DE1289115B - Vorrichtung zur Speicherung von Daten - Google Patents
Vorrichtung zur Speicherung von DatenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf Vorrichtungen zur Speicherung von Daten, bei denen die Daten in
Form von Dauerströmen in einem supraleitenden Film gespeichert werden.
Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf solche Vorrichtungen dieser Art, die matrixförmig angeordnete
Speicherelemente enthalten und bei denen die Auswahl eines Speicherelements mit Hilfe von
Steuerströmen erfolgt, die in Koinzidenz entlang dem Speicherelement angelegt werden.
Wenn Steuerströme durch Steuerleiter geschickt werden, die entlang dem supraleitenden Film angeordnet
sind, entstehen an dessen Oberfläche entgegengesetzt gerichtete induzierte Ströme, und wenn
die Dichte der induzierten Ströme in dem supra- is leitenden Film örtlich einen bestimmten kritischen
Wert erreicht, geht eine kleine Zone dieses Films an der betreffenden Stelle in den Widerstandszustand.
Die Bildung von Widerstandszonen bewirkt einen örtlichen Energieverlust und eine Änderung des ao
Gleichgewichtszustands der in dem supraleitenden Film induzierten Ströme.
Die das Aufzeichnen und das Ablesen der Daten in den zuvor angegebenen Vorrichtungen kennzeichnenden
Erscheinungen ergeben sich aus der Bildung solcher Widerstandszonen in genau bestimmten
Gebieten des supraleitenden Films, und es wurde festgestellt, daß bestimmte Störungen, welche
den Verlust von aufgezeichneten Daten zur Folge haben können, durch das Auftreten von Wider-Standszonen
in bestimmten anderen, von den ersten Gebieten verschiedenen Gebieten des supraleitenden
Films hervorgerufen werden.
Nun hängt das Auftreten von Widerstandszonen in dem supraleitenden Film von der Verteilung der
in diesem Film induzierten Ströme ab, und diese Stromverteilung ist eng mit der Form der Steuerleiter
verknüpft. Insbesondere wurde festgestellt, daß die Dichte der in dem supraleitenden Film entlang
einer Kante eines eine Kurve beschreibenden Steuerleiters induzierten Ströme um so größer ist, je kleiner
der Krümmungsradius der Kurve ist.
Ferner wurde festgestellt, daß mehrere übereinanderliegende Leiter auf die Verteilung der induzierten
Ströme in gleicher Weise einwirken wie ein einziger Leiter, dessen Umriß die Einhüllende dieser
Projektion auf den supraleitenden Film ist, und es wurde entdeckt, daß die Dichte der Ströme, welche
in dem supraleitenden Film in der Nähe des Scheitels des von den Kanten der beiden übereinanderliegenden
Steuerleiter eingeschlossenen Winkels induziert werden, um so größer ist, je kleiner der Winkel ist.
Eine Speichervorrichtung mit supraleitendem Film nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß
der Krümmungsradius jeder von der Kante eines Steuerleiters gebildeten Kurve und jeder Winkel, den
die Kanten von zwei Steuerleitern entlang einem Gebiet des supraleitenden Films mit Ausnahme der
vorbestimmten Zone bilden, so groß bemessen sind, daß der Durchgang eines Steuerstroms durch einen
der beiden Steuerleiter oder durch beide Steuerleiter gleichzeitig nicht das Auftreten von Widerstandszonen
in dem Gebiet außerhalb der vorbestimmten Zone verursachen kann.
Die Erfindung eignet sich vorteilhaft für Speichermatrizen mit einem zusammenhängenden supraleitenden
Film, der allen Speicherelementen gemeinsam ist. Sie ermöglicht die Erhöhung der Betriebssicherheit
und gegebenenfalls die Verringerung der Schwierigkeiten bei der Herstellung solcher Speichermatrizen.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beispielshalber beschrieben. Darin zeigt
Fig. 1 eine Draufsicht eines Dauerstrom-Speicherelements
beliebiger Art, bei welchem die Erfindung anwendbar ist,
Fig. 2 einen Schnitt nach der Linie 2-2 von Fig. 1,
F i g. 3 eine Draufsicht einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Speicherelements,
F i g. 4 eine Draufsicht einer zweiten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Speicherelements,
F i g. 5 eine Draufsicht einer dritten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Speicherelements,
F i g. 6 eine Draufsicht einer vierten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Speicherelements und
F i g. 7 eine Draufsicht einer nach der Erfindung ausgeführten Speichermatrix.
Das in Fig. 1 und 2 dargestellte Speicherelement enthält eine zusammenhängende Folie 10 aus einem
supraleitenden Material mit kleiner kritischer Feldstärke, beispielsweise Zinn oder Indium. Diese Folie
wird in der nachstehenden Beschreibung als supraleitender Film bezeichnet. Das Speicherelement enthält
ferner bandförmige Steuerleiter 11 und 21, die auf der einen Seite des supraleitenden Films 10 übereinander
liegen. Diese Leiter sind aus einem supraleitenden Material, beispielsweise Blei, gefertigt, das
eine verhältnismäßig hohe kritische Feldstärke aufweist.
In F i g. 1 stellen die karierten Flächen Al, A 2, B,
Cl, C 2, Dl, Ό 2, D 3 Zonen des supraleitenden
Films 10 dar, welche beim Betrieb des Speicherelements einen Widerstand annehmen oder annehmen
können.
Ein binäres Informationselement wird in dem Speicherelement in Form von Dauerströmen dargestellt,
welche in einer bestimmten Richtung in dem supraleitenden Film 10 um die Widerstandszonen
Al, A 2 fließen, die sich jeweils von der einen zur anderen Seite des supraleitenden Films erstrecken
und durch die ein Magnetfluß geht, der von den Dauerströmen stammt.
Die Umkehrung der Richtung der Dauerströme zum Zweck des Austausche der einen Binärziffer
durch die andere in dem Speicherelement setzt voraus, daß zwischen den Widerstandszonen A1
und A 2 kurzzeitig eine Zwischenwiderstandszone B erscheint, welche die beiden Zonen A 1 und A 2 zu
einer einzigen vereinigt.
Während des Betriebs des beschriebenen Speicherelements, sei es beim Durchgang eines Stroms mit
dem für die Steuerung des Speicherelements erforderlichen normalen Wert, durch jeden der Steuerleiter
oder beim Durchgang eines Stroms mit diesem gleichen normalen Wert durch einen einzigen dieser
Steuerleiter, können Widerstandszonen in Gebieten des supraleitenden Films erscheinen, die von den
Gebieten getrennt sind, in denen sich die Zonen A 1, A 2 und B befinden. Dies gilt beispielsweise für die
Zonen C1, D1, D 2, D 3, welche entlang den Winkeln
liegen, welche zwischen den Kanten der Steuerleiter 11 und 21 bestehen. Dies gilt ferner für die Zone C 2,
die entlang einer von der Kante des Steuerleiters 21 gebildeten Kurve mit kleinem Krümmungsradius
liegt. Das Auftreten solcher Zonen kann Störungen im Betrieb des Speicherelements zur Folge haben.
In F i g. 3 bis 6 sind verschiedene Ausführungsbeispiele von supraleitenden Speicherelementen dargestellt,
bei denen die Erfindung angewendet ist. In diesen Figuren sind die Teile, die Teilen der zuvor
erläuterten Figuren entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Kurven C10, C 20, D10 und D 20, die von
den Rändern der Steuerleiter 11 und 21 des in F i g. 3 dargestellten Speicherelements beschrieben
werden, weisen jeweils einen verhältnismäßig großen Krümmungsradius auf. Dieser Krümmungsradius
muß ausreichend groß sein, beispielsweise größer als Vio der Breite des Leiters, daß jede Bildung von
Widerstandszonen in dem benachbarten Gebiet des supraleitenden Films vermieden wird, wenn ein
Steuerstrom normalen Werts durch irgendeinen der Steuerleiter oder durch beide Steuerleiter gleichzeitig
geht. Wenn man ferner den Winkel, beispielsweise den Winkel d 1, betrachtet, den diejenigen Abschnitte
der Kanten der Steuerleiter einschließen, deren Projektionen auf den supraleitenden Film sich
schneiden, erkennt man, daß die Form der Steuerleiter so gewählt ist, daß dieser Winkel ausreichend
groß ist, daß die Bildung von Widerstandszonen in dem Supraleiter in der Nähe des Scheitels dieses
Winkels vermieden wird, wenn ein Steuerstrom normalen Werts durch einen dieser Leiter oder durch
beide hindurchgeht.
Die karierten Flächen Al, A 2 und B stellen die Widerstandszonen dar, die sich in dem supraleitenden
Film während des Betriebs des Speicherelements in gleicher Weise wie bei dem in F i g. 1 dargestellten
Speicherelement bilden.
Die Winkel d 1 und d 2, welche die Kanten der Steuerleiter 11 und 21 des in Fig. 4 dargestellten
Speicherelements einschließen, sind jeweils ausreichend groß, um die Bildung von Widerstandszonen
in dem dem Scheitel des Winkels benachbarten Gebiet des supraleitenden Films zu verhindern, wenn
ein Steuerstrom normalen Werts durch irgendeinen der Steuerleiter oder durch beide Steuerleiter hindurchgeht.
Die Deutung der F i g. 5 und 6 erfordert keinen Kommentar.
Speicherelemente mit den zuvor angegebenen Merkmalen können zur Bildung von Speichermatrizen
nach der Erfindung verwendet werden.
F i g. 7 zeigt als Beispiel eine nach der Erfindung ausgeführte Speichermatrix, deren Aufzeichnungsträger
ein zusammenhängender supraleitender Film ist, der allen Speicherelementen gemeinsam ist,
und deren Steuerleiter 11, 12, 21, 22 eine solche Form haben, daß sie mit dem supraleitenden Film
Speicherelemente der in F i g. 3 dargestellten Art bilden.
Claims (2)
1. Vorrichtung zur Speicherung von Daten, bei welcher als Aufzeichnungsträger ein supraleitender
Film und als Steuersystem für ein Speicherelement zwei bandförmige Steuerleiter verwendet
werden, die in parallel zur Ebene des supraleitenden Films liegenden Ebenen derart angeordnet
sind, daß Steuerströme, welche in Koinzidenz durch die Steuerleiter fließen, die Rückkehr einer
bestimmten Zone des supraleitenden Films in den Widerstandszustand und demzufolge die Aufzeichnung
eines Informationselements in dem Speicherlement bewirken, dadurch gekennzeichnet,
daß der Krümmungsradius jeder von der Kante eines Steuerleiters gebildeten Kurve und jeder Winkel, den die Kanten von
zwei Steuerleitern entlang einem Gebiet des supraleitenden Films mit Ausnahme der vorbestimmten
Zone bilden, so groß bemessen sind, daß der Durchgang eines Stroms durch einen der
beiden Steuerleiter oder durch beide Steuerleiter gleichzeitig nicht das Auftreten von Widerstandszonen
in dem Gebiet außerhalb der vorbestimmten Zone verursachen kann.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere matrixförmig angeordnete
Speicherelemente und zwei den Zeilen bzw. den Spalten der Matrix zugeordnete Gruppen
von Steuerleitern vorgesehen sind und daß der Aufzeichnungsträger ein allen Speicherelementen
gemeinsamer supraleitender Film ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
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