[go: up one dir, main page]

DE1181823B - In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter - Google Patents

In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter

Info

Publication number
DE1181823B
DE1181823B DEST12161A DEST012161A DE1181823B DE 1181823 B DE1181823 B DE 1181823B DE ST12161 A DEST12161 A DE ST12161A DE ST012161 A DEST012161 A DE ST012161A DE 1181823 B DE1181823 B DE 1181823B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rectifier according
power rectifier
semiconductor body
connection line
strand
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEST12161A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Hermann F A Hinrichs
Hans Wagner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent Deutschland AG
Original Assignee
Standard Elektrik Lorenz AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to BE564212D priority Critical patent/BE564212A/xx
Application filed by Standard Elektrik Lorenz AG filed Critical Standard Elektrik Lorenz AG
Priority to DEST12161A priority patent/DE1181823B/de
Priority to US710572A priority patent/US2989578A/en
Priority to CH361865D priority patent/CH361865A/de
Priority to GB2459/58A priority patent/GB838167A/en
Priority to CH7133759A priority patent/CH365146A/de
Publication of DE1181823B publication Critical patent/DE1181823B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0103Zinc [Zn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01032Germanium [Ge]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01045Rhodium [Rh]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01067Holmium [Ho]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01327Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826Assembling or joining
    • Y10T29/49888Subsequently coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: HOIl
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Deutsche KL: 21g-11/02
St 12161 VIII c/21,
25. Januar 1957
19. November 1964
Die Erfindung bezieht sich auf einen in ein Gehäuse eingebauten Hochleistungsgleichrichter mit einem Halbleiterkörper aus Silizium, Germanium oder einer intermetallischen Verbindung, bei dem mindestens eine Anschlußleitung aus einer elektrisch gut leitenden flexiblen Litze vorgesehen ist, die ohne Unterbrechung aus dem Gehäuse herausgeführt ist und die an dem zum Halbleiterkörper führenden Ende eine massive Verbreiterung aufweist, die an den Halbleiterkörper angelötet ist. Zu dieser Gruppe von Gleichrichtern gehören beispielsweise auch die sogenannten Diffusionsgleichrichter, bei denen die Anwendung der Erfindung besondere Vorteile bringt.
Die Herstellung von Diffusionsgleichrichtern erfolgt z. B. in bekannter Weise aus plattenförmigen! Halbleitermaterial, das zunächst zur Erzeugung einer Zone von bestimmtem Leitungstyp einem Diffusionsprozeß unterworfen, dann mit einer Nickelauflage versehen und in kleine quadratische Plättchen vorgegebener Größe zersägt wird, an welche die elekirischen Zuleitungen angelötet werden. Als geeignetes Material für die Anschlüsse wird Kupfer verwendet, und zum Verlöten dienen vorgeformte Plättchen der üblichen Blei-Zinn- bzw. Blei-Silber-Legierung mit Zinkammoniumchloridlösung als Flußmittel. Der kontaktierte Gleichrichter wird häufig noch einem Ätzverfahren ausgesetzt und dann in ein Gehäuse eingebaut, um mechanische Beschädigungen und atmosphärische Einwirkungen zu verhüten.
Bei der Herstellung und beim Betrieb solcher Hochleistungsgleichrichter entstehen nun eine Reihe von Schwierigkeiten, die unter anderem dadurch verursacht werden, daß man wegen der hohen Ströme dicke Anschlußleitungen verwenden muß, die beispielsweise in der bekannten Form von Stäben, Bolzen oder dicken Drähten ausgeführt sein können. Diesen Anschlüssen haftet der Nachteil an, daß sie beim Betrieb der Gleichrichtervorrichtung mechanische Spannungen am Gleichrichterplättchen erzeugen, die z. B. durch Ausdehnung der Anschlußleitungen infolge Erwärmung des Gleichrichters entstehen. Zur Vermeidung dieses Nachteiles hat man versucht, die Anschlußleitungen elastisch auszuführen, z. B. mit einer kleinen Wendel zu versehen oder in S-Form auszubilden.
Es ist auch bekannt, die Anschlußleitungen in Form einer Litze auszuführen, die an ihrem mit dem Halbleiterplättchen zu verbindenden Ende in einem breiten Metallfuß mit ebener Stirnfläche eingelötet ist. Abgesehen davon, daß hier ein zusätzliches Teil für die Herstellung des Gleichrichters benötigt wird, ist der thermische und elektrische Übergang vom In ein Gehäuse eingebauter
Hochleistungsgleichrichter
Anmelder:
Standard Elektrik Lorenz Aktiengesellschaft,
Stuttgart-Zuffenhausen, Hellmuth-Hirth-Str. 42
Als Erfinder benannt:
Hans Wagner,
Dr. Hermann F. A. Hinrichs, Nürnberg
Halbleiter zur Anschlußleitung infolge der zusätzlichen Grenzflächen schlechter. Weiter ergibt sich der Nachteil, daß beim Einlöten der Litze in den Fuß das Lot in den Kapillarenzwischenräumen hochsteigt, so daß die Litze versteift wird und damit der Vorteil der flexiblen Litze wieder aufgehoben wird.
Es ist auch bekannt, massive Anschlußdrähte an der Verbindungsstelle mit dem Halbleiter mit einer Verbreiterung zu versehen, jedoch haben solche Anschlüsse di&-oben erwähnten Nachteile der steifen Anschlußleitungen.
Weitere Schwierigkeiten entstehen bei der Herstellung von Diffusionsgleichrichtern, die nach dem Kontaktieren einem Ätzverfahren unterzogen werden. Beim Ätzen des bereits kontaktierten Gleichrichters darf das Anschlußmaterial von der Ätzflüssigkeit nicht angegriffen werden. Diese Aufgabe hat man beispielsweise dadurch zu lösen versucht, daß man die Anschlußleitung mit einem besonderen metallischen Überzug versehen hat. Es hat sich aber gezeigt, daß die bekannten Schutzauflagen beim Anlöten der Anschlüsse infolge der hohen Löttemperatur zum Teil unwirksam werden, z. B. durch teilweise Diffusion des Überzugs in das Grundmaterial.
Die Verwendung der bekannten Anschlußleitungen ohne verbreitertes Ende hat noch den weiteren Nachteil, daß nur ein Teil der Nickelauflage auf dem Halbleiterplättchen von den Anschlüssen bedeckt wird. Auf diese Weise werden beim nachträglichen Ätzen des kontaktierten Gleichrichters die nichtbedeckten Teile der Nickelschicht abgelöst und der für die Stromführung nutzbare Querschnitt verkleinert, wodurch sich die Flußkennlinie wesentlich verschlechtert.
Durch die Erfindung werden diese Nachteile bei dem eingangs genannten Hochleistungsgleichrichter
409 728/318
i 181 823
dadurch vermieden, daß das Ende der Litze zu einer aus dem Litzenmaterial bestehenden massiven Verbreiterung verformt ist.
Eine derartige Ausführungsform einer Anschlußleitung erfüllt die Forderung, die Entstehung mechanischer Spannungen am Halbleiterkörper während des Betriebes zu verhindern; denn die Flexibilität der Anschlußleitung bleibt auch nach dem Anlöten erhalten, da keine Kapillarwirkung wegen des massiv verbreiterten Teils eintreten kann, die das Lot in der Litze hochsteigen ließe und dadurch zu einer Versteifung führen könnte. Durch die vorliegende Ausführung der Litze wird weiter eine einwandfreie und sichere Kontaktierung des halbleitenden Körpers durch die breite und ebene Anschlußfläche der Zuleitung ermöglicht. Aus dem gleichen Grunde erhält man auch eine gute Wärmeabführung vom Halbleiterkörper, so daß auf diese Weise ein Hochleistungsgleichrichter entsteht, der im Betrieb weitgehend sicher arbeitet.
Gemäß der weiteren Ausbildung der Erfindung wird eine Anschlußleitung aus einer Litze verwendet, deren Ende durch Verschmelzen oder Quetschen des verschmolzenen Endes verformt ist. Hierzu wird eine elektrisch gut leitende flexible Litze in eine Lehre eingespannt, und zwar in der Weise, daß das eine Ende etwas herausragt, welches dann beispielsweise mittels eines Schweißbrenners oder im Stumpfschweißverfahren zu einer Verbreiterung verschmolzen und/oder zu der gewünschten Form gepreßt oder gequetscht wird. Zur besseren Kontaktierung auf dem Halbleiterkörper wird noch das verbreiterte Ende der Litze eben abgeschliffen·.
Bei anderen Ausführungsformen erhält das verbreiterte Ende die Form einer Pyramide oder eines Kegels. In diesen Fällen verbreitert sich die Anschlußleitung dem Ende zu kontinuierlich, was besondere Vorteile bei nachträglich geätzten Halbleitervorrichtungen bringt.
Die Anschlußleitungen können nun unmittelbar nach einem der üblichen Verfahren am Halbleiterkörper angelötet werden. In vielen Fällen ist es vorteilhaft, sie vor dem Anbringen auf den halbleitenden Körper noch mit elektrisch gut leitenden Überzügen zu versehen. Eine solche Maßnahme kann beispielsweise von Wichtigkeit sein zur Herstellung einer guten Kontaktierung des halbleitenden Körpers. Vorzugsweise ist sie aber von Bedeutung bei Halbleitervorrichtungen, die nach dem Kontaktieren noch einem Ätzverfahren unterworfen werden.
Nach einer zweckmäßigen Weiterbildung der Erfindung erhält daher mindestens der verbreiterte Teil der Anschlußleitung einen oder mehrere elektrisch gut leitende Überzüge, und zwar muß der äußere Überzug so beschaffen sein, daß er sich beim Ätzen der Halbleitervorrichtung nicht in der verwendeten Ätzflüssigkeit löst. Zu diesem Zweck kann der äußerste Überzug aus einem geeigneten Edelmetall bestehen. Wird beispielsweise als Material für die Anschlußleitung Kupferlitze verwendet, so besteht dieser Überzug zweckmäßig aus Gold. Beim Ätzen des kontaktierten Halbleiterkörpers, ζ. B. in einer Mischung von Fluß- und Salpetersäure, schützt dieser Goldüberzug die Kupferlitze vor chemischen Angriffen.
Es hat sich aber ergeben, daß der Goldschutz der Kupferlitze weitgehend zuverlässiger und wirksamer wird, wenn die Kupferlitze vor ihrer Vergoldung eine Silber- oder Nickelauflage erhält. Dieser Maßnahme liegt folgende Erkenntnis zugrunde: Beim Kontaktieren des Halbleiterkörpers beispielsweise mit Blei-Zinn- bzw. Blei-Silber-Lot wird die Anordnung auf etwa 350° C erhitzt. Bei dieser Temperatur diffundiert ein beträchtlicher Teil der Goldauflage in das Kupfermaterial hinein. Für das anschließende Ätzen der Halbleitervorrichtung ist daher der Goldschutz auf der Kupferlitze teilweise unwirksam. Es gehen ίο Kupferionen in Lösung und setzen sich als Kupferatome auf dem Halbleiter ab. Dadurch kann beispielsweise bei Gleichrichtern die PN-Schicht des Halbleiterkörpers kurzgeschlossen werden. Durch die Zwischenvernickelung oder -Versilberung wird die Diffusion der Goldauflage in das Kupfermaterial wesentlich herabgesetzt. Es ist zu diesem Zweck erforderlich, die Silber- bzw. Nickel- und Goldauflage genügend dick herzustellen. Von besonderem Vorteil ist es, vor der Vergoldung zwei oder mehrere
ao Schichten aus Silber und Nickel in wechselnder Reihenfolge aufzubringen, so daß auf diese Weise die Schutzauflage aus Gold beim nachträglichen Ätzen voll wirksam ist. Es können auch andere Materialien für die einzelnen Überzüge verwendet werden, falls sie bei Löttemperatur die Bedingungen erfüllen, sich weder mit dem Anschlußmaterial noch miteinander zu legieren und weder in das Anschlußmaterial noch ineinander merklich zu diffundieren.
Zur besseren Kontaktierung erhält noch die mit dem Halbleiterkörper durch Lot verbundene Fläche am verbreiterten Ende der Anschlußleitung einen elektrisch gut leitenden Überzug aus einem als Lot dienenden Material. Bei Verwendung des üblichen Lots besteht dieser Überzug z. B. aus Blei. Die auf diese Weise hergestellten Anschlußorgane werden nun am Halbleiterkörper festgelötet.
Wird die Halbleitervorrichtung noch einem nachträglichen Ätzverfahren unterzogen, so muß zur Ver-
meldung der Verunreinigung des Ätzbades die Maßnahme getroffen werden, den kontaktierten Halbleiterkörper beim Ätzen nur so weit in das Bad einzusetzen, daß zwar der überzogene verbreiterte Teil der Anschlußleitung, aber nicht die Litze selbst eintaucht. Selbst bei einer vollständig überzogenen Anschlußleitung ist diese Vorsichtsmaßregel zu empfehlen, da häufig die Plattierung an der Übergangsstelle zwischen verbreitertem Teil und Litze ungenügend ausfallen kann, so daß an dieser Stelle beim Ätzen Ionen des Litzenmaterials in Lösung gehen können. Insbesondere zu diesem Zweck wird vorgeschlagen, dem verbreiterten Teil der Anschlußleitung mindestens eine Länge von 2 mm zu geben, so daß auf alle Fälle die Gefahr der Verunreinigung des Ätzbades dadurch herabgesetzt wird. Eine Verlängerung des verbreiterten Teils über 2 mm hinaus richtet sich dann auch nach der Größe der verbreiterten Anschlußfläche.
Ein Merkmal einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, die Ausführung der Anschlußleitung so vorzunehmen, daß ihre verbreiterte Endfläche die Anschlußfläche des Halbleiterkörpers beim Kontaktieren vollständig bedeckt. Auf diese Weise läßt sich eine besonders vorteilhafte Kühlwirkung ermöglichen, was bei Hochleistungsgleichrichtern von Wichtigkeit ist. Diese Maßnahme ist aber auch wieder von besonderem Interesse bei Halbleitervorrichtungen, die nachträglich geätzt werden.
In vielen Fällen ist der Halbleiterkörper an seinen Anschlußseiten plattiert, unter anderem zur Vergrößerung des Stromquerschnitts. Bei der Verwendung von die Plattierung nicht vollständig bedeckenden Anschlüssen können die nichtbedeckten Teile geätzt werden. Dadurch wird der für die Stromführung nutzbare Querschnitt verkleinert. Wenn die verbreiterte Endfläche der Anschlußleitung die Anschlußfläche des Haibleiterkörpers bedeckt, wird dieser Nachteil vermieden.
Die Erfindung wird zur besseren Verständlichkeit an Hand einiger Ausführungsbeispiele erläutert, die in einer Zeichnung dargestellt sind.
F i g. 1 bis 3 zeigen in Seitenansicht die einzelnen Herstellungsschritte für eine Anschlußleitung nach der Erfindung, und zwar handelt es sich hierbei um die Herstellung der Verbreiterung an seinem Ende;
F i g. 4 zeigt im Querschnitt eine nach diesem Verfahren gefertigte Anschlußleitung, die für die angegebenen Zwecke metallisch überzogen ist; in der
F i g. 5 werden teilweise in Seitenansicht, teilweise in Draufsicht weitere Ausführungsformen einer Anschlußleitung nach der Erfindung gezeigt; die
Fig. 6 zeigt im Querschnitt schematisch einen mit Anschlüssen versehenen Gleichrichter mit PN-Übergang, und in
Fig. 7 ist ein betriebsfertiger Hochleistungsgleichrichter dargestellt.
In den Fig. 1 bis 3 bezeichnet 1 die Anschlußleitung, die z. B. aus einer Kupferlitze besteht. Diese wird nach Fig. 1 in eine Lehre2 eingespannt, und zwar derart, daß wenigstens das eine Ende etwas herausragt. Der herausstehende Teil la wird z. B. mittels eines Schweißbrenners zu einer Perle Ib verschmolzen, wie in F i g. 2 gezeigt ist. Die Perle wird zur besseren Kontaktierung auf dem Halbleiterkörper zu einer Verbreiterung Ic fiachgequetscht und die verbreiterte Endfläche Id eben abgeschliffen. Dies ist in Fig. 3 dargestellt. Eine solche Anschlußleitung kann nun unmittelbar am Halbleiterkörper festgelötet werden.
In anderen Fällen, bei denen die Anschlußleitung vor chemischen Angriffen geschützt werden soll, wird die so vorbehandelte Kupferlitze metallisch überzogen. Eine geeignete Ausführung zeigt F i g. 4. Die Kupferlitze 1 erhält eine Silber- oder Nickelauflage 3 und wird dann mit einer Goldauflage 4 versehen. Das verbreiterte Ende erhält noch einen Bleiüberzug 5 zur Verlötung mit dem Halbleiterkörper.
Fig. 5a zeigt in Seitenansicht eine Anschlußleitung, bestehend aus einer flexiblen Litze I5 mit Pyramiden- oder kegelförmig verbreitertem Teil 6. Die Fig. 5b und 5c zeigen diese Ausführungen in Draufsicht, von der Anschlußleitung aus gesehen. Diese Formgebungen sind dahingehend gekennzeichnet, daß sich die Litze dem Ende zu kontinuierlich verbreitert. Von besonderem Interesse sind solche Ausführungen bei Halbleitervorrichtungen, die nachträglich geätzt werden. Die Länge h der Verbreiterung 6 soll dann mindestens 2 mm betragen. Die So Form der verbreiterten Endfläche 7 richtet sich zweckmäßig nach der Formgebung des Halbleiterkörpers. Besteht dieser, wie beispielsweise bei Diffusionsgleichrichtern, aus einem quadratischen Plättchen, so wählt man zweckmäßigerweise ebenfalls eine quadratisch verbreiterte Endfläche, möglichst von der gleichen Größe wie die Anschlußfläche des Halbleiterkörpers. In jedem Fall ist es von Wichtigkeit, daß die Verbreiterung in einer zur Längsachse der Litze querliegenden ebenen Fläche endet.
Bei dem Gleichrichter nach Fig. 6 sind auf einem Halbleiterblock 8 mit PN-Übergang, der an seinen Anschlußseiten geeignete metallische Auflagen 9 und 10 aufweist, die litzenförmigen Anschlußleitungen 1 mit dem verbreiterten Ende 11 aufgelötet und bedecken· vollständig die Anschlußseiten des Halbleiterkörpers, was die bereis angegebenen Vorteile bringt.
Bei der Bauart eines Hochleistungsgleichrichters nach F i g. 7 wird eine metallische Trägerplatte 12, die zugleich als Elektrode dient, verwendet, auf welche der Halbleiterkörper 13 nach einem üblichen Verfahren aufgebracht ist. Der Halbleiterkörper besitzt eine Metallauflage 14, auf der die Elektrodenzuleitung 15 mit dem verbreiterten Ende 16 angelötet ist. Zum Schutz gegen mechanische Beschädigungen und atmosphärischen Einflüssen ist der Halbleiterkörper von einem Gehäuse 17 umgeben, durch welches die Elektrodenzuleitung 15 isoliert hindurchgeführt ist. Durch die Ausbildung der Elektrodenzuleitung als flexible Litze können beim Betrieb der Gleichrichtervorrichtung keine mechanischen Spannungen am Gleichrichter infolge Erwärmung des Gleichrichters und der damit vorhandenen beträchtlichen Wärme im Gehäuse entstehen, da die Anschlußlitze weder bei Ausdehnung des Gleichrichters noch bei Ausdehnung des Gehäuses sich vom Halbleiterkörper abheben bzw. auf diesen einen Druck ausüben kann. Durch das stark verbreiterte Ende der Anschlußleitung ergibt sich außerdem eine gute Wärmeabführung vom Gleichrichter, und man erhält bei allen vorkommenden Temperaturen eine weitgehend sicher arbeitende Gleichrichtervorrichtung.

Claims (15)

Patentansprüche:
1. In ein Gehäuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter mit einem Halbleiterkörper aus Silizium, Germanium oder einer intermetallischen Verbindung, bei dem mindestens eine Anschlußleitung aus einer elektrisch gut leitenden flexiblen Litze vorgesehen ist, die ohne Unterbrechung aus dem Gehäuse herausgeführt ist und die an dem zum Halbleiterkörper führenden Ende eine massive Verbreiterung aufweist, die an den Halbleiterkörper angelötet ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Ende der Litze zu einer aus dem Litzenmaterial bestehenden massiven Verbreiterung verformt ist.
2. Hochleistungsgleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Ende der Litze durch Verschmelzen oder Quetschen des verschmolzenen Endes verformt ist.
3. Hochleistungsgleichrichter nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich das Ende der Litze gleichmäßig pyramidenförmig verbreitert.
4. Hochleistungsgleichrichter nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Litze aus Kupfer besteht.
5. Hochleistungsgleichrichter nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens der verbreiterte Teil der Anschlußleitung einen oder mehrere elektrisch gut leitende Überzüge aufweist.
6. Hochleistungsgleichrichter nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Überzüge sich bei Löttemperatur weder mit dem Anschlußmaterial noch miteinander legieren und weder in das Anschlußmaterial noch ineinander merklich diffundieren.
7. Hochleistungsgleichrichter nach den Ansprüchen 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß der äußerste Überzug sich in einer Ätzflüssigkeit nicht löst. ίο
8. Hochleistungsgleichrichter nach den Ansprüchen 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der äußerste Überzug aus einem Edelmetall besteht.
9. Hochleistungsgleichrichter nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer Anschlußleitung aus Kupfer der Überzug aus Gold besteht.
10. Hochleistungsgleichrichter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß sich unter dem Goldüberzug eine Silberauflage befindet.
11. Hochleistungsgleichrichter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß sich unter dem Goldüberzug eine Nickelauflage befindet.
12. Hochleistungsgleichrichter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß sich unter dem Goldüberzug zwei oder mehrere aufeinanderliegende Schichten aus Silber und Nickel in wechselnder Reihenfolge befinden.
13. Hochleistungsgleichrichter nach den Ansprüchen 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die mit dem Halbleiter durch Lot verbundene Fläche der Anschlußleitung einen elektrisch gut leitenden Überzug aus einem als Lot dienenden Material besitzt.
14. Hochleistungsgleichrichter nach den Ansprüchen 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die miteinander durch Lot verbundenen Flächen der Anschlußleitung und des Halbleiterkörpers gleiche Form und Größe aufweisen.
15. Hochleistungsgleichrichter nach den Ansprüchen 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der verbreiterte Teil der Anschlußleitung mindestens eine Länge von 2 mm aufweist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2763 822.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 728/318 11.64 © Bundesdruckerei Berlin
DEST12161A 1957-01-25 1957-01-25 In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter Pending DE1181823B (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE564212D BE564212A (de) 1957-01-25
DEST12161A DE1181823B (de) 1957-01-25 1957-01-25 In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter
US710572A US2989578A (en) 1957-01-25 1958-01-22 Electrical terminals for semiconductor devices
CH361865D CH361865A (de) 1957-01-25 1958-01-23 Elektrische Halbleitervorrichtung
GB2459/58A GB838167A (en) 1957-01-25 1958-01-24 Electrical semiconductor device
CH7133759A CH365146A (de) 1957-01-25 1959-03-26 Elektrische Halbleitervorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEST12161A DE1181823B (de) 1957-01-25 1957-01-25 In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1181823B true DE1181823B (de) 1964-11-19

Family

ID=7455638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEST12161A Pending DE1181823B (de) 1957-01-25 1957-01-25 In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter

Country Status (4)

Country Link
US (1) US2989578A (de)
BE (1) BE564212A (de)
DE (1) DE1181823B (de)
GB (1) GB838167A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112010005383B4 (de) * 2010-03-12 2014-10-16 Hitachi, Ltd. Halbleitervorrichtung

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3104992A (en) * 1960-08-03 1963-09-24 Raytheon Co Methods of making rectifying and ohmic junctions
US3211594A (en) * 1961-12-19 1965-10-12 Hughes Aircraft Co Semiconductor device manufacture
NL303035A (de) * 1963-02-06 1900-01-01
US3307246A (en) * 1963-12-23 1967-03-07 Ibm Method for providing multiple contact terminations on an insulator
US3451122A (en) * 1964-06-11 1969-06-24 Western Electric Co Methods of making soldered connections
US3331997A (en) * 1964-12-31 1967-07-18 Wagner Electric Corp Silicon diode with solder composition attaching ohmic contacts
US3446912A (en) * 1967-08-16 1969-05-27 Trw Inc Terminal for electrical component
US3731368A (en) * 1969-08-08 1973-05-08 Erie Technological Prod Inc Method of making lead and solder preform assembly
US3753214A (en) * 1971-06-01 1973-08-14 Essex International Inc Electrical conductors
US4038743A (en) * 1972-05-18 1977-08-02 Essex International, Inc. Terminating and splicing electrical conductors
US3826000A (en) * 1972-05-18 1974-07-30 Essex International Inc Terminating of electrical conductors
USB398479I5 (de) * 1973-07-20
US5960540A (en) * 1996-11-08 1999-10-05 The Whitaker Corporation Insulated wire with integral terminals
US5670418A (en) * 1996-12-17 1997-09-23 International Business Machines Corporation Method of joining an electrical contact element to a substrate
US6362429B1 (en) * 1999-08-18 2002-03-26 Micron Technology, Inc. Stress relieving tape bonding interconnect
DE102005011028A1 (de) * 2005-03-08 2006-09-14 W.C. Heraeus Gmbh Kupferbonddraht mit verbesserten Bond- und Korrosionseigenschaften
US20110036292A1 (en) * 2008-04-14 2011-02-17 Max Dehtiar Manufacturing Apparatus For Depositing A Material And An Electrode For Use Therein

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2763822A (en) * 1955-05-10 1956-09-18 Westinghouse Electric Corp Silicon semiconductor devices

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2531660A (en) * 1949-08-27 1950-11-28 Bell Telephone Labor Inc Fabrication of piezoelectric crystal units
US2697047A (en) * 1950-09-14 1954-12-14 Bell Telephone Labor Inc Method of providing a spot of silver on a piezoelectric crystal
US2806187A (en) * 1955-11-08 1957-09-10 Westinghouse Electric Corp Semiconductor rectifier device
US2934685A (en) * 1957-01-09 1960-04-26 Texas Instruments Inc Transistors and method of fabricating same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2763822A (en) * 1955-05-10 1956-09-18 Westinghouse Electric Corp Silicon semiconductor devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112010005383B4 (de) * 2010-03-12 2014-10-16 Hitachi, Ltd. Halbleitervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US2989578A (en) 1961-06-20
BE564212A (de)
GB838167A (en) 1960-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1181823B (de) In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter
DE69107705T2 (de) Elektrode zum Gebrauch im Plasmalichtbogenbrenner.
DE1027325B (de) Verfahren zur Herstellung von Silicium-Legierungs-Halbleiter-Anordnungen
DE1208824B (de) Verfahren zum Herstellen einer ohmschen metallischen Kontaktelektrode an einem Halbkoerper eines Halbleiterbauelements
DE2529014A1 (de) Vorrichtung zum verbinden elektrischer leiter mittels waerme und druck, insbesondere schweisskopf
DE1060992B (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium
DE1026875B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitern
DE1514643A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1255819B (de) Verfahren zum Herstellen von Transistoren
DE1098103B (de) Verfahren zum Einbau eines elektrischen Halbleiterelementes in ein Gehaeuse
DE1113519B (de) Siliziumgleichrichter fuer hohe Stromstaerken
DE2039027C3 (de) Halbleiteranordnung mit einem Träger aus Isoliermaterial, einem Halbleiterbauelement und einem Anschlußfleck
DE3419125A1 (de) Verfahren zum anloeten einer metallelektrode an einem elektrisch leitenden siliziumkarbid-keramikelement und nach dem verfahren hergestelltes siliziumkarbid-keramikelement
DE2409395C3 (de) Halbleiterbauelement
EP0020857B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines planaren Halbleiterbauelements
CH361865A (de) Elektrische Halbleitervorrichtung
DE1514561C3 (de) Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE2837394A1 (de) Halbleiter-brueckengleichrichteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE976643C (de) Halbleiteranordnung mit einer aus Glas bestehenden Huelle
DE630402C (de) Kontaktvorrichtung fuer stabfoermige Elektroden
DE1514839C3 (de) Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen
DE1163975C2 (de) Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften von Halbleiteranordnungen
DE102016219224A1 (de) Verfahren und Widerstandslötvorrichtung zum Verlöten eines Stromanschlusselements auf einer Fahrzeugscheibe
DE1246888C2 (de) Verfahren zum herstellen von gleichrichteranordnungen in brueckenschaltung fuer kleine stromstaerken
DE1927796C3 (de) Leitungsführung für elektrische Lampen und Verfahren zu ihrer Herstellung