und 6' in die innere Graphitauskleidung 5 und die Aluminiumoxidscheiben 7 und T in den Aluminiumoxidzyhnder
4 eingepaßt sind. Bei einem typischen Herstellungsverfahren werden die mit Bor dotierten
Diamantkristalle von Hand in die von der Graphitauskleidung
5 und den Graphitscheiben 6 und 6' begrenzte Reaktionskammer gepackt und bei Drucken
von 65 bis 70 Kilobar bei einer Temperatur von 1800° C gesintert. Auf Grund der Anwendung des
hohen Druckes werden die Diamantteilchen zerbrochen,
so daß sich frische saubere Flachen ergeben, die sich leichter verbinden.
Bei Versuchen hat sich herausgestellt, daß fur den
Sintervorgang ein inerter Behalter oder vorzugsweise ein Behalter geeignet ist, in dem wahrend der Sinterung
eine reduzierende Atmosphäre herrscht Aus diesem Grunde wurde ein mit Graphit ausgekleidetes
Reaktionsgefaß gewählt. Falls die Graphitauskleidung
S nicht vorhanden ist und die zu verpressenden Diamantteilchen in Berührung mit dem Aluminium- ^o
oxidzyhnder gelangen können, erhalt man einen
Preßling mit geringerer Festigkeit. Dies ist darauf zurückzuführen,
daß das Aluminiumoxid eine Sauerstoffquelle darstellt, die den Diamant verseucht und
dadurch eine gute Diamant-Diamant-Bindung verhindert. Graphit ist hingegen ein guter Getter fur
Sauerstoff und bewirkt wahrend des Sintervorganges im Reaktionsgefaß eine reduzierende Atmosphäre.
Eine reduzierende Atmosphäre kann auch in anderer
Weise erreicht werden, beispielsweise durch Verwendung von Titan als Getter oder eines Metalls mit ahnlichen
Eigenschaften. Es hat sich als wichtig herausgestellt, den Diamanten vor Verseuchung wahrend des
Sintervorganges zu schützen. Der Aluminiumzylinder und die Graphitauskleidung schützen den Diamant
einzeln und zusammen vor von dem aufgeheizten Pyrophylhtzylinder
stammenden Verseuchungsprodukten. An Stelle von oder zusätzlich zu den vorgenannten
Werkstoffen können auch andere Abschirmungen verwendet werden, beispielsweise Kapseln aus hochschmelzenden Metallen wie Tantal, Wolfram, Molybdän,
Titan oder Zirkonium.
Die bei der erfindungsgemaßen Herstellung der
Diamantkorper zu verwendenden Drucke basieren auf einem Eichverfahren, bei dem die Änderung des
elektrischen Widerstandes verschiedener Metalle bei Zimmertemperatur in Abhängigkeit vom Druck ausgenutzt
wird. Bei diesem Eichverfahren handelt es sich
um das in der US-PS 2 941248 beschriebene und gemäß
der Abhandlung »Calibration Techniques in Ultra-High Pressure Apparatus«, von F P. Bundy, im
Journal of Engineering for Industry, Mai 1961, Transactions
of the ASME, Serie B, korngierte Verfahren.
Die zur Herstellung der Diamantkorper verwendeten Diamantteilchen sollten vorzugsweise eine Große
von unter 100 Mikron und insbesondere vorzugsweise eine Große von unter 20 Mikron besitzen. Die Große
der verwendeten Diamantteilchen hangt naturlich vom beabsichtigten Anwendungszweck des polykristallinen
Diamantkorpers ab Die Verwendung von Diamantteilchen mit einer innerhalb eines Bereiches
liegenden Große ist wünschenswert, um in bekannter
Weise eine hohe Packungsdichte des Ausgangsmatenals
zu erreichen. In vielen Fallen kann es erforderlich sein, das Diamantpulver vor dem Verpressen chemisch
zu reinigen. Eine solche chemische Reinigung kann in bekannter Weise durchgeführt werden, beispielsweise
unter Verwendung von Salzsaure, Königswasser oder irgendeiner anderen Saurebehandlung.
Gegebenenfalls können die Diamantteilchen in
Verbindung mit einer geringen Menge eines Zusatzstoffes entweder in Form einer Matrix oder eines auf
die Diamantteilchen aufgebrachten Überzuges verpreßt werden. Als Matrixmaterial können u.a. Bor,
Tantal, Molybdän und Titan in elementarer Form oder in Form ihrer Carbide oder Boride verwendet werden.
Beispielsweise kann Borcarbid (B4C) in einer Menge
von 0,2 bis 0,8 Gewichtsprozent, Bor in einer Menge von 0,1 bis 0,6 Gewichtsprozent, oder Titanbond
(TiB2) in einer Menge bis zu 1 Gewichtsprozent des
polykristallinen Diamantkorpers verwendet werden. Als Überzugsmatenal fur die Diamantteilchen eignet
sich beispielsweise Molybdän, Titan, Nickel oder Legierungen
dieser Elemente. Der Gehalt der Diamantkorper an einem von Diamant verschiedenen Material
sollte nicht mehr als 2 % des Gesamtgewichtes betragen. Diamantkorper mit mehr als 2% Fremdmaterial
besitzen nicht die geforderte Festigkeit
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- PatentanspruchVerfahren zum Herstellen eines polykristallinen Diamantkorpers, bei dem Diamantknstalle bei einem Druck von über 50 Kilobar und einer Temperatur von über 1300° C zu einem Diamantkorper verpreßt werden, dadurch gekennzeichnet, daß als Diamantkristalle mit Bor dotierte Diamantknstalle eingesetzt werden
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2128625C1 (ru) * | 1995-11-14 | 1999-04-10 | Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Физики | Способ получения поликристаллического алмаза |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2128625C1 (ru) * | 1995-11-14 | 1999-04-10 | Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Физики | Способ получения поликристаллического алмаза |
Also Published As
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GB1240526A (en) | 1971-07-28 |
NL169297B (nl) | 1982-02-01 |
NL6812678A (de) | 1969-03-11 |
IE32228B1 (en) | 1973-05-16 |
CH488001A (de) | 1970-03-31 |
IE32228L (en) | 1969-03-08 |
NL169297C (nl) | 1982-07-01 |
BE720500A (de) | 1969-02-17 |
SE328857B (de) | 1970-09-28 |
DE1792454A1 (de) | 1972-02-10 |
FR1579800A (de) | 1969-08-29 |
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