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DE1213057B - Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden - Google Patents

Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden

Info

Publication number
DE1213057B
DE1213057B DET27223A DET0027223A DE1213057B DE 1213057 B DE1213057 B DE 1213057B DE T27223 A DET27223 A DE T27223A DE T0027223 A DET0027223 A DE T0027223A DE 1213057 B DE1213057 B DE 1213057B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
alloy
glass powder
semiconductor
alloyed
semiconductor arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DET27223A
Other languages
English (en)
Inventor
Walter Klossika
Anton Roesch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority to DET27223A priority Critical patent/DE1213057B/de
Publication of DE1213057B publication Critical patent/DE1213057B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOIl
Deutsche El.: 21g-11/02
Nummer: 1213 057
Aktenzeichen: T 27223 VIII c/21 g
Anmeldetag: 17. Oktober 1964
Auslegetag: 24. März 1966
Bei der Herstellung von Legierungstransistoren kommt es bekanntlich sehr wesentlich darauf an, daß der Abstand zwischen Emitterlegierungszone und Kollektorlegierungszone über die gesamte Länge der legierten pn-Ubergänge gleichmäßig ist. Außerdem muß dieser Abstand, der gleich der Dicke der Basiszone des Transistors ist, bei Hochfrequenztransistoren möglichst klein gehalten werden.
Diese Forderungen lassen sich nur dann erfüllen, wenn durch das Legieren ebene Legierungsfronten erzielt werden. Diese Legierungszonen werden in den meisten Fällen dadurch hergestellt, daß eine kleine Kugel aus dem Legierungsmaterial, die sogenannte Legierungspille, auf den zu legierenden Halbleiterkörper aufgebracht und durch einen Erwärmungsprozeß in diesen einlegiert wird. Die Kugelform der Legierungspille bringt es jedoch mit sich, daß die durch die Legierungspille erzielte Legierungsfront nicht völlig eben verläuft, da sich die kugelige Form in der erstarrten Schmelze teilweise widerspiegelt.
Um bei Verwendung von kugelförmigen Legierungspillen trotzdem ebene Legierungsfronten zu erzielen, ist der Vorschlag bekanntgeworden, beim Legieren mit Hilfe eines Druckstempels einen Druck auf das Legierungsmaterial auszuüben. Dieses bekannte Verfahren erfordert jedoch eine relativ komplizierte Legierungsvorrichtung, die außerdem wegen der vielen Einzelteile nur mit erheblichem Aufwand zu bestücken ist. Ein solches Verfahren ist daher für eine moderne Massenfertigung mit großen Stückzahlen nicht geeignet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung aufzuzeigen, die ohne Anwendung einer Legierungsvorrichtung mit Druckstempel Legierungszonen mit einem ebenen Verlauf der Legierungsfront aufweist. Die Erfindung besteht darin, daß das Legierungsmaterial Glaspulver enthält.
Untersuchungen haben überraschenderweise ergeben, daß ein Glaspulverzusatz im Legierungsmaterial ebenere Legierungsfronten liefert als ein Legierungsmaterial ohne Glaspulverzusatz, da Glaspulver die Lösungsgeschwindigkeit des Halbleitermaterials im Legierungsmaterial herabsetzt. Dies ist zwar auch dann der Fall, wenn das Legierungsmaterial nach einem bekannten Verfahren mit Halbleitermaterial versetzt wird, doch ergeben sich dabei ungünstige Rekristallisationszonen.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel erläutert.
In den F i g. 1 und 2 ist je ein Legierungstransistor dargestellt, bei dem die Kollektorzonen 1 bzw. 2 Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden
Anmelder:
Telefunken
Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.,
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Als Erfinder benannt:
Walter Klossika,
Anton Rösch, Heilbronn
durch Einlegieren der Legierungspillen 3 bzw. 4 in die Halbleiterkörper 5 bzw. 6 hergestellt sind. Während die Kollektorzone 1 in der Fig. 1 durch eine reine Indiumlegierung ohne Glaspulverzusatz hergestellt ist, enthält die Legierungspille 4 in der F i g. 2 neben Indium noch einen Glaspulverzusatz, dessen Anteil am Legierungsmaterial ungefähr 2 Atomprozent beträgt. Der Unterschied in der Wahl der Legierungsmaterialien kommt dadurch zum Ausdruck, daß ohne die Verwendung eines die Lösungsgeschwindigkeit des Halbleitermaterials herabsetzenden Zusatzes gemäß F i g. 1 eine völlig unebene Legierungsfront 7 erzielt wird, während die Legierungsfront 8 in F i g. 2 auf Grund des z. B. aus Glaspulver bestehenden Zusatzes plan verläuft. Die Kontaktierung der als Basiszone verwendeten η-leitenden Germaniumkörper 5 bzw. 6 erfolgt durch die ringförmige Basiselektroden 9 bzw. 10. Zur Herstellung der Emitterzonen sind die Emitterpillen 11 bzw. 12 auf den den Kollektorpillen gegenüberliegenden Oberflächenzeiten in die Halbleiterkörper einlegiert.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden, insbesondere Legierungstransistor oder Legierungsdiode, dadurch gekennzeichnet, daß das Legierungsmaterial Glaspulver enthält.
609 539/327
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Legierungsmaterial aus Indium besteht.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Glaspulverzusatz im Indium etwa 2 Atomprozent beträgt.
4. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus Germanium besteht.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 961913; deutsche Auslegeschrift Nr. 1089 075; »Transistor-Technology«, Vol. ΠΙ, S. 185.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DET27223A 1964-10-17 1964-10-17 Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden Pending DE1213057B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET27223A DE1213057B (de) 1964-10-17 1964-10-17 Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET27223A DE1213057B (de) 1964-10-17 1964-10-17 Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1213057B true DE1213057B (de) 1966-03-24

Family

ID=7553340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DET27223A Pending DE1213057B (de) 1964-10-17 1964-10-17 Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden

Country Status (1)

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DE (1) DE1213057B (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1089075B (de) * 1957-05-15
DE961913C (de) * 1952-08-22 1957-04-11 Gen Electric Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit p-n-UEbergaengen

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE961913C (de) * 1952-08-22 1957-04-11 Gen Electric Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit p-n-UEbergaengen
DE1089075B (de) * 1957-05-15

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