DE1512338B2 - Schaltungsanordnung zum Lineari sieren von Impulsflanken - Google Patents
Schaltungsanordnung zum Lineari sieren von ImpulsflankenInfo
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- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/12—Shaping pulses by steepening leading or trailing edges
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zum Linearisieren von Impulsflanken zum
Anschluß an eine Impulsquelle und eine mit ihr verbundene Belastung, die eine mit der Belastung in Reihe
geschaltete Spule enthält.
Derartige Anordnungen finden unter anderem Anwendung bei der Steuerung von Magnetkernspeichern.
Die Belastungen werden dabei durch Magnetkernreihen gebildet. Bei Magnetkernspeichern ist es erwünscht,
daß die Steuerimpulse eine scharf begrenzte Form und insbesondere eine scharf begrenzte Vorderflanke
haben. Um dies zu verwirklichen wurde bereits vorgeschlagen, eine Spule in Reihe mit der Belastung
zu schalten. Dadurch nimmt jedoch die Anstiegzeit der Impulse relativ stark zu, was bei schnellen Magnetkernspeichern
ein Nachteil jst. Weiter erhalten die Vorderflanken der Impulse einen stark exponentiellen
Charakter, was einen nachteiligen Einfluß auf das Umschalten der Magnetisierung der Magnetkerne
ausübt.
Die Erfindung bezweckt, eine Anordnung des erwähnten Typs zur Erzeugung von Impulsen mit einer
scharf begrenzten linearen Vorderflanke mit einer zuvor bestimmten Flankensteilheit zu schaffen.
Eine erfindungsgemäße Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe mit der Spule ein mit einem
Steuereingang versehenes strommodulierendes Element geschaltet ist, dessen Steuereingang durch den Spannungsunterschied
zwischen der Spannung der Spule und der Spannung einer konstanten Spannungsquelle
gesteuert wird.
Eine bevorzugte Ausführung einer erfindungsgemäßen Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, daß
das strommodulierende Element durch einen Transistor gebildet wird, dessen Emitter-Kollektor-Strecke in
Reihe mit der Spule liegt. Eine weitgehende Vereinfachung wird gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführung
erhalten, die dadurch gekennzeichnet ist, daß eine Reihenschaltung einer Z-Diode und eines die
Spannung an der Spule aufnehmenden Elementes
parallel an den Emitter-Basis-Übergang des Transistors angeschlossen sind.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der
ίο Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher
beschrieben.
Es zeigt
Es zeigt
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung zur Verwendung bei einem
Magnetkernspeicher,
Fig. 2 und 3 Varianten der in Fig. 1 dargestellten Anordnung.
Die in Fig. 1 in schematischer Form dargestellte Anordnung zum Linearisieren von Impulsflanken enthält
einen npn-Transistor 1. Der Kollektor 2 des Transistors 1 ist mit einem positiven Speisepunkt
(+■ K1 Volt) verbunden. Der Emitter 3 des Transistors 1
ist über eine Spule 4 mit einem Vielfachpunkt 5 verbunden. Zwischen diesem Vielfachpunkt und einem
weiteren an Erde liegenden Vielfachpunkt 6 ist die Reihenschaltung einer Belastung 7 und der Kollektor-Emitter-Strecke
eines Transistors 8 geschaltet. Die bei den Vielfachpunkten dargestellten Vielfachschaltungszeichen
bedeuten, daß zwischen den Vielfachpunkten mehrere Reihenschaltungen, von denen in der Figur
nur eine dargestellt ist, angeschlossen sind. Die Belastung 7 wird, wie in der Figur dargestellt, z. B. durch
eine Magnetkernreihe eines Magnetkernspeichers und einen mit ihr in Reihe geschalteten strombestimmenden
Widerstand gebildet. Die Basis 9 des Transistors 1 ist über eine Reihenschaltung einer Spule 10 und eines
Widerstandes 11 mit einem positiven Speisepunkt (+K2 Volt) verbunden, wobei K2 größer ist als K1.
Weiter ist der Reihenschaltung des Baiss-Emitter-Überganges des Transistors 1 und der Spule 4 eine
Z-Diode 12 parallel geschaltet. Diese ist derart gepolt, daß sie in der Sperrichtung gesteuert wird, wenn die
Spannung an der Basis 9 positiver ist als die Spannung am Vielfachpunkt 5.
Zur Erzeugung eines Stromimpulses durch die Belastung 7 wird dem Basisanschluß 13 des Transistors
8 ein Steuerimpuls zugeführt, der gegenüber dem Emitter eine positive Polarität hat. Dadurch wird die
Reihenschaltung der Transistoren 8 und 1 stromführend. Der durch die Spule 4 fließende anwachsende
Strom erzeugt an der Spule eine Spannung, die proportional zur Geschwindigkeit ist, mit der der Strom
zunimmt, und die nachstehend als die Anstiegsgeschwindigkeit bezeichnet wird. Die Spannung am
Emitter 3 des Transistors 1 ist dabei positiv gegenüber der Spannung am Vielfachpunkt 5. Die Spannung an
der Basis 9 in bezug auf den Vielfachpunkt 5 ist um einen der Basis-Emitter-Spannung des Transistors 1
entsprechenden Wert höher als die Spannung an der Spule. Die Anordnung ist derart bemessen, daß die
Durchbruchspannung der Z-Diode 12 gleich nach dem Anlegen des Steuerimpulses an den Basisanschluß 13
überschritten wird. Die Z-Diode hält im Durchbruchzustand die Spannung an der Reihenschaltung des
Basis-Emitter-Übergangs des Transistors 1 und der Spule 4 konstant. Da die Spannung an der Spule proportional
zur Anstiegsgeschwindigkeit des Stromes ist, wird dem Strom eine gewisse konstante Anstiegsge-
schwindigkeit aufgedrückt. Es sei dabei vorausgesetzt, daß der Transistor 8, an sich betrachtet, Stromimpulse
mit einer die endgültig gewünschte übersteigenden Anstieggeschwindigkeit liefern kann. Der durch die
Belastung 7 fließende Stromimpuls hat folglich eine lineare Vorderflanke, deren Steilheit durch die Bemessung
der Anordnung bestimmt wird. Dadurch hängt die Vorderflauke des Stromimpulses nicht von
den Eigenschaften des Transistors 8 ab. Die Eigenschaften der Transistoren 8 in den zwischen den Punkten
5 und 6 angeschlossenen Schaltungen weisen untereinander kleine Unterschiede auf. Diese gegenseitigen
Unterschiede oder die gegenseitige Streuung der Transistoreigenschaften verursachen ohne Verwendung der
oben beschriebenen Vorrichtung eine bedeutende Streuung der Vorderflanken der durch diese Transistoren
fließenden Stromimpulse. Bei Verwendung der oben beschriebenen Vorrichtung ist die Streuung in
den Vorderflanken der Stromimpulse nahezu vollkommen eliminiert. Dadurch ergibt sich eine einheitliche
Erregung der Magnetkernreihen des Magnetkernspeichers.
Der Transistor 1 wird über die Reihenschaltung des Widerstands 11 und der Spule 10 mit Basisstrom versehen.
Im Ruhezustand der Vorrichtung, d. h., wenn der Transistor 8 nichtleitend ist, fließt der Basisstrom
über den Basis-Kollektor-Übergang des Transistors 1 zum Speisepunkt (+K1 Volt) ab. Im Arbeitszustand,
d. h., wenn der Transistor 8 Strom führt, wird dem Transistor 1 gerade so viel Basisstrom zugeführt, als
/.UT Beibehaltung des Emitterstroms erforderlich ist. Der überflüssige Basisstrom wird durch die Z-Diode 12
abgeführt. Die Spule 10 dient dazu, beim Einschalten des Transistors 8 den Basisstrom des Transistors 1 zu
begrenzen, damit vermieden wird, daß dieser gleich nach dem Einschalten des Transistors 8 übersteuert
wird. Der durch die Z-Diode 12 fließende Strom ist bei einer ausreichend großen Stromverstärkung des Transistors
1 sehr klein gegenüber dem Emitterstrom des Transistors 1 und kann gegebenenfalls dadurch weiter
verringert werden, daß ein als Stromverstärker wirksamer Transistor in die Basiszuführungsleitung aufgenommen
wird.
Von einer in der Praxis verwirklichten Anordnung /um Linearisieren von Impulsflanken können nachstehende
erläuternde Daten erwähnt werden:
Spule 4 1,2 μΗ
Z-Diode 6 Volt Durchbruchspannung
K1 30VoIt
K2 40VoIt
Flankensteilheit 5 Α/μ3.
Widerstand 11 680 Ω
Spule 10 O1ImH
Transistor 1 Typ: 2 N 2369
Belastung 7 68 Ω, Gleichstromwiderstand.
Die Fig. 2 und 3 stellen Varianten der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung zum Linearisieren von Impulsflanken
dar. Die Teüe der dargestellten Schaltungen zwischen den Punkten 5 und 6 entsprechen denen
der Fig. 1 und sind mit den gleichen Bezugsziffern versehen. In Fig. 2 enthält die Anordnung zum Linearisieren
von Impulsflanken einen pnp-Transistor 14. Der Emitter 15 des Transistors 14 ist mit einem positiven
Speisepunkt ( + K1 Volt) verbunden. Der Kollektor 16 des Transistors 14 ist über die Primärwicklung
17 eines Transformators 18 mit dem Vielfachpunkt 5 verbunden. Die Basis 19 des Transistors 14 ist über
einen Widerstand 20 mit Erde verbunden. Weiter ist eine Reihenschaltung einer Z-Diode 21 und einer
Sekundärwicklung 22 des Transformators 18 dem Basis-Emitter-Übergang des Transistors 14 parallel
geschaltet. Die Wicklung 22 hat eine derartige Wickelrichtung, daß die an der Wicklung 22 erzeugte Spannung
beim Einschalten des Transistors 8 in positivem Sinne zur Emitter-Basis-Spannung des Transistors 14
addiert wird. Die Z-Diode 21 ist derart gepolt, daß diese durch die Spannung an der Reihenschaltung des
Emitter-Basis-Überganges des Transistors 14 und der Wicklung 22 in der Sperrichtung gesteuert wird. Beim
Einschalten des Transistors 8 bricht die Z-Diode 21 durch und hält die Spannung an der Primärwicklung
17 des Transformators 18 konstant, wodurch dem durch die Wicklung 7 fließenden Strom eine konstante
Anstieggeschwindigkeit aufgedrückt wird. Bei dieser Anordnung hat der Emitter des Transistors 14 ein
konstantes Potential, wodurch bei dieser Anordnung gleich nach dem Einschalten des Transistors 8 keine
Übersteuerung des Transistors 14 auftreten kann. Dadurch kann eine Spule in der Basisstromzuführungsleitung,
ähnlich der Spule 10 in Fig. 1, entfallen. Weiter ist bei der Vorrichtung nach Fig. 2 kein zusätzlicher
Speisepunkt, der dem Speisepunkt (+V2
Volt) in Fig. 1 entspricht, erforderlich.
In Fig. 3 ist die Anordnung zum Linearisieren von Impulsflanken nicht unmittelbar, sondern über einen
Transformator 23 zwischen dem Punkt 5 und dem Speisepunkt (+ V1 Volt) geschaltet. Die Schaltung zum
Linearisieren von Impulsflanken entspricht weitgehend der nach Fig. 2. Die Transformatorkopplung erlaubt
jedoch für den Transistor der Anordnung zum Linearisieren von Impulsflanken, der in der Figur mit 24
bezeichnet ist, denselben Leitungstyp wie für Transistor 8 zu wählen. Wie in der Figur angegeben, ist der
Transistor24 vom npn-Typ und somit vom dem Transistor
14 in Fig. 2 entgegengesetzten Leitungstyp. Dementsprechend sind in Fig. 3 die Basis des Transistors
24 über einen Widerstand 25 mit dem Speisepunkt (+K1 Volt) und der Emitter des Transistors 24
mit Erde verbunden. Die Wirkungsweise der in Fig. 3 dargestellten Anordnung entspricht der der in Fig. 2
dargestellten.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Schaltungsanordnung zum Linearisieren von Impulsflanken zum Anschluß an eine Impulsquelle
und eine mit ihr verbundene Belastung, die eine mit der Belastung in Reihe geschaltete Spule enthält,
dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe mit der Spule (4, 17) ein mit einem Steuereingang
(9, 19) versehenes strommodulierendes Element (1, 14) geschaltet ist, dessen Steuereingang
(9, 19) durch einen Spannungsunterschied zwischen der Spannung der Spule (4, 17) und der Spannung
einer konstanten Spannungsquelle (12, 21) gesteuert wird.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das strommodulierende Element
durch einen Transistor (1, 14) gebildet wird, dessen Emitter-Kollektor-Strecke in Reihe mit der Spule
(4, 17) liegt.
3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Reihenschaltung einer Diode (21)
und eines die Spannung an der Spule aufnehmenden Elementes (22) parallel an den Emitter-Basis-Übergang
des Transistors angeschlossen ist.
4. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihenschaltung der Emitter-Kollektor-Strecke
des Transistors (24) und der Spule (4, 17) über einen Transformator (23) mit der Belastung (7) in Reihe geschaltet ist.
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- 1967-01-24 DE DE19671512338 patent/DE1512338C3/de not_active Expired
- 1967-01-27 FR FR92732A patent/FR1509536A/fr not_active Expired
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Publication number | Publication date |
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GB1141555A (en) | 1969-01-29 |
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