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DE1225393B - Verwendung einer Goldlegierung mit ueblichen Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkoerper - Google Patents

Verwendung einer Goldlegierung mit ueblichen Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkoerper

Info

Publication number
DE1225393B
DE1225393B DES72936A DES0072936A DE1225393B DE 1225393 B DE1225393 B DE 1225393B DE S72936 A DES72936 A DE S72936A DE S0072936 A DES0072936 A DE S0072936A DE 1225393 B DE1225393 B DE 1225393B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gold
alloy
boron
percent
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES72936A
Other languages
English (en)
Inventor
Hans Nagorsen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL275311D priority Critical patent/NL275311A/xx
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES72936A priority patent/DE1225393B/de
Priority to CH168962A priority patent/CH398801A/de
Priority to GB905060A priority patent/GB952035A/en
Priority to FR890611A priority patent/FR1374969A/fr
Publication of DE1225393B publication Critical patent/DE1225393B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C5/00Alloys based on noble metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C10/00Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
    • C23C10/18Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions
    • C23C10/20Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions only one element being diffused
    • C23C10/22Metal melt containing the element to be diffused
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

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  • Silicon Compounds (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
C22c
Deutsche Kl.: 40 b-5/00
S72936VI a/40b
11. März 1961
22. September 1966
Halbleiteranordnungen, wie Gleichrichter, Transistoren, Fotodioden u. dgl., bestehen meistens aus einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper aus Germanium, Silizium oder einer intermetallischen Verbindung von Elementen der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems, auf dem Elektroden aufgebracht sind.
Das Aufbringen der Elektroden kann auf verschiedene Art erfolgen, beispielsweise durch Diffusion oder Legierungsbildung. Bei dem Legierungsverfahren wird gewöhnlich eine Folie aus dem Dotierungsstoff bzw. eine Folie aus einem den Dotierungsstoff enthaltenden Material auf eine Halbleiterscheibe aufgelegt und durch eine Wärmebehandlung auflegiert. Hierbei bildet sich eine flüssige Legierung, aus der beim nachfolgenden Erstarren in dem zuerst rekristallisierenden Halbleitermaterial ein kleiner Teil des Dotierungsmaterials verbleibt, während die Restschmelze als Eutektikum erstarrt. Es entsteht in dem Halbleiterkörper eine hochdotierte Rekristallisationszone mit einer auflegierten Schicht aus dem Legierungsmaterial, die etwas Halbleitermaterial gelöst enthält.
Die Erfindung betrifft die Verwendung einer Goldlegierung mit üblichen Borgehalten, zu deren Herstellung eine Vorlegierung aus einem der Metalle Platin, Palladium oder Rhodium mit Bor in gelöstem Zustand mit Gold zusammengeschmolzen ist, zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus SiIizium, durch Auflegieren.
Es sind bereits Verfahren zur Herstellung von n- bzw. p-dotierten Bereichen in Körpern aus Silizium bekanntgeworden, bei denen einem aus Gold bestehenden Teil vor dessen Verbindung mit dem Silizium n- oder p-dotierende Stoffe, z. B. Antimon, zulegiert bzw. in anderer Weise zugegeben werden. Es ist auch bereits ein Verfahren zur Herstellung von Bor enthaltendem Gold bekanntgeworden, das darin besteht, daß Goldpulver und Borpulver innig miteinander gemengt, unter Druck zusammengepreßt und mehrere Tage lang bei einer Temperatur unterhalb des Schmelzpunktes des Goldes, vorzugsweise bei etwa 900° C, getempert werden und daß der Preßling anschließend aufgeschmolzen und danach zu einer Folie ausgewalzt wird .
Es wurde beobachtet, daß bei diesem Verfahren gewisse Schwierigkeiten auftreten können, indem das Borpulver sich bei seiner Herstellung mit einem Häutchen aus Bornitrid überzieht, welches die Legierungsbildung bzw. Diffusion behindert. DieErfindung sucht diese Schwierigkeiten zu beseitigen, indem nicht ele-Verwendung einer Goldlegierung mit üblichen
Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten
Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkörper
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Hans Nagorsen, Streitberg (OFr.)
mentares Bor in das Gold eingeführt wird, sondern indem ein bereits in einer binären Legierung auf Platin-, Palladium- oder Rhodiumbasis vorhandenes Bor dem Gold zugesetzt wird. Die Bildung der schädlichen Nitridhäute wird hierdurch sicher verhindert.
Es ist bereits ein Verfahren zur Herstellung von Gold-Bor-Legierung bekanntgeworden, welches darin besteht, daß das Gold zuerst mit Magnesium zusammenlegiert, dann dieser Legierung Bor zugefügt wird. Danach wird das Magnesium unter längerer Erwärmung der Legierung bei etwa 2000° C im Hochvakuum ausgedampft. Die Erfindung vermeidet diese extrem hohen Temperaturen. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung von Gold-Bor-Legierungen bekannt, bei dem Gold mit Aluminium und Bor legiert wird. Bei der Verwendung einer Aluminium enthaltenden Goldlegierung können Schwierigkeiten auftreten, welche darauf zurückzuführen sind, daß Gold und Aluminium intermetallische Verbindungen bilden. Die Erfindung überwindet diesen Nachteil.
Zur Herstellung der erfindungsgemäß zu verwendenden borhaltigen Goldlegierung wird eine Vorlegierung aus einem der Metalle Platin, Palladium oder Rhodium mit Bor dem Gold zugesetzt. Diese Metalle sind besonders gut geeignet, da sich in ihnen Bor in bekannter Weise in der gewünschten Menge lösen läßt und da sie bei dem anschließenden Aufbringen der so hergestellten Goldlegierung auf die entsprechenden Halbleiterkörper nicht schädlich sind. Palladium ist dem Platin vorzuziehen, da es zunächst einmal einen niedrigeren Schmelzpunkt besitzt, der durch die Zugabe von Bor noch weiterhin erniedrigt werden kann, und da es auch wesentlich billiger als Platin ist.
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Beispielsweise können in einem Graphit-Tiegel 1 % Bor mit 99 % Palladium zusammengeschmolzen und von dieser Legierung 1 Gewichtsprozent dem Gold zugesetzt werden. Man kann ein Stück der Vorlegierung mit Gold zusammen aufschmelzen, bzw. man kann auch einen Teil der Vorlegierung in flüssiger Phase dem flüssigen Gold hinzufügen.
Beispielsweise können der Goldlegierung weitere an sich bekannte Legierungsbestandteile, wie Wismut und Gallium, welche die Benetzungsf ähigkeit des GoI-des auf dem Halbleitermaterial fördern, vor der Zugabe der Vorlegierung zugesetzt werden.

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verwendung einer Goldlegierung mit übliehen Borgehalten, zu deren Herstellung eine Vorlegierung aus einem der Metalle Platin, Palladium oder Rhodium mit Bor im gelösten Zustand mit Gold zusammengeschmolzen ist, zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium, durch Auflegieren.
2. Verwendung einer Legierung der im Anspruch 1 angegebenen Zusammensetzung und Herstellungsweise, wobei- die Vorlegierung nunmehr mit Gold zusammengeschmolzen ist, das an sich bekannte Legierungsbestandteile enthält, die die Benetzungsfähigkeit des Goldes auf dem Halbleitermaterial fördern, für den im Anspruch 1 genannten Zweck.
3. Verwendung einer Legierung der im Anspruch 1 angegebenen Zusammensetzung und Herstellungsweise, wobei 1 Gewichtsprozent der aus 99 Gewichtsprozent Palladium und 1 Gewichtsprozent Bor bestehenden Vorlegierung mit 99 Gewichtsprozent Gold zusammengeschmolzen ist, für den im Anspruch 1 genannten Zweck.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1101769;
E. Raub, »Die Edelmetalle und ihre Legierungen«, 1940, S. 225;
M. Hansen, »Constitution of Binary Alloys«, 1958, S. 257.
609 667/338 9.66 © Bundesdruckerei Berlin
DES72936A 1961-03-11 1961-03-11 Verwendung einer Goldlegierung mit ueblichen Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkoerper Pending DE1225393B (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
NL275311D NL275311A (de) 1961-03-11
DES72936A DE1225393B (de) 1961-03-11 1961-03-11 Verwendung einer Goldlegierung mit ueblichen Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkoerper
CH168962A CH398801A (de) 1961-03-11 1962-02-12 Verfahren zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkörper
GB905060A GB952035A (en) 1961-03-11 1962-03-08 A process for the production of a p-doped region in a crystalline semi-conductor body
FR890611A FR1374969A (fr) 1961-03-11 1962-03-09 Procédé d'obtention d'une zone de dopage de type p dans un semi-conducteur cristallin

Applications Claiming Priority (1)

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DES72936A DE1225393B (de) 1961-03-11 1961-03-11 Verwendung einer Goldlegierung mit ueblichen Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkoerper

Publications (1)

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DE1225393B true DE1225393B (de) 1966-09-22

Family

ID=7503569

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CH (1) CH398801A (de)
DE (1) DE1225393B (de)
GB (1) GB952035A (de)
NL (1) NL275311A (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1101769B (de) * 1959-05-30 1961-03-09 Duerrwaechter E Dr Doduco Verfahren zur Herstellung von Gold-Bor-Legierungen und Verwendung dieser Legierungen zur Dotierung von Halbleitermaterialien

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1101769B (de) * 1959-05-30 1961-03-09 Duerrwaechter E Dr Doduco Verfahren zur Herstellung von Gold-Bor-Legierungen und Verwendung dieser Legierungen zur Dotierung von Halbleitermaterialien

Also Published As

Publication number Publication date
NL275311A (de)
CH398801A (de) 1966-03-15
GB952035A (en) 1964-03-11

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