DE1299325B

DE1299325B - Magnetic data storage

Info

Publication number: DE1299325B
Application number: DE1967I0034393
Authority: DE
Inventors: Tsui; Dr-Ing Frank
Original assignee: IBM Deutschland GmbH
Current assignee: IBM Deutschland GmbH
Priority date: 1967-08-17
Filing date: 1967-08-17
Publication date: 1969-07-17

Description

Die Erfindung betrifft einen magnetischen Datenspeicher mit einem Ferritblock, der aus wenigstens zwei Ferritschichten und einer zwischen diesen befindlichen Lage sich kreuzender, bandförmiger Leitungen besteht.The invention relates to a magnetic data storage device with a Ferrite block consisting of at least two ferrite layers and one between them Position of intersecting, ribbon-shaped lines.

Es ist bereits bekannt, bei magnetischen Datenspeichern an Stelle von diskreten Speicherelementen, z. B. Ringkernen, gelochte Platten oder Blöcke aus Ferritmaterial zu verwenden, durch die die Treibleitungen gefädelt werden und in denen sich um die Löcher Magnetflußpfade ausbilden, die als Speicherelemente dienen (z. B. Proceedings of the Eastern Joint Computer Conference, 10. bis 12. Dezember 1956, S. 107 bis 115, und österreichisches Patent 189 419). Derartige Speicheranordnungen gestatten einen Koinzidenzstrombetrieb, wie er bei Ringkernmatrlzen üblich ist. Zwar wird die Fädelarbeit bei der Herstellung dieser Anordnungen gegenüber der Herstellung von Ringkernspeichermatrizen stark vereinfacht. Sie nimmt aber trotzdem noch einen erheblichen Umfang ein. Außerdem haben die Anordnungen den Nachteil, daß sie wegen der von den Speicherstellen ausgehenden Streuflüsse keine sehr hohe Speicherdichte gestatten. Dies hat wiederum zur Folge, daß das Ferritmaterial der Platten oder Blöcke nur unvollkommen ausgenutzt wird.It is already known to use magnetic data storage media instead of discrete storage elements, e.g. B. to use toroidal cores, perforated plates or blocks made of ferrite material, through which the drive lines are threaded and in which magnetic flux paths are formed around the holes, which serve as storage elements (e.g. Proceedings of the Eastern Joint Computer Conference, 10. to 12 December 1956, pp. 107 to 115, and Austrian patent 189 419). Memory arrangements of this type permit coincidence current operation, as is customary with toroidal core matrices. It is true that the threading work in the production of these arrangements is greatly simplified compared to the production of toroidal storage matrices. Nevertheless, it still takes up a considerable amount. In addition, the arrangements have the disadvantage that they do not allow a very high storage density because of the leakage flux emanating from the storage locations. This in turn has the consequence that the ferrite material of the plates or blocks is only partially used.

Es ist außerdem bekannt, einen magnetischen Datenspeicher dadurch herzustellen, daß zwischen zwei Ferritschichten, die aus einer aus Ferritpulver und einem geeigneten Bindemittel bestehenden Masse geformt sind, ein Gitter orthogonal verlaufender Leitungen gebracht wird und daß der so erhaltene Block gesintert wird (Proceedings of the Fall Joint Computer Conference, Vol. 24, 1963, S.77 bis 90). Ein solcher Speicher benötigt -zwei Leitungskreuzungsstellen zur Speicherung einer Binärziffer. Gegenüber bekannten Speichermatrizen, die nur einen Speicherkern pro Binärziffer verwenden, wird daher in wenigstens einer Koordinatenrichtung die doppelte Anzahl Treibleitungen benötigt. Der Speicher ist wortorganisiert, und ein Koinzidenzstrombetrieb für Einschreiben und Lesen, wie er bei Ringkernmatrizen verwendet wird, ist nicht möglich. Auch bei diesem Speicher besteht die Gefahr, daß bei enger Packungsdichte der Speicherzellen die durch die Treibströme hervorgerufenen Streuflüsse die Speicheroperationen stören.It is also known to create a magnetic data storage device manufacture that between two ferrite layers consisting of one made of ferrite powder and a compound consisting of a suitable binder, an orthogonal grid running lines is brought and that the block thus obtained is sintered (Proceedings of the Fall Joint Computer Conference, Vol. 24, 1963, pp.77-90). Such a memory requires two line crossing points to store one Binary digit. Compared to known memory matrices, which only have one memory core per Using binary digits will therefore double in at least one coordinate direction Number of driveways required. The memory is word-organized and a coincidence stream operation for writing and reading, as it is used with toroidal core matrices, is not possible. With this memory, too, there is the risk that with a tight packing density of the memory cells, the leakage fluxes caused by the driving currents, the memory operations disturb.

Aufgabe vorliegender Erfindung ist es, einen Datenspeicher der eingangs erläuterten Art anzugeben, der einen Koinzidenzstrombetrieb gestattet und von den Speicherelementen ausgehende Streulüisse weitgehend vermeidet. Gemäß der Erfindung wird dies dadurch erreicht, da13 von den vier Eckbereichen, die um den Kreuzpunkt zweier Leitungen liegen, zwei sich diagonal gegenüberliegende als nicht magnetisierbare Bereiche ausgebildet sind, die den von einem Strom auf einer oder beiden Leitungen erzeugten Magnetfiuß in einen die Kreuzungsstelle über die anderen beiden Eckbereiche diagonal umfassenden Flußpfad lenken. Ein derartiger Speicher hat den Vorteil, daß er in der gleichen Weise betrieben werden kann wie ein herkömmlicher Ringkernspeicher.The object of the present invention is to provide a data memory of the initially explained type, which allows a coincidence current operation and of the Storage elements largely avoids scattered louvers. According to the invention this is achieved by the fact that there are four corner areas around the intersection two lines lie, two diagonally opposite one another as non-magnetizable Areas are formed which are affected by a current on one or both lines generated magnetic foot in one of the crossing point over the other two corner areas Direct diagonally encompassing river path. Such a memory has the advantage that it can be operated in the same way as a conventional toroidal core memory.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind aus den Unteransprüchen ersichtlich. Nachfolgend sind verschiedene Ausführungsbeispiele der i t?rfindung an Hand von Zeichnungen beschrieben. Es zeigt F i g. 1 eine Ferritschicht, wie sie in einer Speicheranordnung gemäß der Erfindung vcr%%en(fet wird, f' i g. 2 einen 'feil einer Speicheranordnung ;@enr;il.t der Erfindung, 1' i g. 3A bis 3I) verschiedene Sclinittdtirstelluii,,cn der in 1' i g. _' gezeigten Anordnung, entsprechend den dort angegebenen, die gleiche Bezeichnung tragenden Schnittlinien, 1' i u. -1 eine Speiclierm@itri,# gemäß f?rfinilung, f' i e. 5 eine herkömmliche 1tin#-,keriiiu:itri,; in sc@iernatischcr Darstellung, h' i g. 6 ein einzelnes Speicherelement der Anordnung nach l' i g. 4 in stark vergrößerter Darstellung ztn- F?rlüuterung der I)üncnsionierung,ver_ hältnisse, F i :,. 7 eine andere Ausführungsform einer Ferritschicht >tiiii Aufbau einer Speicheranordnung geniiil3 der Erfindung, F i g. 8 einen "feil einer Speicheranordninig, die unter Verwendung einer Ferritschicht gemäß F i g. 7 aufgebaut ist, F i g. 9A bis ()t' Schnittdarstellungen der Anordnung gemäß F i g. X, entsprechend den dort angegebenen Schnittlinien, F i g. 10 und 11 weitere vorteilhafte Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Speicheranordnung, F i g. 12 einen Diagonalsch.nitt durch eine Transfluxorspeicherzelle, die unter Verwendung der erfindungsgemäßen Prinzipien aufgebaut ist, F i g. 13A und 1313 weitere Schnittdarstellungen der Speicherzelle gemäß F i g. 13, F i g. 14 einen bekannten Translluxorkern, Fig.15A und 15B eine weitere Ausführungsform eines Transfluxorspeichers gernäß der Erfindung, F i g. 16 eine Festwertspeiclierinittrix, die nach den Prinzipien vorliegender Erfindung ausgebildet ist, F i g. 17A und 17 B Detailansichten zur Erläuterung der Speicherung binärer Informationen in der Matrix gemäß F i g. 16, F i g. 18 eine weitere Ausführungsforen einer erfindungsgemäßen Festwertspeicherrnatrix, F i g. 19A und 19 B Darstellungen der Speicherung binärer Informationen in der Matrix von F i g. 18 und F i g. 20 einen Teilschnitt eines mehrere separate Speicherebenen umfussenden Ferritblockes.Further advantageous refinements of the invention are evident from the subclaims. Various exemplary embodiments of the invention are described below with reference to drawings. It shows F i g. 1 a ferrite layer as it is used in a storage arrangement according to the invention (fet, f 'i g. 2 a' feil of a storage arrangement; @enr; il.t of the invention, 1 'i g. 3A to 3I) different Sclinittdtirstelluii ,, cn the in 1 'i g. _ 'shown arrangement, corresponding to the cut lines given there, bearing the same designation, 1' i u . -1 a Speiclierm @ itri, # according to f? Rfinilung, f 'i e. 5 a conventional 1tin #, keriiiu: itri ,; in sc @ iernatic representation, h 'i g. 6 shows a single memory element of the arrangement according to FIG. 4 in a greatly enlarged representation ztn- For explanation of the I) insionation, ratios, F i:,. 7 shows another embodiment of a ferrite layer> tiiii construction of a memory arrangement geniiil3 of the invention, FIG. FIG. 8 shows a part of a storage arrangement which is constructed using a ferrite layer according to FIG. 7, FIGS 10 and 11 further advantageous embodiments of the memory arrangement according to the invention, FIG. 12 a diagonal section through a transfluxor memory cell which is constructed using the principles according to the invention, FIGS 14 shows a known transfluxor core, FIGS. 15A and 15B show a further embodiment of a transfluxor memory according to the invention, FIG. 16 shows a read-only storage device which is designed according to the principles of the present invention, FIGS. 17A and 17B show detailed views to explain the storage of binary information in the matrix according to FIGS. 16 and 18, a further embodiment of a read-only memory device according to the invention x, Fig. 19A and 19 B representations of storing binary information in the matrix of F i g. 18 and FIG. 20 shows a partial section of a ferrite block surrounding several separate storage levels.

In den F i g. 1 bis 4 ist ein Datenspeicher gezeigt, der aus zwei Ferritschichten 1 (F i g. 1) hergestellt wird, die nach einem bekannten Verfahren unter Verwendung einer Eins Ferritpulver und einem geeigneten Bindemittel bestehenden Masse geformt werden. Methoden, die sich zur Herstellung derartiger Ferritschichten eignen, sind beispielsweise in den Veröffentlichungen von R. S h a h b e n d e r u. a.: »L,iininrtted Ferrite Meinory«, Proccedings of tlie Fall Joint Computer Conference 1963, S.77 bis 90, und von E. A. B a r t k u s u. a.: »An Approach Towards Batch Fabricated Ferrite Meinory Planes«, IBM Journal of Research and Development, April 1964, S. 170 bis 176, beschrieben. Die Ferritschichten l werden nach ihrer Trocknung in einer schachbrettartigen Weise mit quadratischen löchern 2 vorsehen. Auf einer der beiden Schichten wird während oder nach ihrer Herstellung ein Gitter aus orthogonal verlaufenden Bandleitungen 3, 4 angebracht. Die beiden Schichten werden daraufhin in Sandwichform zusammengepreßt, so da13 sich die Bandleitungen zwischen den Schichten befinden, und rii einem einheitlichen Block S gesintert (F i g. 3A). Die Band-Icitungen 3, 4 und die Löcher 2 sind so atilcinander abgestimmt, daß die Leitungen entlang den Lochkanten verlaufen (F i g. 2 und 3B, 3C). Llierzu sind die spalten- und zeilenweise auf Lücke bzw. gegeneinander versetzt angeordneten Löcher 2 in ihrer Grüße derart bemessen, daß der Abstand zwischen zwei Löchern so groß ist wie die Seitenlänge eines Loches plus der doppelten Breite der Bandleitungen 3 bzw. 4. Ein ,jedes der Löcher 2 ist somit von zwei benachbarten Spaltenleitungen 2 und zwei benachbarten Zeilenleitunen 3 umgeben, deren einander zugekehrte Kanten'- mit den Lochkanten Übereinstimmen. Gegenüber den vier Ecken eines ,jeden l.oclies 2 befindest sich je ein Loch der benachbarten !.eile und Spalte (F i g. 4). Der Abstand zwischen den benachbarten Ecken von zwei derartigen Löchern ist lediglich so groß wie die diagonale Ausdehnung des Uberlappungsbereiches der beiden Bandleitungen 3, 4 die an den einander zugekehrten Kanten dieser Löcher verlaufen. Llierdurch sind die zwischen den Löchern verbliebenen quadratischen Felder 8 der Schichten 1 nur durch zwei schmale Stege 6, 7 aus Ferritmaterial beiderseits der Leitungen 3 und 4 miteinander verbunden (F i g. 3 D). Diese Stege bilden zusammen mit den Eckbereichen der von ihnen verhtindcnen Felder 8 den geschlossenen Flußpfld eines Spcichereleinentes, der schräg zu den Bandleitungcil 3, 4 verläuft. Die Schrägstellung des Flußpfades gegenüber der Richtung der Bandleitungen 3, 4 wechselt von Speicherelement zu Speicherelement und beträgt bei untereinander gleich breiten Bandleitungen 45 . In F i g. 4 sind die auf diese Weise erhaltenen Spcichereleinente 9 strichliniert angedeutet. Wie ein Vergleich mit F i g. 5 zeigt, in der eine bekannte Ringkernspeicherinatrix schematisch dargestellt ist. sind die Speicherelemente 9 von I' i g. 4 in der gleichen Weise angeordnet, wie die Ringkerne 10 in der Matrix von F i g. 5. Da die Speicherelemente 9 einen geschlossenen Flußpfad aufweisen, und da das Material, aus welchem die zur Herstellung verwendeten Ferritschichten 1 bestehen, eine nahezu rechteckfürnlige 1-lysteresektirve besitzt, kann die Anordnung nach dein Koinzidenzstrolnprinzip in der Weise betrieben werden, wie es für Ringkernmatrizen der in F i g. 5 dargestellten Art bekannt ist.In the F i g. 1 to 4 there is shown a data storage device which is produced from two ferrite layers 1 (FIG. 1) which are formed according to a known method using a compound consisting of ferrite powder and a suitable binding agent. Methods which are suitable for producing such ferrite layers are, for example, in the publications by R. S hahbender and others: "L, iinrtted Ferrite Meinory", Proccedings of the Fall Joint Computer Conference 1963, pp. 77 to 90, and by EA Bartkus inter alia: "An Approach Towards Batch Fabricated Ferrite Meinory Planes", IBM Journal of Research and Development, April 1964, pp. 170 to 176. The ferrite layers 1 are provided with square holes 2 after their drying in a checkerboard-like manner. A grid of orthogonally extending ribbon lines 3, 4 is attached to one of the two layers during or after its manufacture. The two layers are then pressed together in a sandwich form, so that the ribbon conductors are between the layers, and sintered into a unitary block S (FIG. 3A ) . The tape lines 3, 4 and the holes 2 are coordinated so atilcinander that the lines run along the hole edges (Fig. 2 and 3B, 3C). The size of the holes 2, which are arranged in columns and rows with a gap or offset from one another, is dimensioned in such a way that the distance between two holes is as large as the side length of a hole plus twice the width of the ribbon cables 3 or 4. One, each the hole 2 is thus surrounded by two adjacent column lines 2 and two adjacent row lines 3 , the edges of which, facing one another, coincide with the hole edges. Opposite the four corners of each l.oclies 2 there is a hole in each of the adjacent parts and gaps (FIG. 4). The distance between the adjacent corners of two such holes is only as large as the diagonal extent of the overlapping area of the two ribbon lines 3, 4 which run on the mutually facing edges of these holes. As a result, the square fields 8 of the layers 1 remaining between the holes are only connected to one another by two narrow webs 6, 7 made of ferrite material on both sides of the lines 3 and 4 (FIG. 3 D). These webs, together with the corner areas of the fields 8 covered by them, form the closed flow path of a storage element, which runs obliquely to the tape lines 3, 4 . The inclination of the flow path with respect to the direction of the ribbon lines 3, 4 changes from storage element to storage element and is 45 for ribbon lines of equal width. In Fig. 4, the memory elements 9 obtained in this way are indicated by dashed lines. How a comparison with F i g. 5, in which a known toroidal core memory matrix is shown schematically. are the storage elements 9 of I 'i g. 4 arranged in the same way as the toroidal cores 10 in the matrix of FIG. 5. Since the storage elements 9 have a closed flow path, and since the material from which the ferrite layers 1 used for production are made has an almost rectangular 1-lysteresectirve, the arrangement can be operated according to the coincidence flow principle in the same way as for toroidal core matrices the in F i g. 5 is known.

Uin der Anordnung eine größere mechanische Festigkeit zu geben, können die Löcher 2 vor dein Sintern mit Keramikmaterial ausgefüllt werden, das finit (lein Ferritniaterial zusammen zu einem einheitlichen Block gesintert wird.To give greater mechanical strength Uin of the arrangement, the holes 2 can be filled with ceramic material before your sintering, the finite (lein Ferritniaterial is sintered together to form a unitary block.

Bekanntlich werden die Speichereigenschaften eines in einem Material finit rechteckiger flystereseschleife verlaufenden Flußpfades durch den Bereich des kleinsten Flußquerschnittes bestimmt. Dies bedeutet, daß nur eine der beiden Ferritschichten 1 in ihrer Dicke genau dimensioniert sein muß, während für die andere lediglich die Bedingung besteht, daß sie nicht dünner ist als die erstgenannte Schicht. Eine weitere Möglichkeit, den Flußqtierschiiitt genau zu bestimmen, besteht darin, daß die quadratischen Bereiche 8 mit einer magnetisch isolierenden Schicht versehen werden, die lediglich die zum Flußpfad der benachbarten Speicherelemente gehörenden Eckbereiche frei läßt. In F i g. 4 ist eine derartige ill,lgnetische Isolierschicht durch den gerasterten Bereich 11 dargestellt. Sie kann beispielsweise durch eine vor dein Sinterprozeß zwischen die beiden Ferritschichtcn 1 gebrachte niclltnl<lgnetischc Schicht ausreichender Dicke oder durch eine nichtmagnetische Metallschicht guter clcktrischer Leitfähigkeit gebildet werden, die auf Grund von Wirhelstrc»neffektcii als magnetische Abschirmung \\irkt. Die Grüße der von der Isolierschicht 11 frei gcl:isscneii Eckbereiche 12 bestimmt somit den kleinsten Querschnitt des Flußpfades der Speicherelemente 9'.As is known, the storage properties of a flow path running in a material with a finite rectangular flysteresis loop are determined by the area of the smallest flow cross section. This means that only one of the two ferrite layers 1 has to be precisely dimensioned in terms of its thickness, while the only condition for the other is that it is not thinner than the first-mentioned layer. Another possibility of precisely determining the flux ratio consists in providing the square areas 8 with a magnetically insulating layer which only leaves the corner areas belonging to the flux path of the adjacent storage elements free. In Fig. 4, such a magnetic insulating layer is shown by the rasterized area 11 . It can be formed, for example, by a non-magnetic layer of sufficient thickness placed between the two ferrite layers 1 prior to the sintering process, or by a non-magnetic metal layer of good electrical conductivity, which acts as a magnetic shield due to electrical effects. The size of the corner areas 12 free from the insulating layer 11 thus determines the smallest cross section of the flow path of the storage elements 9 '.

Um eine ffysteresissclileifc ausreichender Rcchteckigkeit zu erhalten, ist es erforderlich, daß worin er die Breite der Bandleitungen 3, 4 und die Tiefe der zum I lußpfad der Speicherelemente gehörenden Eckbereiche 12 ist (F i g. 6 und 3I)) und worin außerdem vorausgesetzt wird, daß die Dicke a der Stege 6, 7 und die Dicke der Leitungen 3, 4 klein ist gegenüber w. Es ergibt sich somit: und d = k 2 <_ 0,67 w .In order to obtain a ffysteresissclileifc of sufficient rectangularity, it is necessary that where it is the width of the ribbon lines 3, 4 and the depth of the corner regions 12 belonging to the flow path of the memory elements (FIGS. 6 and 31)) and where it is also assumed that the thickness a of the webs 6, 7 and the thickness of lines 3, 4 is small compared to w. This results in: and d = k 2 <_ 0.67 w.

Die Dicke a der Magnetschichten 1 ain Ort der Stege 6, 7 wird durch die Bedingung bestimmt, daß die Querschnittsfläche der Stege quer zur Flußrichtung gemessen nicht größer ist als die Fläche der Eckbereiche 12 (F i g. 6). Hierauf folgt: oder C1 < 0,157 ' iV .The thickness a of the magnetic layers 1 at the location of the webs 6, 7 is determined by the condition that the cross-sectional area of the webs measured transversely to the direction of flow is not greater than the area of the corner regions 12 (FIG. 6). This is followed by: or C1 < 0.157 'iV.

Die minimale Seitenlänge /i der Löcher 2 ergibt sich durch 1i >_ 2(1 - 1,4 - 1e, .The minimum side length / i of the holes 2 results from 1i > _ 2 (1 - 1,4 - 1e,.

In den F i g. 7 bis c) ist eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Speicheranordnung dargestellt, die sich voll der in Verbindung mit den F i g. 1 bis 4 beschriebenen lediglich dadurch unterscheidet, daß die Löcher 2 durch magnetische Isolierschichten 14 ersetzt sind, die vor der Sinterung in eine der beiden Ferritschichten 1 eingebettet werden, aus denen die Anordnung hergestellt wird. Die nicht mit Isolierschichten bedeckten Stellen der beiden Ferritschichten 1 werden bei der nachfolgenden Sinterung fest miteinander verbunden. Die Isolierschichten 14 können aus einer nichtmagnetischen Schicht ausreichender Dicke oder aus einer elektrisch gut leitenden Metallschicht bestehen. Die Form und Anordnung der Isolierschichten 14 gleicht der Form und Anordnung der Löcher 2 in der Anordnung nach den F i g. 1 bis 4. Wie die F i g. 8 und 9 zeigen, verlaufen die zwischen den Ferritschichten 1 befindlichen Bandleitungen 3 und 4 entlang den Kanten der Isolierschichten 14, so daß sich an jeder Kreuzungsstelle der Bandleitungen ein in sich geschlossener Magnetflußpfad ausbildet, der wegen der Wirkung der magnetischen Isolierschichten 14 nur durch die der Kreuzungsstelle in diagonaler Richtung benachharten Ferritbereiche 8 verlaufen kann. Wenn als magnetische Isolierschichten 14 elektrisch gilt leitende Schichten verwendet werden, so sind die Leitungen 3, 4 mit einer nicht gezeigten Isolierschicht zu umgeben, die eine elektrische Verbindung zu den Schichten 14 verhindert. Ein jeder der in sich geschlossenen Flußpfade bildet ein Speicherelement 15, das einem Ringkern, 10 der herkömmlichen Ringkerninatrix von F i g. 5 entspricht. Für die Bemessung der Flußpfade sind die in Verbindung mit den F i g. 6 und 31) erläuterten Bedingungen maßgebend.In the F i g. 7 to c) another embodiment of the memory arrangement according to the invention is shown, which is fully based on the in connection with FIGS. 1 to 4 only differs in that the holes 2 are replaced by magnetic insulating layers 14 which, before sintering, are embedded in one of the two ferrite layers 1 from which the arrangement is made. The areas of the two ferrite layers 1 that are not covered with insulating layers are firmly connected to one another during the subsequent sintering. The insulating layers 14 can consist of a non-magnetic layer of sufficient thickness or of a metal layer with good electrical conductivity. The shape and arrangement of the insulating layers 14 is similar to the shape and arrangement of the holes 2 in the arrangement according to FIGS. 1 to 4. As in FIG. 8 and 9 show, the strip lines 3 and 4 located between the ferrite layers 1 run along the edges of the insulating layers 14, so that a self-contained magnetic flux path is formed at each point of intersection of the strip lines, which because of the effect of the magnetic insulating layers 14 is only passed through the Crossing point in the diagonal direction adjacent ferrite areas 8 can run. If conductive layers are used as magnetic insulating layers 14 , the lines 3, 4 must be surrounded by an insulating layer (not shown) that prevents an electrical connection to the layers 14. Each of the self-contained flux paths forms a storage element 15 which corresponds to a toroidal core 10 of the conventional toroidal core matrix of FIG. 5 corresponds. For the dimensioning of the flow paths are those in connection with the F i g. 6 and 31) are decisive.

In den vorausgehend beschriebenen Ausführungsbeispielen werden quadratische Löcher oder Isolierschichten zur Kanalisierung des Magnetflusses in einen Pf id verwendet, der in sich geschlossen ist und der in seiner Lage in der Matrixanordnung dein Flußpfad in den Ringkernen einer bekannten Magnetkernmatrix entspricht. Das gleiche Ziel kann erreicht werden, wenn statt dessen runde Löcher bzw. Isolierschichten verwendet werden. Eine derartige Anordnung zeigt die F i g. 10. Ein Block 18, der in einer in Verbindung mit den F i g. 1 bis 4 beschriebenen Weise aus zwei Ferritschichten 1 hergestellt ist und zwischen diesen Schichten ein Gitter aus ortlioaonal verlaufenden Bandleitungen aufweist, besitzt eine Anzahl runder Löcher 19, die entsprechend den weißen (oder schwarzen) Feldern eines Schachbrettes verteilt sind. Der Durchmesser der Löcher 19 und die Breite der Bandleitungen, von denen mir zwei durch schraffierte Bereiche 20, 21 dargestellt sind, ist so bemessen, daß die Löcher zweier benachbarter Zeilen oder Spalten teilweise in die zwischen diesen verlaufende Bandleitung hineinragen bzw. ein Kreissegment aus den Bandleitungen herausschneiden, wie es beispielsweise bei 22 für die Leitung 20 dargestellt ist. Durch eine derartige Anordnung wird erreicht, daß der LJberlappungsbereich 23 der Leitungen 20, 21 an zwei einander gegenüberliegenden Seiten durch die beiden benachbarten Löcher 1911, 19h begrenzt wird. Ein durch Ströme auf den Leitungen 2(1, 21 im Ferritniaterial des Blockes 18 erzeugter Magnetllußpfad wird daher durch die Bereiche 24, 25 kanalisiert, die den Uberlappungsbereich 23 tin den anderen zwei sich diagonal gegenüberliegenden Seiten begrenzen. Ein derartiger in sich geschlossener Flußpfitd bildet ein Speicherelement, das in F i g. 10 schematisch bei 26 dargestellt ist und das den Speicher-clenienten 9 von F i g. 4 entspricht. An den Kreuzungsstellen des im Block 18 eingeschlossenen Leiternetzes werden gleichartige Speicherelemente gebildet. An Stelle der Löcher 19 können in der Anordnung mich F i g. 10 auch magnetisch isolierende Schichten der vorausgehend angegebenen Art Verwendung finden.In the exemplary embodiments described above, square holes or insulating layers are used to channel the magnetic flux into a path which is self-contained and whose position in the matrix arrangement corresponds to the flux path in the toroidal cores of a known magnetic core matrix. The same goal can be achieved if round holes or insulating layers are used instead. Such an arrangement is shown in FIG. 10. A block 18, which in a connection with the F i g. 1 to 4 is made of two ferrite layers 1 and has a grid of ortlioaonal ribbon lines between these layers, has a number of round holes 19 which are distributed according to the white (or black) fields of a chess board. The diameter of the holes 19 and the width of the ribbon lines, two of which are shown by hatched areas 20, 21, are dimensioned so that the holes of two adjacent rows or columns partially protrude into the ribbon line running between them or a segment of a circle out of the Cut out ribbon lines, as shown for example at 22 for line 20. Such an arrangement ensures that the overlapping area 23 of the lines 20, 21 is delimited on two opposite sides by the two adjacent holes 1911, 19h. A magnetic flux path generated by currents on the lines 2 (1, 21 in the ferrite material of the block 18 is therefore channeled through the areas 24, 25 which delimit the overlapping area 23 on the other two diagonally opposite sides Storage element, which is shown schematically in Fig. 10 at 26 and which corresponds to the storage clients 9 of Fig. 4. Similar storage elements are formed at the crossing points of the conductor network enclosed in block 18. Instead of the holes 19 , in According to the arrangement in FIG. 10, magnetically insulating layers of the type indicated above can also be used.

Die 1= i g. 1 1 zeigt eine andere Ausführungsform, bei der inaznetischc Isolationsbereiche zur Kanalisierung des die Speicherelemente bildenden Magnetflusses ver"cndet werden und bei der die bandfornnLen Koordniatenleltungen 30. 31 zur Bildung der Isolationsbereiche dienen. Die BandleitunLen 30. 31 weisen zu diesem J%#eck Zickzack- bzw. V4'ellenform auf. In F i g. 14 ist eine Matrix mit vier Bandleitungen für jede hoordinatenrichtung wieder-egeben. I)ic Bandleitungen 30. 31 befinden sich zwischen zwei gleichmäßigen. ungelochten Ferritschichten. von denen jedoch die obere 111r besseren Darstellung halber weggelassen wurde. Aus der schraffierten Darstellung von zwei Bandleitun -en 30, 31 ist ersichtlich, daß bis auf quadratische Bereiche 32 und vernachlifssigbare kleine Bereiche 33 die gesamte Matrixtlifche vorn Leitcrinaterial der Bandleitungen bedeckt ist. Dies nird dadurch erreicht. daß die zickzack- bzw. wellenförmigen Bandleitungen benachbarter Zeilen bzw. Spalten jeweils um den Abstand einer halben Zickzack- bzw. Wellenteilung gegeneinander versetzt sind. Die Bereiche 32 sind schachbrettartig verteilt. Durch die Wirkung der in den Bandleitungen entstehenden Wirbelströme wird der an den Kreuzungsstellen zweier Bandleitungen 30, 31 erzeugte .Magnctfluß durch die Eckbereiche 34 der diesen Kreuzungspunkten diagonal benachbarten Bereiche 32 geleitet. 1:s entstehen auf diese Weise Speicherelemente 35, die den Speicherelementen 9 von F i g. 4 entsprechen. Die kleinen Bereiche 33, die zwischen einander zugekehrten Wellelibergen der Bandleitungen zur Verhinderung eines Querschlusses notwendig sind, gestatten -zwar einen .kleinen Nebenfußpfad. Da dessen Querschnitt wegen der kleinen Fläche der Bereiche 33 sehr klein ist und der Abstand x viel größer als der entsprechende Abstand 1° ist, kann dieser nur bei Halbauswahlzellen auftretende Nebenffußpf ad vernachlässigt werden. Für das durch das Auftreten koinzidenter Ströme auf den Koordinatenleitungen 30, 31 jeweils ausgewählte Speicherelement wird ein Nebenfluß durch die Bereiche 33 dieser Elemente völlig ausgelöscht, da die Polarität der Ströme auf den Leitungen 30, 31 in bezug auf diese Bereiche 33 gegensätzlich ist.The 1 = i g. 11 shows another embodiment in which the thermal insulation areas are connected to channel the magnetic flux forming the storage elements and in which the strip-shaped coordinate lines 30. 31 serve to form the insulation areas. The strip lines 30. 31 are zigzagged for this purpose 14 shows a matrix with four ribbon lines for each direction of the coordinates The hatched representation of two strip lines 30, 31 shows that, apart from square areas 32 and negligible small areas 33, the entire matrix area is covered by the conductive material of the strip lines. or wavy ribbon lines of adjacent rows or columns, each by the distance of one h albums zigzag or wave division are offset from one another. The areas 32 are distributed in a checkerboard manner. Due to the effect of the eddy currents arising in the ribbon lines, the magnetic flux generated at the crossing points of two ribbon lines 30, 31 is conducted through the corner regions 34 of the regions 32 diagonally adjacent to these crossing points. 1: s storage elements 35 are created in this way, which correspond to the storage elements 9 of FIG. 4 correspond. The small areas 33, which are necessary between facing corrugated areas of the ribbon cables to prevent a cross-circuit, allow a small secondary foot path. Since its cross-section is very small because of the small area of the areas 33 and the distance x is much larger than the corresponding distance 1 °, this minor footpath, which occurs only in half-selection cells, can be neglected. For the memory element selected by the occurrence of coincident currents on the coordinate lines 30, 31, a tributary flow through the areas 33 of these elements is completely extinguished, since the polarity of the currents on the lines 30, 31 with respect to these areas 33 is opposite.

Nach den vorausgehend dargelegten Prinzipein der Erfindung sind nicht nur Speicheranordnungen realisierbar, deren Speicherelemente den bekannten, eine einzige Öffnung aufweisenden Ringkernen entsprechen. Nach den gleichen Prinzipien können auch Speicherelemente hergestellt werden, die den bekannten Mehrlochkernen oder Transüuxoren in Aufbau und Funktion gleichen. Eine derartige Möglichkeit ist in den F i g. 1? und 13 näher ausgeführt. Die dort gezeigte Einrichtung besteht aus einem Ferritblock, der aus drei Ferritschichten der in F i g. 7 dargestellten Art hergestellt ist. Zwischen je zwei der Ferritschichten ist ein Satz orthogonal verlaufender Bandleiter 41, 42 und 43, 44 angeordnet. Die F i g. 13A und 1313 zeigen ein Transiluxorspelcherelelnent in Gestalt zweier Teilschnitte durch die Ebene der Bandleitersätze, während die F i g. 1? einen Schnitt zeigt. der diagonal durch die dein dargestellten Transfuxorspeicherelement zugeordnete Kreuzungsstelle der beiden Bandleiters<ftze verläuft. in den Ebenen der beiden Bandleitersätze sind in der in Verbindung mit F i g. 7 beschriebenen Weise elektrisch leitende Schichten 45, 46 als magnetische Abschirmungen zur Kanalisierung der Magnetflusses angeordnet. Diese Schichten entsprechen den Schichten 14 von 1= i g. 7. Des Weiteren sind in den gleichen Ebenen elektrisch leitende Schichten 47, 48 angeordnet, die ebenfalls als magnetische Abschirmungen «irken und zur Begrenzung des Flußquersclinittcs dienen, analog den magnetisch isolierenden Bereichen 11 von 1= i g. 4. Es entstehen auf diese Weise zwei in sich geschlossene FIußpfide 54, 55 definierten Querschnittes, von denen der eine die Kreuzungsstelle des oberen Leiterpaares 41"42 und der andere die Kreuzungsstelle des unteren Leiterpaares 43, 44 diagonal umfißt. Aus F i g. 1? ist ersichtlich, daß die dargestellte Speicherzelle drei Stege 49, 50, 51 besitzt, die einen Teil der Flußpfade 54, 55 bilden. Diese Stege entsprechen den Stegen 49', 50', 51' eines bekannten in F i g. 14 dargestellten Transfiuxorker-' nes. Um annähernd die gleichen Bedingungen wie hei diesem Kern zu erzielen, «ird der Steg 51 ema so dick ausgebildet, wie die Stimme der Dicke der Stege 49 und 50 beträgt. Ebenso ist die Querschnittsfiächc: der einander diagonal gegenüberliegenden, einen Teil (fier Flußpfade 54, 55 bildenden Uberlappungsbereiche 52, 53 so bemessen, (laß die dein dickeren Steg 51 zugeordneten Uberlappungsbereiclie 53 eine doppelt so große Fläche aufweisen wie die Uberlappungsbereiche 52. Dies wird durch Verwendung unterschiedlicher Leiterbreiten erreicht. Im Beispiel sind die (lern dickeren Steg 51 zugeordneten Bandleitungen 43, 44 schmaler ausgebildet als die Bandleitungen 41, 42. Um nun auch für die unterschiedlichen Weglängen der Flußpfade 54, 55 eine Anniiherung an die Längen der entsprechenden I'Iiilipf<ide 54', 55' im bekannten ringf"örinigen Transfluxorkern zu erreichen, werden die Stege 49, 50, 51 aus Ferritmaterial unterschiedlicher Koerzitivkraft hergestellt. Die Koerzitivkraftwerte haben folgende Beziehung zueinander: -Hc'so < 11('"g <` He', . Zur Herstellung des Blockes 40 wird daher eine erste mittlere f'erritschicht mit niedrigem Il(--Wert, eine zweite Ferritschicht gleicher Dicke mit höherem llc-Wert und eine dritte Ferritschicht doppelter Dicke finit sehr großem Hc-Wert verwendet. Es können so annähernd die gleichen Bedingungen erzielt werden, die in einem Ringkerntransluxor bekannter Hauart vorhanden sind. Hierdurch ist es möglich, die in den I= i g. 12 und 13 dargestellte Speicherzelle in den für Transfiuxoren bekannten Betriebsarten zu betreiben, deren leervorstechende Merkmale die hohe Operationsgeschwindigkeit und die ierstörungsfreie Wertentnahme sind.According to the principles set out above in the invention, it is not only possible to implement storage arrangements whose storage elements correspond to the known toroidal cores having a single opening. Storage elements that are similar in structure and function to the known multi-hole cores or Transüuxoren can also be produced according to the same principles. Such a possibility is shown in FIGS. 1? and 13 detailed. The device shown there consists of a ferrite block, which consists of three ferrite layers of the type shown in FIG. 7 is made of the type shown. A set of orthogonally extending strip conductors 41, 42 and 43, 44 is arranged between each two of the ferrite layers. The F i g. 13A and 1313 show a Transiluxorspelcherelelent in the form of two partial sections through the plane of the tape conductor sets, while FIGS. 1? shows a section. which runs diagonally through the crossing point of the two strip conductors associated with the transfuxor storage element shown. in the levels of the two strip conductor sets are in connection with FIG. 7, electrically conductive layers 45, 46 are arranged as magnetic shields for channeling the magnetic flux. These layers correspond to layers 14 of 1 = i g. 7. Furthermore, electrically conductive layers 47, 48 are arranged in the same planes, which also act as magnetic shields and serve to limit the cross-flow of the flow, analogously to the magnetically insulating areas 11 of 1 = i g. 4. In this way, two self- contained flusspides 54, 55 of defined cross-sections are created, one of which diagonally encompasses the intersection of the upper pair of conductors 41 ″ 42 and the other diagonally encompasses the intersection of the lower pair of conductors 43, 44 It can be seen that the memory cell shown has three webs 49, 50, 51 which form part of the flow paths 54, 55. These webs correspond to the webs 49 ', 50', 51 'of a known transfiuxorker shown in FIG In order to achieve approximately the same conditions as in this core, the web 51 is made as thick as the part of the thickness of the webs 49 and 50. The cross-sectional area of the diagonally opposite one another is also a part (For the overlap areas 52, 53 forming flow paths 54, 55, dimensioned such that (let the overlap areas 53 associated with the thicker web 51 have an area twice as large as the overlap areas 52. This is done by using ending of different conductor widths. In the example, the ribbon lines 43, 44 assigned to the thicker webs 51 are designed to be narrower than the ribbon lines 41, 42. 55 'in the known annular transfluxor core, the webs 49, 50, 51 are made of ferrite material of different coercive force. The coercive force values have the following relationship : -Hc'so < 11 ('"g<` He ', . For production of the block 40 , a first middle ferrite layer with a low II (value, a second ferrite layer of the same thickness with a higher IIc value and a third ferrite layer of double thickness finitely very high Hc value are used. Thus, approximately the same conditions can be used This makes it possible to convert the memory cell shown in FIGS n to operate modes of operation, the outstanding features of which are the high operating speed and the failure-free removal of value.

Eine weitere Möglichkeit, einen Transfluxorspeicher (lcinäß den Prinzipien vorliegender Erfindung herzustellen; ist in den I# i g. 15A und 15 B angegeben. Die 1' i g. 15A zeigt eine Vier-Elemente-Matrix und die f' i g. 15 B einen Schnitt A-A der Anordnung von F i g. 15A. Die Transfluxorspeicherelemente sind mit 56 bezeichnet. Sie werden durch zwei diagonal benachbarte Kreuzungsstellen der Bandleiter 41, 42 und 43, 44 gebildet, die zwischen zwei Ferritschichten 57, 58 angeordnet sind. Von diesen Leitungen isoliert befindet sich außerdem noch eine elektrisch leitende Schicht 59 -zwischen den Ferritschichten, die in der beschriebenen Weise als magnetische Abschirmung wirkt. Diese Abschirmschicht hat die in I' i g. 15A gerastert angegebene Form. Wie aus dieser I'igur ersichtlich ist, sind die sich jeweils in den Diagonalen gleicher Richtung gegenüberliegenden Lckbereiche der beiden ein Speicherelement 56 bildenden Kreuzungsstellen von der Abschirmschicht 59 ausgefüllt. Es entsteht so ein geschlossener Flußpfad in Richtung der anderen Diagonale, der wahlweise entsprechend der vorausgehenden Verbindung finit den F i g. 12 und 13 beschriebenen Transfluxorspeicher-Betriebsart eine Kreuzungsstelle allein oder beide Kreuzungsstellen gemeinsam umfassen kann. Die von der Abschirmschicht für den Flußdurchtritt frei gelassenen öberlappungsbereiche A'. B' und C weisen ein Flächenverhältnis von 2:1 :1 auf. Die Anordnung nach den F' i g. 15A und 15 B hat gegenüber der Anordnung nach den F i g. 12 und 13A, 13 B den Vorzug, daß nur zwei Magnetschichten benötigt werden und daß diese Magnetschichten gleiche Hc-Werte besitzen können.A further possibility of producing a transfluxor memory (according to the principles of the present invention; is indicated in FIGS. 15A and 15B. FIG. 15A shows a four-element matrix and FIG. 15 B shows a section AA of the arrangement of Fig. 15A The transfluxor storage elements are denoted by 56. They are formed by two diagonally adjacent crossing points of the strip conductors 41, 42 and 43, 44 , which are arranged between two ferrite layers 57, 58. Of these Lines insulated there is also an electrically conductive layer 59 between the ferrite layers, which acts as a magnetic shield in the manner described. This shield layer has the shape indicated in Fig. 15A. As can be seen from this figure, the gap areas of the two crossing points forming a memory element 56, which are opposite each other in the diagonals in the same direction, are filled by the shielding layer 59. A ge closed flow path in the direction of the other diagonal, which optionally according to the previous connection finitely the F i g. 12 and 13 described transfluxor storage mode of operation can comprise one crossing point alone or both crossing points together. The overlapping areas A 'left free by the shielding layer for the passage of the flow. B ' and C have an area ratio of 2: 1: 1. The arrangement according to FIGS. 15A and 15B has compared to the arrangement according to FIGS. 12 and 13A, 13B have the advantage that only two magnetic layers are required and that these magnetic layers can have the same Hc values.

Mit den folgenden Ausführungsbeispielen wird gezeigt, daß die Erfindung auch bei Festwertspeichern verwendbar ist. Festwertspeicher dienen in Datenverarbeitungsmaschinen für Speicherung von Informationen, die sieh nach Fertigstellung der Maschine nicht mehr lindern und daher während des Betriebes der Maschine nur zu lesen, nicht aber neu einzuschreiben oder zu ändern sind. Derartige Speicher sind zumeist wortorganisiert; durch den Wort-Treibimpuls wird eine Anzahl Bits parallel ausgelesen. Die F i g. 16 zeigt einen Matrixblock 60 zur Speicherung von drei dreistelligen Wörtern. Dieser Block ist in der beschriebenen Weise aus zwei Ferritschichteil mit einem zwischengelegten Gitter orthogonal verlaufender Bandleitungen hergestellt. Die Ferritschichten weisen in diesem Falle keine rechteckige Hystercsesisschleife auf. Die zeilenweise verlaufenden Bandleitungen 61 dienen als Wort-Treibleitungen, während die spaltenweise verlaufenden Bandleitungen 62 'als Bit-Leseleitungen verwendet werden. In der Ebene der Bandleitungen 61, 62 sind durch gerasterte schraffierte Felder gekennzeichnete magnetische Abschirmschichten 63 angeordnet, die wie die Schichten 14 oder 45, 46 von F i g. 7 oder 13 dazu dienen, den Magnetflußpfad im Block 60 in eine Richtung zu dirigieren, die die gewünschte Verkettung zwischen zwei sich kreuzenden Leitungen 61, 62 ergibt. Beispielsweise reicht am Kreuzungspunkt der Wort-Treibleitung 61, und der Bit-Leseleitung 61, die Abschirinschicht 63 im rechten oberen und im linken unteren Quadranten bis an die Kanten der Leitungen heran, während sie in den beiden übrigen Quadranten je einen dreieckförmigen Bereich 64 zur Flußverkettung frei läßt. An der Kreuzungsstelle zwischen der Wort-Treibleitung 61, und der Bit-Leseleitung 622 erfolgt eine Flußverkettung in der gleichen Richtung, wogegen äm Ort der Kreuzungsstelle der Wort-Treibleitung 61, und der Bit-Leseleitung 623 der obere linke und der untere rechte Quadrant für eine Flußverkettung gesperrt sind, so daß die Verkettung durch die übrigen beiden Quadranten, also in um 90 verdrehter Richtung erfolgt. Bei Auftreten eines Wort-Treibimpulses auf Leitung 61, werden auf den Leitungen 62,, 622, 62, Ausgangssignale erzeugt, deren Polarität von der Richtung der eine Flußverkettung gestattenden Flußpfade bestimmt wird. Im dargestellten Beispiel ist festgelegt worden, daß ein in sich geschlossener Magnetlußpfad, der durch den oberen linken und den unteren rechten Quadranten einer Kreuzungsstelle verläuft, eine binäre Eins darstellt und- daß ein Magiietltißpfid, der durch den oberen rechten und den unteren linken Quadranten einer Kreuzungsstelle verläuft, eine binäre Null darstellt.The following exemplary embodiments show that the invention can also be used with read-only memories. Read-only memories are used in data processing machines to store information that no longer alleviates the problem after the machine has been completed and therefore can only be read while the machine is in operation, but cannot be rewritten or changed. Such memories are mostly word-organized; a number of bits are read out in parallel by the word drive pulse. The F i g. 16 shows a matrix block 60 for storing three three-digit words. This block is made in the manner described from two ferrite layer parts with an interposed grid of orthogonally extending ribbon lines. In this case, the ferrite layers do not have a rectangular hysteretic loop. The strip lines 61 running in rows serve as word drive lines, while the strip lines 62 ′ running in columns are used as bit read lines. In the plane of the ribbon lines 61, 62, magnetic shielding layers 63, marked by hatched fields, are arranged, which like the layers 14 or 45, 46 of FIG. 7 or 13 serve to direct the magnetic flux path in block 60 in a direction which results in the desired concatenation between two crossing lines 61, 62. For example, at the intersection of the word drive line 61 and the bit read line 61, the shielding layer 63 in the upper right and lower left quadrants extends to the edges of the lines, while in the two remaining quadrants there is a triangular area 64 for flux linking releases. At the intersection between the word drive line 61 and the bit read line 622, flow chaining takes place in the same direction, whereas at the point of intersection of the word drive line 61 and the bit read line 623, the upper left and lower right quadrant for a flux linkage are blocked, so that the linkage takes place through the other two quadrants, i.e. in the direction rotated by 90. When a word drive pulse occurs on line 61, output signals are generated on lines 62, 622, 62 , the polarity of which is determined by the direction of the flux paths permitting flux concatenation. In the example shown, it has been determined that a self-contained magnetic flux path which runs through the upper left and lower right quadrants of an intersection represents a binary one and that a magnetic flux path which runs through the upper right and lower left quadrants of an intersection runs, represents a binary zero.

Die Analogie dieser Flußpfade zu entsprechend gefädelten Ringkernen bekannter Bauart zeigen die 1' i g. 17A und 17 B.The analogy of these river paths to appropriately threaded toroidal cores known design show the 1 'i g. 17A and 17 B.

In den F i g. 18 und 19 ist eine Abwandlung der Anordnung nach dett F i g. 16 und 17_ dargestellt. Der Unterschied zu dem vorausgehend beschriebenen Beispiel besteht darin, daß die Flußverkettung zwischen den Treib- und Leseleitungen so gewählt ist, daß die Lesesignale für die Binärwerte Null und Eins nicht eitle gegensätzliche Polarität aufweisen, sondern der eine Binärwert durch, das Auftreten eines Impulses und der andere durch das Fehlen eines Impulses angezeigt wird. Der Binärwert Eins soll durch eineu Leseimpuls und der Binärwert Null durch dies Fehlen eines solchen Impulses dargestellt werden. Deinentsprechend gestattet die Abschirmschicht 63 nur an denjenigen Kreuzungsstellen der Treib- und Leseleitungen 61, 62 eine Flußverkettung, denen der Binärwert Eins zugeordnet ist. Dies sind in F i g. 18 beispielsweise die Kreuzungsstellen der Wort-Treibleitung 61I und der Bit-Leseleitung 62Z, 623. Um jedoch unabhängig von dem Inhalt der gespeicherten Information eine annähernd einheitliche Leitungsimpedanz für alle Wort-Treibleitungen 62 und damit auch eine einheitliche Lesesignalamplitude auf den Bit-Leseleitungen 62 zu gewährleisten, werden den übrigen Kreuzungsstellen (Speicherstellen der Binärwerte Null) geschlossene Flußpfade zugeordnet, die lediglich die Wort-Treibleitungen 61 umfassen, ohne dabei eine Verkettung mit den Bit-Leseleitungen zu bewirken. Dies wird erreicht, indem die Abschirmschicht 63 nur die beiden linken Quadranten einer derartigen Kreuzungsstelle sperrt und in den beiden rechten Quadranten dreieckförmige Bereiche 66 zur Ausbildung eines Flußpfades freilegt. Dies ist beispielsweise an den Kreuzungsstellen der Wort-Treibleitung 611 und der Bit-Leseleitung 621 und 624 ersichtlich.In the F i g. 18 and 19 is a modification of the arrangement according to FIG. 16 and 17_. The difference to the example described above is that the flux linkage between the drive and read lines is chosen so that the read signals for the binary values zero and one do not have opposite polarity, but rather the one binary value due to the occurrence of a pulse and the other is indicated by the absence of a pulse. The binary value one should be represented by a read pulse and the binary value zero by the absence of such a pulse. Correspondingly, the shielding layer 63 only allows a flux linkage at those crossing points of the drive and read lines 61, 62 to which the binary value one is assigned. These are in FIG. 18, for example, the crossing points of the word drive line 61I and the bit read line 62Z, 623. However, in order to achieve an approximately uniform line impedance for all word drive lines 62 and thus also a uniform read signal amplitude on the bit read lines 62 regardless of the content of the stored information ensure, the remaining crossing points (storage locations of the binary values zero) are assigned closed flux paths which only include the word drive lines 61 without causing a concatenation with the bit read lines. This is achieved in that the shielding layer 63 blocks only the two left quadrants of such a crossing point and exposes triangular regions 66 in the two right quadrants to form a flow path. This can be seen, for example, at the intersection of the word drive line 611 and the bit read line 621 and 624.

Die F i g. 19A und 19B zeigen eine Analogie der in F i g. 17 zur Speicherung der Binärwerte verwendeten Flußpfadkonfiguration zu entsprechend gefädelten Ringkernen bekannter Bauart. Es ist zu bemerken, daß die Leitungen 61, 62 einerseits und die Abschirmschicht 63 durch geeignete Isolierschichten elektrisch voneinander getrennt sind. Dies gilt auch für die Anordnung nach den F i g. 16 und 17.The F i g. 19A and 19B show an analogy to that in FIG. 17 for storage of the binary values used flux path configuration to suitably threaded toroidal cores known design. It should be noted that the lines 61, 62 on the one hand and the Shielding layer 63 electrically separated from one another by suitable insulating layers are. This also applies to the arrangement according to FIGS. 16 and 17.

Der bei einer Abfrageoperation in den Anordnungen nach den F i g. 16 und 18 auftretende Magnetfluß wird durch die Größe der dreieckförmigen Bereiche 64 und 66 bestimmt, sofern die Dicke der Ferritschichten, aus denen die Anordnungen aufgebaut sind, nicht so klein ist, daß der Flußquerschnitt in den Bereichen oberhalb und unterhalb der Speicherelemente kleiner ist als in den Bereichen 64 bzw. 66. Oberhalb dieses Mindestmaßes ist die Dicke der Ferritschichten nicht . kritisch. Es ist daher möglich, durch entsprechende Aufeinanderschichtung mehrerer Ferritschichten und entsprechender Lagen Treib- und Leseleitungen einen Block herzustellen, in dem mehrere Matrixebenen vereinigt sind. Die F i g. 20 zeigt einen zwei separate Matrixebenen-69, 70 umfassenden Ausschnitt eines derartigen Blockes 68. Der Block 68 besteht aus Ferritschichten 71, 72 und 73. Zwischen je zwei dieser Fei#cttschichten ist eine Lage Matrixleitungen 61, 62 mit zier zugeordneten Abschirmschicht 63 angeordnet. Mit m + 1 Ferritschichten kann so ein Speicherblock hergestellt werden, der m separate Speicherebenen enthält.During an interrogation operation in the arrangements according to FIGS. 16 and 18 occurring magnetic flux is determined by the size of the triangular areas 64 and 66, provided that the thickness of the ferrite layers from which the arrangements are constructed is not so small that the flux cross-section in the areas above and below the storage elements is smaller than in the areas 64 and 66 respectively. The thickness of the ferrite layers is not above this minimum. critical. It is therefore possible to create a block in which several matrix levels are combined by appropriately stacking several ferrite layers and corresponding layers of drive and read lines. The F i g. 20 shows a section of such a block 68 comprising two separate matrix levels 69, 70. The block 68 consists of ferrite layers 71, 72 and 73. A layer of matrix lines 61, 62 with a decoratively assigned shielding layer 63 is arranged between each two of these free layers. With m + 1 ferrite layers, a memory block can be produced that contains m separate memory levels.

Claims

Claims: 1. Magnetic data storage device with a ferrite block, which is made up of at least two ferrite layers and a layer of intersecting, ribbon-shaped lines located between them, characterized in that of the four corner areas which lie around the intersection of two lines, two diagonally opposite one another as non-magnetizable areas (2 or 14) are formed which direct the magnetic flux generated by a current on one or both lines into a flux path diagonally encompassing the intersection via the other two corners.

2. Data memory according to claim 1, characterized characterized in that the non-magnetizable areas (2 or 14) checkered are distributed and that each of them the four crossing points around him is common.

3. Data memory according to claim I and 3, characterized in that the non-magnetizable areas (19) have a circular shape and that these areas form circular segment-like cutouts (22) with the intersecting ribbon lines.

4. Data memory according to one of claims 1 to 3, characterized in that the non-magnetic areas formed by holes (2) arranged in the ferrite layers will.

5. Data memory according to claims 1 to 4, characterized in that the non-magnetizable areas (2) are formed by ceramic material that is sintered with the ferrite material into a unitary block.

6. Data storage according to one of claims 1 to 3, characterized in that the non-magnetizable Areas are formed by magnetically insulating layers (14, 46 or 63), which are embedded in the ferrite block together with the ribbon cables.

7. Data storage device according to one of claims 1 to 6, characterized in that an additional magnetically insulating layer (11) is arranged in the field (8) of magnetizable material limited by the four mutually facing corners of four adjacent intersection points, the only corner regions (12) Defined size for the river paths of these intersections leaves free. B.

Data memory according to claims 6 and 7, characterized in that the magnetically insulating layers are electrically good Conductive layers are arranged, which are electrically insulated from the ribbon lines and act as magnetic shields due to eddy currents.

9. Data memory according to claim 1, characterized in that the tape lines have an undulating course and adjacent ribbon lines by half Wave pitch are arranged offset and that the wave crests facing each other adjacent row lines and adjacent column lines by eddy current shielding together the non-magnetizable areas of four neighboring intersections form, while the wave troughs of the same lines together form the flow paths of these Limit magnetizable areas (32) receiving intersection points (FIG. 11).

10. Data memory according to one of claims I to 8, characterized in that two crossing points with the associated, flux-directing non-magnetizable Areas (45, 46) arranged in different levels and according to the Transfluxorprinzip are magnetically coupled to each other.

11. Data memory according to one of the claims 1 to 8, characterized in that two diagonally adjacent crossing points Magnetic flux-directing, non-magnetizable, opposing in the same direction Corner areas (59) are assigned, which one the intersection points individually or together define a comprehensive river path, and that the ladder widths of both Crossing points are chosen so that they correspond to the Transfluxorprinzip are magnetically coupled to each other.

12. Data memory according to one of claims 1 to 8, characterized in that the non-magnetizable areas (63) for fixed storage of binary information are shaped so that a flux linkage between a word query drive line (61) and a bit read line (62) is optionally obtained in either of two directions.

13. Data memory according to one of claims I to 8, characterized in that the non-magnetizable areas (63) for fixed storage of binary information are shaped so that for a binary value a flux linkage between a word query drive line (61) and a bit Reading line (62) in the predetermined direction and for the other binary value a flow path (66) comprising only the word interrogation drive line is obtained.

14. Data memory according to one of claims 1 to 13, characterized in that several levels (69, 70) of intersecting lines with the associated non-magnetizable areas (63) are embedded in a block (68) made of ferrite material and that each has two levels The separating ferrite layer serves to accommodate the flow paths of the storage elements on both levels.