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DE1764619C3 - transistor - Google Patents

transistor

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Publication number
DE1764619C3
DE1764619C3 DE1764619A DE1764619A DE1764619C3 DE 1764619 C3 DE1764619 C3 DE 1764619C3 DE 1764619 A DE1764619 A DE 1764619A DE 1764619 A DE1764619 A DE 1764619A DE 1764619 C3 DE1764619 C3 DE 1764619C3
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DE
Germany
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base
zone
insulating film
emitter
layer
Prior art date
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Expired
Application number
DE1764619A
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German (de)
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DE1764619A1 (en
DE1764619B2 (en
Inventor
Akira Abe
Koji Usuda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE1764619A1 publication Critical patent/DE1764619A1/en
Publication of DE1764619B2 publication Critical patent/DE1764619B2/en
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Publication of DE1764619C3 publication Critical patent/DE1764619C3/en
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Description

3 * 43 * 4

als Isolierschiebt 9 von einigen oder einigen zehn μπι gungskonzentration und einer hochohmigen Epitaxial-Dicke verwendet. Die Glasschicht 9 wird an den den schicht 23. eine P-Typ-Basiszone 24, eine N -Typ-Metallschichten 7 und 8 entsprechenden Stellen per- Emitterzone 25, eine die Oberfläche des Grundforiert Durch diese Löcher werden Metallschichten körpers bedeckende erste Isolierschicht 27, Kollek-as insulating slide 9 of a few or a few tens of μπι supply concentration and a high-resistance epitaxial thickness used. The glass layer 9 is attached to the layer 23, a P-type base zone 24, an N -type metal layers 7 and 8 corresponding points per emitter zone 25, one perforating the surface of the base Through these holes metal layers are body-covering first insulating layer 27, collector

10 und 11 angebracht Gleichzeitig wird eine Metall- 5 tor-. Basis- und Emitterelektroden 28,29 und 30 in schicht 12 mit einer gegenüber der Basisdiffusions- Verbindung mit der Zone 26 bzw. der Basiszone 24 schicht 4 größeren Fläche zur völligen Bedeckung bzw. der Emitterzone 25, einen zur Bedeckung der der Basiszone erzeugt Die Metallschicht 22 kann Elektroden 28,29 und 30 und der Isolierschicht 27 nicht nur auf der wirksamen Betriebszone, bestehend erzeugten zweiten Isolierfilm 31, Metallschichten 32. aus der basiszone 4 und der Emitterzone 5, sondern io 33 und 34 (34 ist nicht dargestellt) in Verbindung auch auf der übrigen Oberfläche des Isolierfilms 9 mit den Elektroden 28, 29 und 30, eine auf dem mit Ausnahme des Teils, wo die Elektroden 10 und Isolierfilm 31 zur Bedeckung des Hauptteils, d. h.10 and 11 attached at the same time a metal 5 gate. Base and emitter electrodes 28, 29 and 30 in layer 12 with a connection opposite the base diffusion connection with the zone 26 or the base zone 24 layer 4 larger area to completely cover or the emitter zone 25, one to cover the The metal layer 22 can have electrodes 28, 29 and 30 and the insulating layer 27 not only on the effective operating zone, consisting of the produced second insulating film 31, metal layers 32. from the base zone 4 and the emitter zone 5, but rather IO 33 and 34 (34 is not shown) in connection also on the remaining surface of the insulating film 9 with the electrodes 28, 29 and 30, one on the except for the part where the electrodes 10 and insulating film 31 to cover the main part, i.e. H.

11 angebracht sind, erzeugt werden. des wirksamen Betriebsteils des Schaltungselements, Beim vorstehend erläuterten Transistoraufbau wird gebildete zweite Metallschicht 35 und Lötschichten11 are attached, are generated. the effective operating part of the circuit element, In the transistor structure explained above, the second metal layer 35 and solder layers are formed

wenigstens der Hauptteil oder die wirksame Betriebs- is 36, 37, 38 (38 ist nicht dargestellt) und 39 auf den zone, die die Emitterzone 5 und die Basiszone 4 so- Metallschichten 32, 33, 34 und 35 umfaßt. Dieses wie die PN-Übergänge zwischen dem Emitter und Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem vorder Basis und zwischen der Basis uni dem Kollektor hergehenden dadurch, daß die Kollektorelektrode, umfaßt, durch die Metallschicht 12 vollkommen vor die Basiselektrode und die Emitterelektrode an derder äußeren Atmosphäre geschützt. Selbst wenn der ao selben Oberfläche freiliegen.at least the main part or the effective operating is 36, 37, 38 (38 is not shown) and 39 on the zone comprising the emitter zone 5 and the base zone 4 so-metal layers 32, 33, 34 and 35. This, like the PN junctions between the emitter and the embodiment, differs from the front base and between the base and the collector in that the collector electrode is completely protected from the base electrode and the emitter electrode from the outside atmosphere by the metal layer 12. Even if the same surface is exposed.

Isolierfilm 9 mehr oder weniger hygroskopische Das Halbleiterbauelement 21 mit einem solchen Eigenschaften aufweist kann eine Verschlechterung Aufhau ist auf einem gedruckten Schaltungsder Betriebseigenschaft des Transistors verhindert grundkörper 40 angeordnet der vorher hergestellt werden, da die Oberfläche des Isolierfilms von der wurde, so daß die Verbindungsdrahtschichten 42, 43, äußeren Atmosphäre isoliert ist und die durch- as 44 (44 ist nicht dargestellt) und 45 die Lötschichten wandernde Feuchtigkeit kaum berührt. Wenn weiter 36, 37, 38 und 39 berühren. In diesem Ausführungsdie Metallschicht 12 z.B. gemäß Fig. 1 mit Erde beispiel ist der gedruckte Grundkörper mit einer verbunden wird, werden alle an der Oberfläche Metallzone 46 hoher Wärmeleitfähigkeit versehen, haftenden Ladungen ohne Beeinflussung der Halb- die eine Isolierplatte 41 durchdringt und mit einer leiteroberfläche abgeleitet. Selbst wenn das Bau- 30 leitenden Schicht 45 verbunden ist. Diese Metallelement einem hohen elektrischen Feld ausgesetzt schicht 46 dient zur Abstrahlung der innerhalb des wird, ist der den Emitter-Basis-Übergang und den Halbleiterbauelements erzeugten Wärme. Wenn die Basis-Kollektor-Übergang enthaltende Hauptteil noch Metallzone 46 in Berührung mit einer Strahlungsdurch die geerdete Metallschicht 12 abgeschirmt. platte gebracht ist, wird der Abstrahlungseffekt Obwohl vom theoretischen Gesichtspunkt aus die 35 weiter verbessert. Der Transistor 21 kann am Grund-Metallschichten 7,8,10 und 11 aus irgendeinem körper 40 mit einer großen mechanischen Festigkeit Material, welches in der Halbleiterindustrie ver- einfach und sicher angebracht werden. Der wirksame wendet wird, erzeugt werden können, zieht man im Betriebsteil des Halbleiterbauteils ist vollkommen Hinblick auf die Berührung mit Wasser ein inaktives durch die Metallschichten 35 und 39 geschützt. Metall vor. Die Isolierschichten 6 und 9 können statt 40 Durch Verbindung der Metallschicht 45 mit Erde der Siliziumoxidschicht oder der Glasschicht aus kann der Einfluß elektrischer Ladungen an der Siliziumnitrid gebildet werden. Oberfläche des Bauteils vermieden werden.Insulating film 9 more or less hygroscopic The semiconductor component 21 with such Properties may deteriorate build-up on a printed circuit board Operating characteristic of the transistor prevents the base body 40 from being arranged previously made because the surface of the insulating film has become so that the connecting wire layers 42, 43, external atmosphere is isolated and the through-as 44 (44 is not shown) and 45 the solder layers hardly touched migrating moisture. If further touch 36, 37, 38 and 39. In this embodiment the Metal layer 12 e.g. according to Fig. 1 with earth example is the printed base body with a is connected, all metal zones 46 of high thermal conductivity are provided on the surface, Adhering charges without affecting the half which penetrates an insulating plate 41 and with a conductor surface derived. Even if the component 30 conductive layer 45 is connected. This metal element exposed to a high electric field layer 46 is used to radiate within the is the heat generated by the emitter-base junction and the semiconductor device. If the The main part containing the base-collector junction still has metal zone 46 in contact with a radiation penetration the grounded metal layer 12 is shielded. plate is brought, the radiation effect Although from a theoretical point of view the 35 is further improved. The transistor 21 can on the base metal layers 7,8,10 and 11 of any body 40 with a great mechanical strength Material that can be applied easily and safely in the semiconductor industry. The effective one is applied, can be generated, one pulls in the operating part of the semiconductor component is perfect With regard to contact with water, an inactive one is protected by the metal layers 35 and 39. Metal in front. The insulating layers 6 and 9 can instead of 40 By connecting the metal layer 45 to earth the silicon oxide layer or the glass layer can be the influence of electrical charges on the Silicon nitride are formed. Surface of the component can be avoided.

F i g. 2 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel des Hierbei ist es vorteilhaft daß die Metallschicht 35 Transistors nach der Erfindung, in welchem das völlig die freiliegende Endzone des Kollektor-Basis-Halbleiterbauelement einen Halbleitergrundkörper 21 45 Übergangs bedeckt und sich auch über die Kollektoreinschließlich einer N+-Schicht 22 hoher Verunreini- oberfläche erstreckt.F i g. 2 shows another embodiment of the transistor according to the invention, in which the completely exposed end zone of the collector-base semiconductor component covers a semiconductor base body 21 45 transition and also extends over the collector including an N + layer 22 high impurity surface extends.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (1)

ι 2ι 2 schicht anzubringen, die auf ein nicht höheres alsto be applied on a layer not higher than Patentanspruch: das Potential der einen oder anderen P-bzw. N-ZoaeClaim: the potential of one or the other P or. N-Zoae gebracht wenden soll, wenn der PN-Übergang imshould turn when the PN junction is im Transistor mit einem eine Kollektorzone entgegengesetzten Sinn polarisiert wird,
bildenden Halbleiterkörper eines ersten Leitungs- 5 Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen typs, in dem eine Basiszone eines zweiten Transistor der eingangs genannten Art so auszu-Leitungstyps und innerhalb der Basiszone eine bilden, daß er mittels des zweiten Isolierfilms und Emitterzone des ersten Leitungstyps mit jeweils der zweiten Metallschicht wirksamer gegen atmoeinem an einer Oberflächenseite des Halbleiter- sphärische Verunreinigungen geschützt ist, eine verkörpere hervortretenden PN-Übergang gebildet io besserte Wärmeabstrahleigenschaft aufweist und einsind, mit einem die genannte Oberflächenseite fächer gestaltet istTransistor is polarized with a sense opposite to a collector zone,
forming semiconductor body of a first conduction 5 The invention is based on the object of a type in which a base zone of a second transistor of the type mentioned at the outset and form a conduction type within the base zone that it can be formed by means of the second insulating film and emitter zone of the first conduction type each with the second metal layer is more effectively protected against atmospheric contamination on a surface side of the semiconductor, an embodied protruding PN junction is formed and has better heat radiation properties and is one with which said surface side is designed to be fan-shaped bedeckenden ersten Isolierfilm, mit je einer auf Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge-covering first insulating film, each with one on this object is achieved according to the invention diesem Isolierfilm in Form einer ersten Metall- löst, daß die auf dem zweiten Isolierfilm aufschicht aufgebrachten Basis- und Emitter- gebrachte zweite Metallschicht getrennt von der elektrode, mit einem den ersten Isolierfilm und 15 Basis- und Emitterelektrode die Basis- und die die Elektroden bedeckenden zweiten Isolierfilm Emitterzone einschließlich der an die eine Ober- und mit einer auf dem zweiten Isolierfilm auf- flächenseite des Halbleiterkörpers tretenden Enden gebrachten, die Basis- und die Emitterzone über- der PN-Übergänge völlig überdeckt,
deckenden zweiten Metallschicht, dadurch Durch die von der Basis- und Emitterelektrode ge-This insulating film in the form of a first metal dissolves that the base and emitter applied to the second insulating film are separated from the electrode, with a first insulating film and 15 base and emitter electrodes covering the base and the electrodes second insulating film emitter zone including the ends placed on one upper side and one on the second insulating film on the surface side of the semiconductor body, completely covering the base and emitter zone above the PN junctions,
covering second metal layer, due to the fact that the base and emitter electrodes gekennzeichnet, daß die auf dem zweiten ao trennte Ausbildung der auf dem zweiten Isolierfilm Isolierfilm (9; 31) aufgebrachte zweite Metall- aufgebrachten Metallschicht läßt sich diese im schicht (12; 35) getrennt von der Basis- und Unterschied zu der bekannten, abgestuften zweiten Emitterelektrode (10,11; 29,30) die Basis- und Metallschicht in einer Ebene liegend ausführen. Da die Emitterzone (4, 5; 24, 25) einschließlich der somit eine Unterbrechung des zweiten Isolierfilms an die eine Oberflächenseite des Halbleiter- 25 unterhalb dieser Metallschicht im Gegensatz zu der körpers (1; 21) tretenden Enden der PN-Uber- bekannten Anordnung, bei der sich zwischen den gänge völlig überdeckt. Emitterzonen und der betroffenen Metallschichtcharacterized in that the formation of the second metal applied on the second insulating film (9; 31) separated on the second insulating film (9; 31) applied metal layer can this in the layer (12; 35) separated from the base and different from the known, stepped second Emitter electrode (10, 11; 29, 30) run the base and metal layers lying in one plane. Since the emitter zone (4, 5; 24, 25) including the thus an interruption of the second insulating film to the one surface side of the semiconductor 25 below this metal layer in contrast to the body (1; 21) coming ends of the PN-Uber- known arrangement , which completely covers each other between the courses. Emitter zones and the affected metal layer keine den Transistor zusätzlich schützende Isolierschicht meTir befindet, entfällt, ergibt sich eine ver-no additional insulating layer protecting the transistor meTir is, not applicable, results in a wrong 30 besserte Schutzwirkung gegen atmosphärische Verunreinigungen, wozu auch die völlige Bedeckung des an die Oberfläche tretenden Endes des Kollektor-30 improved protection against atmospheric pollution, including complete coverage of the to the surface of the end of the collector Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor Basis-Übergangs beiträgt, die bei der bekannten Anmit einem eine Kollektorzone bildenden Halbleiter- Ordnung fehlt. Gleichzeitig ergibt diese Konfiguration köfper eines ersten Leitungstyps, in dem eine Basis- 35 der zweiten Metallschicht ein verbessertes Wärmezone eines zweiten Leitungstyps und innerhalb der abstrahlverhalten, da sich ein vollkommener Kontakt Basiszone eine Emitterzone des ersten Leitungstyps mit einem Wärmeableitelement herstellen läßt,
mit jeweils einem an einer Oberflächenseite des Die Erfindung wird an Hand einiger in der Zeich-The invention relates to a transistor base junction which is missing in the known Anmit a semiconductor order forming a collector zone. At the same time, this configuration results in bodies of a first conduction type, in which a base 35 of the second metal layer has an improved heat zone of a second conduction type and within the radiation behavior, since a perfect contact base zone can produce an emitter zone of the first conduction type with a heat dissipating element,
each with one on one surface side of the The invention is illustrated by some in the drawing Halbleiterkörpers hervortretenden PN-Übergang ge- nung veranschaulichter Ausfühtungsbeispiele näher bildet sind, mit einem die genannte Oberflächenseite 40 erläutert. Es zeigenSemiconductor body protruding PN junction to the illustrated exemplary embodiments in more detail forms, with one said surface side 40 is explained. Show it bedeckenden ersten Isolierfilm, mit je einer auf F i g. 1 und 2 Querschnitte durch die Ausführungsdiesem Isolierfilm in Form einer ersten Metallschicht beispiele eines Transistors nach der Erfindung,
aufgebrachten Basis- und Emitterelektrode, mit In F i g. 1 umfaßt der Transistor gemäß der Er-covering first insulating film, each with one on FIG. 1 and 2 cross-sections through the execution of this insulating film in the form of a first metal layer, examples of a transistor according to the invention,
applied base and emitter electrode, with In F i g. 1 comprises the transistor according to the einem den ersten Isolierfilm und die Elektroden be- findung einen Siliziumhalbleitergnindkörper 1 mit deckenden zweiten Isolierfilm und mit einer auf dem 45 einer N -Schicht 2 hoher Verunreinigungskonzentrazweiten Isolierfilm aufgebrachten, die Basis- und die tion und einer hochohmigcn Epitaxialschicht 3 vom Emitterzone überdeckenden zweiten Metallschicht. N-Leitungstyp, eine in der hochohmigrη Schicht 3 Bei einem bekannten Transistor dieser Art (fran- gebildete P-Typ-Basiszone 4, eine N-Typ-Emitterzösische Patentschrift 1 339 897) dient die zweite zone 5, einen die Hauptoberfläche des Halbleiter-Metallschicht als Emitterelektrode, überdeckt die ge- 50 grundkörpers 1 bedeckenden ersten Isolierfilm 6, mit nannten Zonen und PN-Über,>änge insofern nicht der Basiszone 4 und der Emitterzone 5 verbundene vollkommen, als sie an einer Seite der Basiszone und sich über den Isolierfilm 6 erstreckende erste oberhalb des betreffenden PN-Übergangs endet, und Metallschichten 7 und 8, eine zur Bedeckung der weist infolge ihres mehrfachen Kontakts mit der Isolierschicht 6 und der Metallschichten 7 und 8 ge-Halbleiteroberfläche eine gestufe »Berg- und Tal- 55 bildete, verhältnismäßig dicke Glasschicht 9, mit den konfiguration« auf. Metallschichten 7 und 8 verbundene Elektroden 10the first insulating film and the electrodes are a silicon semiconductor core 1 covering second insulating film and having an impurity concentration high on the 45 of an N layer 2 Applied insulating film, the base and the tion and a high-resistance epitaxial layer 3 from Second metal layer covering the emitter zone. N conductivity type, one in the high-resistance layer 3 In a known transistor of this type (fran-formed P-type base zone 4, an N-type emitter zone Patent specification 1 339 897) serves the second zone 5, one of the main surface of the semiconductor metal layer As an emitter electrode, it also covers the first insulating film 6, which covers the base body 1 called zones and PN-over, insofar as they are not connected to the base zone 4 and the emitter zone 5 perfect than they are on one side of the base region and extending over the insulating film 6 first ends above the PN junction in question, and metal layers 7 and 8, one to cover the has due to its multiple contact with the insulating layer 6 and the metal layers 7 and 8 ge semiconductor surface a stepped, mountain and valley 55 formed, relatively thick layer of glass 9, with the configuration «on. Metal layers 7 and 8 connected electrodes 10 Andererseits ist es bekannt (britische Patentschrift und 11 und eine schützende zweite Metallschicht 12 1 054 450), eine mit Siliziuradioxid und Metall- gemäß der Erfindung. Mit 13 ist eine den Halbstreifen bedeckte Transistor-Halbleiteroberfläche leitergrundkörper 1 tragende Kollektorelektrode beraittels einer glasartigen Deckschicht hermetisch ab- 60 zeichnet.On the other hand, it is known (British patent specification and 11 and a protective second metal layer 12 1 054 450), one with silicon dioxide and metal according to the invention. At 13 one is the half-stripe Covered transistor semiconductor surface conductor base body 1 carrying collector electrode beraittels a glass-like cover layer hermetically 60 marks. zudichten und durch diese hindurch an den Metall- Die Basiszone 4 und die Emitterzone 5 könnento seal and through this to the metal The base zone 4 and the emitter zone 5 can streifen an von den PN-Übergängen entfernten nach der wohlbekannten Selektivdiffusionsmethode Stellen metallische Kontakte anzubringen, die die mit einem Siliziumuxidfilm als Maske erzeugt wer-Glasschicht teilweise überdecken. den. Der Siliziumoxidfilm 6 (einige 1000 A dick)strip away from the PN junctions using the well-known selective diffusion method Make metallic contacts to be attached, which were created with a silicon oxide film as a mask-glass layer partially cover. the. The silicon oxide film 6 (some 1000 A thick) Schließlich ist es bekannt (französische Patent- 65 wird nach seiner Benutzung als Maske auf der Halbschrift 1 419 107), die an die Halbleiteroberfläche leiteroberfläche zum Schutz der Halbleiteroberfläche eines Transistors tretenden PN-Übergänge mit einem und des Endteils eines die Halbleiteroberfläche er-Isolierüberzug abzudecken und darüber eine Metall- reichenden PN-Ubergangs belassen. Silikatglas wirdAfter all, it is known (French patent 65 is after its use as a mask on the half-script 1 419 107), the conductor surface on the semiconductor surface to protect the semiconductor surface of a transistor passing PN junctions with one and the end part of an insulating coating on the semiconductor surface cover and leave a metal-reaching PN junction over it. Silicate glass will
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JPS547196B2 (en) * 1971-08-26 1979-04-04
US4177480A (en) * 1975-10-02 1979-12-04 Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. Integrated circuit arrangement with means for avoiding undesirable capacitive coupling between leads
JPS52120768A (en) * 1976-04-05 1977-10-11 Nec Corp Semiconductor device
JPS55163850A (en) * 1979-06-08 1980-12-20 Fujitsu Ltd Semiconductor device
US4380115A (en) * 1979-12-06 1983-04-19 Solid State Scientific, Inc. Method of making a semiconductor device with a seal

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