[go: up one dir, main page]

DE1289115B - Vorrichtung zur Speicherung von Daten - Google Patents

Vorrichtung zur Speicherung von Daten

Info

Publication number
DE1289115B
DE1289115B DES103155A DES0103155A DE1289115B DE 1289115 B DE1289115 B DE 1289115B DE S103155 A DES103155 A DE S103155A DE S0103155 A DES0103155 A DE S0103155A DE 1289115 B DE1289115 B DE 1289115B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
control
superconducting film
conductors
control conductors
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES103155A
Other languages
English (en)
Inventor
Hug Joseph Andre
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BULL GENERALE ELECTRIC SOC IND
Original Assignee
BULL GENERALE ELECTRIC SOC IND
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BULL GENERALE ELECTRIC SOC IND filed Critical BULL GENERALE ELECTRIC SOC IND
Publication of DE1289115B publication Critical patent/DE1289115B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/30Devices switchable between superconducting and normal states
    • H10N60/35Cryotrons
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/44Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using super-conductive elements, e.g. cryotron
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/825Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
    • Y10S505/831Static information storage system or device
    • Y10S505/833Thin film type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf Vorrichtungen zur Speicherung von Daten, bei denen die Daten in Form von Dauerströmen in einem supraleitenden Film gespeichert werden.
Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf solche Vorrichtungen dieser Art, die matrixförmig angeordnete Speicherelemente enthalten und bei denen die Auswahl eines Speicherelements mit Hilfe von Steuerströmen erfolgt, die in Koinzidenz entlang dem Speicherelement angelegt werden.
Wenn Steuerströme durch Steuerleiter geschickt werden, die entlang dem supraleitenden Film angeordnet sind, entstehen an dessen Oberfläche entgegengesetzt gerichtete induzierte Ströme, und wenn die Dichte der induzierten Ströme in dem supra- is leitenden Film örtlich einen bestimmten kritischen Wert erreicht, geht eine kleine Zone dieses Films an der betreffenden Stelle in den Widerstandszustand.
Die Bildung von Widerstandszonen bewirkt einen örtlichen Energieverlust und eine Änderung des ao Gleichgewichtszustands der in dem supraleitenden Film induzierten Ströme.
Die das Aufzeichnen und das Ablesen der Daten in den zuvor angegebenen Vorrichtungen kennzeichnenden Erscheinungen ergeben sich aus der Bildung solcher Widerstandszonen in genau bestimmten Gebieten des supraleitenden Films, und es wurde festgestellt, daß bestimmte Störungen, welche den Verlust von aufgezeichneten Daten zur Folge haben können, durch das Auftreten von Wider-Standszonen in bestimmten anderen, von den ersten Gebieten verschiedenen Gebieten des supraleitenden Films hervorgerufen werden.
Nun hängt das Auftreten von Widerstandszonen in dem supraleitenden Film von der Verteilung der in diesem Film induzierten Ströme ab, und diese Stromverteilung ist eng mit der Form der Steuerleiter verknüpft. Insbesondere wurde festgestellt, daß die Dichte der in dem supraleitenden Film entlang einer Kante eines eine Kurve beschreibenden Steuerleiters induzierten Ströme um so größer ist, je kleiner der Krümmungsradius der Kurve ist.
Ferner wurde festgestellt, daß mehrere übereinanderliegende Leiter auf die Verteilung der induzierten Ströme in gleicher Weise einwirken wie ein einziger Leiter, dessen Umriß die Einhüllende dieser Projektion auf den supraleitenden Film ist, und es wurde entdeckt, daß die Dichte der Ströme, welche in dem supraleitenden Film in der Nähe des Scheitels des von den Kanten der beiden übereinanderliegenden Steuerleiter eingeschlossenen Winkels induziert werden, um so größer ist, je kleiner der Winkel ist.
Eine Speichervorrichtung mit supraleitendem Film nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Krümmungsradius jeder von der Kante eines Steuerleiters gebildeten Kurve und jeder Winkel, den die Kanten von zwei Steuerleitern entlang einem Gebiet des supraleitenden Films mit Ausnahme der vorbestimmten Zone bilden, so groß bemessen sind, daß der Durchgang eines Steuerstroms durch einen der beiden Steuerleiter oder durch beide Steuerleiter gleichzeitig nicht das Auftreten von Widerstandszonen in dem Gebiet außerhalb der vorbestimmten Zone verursachen kann.
Die Erfindung eignet sich vorteilhaft für Speichermatrizen mit einem zusammenhängenden supraleitenden Film, der allen Speicherelementen gemeinsam ist. Sie ermöglicht die Erhöhung der Betriebssicherheit und gegebenenfalls die Verringerung der Schwierigkeiten bei der Herstellung solcher Speichermatrizen.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beispielshalber beschrieben. Darin zeigt
Fig. 1 eine Draufsicht eines Dauerstrom-Speicherelements beliebiger Art, bei welchem die Erfindung anwendbar ist,
Fig. 2 einen Schnitt nach der Linie 2-2 von Fig. 1,
F i g. 3 eine Draufsicht einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Speicherelements,
F i g. 4 eine Draufsicht einer zweiten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Speicherelements,
F i g. 5 eine Draufsicht einer dritten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Speicherelements,
F i g. 6 eine Draufsicht einer vierten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Speicherelements und
F i g. 7 eine Draufsicht einer nach der Erfindung ausgeführten Speichermatrix.
Das in Fig. 1 und 2 dargestellte Speicherelement enthält eine zusammenhängende Folie 10 aus einem supraleitenden Material mit kleiner kritischer Feldstärke, beispielsweise Zinn oder Indium. Diese Folie wird in der nachstehenden Beschreibung als supraleitender Film bezeichnet. Das Speicherelement enthält ferner bandförmige Steuerleiter 11 und 21, die auf der einen Seite des supraleitenden Films 10 übereinander liegen. Diese Leiter sind aus einem supraleitenden Material, beispielsweise Blei, gefertigt, das eine verhältnismäßig hohe kritische Feldstärke aufweist.
In F i g. 1 stellen die karierten Flächen Al, A 2, B, Cl, C 2, Dl, Ό 2, D 3 Zonen des supraleitenden Films 10 dar, welche beim Betrieb des Speicherelements einen Widerstand annehmen oder annehmen können.
Ein binäres Informationselement wird in dem Speicherelement in Form von Dauerströmen dargestellt, welche in einer bestimmten Richtung in dem supraleitenden Film 10 um die Widerstandszonen Al, A 2 fließen, die sich jeweils von der einen zur anderen Seite des supraleitenden Films erstrecken und durch die ein Magnetfluß geht, der von den Dauerströmen stammt.
Die Umkehrung der Richtung der Dauerströme zum Zweck des Austausche der einen Binärziffer durch die andere in dem Speicherelement setzt voraus, daß zwischen den Widerstandszonen A1 und A 2 kurzzeitig eine Zwischenwiderstandszone B erscheint, welche die beiden Zonen A 1 und A 2 zu einer einzigen vereinigt.
Während des Betriebs des beschriebenen Speicherelements, sei es beim Durchgang eines Stroms mit dem für die Steuerung des Speicherelements erforderlichen normalen Wert, durch jeden der Steuerleiter oder beim Durchgang eines Stroms mit diesem gleichen normalen Wert durch einen einzigen dieser Steuerleiter, können Widerstandszonen in Gebieten des supraleitenden Films erscheinen, die von den Gebieten getrennt sind, in denen sich die Zonen A 1, A 2 und B befinden. Dies gilt beispielsweise für die Zonen C1, D1, D 2, D 3, welche entlang den Winkeln liegen, welche zwischen den Kanten der Steuerleiter 11 und 21 bestehen. Dies gilt ferner für die Zone C 2, die entlang einer von der Kante des Steuerleiters 21 gebildeten Kurve mit kleinem Krümmungsradius liegt. Das Auftreten solcher Zonen kann Störungen im Betrieb des Speicherelements zur Folge haben.
In F i g. 3 bis 6 sind verschiedene Ausführungsbeispiele von supraleitenden Speicherelementen dargestellt, bei denen die Erfindung angewendet ist. In diesen Figuren sind die Teile, die Teilen der zuvor erläuterten Figuren entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Kurven C10, C 20, D10 und D 20, die von den Rändern der Steuerleiter 11 und 21 des in F i g. 3 dargestellten Speicherelements beschrieben werden, weisen jeweils einen verhältnismäßig großen Krümmungsradius auf. Dieser Krümmungsradius muß ausreichend groß sein, beispielsweise größer als Vio der Breite des Leiters, daß jede Bildung von Widerstandszonen in dem benachbarten Gebiet des supraleitenden Films vermieden wird, wenn ein Steuerstrom normalen Werts durch irgendeinen der Steuerleiter oder durch beide Steuerleiter gleichzeitig geht. Wenn man ferner den Winkel, beispielsweise den Winkel d 1, betrachtet, den diejenigen Abschnitte der Kanten der Steuerleiter einschließen, deren Projektionen auf den supraleitenden Film sich schneiden, erkennt man, daß die Form der Steuerleiter so gewählt ist, daß dieser Winkel ausreichend groß ist, daß die Bildung von Widerstandszonen in dem Supraleiter in der Nähe des Scheitels dieses Winkels vermieden wird, wenn ein Steuerstrom normalen Werts durch einen dieser Leiter oder durch beide hindurchgeht.
Die karierten Flächen Al, A 2 und B stellen die Widerstandszonen dar, die sich in dem supraleitenden Film während des Betriebs des Speicherelements in gleicher Weise wie bei dem in F i g. 1 dargestellten Speicherelement bilden.
Die Winkel d 1 und d 2, welche die Kanten der Steuerleiter 11 und 21 des in Fig. 4 dargestellten Speicherelements einschließen, sind jeweils ausreichend groß, um die Bildung von Widerstandszonen in dem dem Scheitel des Winkels benachbarten Gebiet des supraleitenden Films zu verhindern, wenn ein Steuerstrom normalen Werts durch irgendeinen der Steuerleiter oder durch beide Steuerleiter hindurchgeht.
Die Deutung der F i g. 5 und 6 erfordert keinen Kommentar.
Speicherelemente mit den zuvor angegebenen Merkmalen können zur Bildung von Speichermatrizen nach der Erfindung verwendet werden.
F i g. 7 zeigt als Beispiel eine nach der Erfindung ausgeführte Speichermatrix, deren Aufzeichnungsträger ein zusammenhängender supraleitender Film ist, der allen Speicherelementen gemeinsam ist, und deren Steuerleiter 11, 12, 21, 22 eine solche Form haben, daß sie mit dem supraleitenden Film Speicherelemente der in F i g. 3 dargestellten Art bilden.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Vorrichtung zur Speicherung von Daten, bei welcher als Aufzeichnungsträger ein supraleitender Film und als Steuersystem für ein Speicherelement zwei bandförmige Steuerleiter verwendet werden, die in parallel zur Ebene des supraleitenden Films liegenden Ebenen derart angeordnet sind, daß Steuerströme, welche in Koinzidenz durch die Steuerleiter fließen, die Rückkehr einer bestimmten Zone des supraleitenden Films in den Widerstandszustand und demzufolge die Aufzeichnung eines Informationselements in dem Speicherlement bewirken, dadurch gekennzeichnet, daß der Krümmungsradius jeder von der Kante eines Steuerleiters gebildeten Kurve und jeder Winkel, den die Kanten von zwei Steuerleitern entlang einem Gebiet des supraleitenden Films mit Ausnahme der vorbestimmten Zone bilden, so groß bemessen sind, daß der Durchgang eines Stroms durch einen der beiden Steuerleiter oder durch beide Steuerleiter gleichzeitig nicht das Auftreten von Widerstandszonen in dem Gebiet außerhalb der vorbestimmten Zone verursachen kann.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere matrixförmig angeordnete Speicherelemente und zwei den Zeilen bzw. den Spalten der Matrix zugeordnete Gruppen von Steuerleitern vorgesehen sind und daß der Aufzeichnungsträger ein allen Speicherelementen gemeinsamer supraleitender Film ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
DES103155A 1965-04-22 1966-04-13 Vorrichtung zur Speicherung von Daten Pending DE1289115B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR14182A FR1440818A (fr) 1965-04-22 1965-04-22 Dispositif d'emmagasinage de données à courants persistants

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1289115B true DE1289115B (de) 1969-02-13

Family

ID=8576998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES103155A Pending DE1289115B (de) 1965-04-22 1966-04-13 Vorrichtung zur Speicherung von Daten

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3441915A (de)
BE (1) BE679418A (de)
DE (1) DE1289115B (de)
FR (1) FR1440818A (de)
GB (1) GB1077433A (de)
NL (1) NL6604155A (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5011817A (en) * 1988-01-29 1991-04-30 Nec Corporation Magnetic memory using superconductor ring
US5039656A (en) * 1988-02-29 1991-08-13 Yasuharu Hidaka Superconductor magnetic memory using magnetic films

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL113734C (de) * 1956-10-15
US3289182A (en) * 1961-12-29 1966-11-29 Ibm Magnetic memory
FR1433550A (fr) * 1965-02-18 1966-04-01 Bull General Electric Dispositif d'emmagasinage de données

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Also Published As

Publication number Publication date
FR1440818A (fr) 1966-06-03
US3441915A (en) 1969-04-29
BE679418A (de) 1966-09-16
GB1077433A (en) 1967-07-26
NL6604155A (de) 1966-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0655275B1 (de) Statische Mischvorrichtung
DE2556273C2 (de) Gruppenweise zu einer logischen Schaltung zusammengefaßte logische Schaltkreise
DE3605491A1 (de) Reihenanordnung elektronischer bauelemente
DE1277595B (de) Elektronisches Schaltungsbauelement und aus gleichen Bauelementen bestehende Baugruppe fuer elektronische Rechenmaschinen
DE1911471B2 (de) Anordnung in einem Wärmetauscher ; mit in einem Rahmen gestapelten Platten
DE3725217C2 (de)
DE2926124A1 (de) Platten-waermeaustauscher
DE4303736C2 (de) Impulsdüse für eine Reaktionsvorrichtung
CH618389A5 (de)
DE2810610C3 (de)
DE1289115B (de) Vorrichtung zur Speicherung von Daten
DE2223245C3 (de) Informationsspeicher
DE69403982T2 (de) Überstromschutzkomponente
DE2457552C3 (de) Gedämpfte supraleitende Speicherzelle mit Josephson-Kontakten
DE2657362C2 (de) Vorrichtung zum kontinuierlichen Trennen einer gasförmigen Mischung oder einer Mischung aus gasförmigen Isotopen
DE1093116B (de) Ringkernspeicher fuer mechanisch einstellbare Informationsmuster
DE69404078T2 (de) Widerstandselement für Leistungswiderstand
DE1489652A1 (de) Brennstoffelement
DE910921C (de) Kontaktanordnung
DE2167074C2 (de) Informationsspeicherkarte
DE2306562A1 (de) Waermetauscher
DE3531322C2 (de)
DE1275134B (de) Datenspeicheranordnung
DE1499905A1 (de) Datenspeicheranordnung mit Supraleitern
DE2332953C2 (de) Kernreaktor-Moderatorblock