DE1274683C2

DE1274683C2 - Transistor intermediate frequency amplifier

Info

Publication number: DE1274683C2
Application number: DE1966K0058977
Authority: DE
Inventors: Dr-Ing Waldemar Moortgat-Pick
Original assignee: Koerting Radio Werke G M B H
Priority date: 1966-04-09
Filing date: 1966-04-09
Publication date: 1973-05-17
Also published as: DE1274683B

Description

a) die Rückwirkung infolge gegenseitiger Neutralisation der — mit Berücksichtigung des gewählten Anschlusses des 1 ransistorgehäuses — effektiven Kollektor-Basis- und Ko!- lektor-Emittcr-Kapazität aufgehoben.a) the reaction as a result of mutual neutralization der - taking into account the selected connection of the 1 ransistor housing - Effective collector base and ko! - lektor-emitter capacity canceled.

b) die gesamte elektronische Last des Transistors an den ZF-Eingangi-chwingungskrei-25 auf maximale Leistungsübertragung angepaßt undb) the entire electronic load of the transistor on the IF input circuit 25 adapted to maximum power transfer and

c) die elektronische Belastung des ZF-E-ingangsschwingungskrcises durch die translor- c) the electronic load on the ZF-E input oscillation cycle due to the translor

, %o , % o

micrte Steilheit (■ ■ jl dr« Transistors in"micrte slope (■ ■ jl dr «transistor in"

der Weise wesentlich bestimm: ist, daß ihr Wert etwa das Sfache de EingangsieitwertcMg,.) bei geerdetem Emitter beträgt.the way it is essentially determined: is that its value is about 5 times the input value cMg ,.) when the emitter is grounded.

2. Transistor-Zwischenfrequenzv erstarker nach Anspruch I. dadurch gekennzeichnet, daß der für den Anschluß der Masse vorgesehene, dem kalten Ende des ZF-Schwingungskreises am nächsten liegende Abgriff (y) durch FinschaItung₄₀ einer äußeren, zwischen limitier und Masse liegenden Kapazität (C,) in den kapazitiven Zweig (C₁) des ZF'-Schwingungskreises realisiert ist 2. Transistor-Zwischenfrequenzv strengthener according to claim I. characterized in that the tap (y) provided for the connection of the ground and closest to the cold end of the IF resonant circuit is provided by means of a circuit _{40 of} an external capacitance (C ,) is implemented in the capacitive branch (C ₁ ) of the IF 'oscillation circuit

3. Transistor-Zwischenfrequenzverstärker nach Anspruch I oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß der für den Anschluß der Basis des Transistors vorgesehene Abgriff (λ) durch Reihenschaltung einer zusätzlichen Induktivität (/...) zur Schwingungskrdsinduktivität (Z.,) gebildet ist und daß die zusätzliche Induktivität (Z..) wechselstrom-50 mäßig parallel zur Basis-Emitterstrecke des Transistors liegt.3. transistor intermediate frequency amplifier according to claim I or 2. characterized in that the tap (λ) provided for connecting the base of the transistor by series connection an additional inductance (/ ...) to the vibration force inductance (Z.,) is formed and that the additional inductance (Z ..) AC-50 is moderately parallel to the base-emitter path of the transistor.

4. Transistor-Zvviichenfrequenzverstärker nach Anspruch I für eine hohe Zwischenfrequenz von z.B. 10.7 MHz und für eine zweite, niedrige Zwischenfrequenz von z. B. 460 kHz. dadurch gekennzeichnet, daß die für die hohe Zwischenfrequenz erfindungsgernäß dimensionierte Schaltung in an sich bekannter Weise auch zur Verstärkung der niedrigen Zvvischenfrequenz als üb-60 licher Zwischenfrequenzverstärker in Emitterschaltung benutzt wird und daß der ohnehin erforderliche Basiskoppelkondensator (C₁₁) ebenfalls in an sich bekannter Weise zur Anpassung des Transistor-Eingangsleitvvertes an den zweiten65 ZwischerifrequenzeingangsschwinguDjskreis (L.,/ C_H) benutzt wird und daß die für die erfindungsgemäße Funktion auf der hohen Zwischenfrcquenz vorhandene Zusatzinduklivität (L.,) für die niedrige Zwischenfrequenz zwischen dem Emitter und dem kalten Ende des zweiten ZF-Schwingungskreises praktisch einen Kurzschluß herstellt.4. transistor Zvviichen frequency amplifier according to claim I for a high intermediate frequency of eg 10.7 MHz and for a second, low intermediate frequency of z. B. 460 kHz. characterized in that the circuit, which is dimensioned according to the invention for the high intermediate frequency, is also used in a manner known per se to amplify the low intermediate frequency as a common intermediate frequency amplifier in an emitter circuit and that the base coupling capacitor (C ₁₁ ), which is required anyway, is also used in a manner known per se Adaptation of the transistor input transmission to the second intermediate frequency input oscillation circuit (L., / C _H ) is used and that the additional inductivity (L.,) present for the function according to the invention on the high intermediate frequency for the low intermediate frequency between the emitter and the cold end of the second ZF oscillation circuit practically produces a short circuit.

35 Die Erfindung betrifft einen Tranr.iStor-ZwischenfrequenzverMärker mit Anwendung einer an sich bekannten Zwischenbasisschaltung des Zwischen!requcnz-Eingangsschwingungskreises. dessen kaltes Ende am Emitter des Transistors Hegt, dessen erster, den kalten Ende am nachten liegende Abgriff an Masse gelegt und dessen weiterer Abgriff mit der Basis des Transistors verbunden ist. 35 The invention relates to a Tranr.iStor-ZwischenfrequenzverMärker with application of a known intermediate base circuit of the interim! Requcnz input tank circuit. the cold end of which lies at the emitter of the transistor, the first of which is connected to the cold end of the tap located at the end and the further tap of which is connected to the base of the transistor.

Mit Transistoren ausgerüstete ZF-Verstärker. insbesondere solche für hohe Frequenzen, wie 7. B. 10." MH/. weisen gegenüber den rr.it Röhren bestückten eine Reihe \or. Nachteilen auf.IF amplifiers equipped with transistors. in particular those for high frequencies, such as 7. B. 10. "MH /. point towards the rr.it tubes a number \ or. Disadvantages.

! ngiinstio wirkt sich zunächst der bei Transistoren stark frequenzabhängige Eingangsleitwert in der Emitterschaltung aus. dessen Realteil mit zunehmender Frequenz zunimmt. Sein Wert hängt bekanntlich bei hoher Frequenz im wesentlichen \on der Laufzeit der Ladungsträger im Basisraum sowie \om Wert de·» Biisisivihnwiderstandes ab. Beide Komponenten unterliegen auch bei den modernsten automatischen Fertitungsmethoden noch verhältnismäßig großen Toleranzen, so daß damit der Realteil des Eingangsleitwertes entsprechende Schwankungen aufweist. I'm eine unzulässige Streuung von Verstärkung und Bandbreite bei der Senenfcrtiiiune vor. Transistor-7F-Verstärkern zu vermeiden, wird daher üblicherweise der Transistor an den vorausgehenden Schwingungskreis stark unterangepjßt. !Dadurch ist die Verstärkung entsprechend geringer.! ngiinstio first affects the transistors strongly frequency-dependent input conductance in the emitter circuit. its real part with increasing Frequency increases. As is well known, its value depends essentially on the running time at high frequencies the charge carrier in the base space as well as the value of the biisisive resistance. Both components are still relatively subject to the most modern automatic production methods large tolerances, so that the real part of the input conductance has corresponding fluctuations. I'm an inadmissible dispersion of gain and bandwidth in the case of the Senenfcrtiiiune before. To avoid transistor 7F amplifiers therefore, the transistor on the preceding oscillation circuit usually becomes strong under-adapted. ! This means that the gain is corresponding less.

Fin weiteres Problem bildet die relativ große Rückwirkung des Transistors. Im Gegensatz zu Röhrcnschaitungen mit modernen Pentoden müssen ZF-Vcrstärker mit Transistoren im allgemeinen neutralisiert werden, es sei denn, man treibt die I nteranpassung auf der Eingangs- und Ausgangsseite unter weiterer Verstärkungseinbuße so weit daß zwar die Rückwirkung vernachlässigbar, die VeiStärkung aber zugleich unwirtschaftlich klein wird.Another problem is the relatively large one Retroactive effect of the transistor. In contrast to tube connections with modern pentodes IF amplifiers with transistors are generally neutralized unless they are driven Inter-adaptation on the input and output side with further loss of gain so far that although the reaction is negligible, the reinforcement is at the same time uneconomically small.

Bei Anwendung einer Neutralisation werden verschiedene Wege beschritten.When using neutralization, different approaches are taken.

Fine durch Trimmerkondensatoren einstellbare Neutralisation bietet theoretisch die beste Möglichkeit. Diese I ösung hat aber in der Praxis den Nachteil, daß hierzu ein separater, relativ teurer Abgleichvorgang auszuführen ist. der zudem das Risiko einer Fehleinstellung nicht ausschließt (G r u η d i g . »Technische Informationen«. Juli 1962. S. 396. 400 und 401).Fine neutralization, adjustable by trimmer capacitors, theoretically offers the best option. In practice, however, this solution has the disadvantage that this requires a separate, relatively expensive adjustment process is to be carried out. which also does not rule out the risk of incorrect settings (G r u η d i g. "Technical information". July 1962. pp. 396, 400 and 401).

Es vvird insbesondere von der Rundfunk- und Fernsehgeräte bauenden Industrie eine Neutralisation mittels Festkapazitäten bevorzugt angewandt, bei der ein entsprechender, durch die Toleranzen der Bauteile gegebener Fehler der Neutralisationsbrückenschaltung in Kauf genommen und bei der Dimensionierung des ZF-Verstärkers von vornherein berücksichtigt wird (»Schaub-Lorenz-Service«. 1962/ .1963. »Weekend T 30 K, Type 21085/86/87/89).In particular, the radio and television equipment manufacturing industry is being neutralized by means of fixed capacities preferably applied, with a corresponding, due to the tolerances of the components given errors of the neutralization bridge circuit and accepted in the Dimensioning of the IF amplifier is taken into account from the start (»Schaub-Lorenz-Service«. 1962 / .1963. »Weekend T 30 K, Type 21085/86/87/89).

Kleine Kapazilätswe.rte in' der Größe von 0,1 bis 2 pF werden dabei häufig als Beläge auf derSmall capacitance values of the order of 0.1 up to 2 pF are often used as toppings on the

Platine für die gedruckte Schaltung aufgebracht so daß sie an sich keinen zusätzlichen Aulwand mit sich bringen. Leider ergeben sich bei Streuungen des Leitermaterial* und des Fahnkationsvor^an^es bei der Atzung und Oberflächenbehandlung der Druckplatinen Änderungen der dielektrischen" \'er- ' hälmisse sowie bei eventueller Erneuerune der Stanz- und Druckwerkzeuge von Zeit zu Zeit cc rinse Verschiebungen d<>r Leitungsziige. Die Neutralisation des Verstärkers liegt dann nicht genau im Toleranzmitiel. und es sind unter Umständen zeitraubende '° Laborarbe^: ι für die Korrekturen noivvendis.Board for the printed circuit applied so that they do not bring any additional wall with them. Unfortunately, scattering of the conductor material * and the leading edge of the information during the etching and surface treatment of the printed circuit boards result in changes in the dielectric "\ '' conditions and in the event of a renewal of the punching and printing tools from time to time The neutralization of the amplifier is then not exactly within the tolerance ^{limit and it may be time-consuming laboratory work:} ι noivvendis for the corrections.

Die Erfii. iPg geht von der Aufgabe aus", eine Schaltung anzugeben, bei der serienmäßig eine'hohe". von den Transistoφarametern weitgehend unabhängige Verstärkung bei gleichmäßiger Bandbreite ohne eine einstellbare oder feste zusätzliche Neutralisation erreicht wird.The Erfii. iPg assumes the task, "a Specify circuit with a 'high' as standard. largely independent of the transistor parameters Gain with a constant bandwidth without an adjustable or fixed additional neutralization is achieved.

Di-e 1 <>-ung dicer Aufgabe besieh! bei Anwencjnr,; einer an sich bekannten Zv, ivchenbasisschal-Iu:-' de Zwischenfrequen/-Iiingangv.cr*AingUiig>>ki\:■-■■·. du-s_c-n kaltes linde am Lmmcr livi Tran-5.1. ■·. IiCCt. dessen crsier. dun kalten t'nde am n.iJ-.-ten liegende Abgriff an Masse gelegt und (J₁-- en weiterer Abgriff mit der Basis des 1 ransMors \_t Kunden ist. darin, daß das i berset/ung'-verhaknii ^ dot beiden Abgriiie einerseits und die Verbindung de T^ransisiorgehäuscs -- wahlweise mit Masse, mit e > r der drei Transistorelcktroden oder treiblei- h:-Λ — andererseits, so gewählt sind, daß zugleichLook at the 1 <> and this task! at application number; a per se known Zv, ivchenbasisschal-Iu: - 'de intermediate frequencies / -Iiingangv.cr * AingUiig >> ki \: ■ - ■■ ·. du-s _c -n cold linden am Lmmcr livi Tran-5.1. ■ ·. IiCCt. whose crsier. dun cold t'nde tap located on the n.iJ -.- th and (J ₁ - is another tap with the base of the 1 ransMors \ _t customer. in that the i berset / ung'-hooked ^ dot both Abgriiie on the one hand and the connection of the T ^r ansisiorgehäuscs - optionally with ground, with e> r of the three transistor leakage electrodes or drive- h: -Λ - on the other hand, are chosen so that at the same time

, ) die Rückwirkung infolge gegenteiliger Neutralisation der — mit Beriicksichtigune des gewählten Anschlusses des Iransistorcehauses ,) the reaction as a result of opposing neutralization der - taking into account the selected connection of the transistor house

effektiven Kollektor-BaMs- und ' Kollektor-I mitter-Kapazität aufcehoben.effective collector-BaMs- and 'collector-I middle capacity canceled.

:■) die gesamte elektronische I ast des Transistors an den ZI-'-F.ingangssehwipgungskreis auf maximale Leistungsübertragung angepaßt und: ■) the entire electronic load of the transistor adapted to the ZI -'- F.ingangssehwipgungskreis for maximum power transmission and

4°4 °

l) die elektronische Belastung des ZF-Fingangsscawingungskreises durch die transformierte Steilheit des Transistors in der Weise wesentlich bestimmt ist. daß ihr Wert etwa das 5fache des Fingangsleitwertes bei geerdetem Emitter beträgt.l) the electronic load on the ZF input scawning circuit is essentially determined by the transformed slope of the transistor in this way. that their value is about 5 times of the input conductance with a grounded emitter.

Ls erscheint zunächst zweifelhaft, ob diese drei verschiedenen Forderungen in der erfindungsgemäßcn Schaltung zugleich erfüllt werden können, nachdem nur die beiden Abgriffe an dem Fingangsschwingungskreis als veränderliche Parameter vollkommen frei v-ahlbai sind. Tatsächlich besteht noch ein dritter Freiheitsgrad, indem das Verhältnis der wirksamen Kapazitäten zwischen Kollektor und Basis bzw. Kollektor und Emitter verschiedene Weite annehmen kann, je nachdem, ob man das Transistorgehause an Masse, an eine der drei Transistorelektroden, Emitter, Basis. Kollektor oder aber gar nicht ansehließt. **> At first glance it appears doubtful whether these three different requirements can be met at the same time in the circuit according to the invention, since only the two taps on the initial oscillation circuit are completely free as variable parameters. In fact, there is still a third degree of freedom in that the ratio of the effective capacitances between collector and base or collector and emitter can assume different widths, depending on whether the transistor housing is connected to ground, to one of the three transistor electrodes, emitter, base. Collector or not at all. **>

Damit kann sichergestellt werden, daß die elektronische Belastung des Eingangsschvvingungskreises erstens im wesentlichen durch die vom Arbeilspunkt abhängige Steilheit, nicht aber durch den von Exemplar zu Exemplar erheblich schwankenden Realteil des Eingangslcitwertes der Basis-Emitter-Strecke bestimmt wird, und zweitens aber so gering wie möglich bleibt, um eine möglichst große Verstärkung zu erzielen (Grundig. »Technische Informationen«. Juli 1962. S. 403).This ensures that the electronic Firstly, the load on the input swing circle is essentially due to that from the working point depending on the steepness, but not because of the steepness that fluctuates considerably from specimen to specimen Real part of the input lit value of the base-emitter path is determined, and secondly, however, so small remains as possible in order to achieve the greatest possible gain (Grundig. »Technische Information". July 1962. p. 403).

Durch geeignete Wahl der Abgriffe am Eingangsschwingungskreis für den Basis- und Masseanschluß werden die Neutralisationsbedingung und die Leistungsanpassungsbedingung erfüllt.By suitable selection of the taps on the input oscillation circuit the neutralization condition and the power adjustment condition are used for the base and ground connection Fulfills.

In A h b. 1 ist das Transistorgehäuse z. B. mit dem Emitter verbunden. Für diesen Fall lautet die Neutralisationsbedingung mit den in A b b. 1 ancecebenen BezeichnungenIn A h b. 1 is the transistor housing z. B. connected to the emitter. In this case it is Neutralization condition with those in A b b. 1 ancebenen Designations

sindare CC. C,C, GG Λ"Λ " VV — V- V darinin this

C, == Kollektor-Basis-Kapazität. Q = Kollektor-Emittei-Kapazität. G ' KoHektor-Gehäuse-Kapa/iiät.C, == collector-base capacitance. Q = collector-emitter capacitance. G 'KoHektor-housing-Kapa / iiät.

Die Abgriffe im induktiven Zv.eig und im kapazitiven Zwei·! sin<lThe taps in the inductive Zv.eig and in the capacitive Two·! sin <l

ν =ν =

L₁ LL ₁ L

mit I. = L₁ + L₂ with I. = L ₁ + L ₂

mit t =with t =

c\ ■ C₂ c \ ■ C ₂

C₁ +■ C₂ C ₁ + ■ C ₂

Die Bedingung der Leistungsanpassung des Transistors an den Eingangsschwingungskreit. in der Zvvischenbasisschaltung bedeutet, daß der an die Basis-Emitter-Strecke transformierte Leitwert des Schwingungskreises und der gesamte elektronische Eingangsleitvvert des Transistors gleich groß sind:The condition of the power matching of the transistor to the input oscillation. in the Intermediate base circuit means that the Base-emitter path transformed conductance of the oscillation circuit and the entire electronic Input conductors of the transistor are the same size:

-r '-S. -r '-S.

Durch Zusammenfassung der beiden Beziehungen (I) und (2; erhält manBy combining the two relationships (I) and (2;) one obtains

(r(r

S--S--

c,c,

Das ist die wesentliche Dimensionierungsvorschrift der erfiadungsgemäßen Schaltung. Darin sind (7 der Leitwert des Schwingungskreises, »n der Realteil des Eingangsleitwertes des Transistors bei geerdetem Emitter und S die Steilheit des Transistors. Sie geht über den Transfonnationsfaktor der Zwischenbasisschaltung in den gesamten Leitwert ein. Durch die Beziehung (3) und eine der Ausgleichungen (1) oder (2) werden die Werte für die Zusatzinduktivi.ät L> und die Zusatzkapazität C> für Leistungsanpassung bei gleichzeitiger Neutralisation festgelegt.This is the essential dimensioning rule for the circuit according to the invention. Here (7 is the conductance of the resonant circuit, »n is the real part of the input conductance of the transistor with a grounded emitter, and S is the slope of the transistor. It is included in the overall conductance via the transformation factor of the intermediate base circuit. Through relation (3) and one of the adjustments (1) or (2) the values for the additional inductance L> and the additional capacitance C> are determined for power adjustment with simultaneous neutralization.

Die rechte Seite der Gleichung (3) macht ferner eine Aussage über den Einfluß des Transistorparameters£n, das ist der Realteil des Eingangsleitwerles bei geerdetem Emitter, der von Exemplar zu Exemplar erheblich schwankt. Um seinen Einfluß vernachlässigbar gering zu halten, muß die in der Zwischenbasisschaltung transformierte Komponente der Steilheit etwa 5mal größer als gn sein. Eine weitere Vergrößerung ergibt im Hinblick auf geringe Toleranzen von Verstärkung und Bandbreite keinenThe right-hand side of equation (3) also makes a statement about the influence of the transistor parameter £ n, this is the real part of the input conductor with a grounded emitter, which is from copy to copy fluctuates considerably. In order to keep its influence negligibly small, the in the Inter-base circuit transformed component of the slope about 5 times greater than gn. One further enlargement does not result in any low tolerance of gain and bandwidth

Vorteil mehr, sondern führt durch die Steigerung der elektronischen Gesamtdämpfung des Eingangsschwingungskreises nur zu einer überflüssigen Verstärkungsverminderung. Advantage more, but leads to an increase in the overall electronic damping of the input oscillation circuit only to an unnecessary gain reduction.

An Hand der Beziehung (3) kann man übersehen, wo das Gehäuse des Transistors am zweckmäßigsten anzuschließen ist, um durch Ausnutzung der Kapazität Cs zwischen Kollektor und Gehäuse und je nach Größe der übrigen Transistorparameter C_:i, Ci, gii die zuvor genannte Forderung möglichst gut zu erfüllen.On the basis of relation (3) one can overlook where the housing of the transistor is most appropriately connected in order to meet the aforementioned requirement as far as possible _{by utilizing the capacitance Cs between collector and housing and depending on the size of the other transistor parameters C: i, Ci, gii} good to meet.

In der Praxis wird man für eine oder mehrere der fünf Varianten, die für den Anschluß des Gehäuses bestehen, an den einzusetzenden Transistoren Reihenmessungen über die Größe der wirksamen Kollektor-Emitter- und Kollektor-Basis-Kapazitäten durchführen, um den Toleranzbereich und die Mittelwerte dieser Kapazitäten für die jeweils günstigste Anschaltung des Gehäuses zu ermitteln. Die weitere Dimensionierung der Schaltung erfolgt dann in der Weise, daß mit den Mittelwerten die Zusatzinduktivität Li und die Zusatzkapazität Cz an Hand der angegebenen Beziehungen (1) bis (3) festgelegt werden. Im allgemeinen ist die durch Kapazitätstoleranzen bedingte Abweichung vom Optimum für die Neutralisation und Leistungsanpassung zu vernachlässigen, weil der mittlere Fehler relativ klein bleibt.In practice, for one or more of the five variants that exist for connecting the housing, series measurements on the size of the effective collector-emitter and collector-base capacitances are carried out on the transistors to be used, in order to determine the tolerance range and the mean values of these To determine capacities for the most favorable connection of the housing in each case. The further dimensioning of the circuit then takes place in such a way that the additional inductance Li and the additional capacitance Cz are determined using the specified relationships (1) to (3) with the mean values. In general, the deviation from the optimum for neutralization and power adjustment caused by capacity tolerances is negligible because the mean error remains relatively small.

Das Prinzipschaltbüd Abb. ! ^eigt ein Beispiel, bei dem das Gehäuse des Transistors mit dem Emitter verbunden ist. In diesem Fall liegt die Kapazität Cs (Kollektor—Gehäuse) der Kapazität C\ (Kollektor-Emitter) parallel und vergrößert diese. Die Kapazität Cr (Emitter—Gehäuse) ist dagegen kurzgeschlossen und somit wirkungslos. Die Kapazitat Cr (Basis—Gehäuse) liegt parallel zur niederohmigen Basis-Emitter-Strecke und ist daher hier ebenfalls praktisch unwirksam.The principle circuit board Fig.! ^ shows an example in which the housing of the transistor is connected to the emitter. In this case the capacitance Cs (collector-housing ) is parallel to the capacitance C \ (collector-emitter) and increases it. The capacitance Cr (emitter housing), on the other hand, is short-circuited and therefore ineffective. The capacitance Cr (base housing) is parallel to the low-resistance base-emitter path and is therefore also practically ineffective here.

Gemäß den Weiterbildungen der Erfindung nach den Ansprüchen 2 und 3 kann es von Vorteil sein, daß sowohl für den Anschluß der Basis als auch für den Masseanschluß an Stelle der durch die Zusatzinduktivität und die Zusatzkapazität gebildeten Abgriffe entsprechend bemessene Anzapfungen an der Induktivität des Schwingungskreises angebracht werden. Das gilt besonders für den Fall, wo die Verstärkung nicht zu hoch ist und damit die normalerweise größeren Toleranzen solcher Anzapfungen in bezug auf das Optimum der Neutralisation und der Leistangsanpassung in Kauf genommen werden können.According to the developments of the invention according to claims 2 and 3, it can be advantageous that both for the connection of the base and for the ground connection in place of the additional inductance and the additional capacity formed taps on correspondingly dimensioned taps the inductance of the oscillating circuit. This is especially true in the case where the Gain is not too high and thus the normally larger tolerances of such taps in be accepted with regard to the optimum of neutralization and performance adjustment be able.

A b b. 2 zeigt im Prinzip ein Schaltungsbeispiel, in welchem beide Maßnahmen durchgeführt, d. h. beide Abgriffe als Anzapfungen an der Induktivität des Schwingungskreises ausgeführt sind.A b b. 2 shows in principle a circuit example in which both measures are carried out, i. H. both taps are designed as taps on the inductance of the oscillating circuit.

Zugleich ist in Abb. 2 eine andere Anschaltung des Gehäuses, nämlich an die Basis, angegeben. In diesem Fall ist Ci kurzgeschlossen, und C« liegt parallel zur niederohmigen Basis-Emitter-Strecke, ist also ebenfalls wirkungslos. Dagegen liegt Ch parallel zu Cn und vergrößert damit die Kollektor-Basis-Kapazität. At the same time, another connection of the housing, namely to the base, is shown in Fig. 2. In this case, Ci is short-circuited and C «is parallel to the low-resistance base-emitter path, so it is also ineffective. In contrast, Ch lies parallel to Cn and thus increases the collector-base capacitance.

Eine wichtige Weiterbildung der Erfindung zeigt Abb. 3. Sie liegt darin, daß bei einem Transistor-ZF-Verstärker nach Anspruch 1, der für eine hohe Zwischenfrequenz von z. B. 10,7 MHz und für eine zweite, niedrige Zwischenfrequenz von z. B. 460 kHz ausgelegt ist, die für die hohe Zwischenfrequenz erfindungsgemäß dimensionierte Schaltung auch zur Verstärkung der niedrigen Zwischen frequenz als üblicher Zwischenfrequenzverstärker in Emitterschaltung benutzt wird und daß der ohnehin erforderliche Basiskoppelkondensator (Cn) zur Anpassung des Transistor-Eingangsleitwcrtcs an den zweiten Zwischenfrequenzeingangsschwingungskreis (LiICh) benutzt wird und daß die für die erfindungsgemäße Funktion auf der hohen Zwischenfrequenz vorhandene Zusatzinduktivität Li für die niedrige Zwischenfrequenz zwischen dem Emitter und dem kalten Ende des zweiten ZF-Schwingungskreises praktisch einen Kurzschluß herstellt.An important development of the invention is shown in Fig. 3. It is that in a transistor IF amplifier according to claim 1, which for a high intermediate frequency of z. B. 10.7 MHz and for a second, low intermediate frequency of z. B. 460 kHz is designed, the circuit dimensioned according to the invention for the high intermediate frequency is also used to amplify the low intermediate frequency as a common intermediate frequency amplifier in emitter circuit and that the base coupling capacitor (Cn) required anyway to adapt the transistor input guide to the second intermediate frequency input oscillating circuit (LiICh ) is used and that the additional inductance Li present for the function according to the invention at the high intermediate frequency for the low intermediate frequency between the emitter and the cold end of the second IF resonant circuit practically produces a short circuit.

Die erfindungsgemäße Schaltung fordert einen bestimmten Wert für die Zusatzkapazität C2, die zwischen dem Emitter und Masse liegt. Der Wert liegt in ocr Größenordnung von 2000 bis 500OpF für eine Zwischenfrequenz von z. B. 10,7 MHz. Dieser Wert stellt für die niedrige Zwischenfrequenz von z. B. 460 kHz keinen ausreichenden Kurzschluß zwischen dem Emitter und Masse dar. Durch die erfindungsgemäße Anschaltung des kalten Endes des zweiten Zwischenfrequenzkreises für die niedrige Zwischen frequenz an den Abgriff im induktiven Zweig des Zwischenfrequenzkreises für die hohe Zwischenfrequenz wird über die Zusatzinduktivität L> praktisch ein direkter Kurzschluß zum Emitter hergestellt. Für die niedrige Zwischenfrequenz wird der Transistor also unmittelbar zwischen Basis und Emitter gesteuert.The circuit according to the invention requires a certain value for the additional capacitance C2, which lies between the emitter and ground. The value is in the order of 2000 to 500OpF for an intermediate frequency of z. B. 10.7 MHz. This value represents for the low intermediate frequency of z. B. 460 kHz is not a sufficient short circuit between the emitter and ground. The inventive connection of the cold end of the second intermediate frequency circuit for the low intermediate frequency to the tap in the inductive branch of the intermediate frequency circuit for the high intermediate frequency is about the additional inductance L> practically a direct one Short circuit to the emitter established. For the low intermediate frequency, the transistor is controlled directly between the base and emitter.

Durch die Ausnutzung der für die Zuführung der Basisgleichspannung ohnehin erforderlichen Trennkapazität C9 von z. B. 50 nF zur Anpassung des Transistor - Eingangsleitwertes an den Zwischenfrequenzkreis für die niedrige Zwischen frequenz wird zudem erreicht, daß die erfindungsgemäße Schaltung für einen Transistor-ZF-Verstärker für zwei Zwischenfrequenzen mit dem theoretischen Minimum vnn nur vier Kapazitäten auf der Eingangsseite auskommt, nämlich zwei Kreiskapazitäten Ci und C₈ und den ohnehin für die Gleichstromtfennung notwendigen Koppelkapazitäten an Emitter und Basis — hier C₂ und Ci>. Die überraschenden Vorteile der erfindungsgemäßen Schaltungen werden also bei zugleich geringstem Aufwand erreicht.By utilizing the separation capacitance C9 of z. B. 50 nF to adapt the transistor - input conductance to the intermediate frequency circuit for the low intermediate frequency is also achieved that the inventive circuit for a transistor IF amplifier for two intermediate frequencies with the theoretical minimum vnn only four capacitances get by on the input side, namely two circuit capacitances Ci and C ₈ and the coupling capacitances at the emitter and base, which are necessary anyway for the direct current _{separation - here C 2} and Ci>. The surprising advantages of the circuits according to the invention are thus achieved with minimal effort.

Die Zusatzinduktivität L₂ ist dabei in fertigungstechnischer Hinsicht ebenfalls besonders vorteilhaft, da durch ihre Anwendung die sonst übliche Koppelspule oder Anzapfung eingespart wird, und da ihre Herstellung als körperlose Wicklung von z. B. zehn Windungen, die z.B. in Beranit getaucht werden, völlig problemlos ist.The additional inductance L ₂ is also particularly advantageous from a manufacturing point of view, since its use saves the otherwise usual coupling coil or tap, and since its manufacture as a disembodied winding of z. B. ten turns, which are immersed in Beranit, for example, is completely problem-free.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Transistor intermediate frequency amplifier with the use of a known intermediate circuit of the intermediate frequency resonant circuit. whose cold end at the limit of the transistor '' üt. whose first tap, which is closest to the cold end, is grounded and whose further tap is connected to the base oc · » transistor, characterized in that the transformation ratio of the two taps on the one hand and the connection of the transistor housing - optionally to earth, to one of the three transistor electrodes or remaining free - on the other hand, are chosen so that at the same time