DE1213057B - Semiconductor device with alloyed electrodes - Google Patents
Semiconductor device with alloyed electrodesInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY
DEUTSCHESGERMAN
PATENTAMTPATENT OFFICE
AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL
Int. Cl.:Int. Cl .:
HOIlHOIl
Deutsche El.: 21g-11/02German El .: 21g-11/02
Nummer: 1213 057Number: 1213 057
Aktenzeichen: T 27223 VIII c/21 gFile number: T 27223 VIII c / 21 g
Anmeldetag: 17. Oktober 1964 Filing date: October 17, 1964
Auslegetag: 24. März 1966Opening day: March 24, 1966
Bei der Herstellung von Legierungstransistoren kommt es bekanntlich sehr wesentlich darauf an, daß der Abstand zwischen Emitterlegierungszone und Kollektorlegierungszone über die gesamte Länge der legierten pn-Ubergänge gleichmäßig ist. Außerdem muß dieser Abstand, der gleich der Dicke der Basiszone des Transistors ist, bei Hochfrequenztransistoren möglichst klein gehalten werden.In the production of alloy transistors, it is known to be very important that that the distance between the emitter alloy zone and the collector alloy zone over the entire length of the alloyed pn junctions is uniform. In addition, this distance must be equal to the thickness of the The base zone of the transistor is to be kept as small as possible in the case of high-frequency transistors.
Diese Forderungen lassen sich nur dann erfüllen, wenn durch das Legieren ebene Legierungsfronten erzielt werden. Diese Legierungszonen werden in den meisten Fällen dadurch hergestellt, daß eine kleine Kugel aus dem Legierungsmaterial, die sogenannte Legierungspille, auf den zu legierenden Halbleiterkörper aufgebracht und durch einen Erwärmungsprozeß in diesen einlegiert wird. Die Kugelform der Legierungspille bringt es jedoch mit sich, daß die durch die Legierungspille erzielte Legierungsfront nicht völlig eben verläuft, da sich die kugelige Form in der erstarrten Schmelze teilweise widerspiegelt.These requirements can only be met if the alloying results in flat alloy fronts be achieved. These alloy zones are produced in most cases by the fact that a small balls made of the alloy material, the so-called alloy pill, on the semiconductor body to be alloyed is applied and alloyed in this by a heating process. The spherical shape the alloy pill, however, has the effect that the alloy front achieved by the alloy pill does not run completely flat, as the spherical shape is partially in the solidified melt reflects.
Um bei Verwendung von kugelförmigen Legierungspillen trotzdem ebene Legierungsfronten zu erzielen, ist der Vorschlag bekanntgeworden, beim Legieren mit Hilfe eines Druckstempels einen Druck auf das Legierungsmaterial auszuüben. Dieses bekannte Verfahren erfordert jedoch eine relativ komplizierte Legierungsvorrichtung, die außerdem wegen der vielen Einzelteile nur mit erheblichem Aufwand zu bestücken ist. Ein solches Verfahren ist daher für eine moderne Massenfertigung mit großen Stückzahlen nicht geeignet.In order to still achieve flat alloy fronts when using spherical alloy pills, the proposal has become known to apply a pressure when alloying with the help of a pressure stamp to exercise on the alloy material. However, this known method requires a relatively complicated one Alloy device, which also requires considerable effort because of the many individual parts is to be populated. Such a method is therefore suitable for modern mass production in large numbers not suitable.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung aufzuzeigen, die ohne Anwendung einer Legierungsvorrichtung mit Druckstempel Legierungszonen mit einem ebenen Verlauf der Legierungsfront aufweist. Die Erfindung besteht darin, daß das Legierungsmaterial Glaspulver enthält.The invention is based on the object of showing a semiconductor arrangement that has no application an alloying device with a pressure ram Alloy zones with a flat course of the alloy front having. The invention consists in that the alloy material contains glass powder.
Untersuchungen haben überraschenderweise ergeben, daß ein Glaspulverzusatz im Legierungsmaterial ebenere Legierungsfronten liefert als ein Legierungsmaterial ohne Glaspulverzusatz, da Glaspulver die Lösungsgeschwindigkeit des Halbleitermaterials im Legierungsmaterial herabsetzt. Dies ist zwar auch dann der Fall, wenn das Legierungsmaterial nach einem bekannten Verfahren mit Halbleitermaterial versetzt wird, doch ergeben sich dabei ungünstige Rekristallisationszonen.Surprisingly, studies have shown that adding glass powder to the alloy material produces more even alloy fronts than one Alloy material without added glass powder, since glass powder reduces the dissolution rate of the semiconductor material in the alloy material. This is also the case when the alloy material is mixed with semiconductor material by a known method is added, but this results in unfavorable recrystallization zones.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel erläutert.The invention is explained below using an exemplary embodiment.
In den F i g. 1 und 2 ist je ein Legierungstransistor dargestellt, bei dem die Kollektorzonen 1 bzw. 2 Halbleiteranordnung mit legierten ElektrodenIn the F i g. 1 and 2 each show an alloy transistor in which the collector zones 1 and 2 Semiconductor device with alloyed electrodes
Anmelder:Applicant:
TelefunkenTelefunken
Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.,
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3Patentverwertungsgesellschaft mb H.,
Ulm / Danube, Elisabethenstr. 3
Als Erfinder benannt:
Walter Klossika,
Anton Rösch, HeilbronnNamed as inventor:
Walter Klossika,
Anton Rösch, Heilbronn
durch Einlegieren der Legierungspillen 3 bzw. 4 in die Halbleiterkörper 5 bzw. 6 hergestellt sind. Während die Kollektorzone 1 in der Fig. 1 durch eine reine Indiumlegierung ohne Glaspulverzusatz hergestellt ist, enthält die Legierungspille 4 in der F i g. 2 neben Indium noch einen Glaspulverzusatz, dessen Anteil am Legierungsmaterial ungefähr 2 Atomprozent beträgt. Der Unterschied in der Wahl der Legierungsmaterialien kommt dadurch zum Ausdruck, daß ohne die Verwendung eines die Lösungsgeschwindigkeit des Halbleitermaterials herabsetzenden Zusatzes gemäß F i g. 1 eine völlig unebene Legierungsfront 7 erzielt wird, während die Legierungsfront 8 in F i g. 2 auf Grund des z. B. aus Glaspulver bestehenden Zusatzes plan verläuft. Die Kontaktierung der als Basiszone verwendeten η-leitenden Germaniumkörper 5 bzw. 6 erfolgt durch die ringförmige Basiselektroden 9 bzw. 10. Zur Herstellung der Emitterzonen sind die Emitterpillen 11 bzw. 12 auf den den Kollektorpillen gegenüberliegenden Oberflächenzeiten in die Halbleiterkörper einlegiert.are produced by alloying the alloy pills 3 and 4 into the semiconductor bodies 5 and 6, respectively. While the collector zone 1 in FIG. 1 is made of a pure indium alloy without the addition of glass powder the alloy pill 4 in FIG. 2 in addition to indium, a glass powder additive, its Proportion of the alloy material is approximately 2 atomic percent. The difference in the choice of Alloy materials is expressed in that without the use of a reducing the dissolution rate of the semiconductor material Addition according to FIG. 1 a completely uneven alloy front 7 is achieved, while the alloy front 8 in FIG. 2 due to the z. B. from glass powder existing additional plan is running. The contacting of the η-conductive germanium bodies used as the base zone 5 or 6 takes place through the ring-shaped base electrodes 9 and 10, respectively. For production of the emitter zones are the emitter pills 11 and 12, respectively, on the ones opposite the collector pills Surface times alloyed into the semiconductor body.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DET27223A DE1213057B (en) | 1964-10-17 | 1964-10-17 | Semiconductor device with alloyed electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| DE1213057B true DE1213057B (en) | 1966-03-24 |
Family
ID=7553340
Family Applications (1)
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1089075B (en) * | 1957-05-15 | |||
| DE961913C (en) * | 1952-08-22 | 1957-04-11 | Gen Electric | Process for the production of electrically asymmetrically conductive systems with p-n junctions |
-
1964
- 1964-10-17 DE DET27223A patent/DE1213057B/en active Pending
Patent Citations (2)
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