DE1225393B - Verwendung einer Goldlegierung mit ueblichen Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkoerper - Google Patents
Verwendung einer Goldlegierung mit ueblichen Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen HalbleiterkoerperInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
C22c
Deutsche Kl.: 40 b-5/00
S72936VI a/40b
11. März 1961
22. September 1966
Halbleiteranordnungen, wie Gleichrichter, Transistoren, Fotodioden u. dgl., bestehen meistens aus
einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper aus Germanium, Silizium oder einer intermetallischen
Verbindung von Elementen der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems, auf dem Elektroden aufgebracht
sind.
Das Aufbringen der Elektroden kann auf verschiedene Art erfolgen, beispielsweise durch Diffusion
oder Legierungsbildung. Bei dem Legierungsverfahren wird gewöhnlich eine Folie aus dem Dotierungsstoff
bzw. eine Folie aus einem den Dotierungsstoff enthaltenden Material auf eine Halbleiterscheibe
aufgelegt und durch eine Wärmebehandlung auflegiert. Hierbei bildet sich eine flüssige Legierung, aus
der beim nachfolgenden Erstarren in dem zuerst rekristallisierenden Halbleitermaterial ein kleiner Teil
des Dotierungsmaterials verbleibt, während die Restschmelze als Eutektikum erstarrt. Es entsteht in dem
Halbleiterkörper eine hochdotierte Rekristallisationszone mit einer auflegierten Schicht aus dem Legierungsmaterial,
die etwas Halbleitermaterial gelöst enthält.
Die Erfindung betrifft die Verwendung einer Goldlegierung mit üblichen Borgehalten, zu deren Herstellung
eine Vorlegierung aus einem der Metalle Platin, Palladium oder Rhodium mit Bor in gelöstem
Zustand mit Gold zusammengeschmolzen ist, zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem
kristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus SiIizium,
durch Auflegieren.
Es sind bereits Verfahren zur Herstellung von n- bzw. p-dotierten Bereichen in Körpern aus Silizium
bekanntgeworden, bei denen einem aus Gold bestehenden Teil vor dessen Verbindung mit dem Silizium
n- oder p-dotierende Stoffe, z. B. Antimon, zulegiert bzw. in anderer Weise zugegeben werden. Es ist auch
bereits ein Verfahren zur Herstellung von Bor enthaltendem Gold bekanntgeworden, das darin besteht,
daß Goldpulver und Borpulver innig miteinander gemengt, unter Druck zusammengepreßt und mehrere
Tage lang bei einer Temperatur unterhalb des Schmelzpunktes des Goldes, vorzugsweise bei etwa
900° C, getempert werden und daß der Preßling anschließend aufgeschmolzen und danach zu einer Folie
ausgewalzt wird .
Es wurde beobachtet, daß bei diesem Verfahren gewisse Schwierigkeiten auftreten können, indem das
Borpulver sich bei seiner Herstellung mit einem Häutchen aus Bornitrid überzieht, welches die Legierungsbildung
bzw. Diffusion behindert. DieErfindung sucht diese Schwierigkeiten zu beseitigen, indem nicht ele-Verwendung
einer Goldlegierung mit üblichen
Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten
Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkörper
Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten
Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkörper
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Hans Nagorsen, Streitberg (OFr.)
mentares Bor in das Gold eingeführt wird, sondern indem ein bereits in einer binären Legierung auf
Platin-, Palladium- oder Rhodiumbasis vorhandenes Bor dem Gold zugesetzt wird. Die Bildung der schädlichen
Nitridhäute wird hierdurch sicher verhindert.
Es ist bereits ein Verfahren zur Herstellung von Gold-Bor-Legierung bekanntgeworden, welches
darin besteht, daß das Gold zuerst mit Magnesium zusammenlegiert, dann dieser Legierung Bor zugefügt
wird. Danach wird das Magnesium unter längerer Erwärmung der Legierung bei etwa 2000° C im
Hochvakuum ausgedampft. Die Erfindung vermeidet diese extrem hohen Temperaturen. Weiter ist ein Verfahren
zur Herstellung von Gold-Bor-Legierungen bekannt, bei dem Gold mit Aluminium und Bor legiert
wird. Bei der Verwendung einer Aluminium enthaltenden Goldlegierung können Schwierigkeiten
auftreten, welche darauf zurückzuführen sind, daß Gold und Aluminium intermetallische Verbindungen
bilden. Die Erfindung überwindet diesen Nachteil.
Zur Herstellung der erfindungsgemäß zu verwendenden borhaltigen Goldlegierung wird eine Vorlegierung
aus einem der Metalle Platin, Palladium oder Rhodium mit Bor dem Gold zugesetzt. Diese Metalle
sind besonders gut geeignet, da sich in ihnen Bor in bekannter Weise in der gewünschten Menge lösen
läßt und da sie bei dem anschließenden Aufbringen der so hergestellten Goldlegierung auf die entsprechenden
Halbleiterkörper nicht schädlich sind. Palladium ist dem Platin vorzuziehen, da es zunächst einmal
einen niedrigeren Schmelzpunkt besitzt, der durch die Zugabe von Bor noch weiterhin erniedrigt werden
kann, und da es auch wesentlich billiger als Platin ist.
609 667/338
Beispielsweise können in einem Graphit-Tiegel 1 % Bor mit 99 % Palladium zusammengeschmolzen und
von dieser Legierung 1 Gewichtsprozent dem Gold zugesetzt werden. Man kann ein Stück der Vorlegierung
mit Gold zusammen aufschmelzen, bzw. man kann auch einen Teil der Vorlegierung in flüssiger
Phase dem flüssigen Gold hinzufügen.
Beispielsweise können der Goldlegierung weitere an sich bekannte Legierungsbestandteile, wie Wismut
und Gallium, welche die Benetzungsf ähigkeit des GoI-des auf dem Halbleitermaterial fördern, vor der Zugabe
der Vorlegierung zugesetzt werden.
Claims (3)
1. Verwendung einer Goldlegierung mit übliehen Borgehalten, zu deren Herstellung eine
Vorlegierung aus einem der Metalle Platin, Palladium oder Rhodium mit Bor im gelösten
Zustand mit Gold zusammengeschmolzen ist, zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem
kristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium, durch Auflegieren.
2. Verwendung einer Legierung der im Anspruch 1 angegebenen Zusammensetzung und
Herstellungsweise, wobei- die Vorlegierung nunmehr mit Gold zusammengeschmolzen ist, das
an sich bekannte Legierungsbestandteile enthält, die die Benetzungsfähigkeit des Goldes auf dem
Halbleitermaterial fördern, für den im Anspruch 1 genannten Zweck.
3. Verwendung einer Legierung der im Anspruch 1 angegebenen Zusammensetzung und
Herstellungsweise, wobei 1 Gewichtsprozent der aus 99 Gewichtsprozent Palladium und 1 Gewichtsprozent
Bor bestehenden Vorlegierung mit 99 Gewichtsprozent Gold zusammengeschmolzen ist, für den im Anspruch 1 genannten Zweck.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1101769;
E. Raub, »Die Edelmetalle und ihre Legierungen«, 1940, S. 225;
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1101769;
E. Raub, »Die Edelmetalle und ihre Legierungen«, 1940, S. 225;
M. Hansen, »Constitution of Binary Alloys«, 1958, S. 257.
609 667/338 9.66 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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NL (1) | NL275311A (de) |
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DE1101769B (de) * | 1959-05-30 | 1961-03-09 | Duerrwaechter E Dr Doduco | Verfahren zur Herstellung von Gold-Bor-Legierungen und Verwendung dieser Legierungen zur Dotierung von Halbleitermaterialien |
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1962
- 1962-02-12 CH CH168962A patent/CH398801A/de unknown
- 1962-03-08 GB GB905060A patent/GB952035A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1101769B (de) * | 1959-05-30 | 1961-03-09 | Duerrwaechter E Dr Doduco | Verfahren zur Herstellung von Gold-Bor-Legierungen und Verwendung dieser Legierungen zur Dotierung von Halbleitermaterialien |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL275311A (de) | |
CH398801A (de) | 1966-03-15 |
GB952035A (en) | 1964-03-11 |
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