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DE1288689B - Verfahren zum Kontaktieren eines Siliziumhalbleiterkoerpers - Google Patents

Verfahren zum Kontaktieren eines Siliziumhalbleiterkoerpers

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Publication number
DE1288689B
DE1288689B DE1963L0045699 DEL0045699A DE1288689B DE 1288689 B DE1288689 B DE 1288689B DE 1963L0045699 DE1963L0045699 DE 1963L0045699 DE L0045699 A DEL0045699 A DE L0045699A DE 1288689 B DE1288689 B DE 1288689B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode body
nickel
iron
aluminum
ultrasound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1963L0045699
Other languages
English (en)
Inventor
Gerlach
Heidrich Werner
Dipl-Phys Willi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE1963L0045699 priority Critical patent/DE1288689B/de
Priority to NL6409919A priority patent/NL6409919A/xx
Publication of DE1288689B publication Critical patent/DE1288689B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
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Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Konkaktieren eines Siliziumhalbleiterkörpers eines Halbleiterbauelementes mit Hilfe von Ultraschall.
  • Die Anwendung von Ultraschall ist in der Halbleitertechnik ein bekannter Verfahrensschritt. So werden z. B. polykristalline Selenschichten unter Ultraschalleinwirkung erzeugt. Es ist auch bekannt, eine Legierungsbildung bei der Herstellung von legierten Kontakten durch Anwendung von Ultraschall zu unterstützen.
  • Die Anbringung von Elektroden durch Legieren ist in vielen Fällen sehr nachteilig. Beispielsweise werden bei einem steuerbaren Halbleitergleichrichter bisher der Anoden- und der Steuerkontakt in einem Arbeitsgang einlegiert. Einerseits hängt die Größe des notwendigen Steuerstromes von der geometrischen Lage des Steuerkontaktes ab, die aber andererseits erst nach dem Einlegieren des Anodenkontaktes bestimmt werden kann. In solchen Fällen ist es wünschenswert, den Elektrodenkontakt nachträglich ohne Anwendung des Legierungsverfahrens anzubringen.
  • Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung bei einem Siliziumhalbleiterkörper dadurch gelöst, daß ein Elektrodenkörper aus Aluminium oder mit einem Aluminiumüberzug, so mit der Aluminiumfläche auf dem Silizium-Halbleiterkörper unter Ultraschalleinwirkung gerieben wird, daß zwischen dem Elektrodenkörper und dem Halbleiterkörper eine mechanisch feste Verbindung entsteht.
  • Zweckmäßig wird als Elektrodenkörper eine 0,2 bis 1 mm dicke Wolframscheibe mit einem auf einer Scheibenfläche auflegierten, 50 #t dicken überzug aus Aluminium verwendet.
  • Vorteilhaft kann als Elektrodenkörper auch eine 0,3 mm dicke Aluminiumscheibe verwendet werden. Als Elektrodenkörper können Kreisscheiben von etwa 1 oder mehr Millimeter Durchmesser günstig verwendet werden. Zweckmäßig wird als Zuleitung ein Nickeldraht verwendet.
  • Besonders vorteilhaft ist die Verwendung einer Scheibe oder eines Streifens aus Wolfram, Molybdän, Eisen, Nickel, einer Eisen-M' ckel-Legierung oder einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung mit einem Aluminiumüberzug auf einer Scheibenfläche als Kontaktmaterial.
  • Nach einer vorteilhaften Weiterbildung des Verfahrens nach der Erfindung wird zum Anbringen eines Elektrodenkörpers an einer Siliziumscheibe einer Halbleiteranordnung durch Aufreiben eines Elektrodenmaterials unter Ultraschall so verfahren, daß ein Elektrodenkörper aus einem aluminisierten Draht aus Nickel, Kupfer, Eisen oder einer Eisen-Nickel-Legierung verwendet wird und der aluminisierte Draht mit seiner Mantelfläche an seinem einen Ende auf die Siliziumscheibe unter Ultraschalleinwirkung aufgerieben wird. Eine vorteilhafte Ausführungsform dieses Verfahrens besteht auch darin, daß ein Elektrodenkörper aus einem Kopfdraht aus Nickel, Kupfer, Eisen oder einer Nickel-Eisen-Legierung mit einem Aluminiumkopf verwendet wird und daß der Kopf des Kopfdrahtes auf die Siliziumscheibe unter Ultraschalleinwirkung aufgerieben wird. Von besonderem Vorteil ist die Verwendung des Verfahrens nach der Erfindung zum Anbringen der Steuerelektrode an der Siliziumscheibe eines steuerbaren Halbleitergleichrichters.
  • Nach dem Verfahren gemäß der Erfindung können Elektroden mit Kontaktflächen von etwa 0,5 bis 10 mm2 an Siliziumscheiben angebracht werden, die Kontakte mit guten mechanischen und elektrischen Eigenschaften aufweisen.

Claims (1)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zum Kontaktieren eines Siliziumhalbleiterkörpers eines Halbleiterbauelements mit Hilfe von Ultraschall, dadurch gekennzeichnet, daß ein Elektrodenkörper aus Aluminium oder mit einem Aluminiumüberzug so mit der Aluminiumfläche auf dem Siliziumhalbleiterkörper unter Ultraschalleinwirkung gerieben wird, daß zwischen dem Elektrodenkörper und dem Halbleiterkörper eine mechanisch feste Verbindung entsteht, 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Elektrodenkörper eine 0,2 bis 1 mm dicke Wolframscheibe mit einem auf einer Scheibenfläche auflegierten 50 #t dicken überzug aus Aluminium verwendet wird. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Elektrodenkörper eine 0,3 mm dicke Aluminiumscheibe verwendet wird. 4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Elektrodenkörper eine Scheibe mit einem Durchmesser von etwa 1 mm oder mindestens 1 mm verwendet wird. 5. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrodenkörper einen Zuleitungsdraht aus Nickel aufweist. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Elektrodenkörper eine Scheibe oder ein Streifen aus Wolfram, Molybdän, Eisen, Nickel, einer Eisen-Nickel-Legierung oder einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung mit einem Aluminiumüberzug auf einer Scheibenfläche verwendet wird. 7. Verfahren nach Anspruch 1., dadurch gekennzeichnet, daß als Elektrodenkörper aluminisierter Draht aus Nickel, Kupfer, Eisen oder einer Eisen-Nickel-Legierung verwendet wird und daß der aluminisierte Draht mit seiner Mantelfläche an seinem einen Ende auf die Siliziumscheibe unter Ultraschalleinwirkung aufgerieben wird. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrodenkörper aus einem Kopfdraht mit einem Aluminiumkopf besteht und daß der Kopf des Kopfdrahtes auf die Siliziumscheibe unter Ultrallschalleinwirkung aufgerieben wird. 9. Anwendung des Verfahrens nach Ansprach 1 oder einem der folgenden zum Anbringen einer Steuerelektrode an einem Halbleiterkörper aus Silizium eines steuerbaren Halbleitergleichrichters.
DE1963L0045699 1963-08-27 1963-08-27 Verfahren zum Kontaktieren eines Siliziumhalbleiterkoerpers Pending DE1288689B (de)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE958583C (de) * 1939-11-14 1957-02-21 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht bei Trockengleichrichter, insbesondere bei Selengleichrichter
FR1170412A (fr) * 1956-03-31 1959-01-14 Philips Nv Procédé de fabrication d'un système d'électrodes semi-conducteur
GB857860A (en) * 1956-04-05 1961-01-04 Rauland Corp Improvements in or relating to methods of preparing semiconductor devices

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GB857860A (en) * 1956-04-05 1961-01-04 Rauland Corp Improvements in or relating to methods of preparing semiconductor devices

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