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DE1207507B - Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften, aus Germanium oder Silizium bestehenden Legierungstransistors - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften, aus Germanium oder Silizium bestehenden Legierungstransistors

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Publication number
DE1207507B
DE1207507B DES48077A DES0048077A DE1207507B DE 1207507 B DE1207507 B DE 1207507B DE S48077 A DES48077 A DE S48077A DE S0048077 A DES0048077 A DE S0048077A DE 1207507 B DE1207507 B DE 1207507B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wires
electrodes
production
comb
alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DES48077A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE1207507C2 (nl
Inventor
Dr Karl Siebertz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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Filing date
Publication date
Priority to NL250053D priority Critical patent/NL250053A/xx
Priority to NL215555D priority patent/NL215555A/xx
Priority to NL110415D priority patent/NL110415C/xx
Priority to DES48077A priority patent/DE1207507B/de
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to FR1166785D priority patent/FR1166785A/fr
Priority to CH348208D priority patent/CH348208A/de
Priority to GB9555/57A priority patent/GB849447A/en
Priority to CH359791D priority patent/CH359791A/de
Priority to GB11598/60A priority patent/GB926280A/en
Priority to FR823515A priority patent/FR77446E/fr
Publication of DE1207507B publication Critical patent/DE1207507B/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1207507C2 publication Critical patent/DE1207507C2/de
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    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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DES48077A 1956-03-23 1956-03-23 Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften, aus Germanium oder Silizium bestehenden Legierungstransistors Granted DE1207507B (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
NL250053D NL250053A (nl) 1956-03-23
NL215555D NL215555A (nl) 1956-03-23
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FR1166785D FR1166785A (fr) 1956-03-23 1957-02-15 Procédé pour la fabrication en particulier de transistors en alliage et dispositifs conformes à ceux fabriqués d'après ce procédé
CH348208D CH348208A (de) 1956-03-23 1957-03-19 Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
GB9555/57A GB849447A (en) 1956-03-23 1957-03-22 Improvements in or relating to semi-conductor devices and processes for their manufacture
CH359791D CH359791A (de) 1956-03-23 1960-03-29 Verfahren zum Herstellen eines Transistors
GB11598/60A GB926280A (en) 1956-03-23 1960-04-01 Improvements in or relating to semi-conductor devices and methods of manufacturing these devices
FR823515A FR77446E (fr) 1956-03-23 1960-04-04 Procédé pour la fabrication de transistors en alliage et dispositifs conformes à ceux obtenus d'après ce procédé

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Application Number Priority Date Filing Date Title
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DE1207507B true DE1207507B (de) 1965-12-23
DE1207507C2 DE1207507C2 (nl) 1966-07-14

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Publication number Publication date
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DE1207507C2 (nl) 1966-07-14
FR1166785A (fr) 1958-11-14
GB849447A (en) 1960-09-28
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