DE1203395B - Schaltung zur vertikalen magnetischen Strahlablenkung einer Elektronenstrahlroehre - Google Patents
Schaltung zur vertikalen magnetischen Strahlablenkung einer ElektronenstrahlroehreInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
HOIj
Deutsche Kl.: 21g-13/40
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
N 22297 VIII c/21g
30. Oktober 1962
21. Oktober 1965
30. Oktober 1962
21. Oktober 1965
Die Erfindung betrifft eine vertikale Ablenkschaltung, die folgende Elemente umfaßt: eine Transistorverstärkerausgangsstufe;
ein Aufladenetzwerk mit einem Kondensator für die Zufuhr einer sägezahnförmigen Steuerspannung an den erwähnten Transistor;
einen Oszillator mit einem Entladekreis, der parallel zum Kondensator geschaltet ist, um diesen
während der Rücklaufperioden periodisch zu entladen, und der als Schaltelement eine Halbleitervorrichtung
enthält; eine Gleichstromkopplung von dem erwähnten Aufladenetzwerk zur Basis des Ausgangstransistors,
die den Spannungspegel und die Wellenform der Speisespannung nahezu ungeändert übertragen kann; eine direkte, symmetrisch leitende
Gleichstromverbindung von dem erwähnten Oszillatorkreis nach dem erwähnten Aufladenetzwerk, die
einen Teil des erwähnten Entladekreises bildet, sowie Mittel, welche den erwähnten Entladekreis und die
Gleichstromverbindung enthalten, um die Basisspannung des Ausgangstransistors am Anfang jedes
Hinlaufs auf einem festen Spannungspegel festzulegen, wobei eine Restspannung gleich dem Spannungsabfall
über den Entladekreis am Anfang des Schlags infolge des durch diesen Entladekreis am
Ende des vorhergehenden Rücklaufs fließenden Stroms auftritt.
Eine solche Schaltungsanordnung ist aus der USA.-Patentschrift 2913 625 bekannt.
Die Gleichstromkupplung, die in dieser Patent-Schaltung zur vertikalen magnetischen
Strahlablenkung einer Elektronenstrahlröhre
Strahlablenkung einer Elektronenstrahlröhre
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter:
Dipl.-Ing. E. E. Walther, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7,
Als Erfinder benannt:
Brian Emest Attwood,
Burstow, Surrey (Großbritannien)
Brian Emest Attwood,
Burstow, Surrey (Großbritannien)
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 2. November 1961 (39 267), vom 27. Juni 1962 (24 704) - -
Um diese Schwierigkeit zu beheben, enthalten nach der Erfindung die erwähnten Pegelfestlegemittel
eine Rückstellwicklung, die in Reihe mit dem Entladekreis geschaltet ist und in die Rücklaufschrift
beschrieben wird, hat verschiedene Vorteile, 30 impulse mit einer solchen Polarität und Amplitude
d. h.: induziert werden, daß die Restspannung während
der Rücklaufperiode nahezu vollständig unterdrückt wird.
Ein weiterer Vorteil der Rückstellwicklung nach der Erfindung besteht darin, daß der Ausgangstransistor
während des Rücklaufs besser gesperrt wird. Wenn lediglich ein Auflade- und ein Entladenetzwerk
benutzt werden und das Aufladenetzwerk für Gleichstrom mit dem Ausgangstransistor ge-
ist, da der Widerstand des Entladekreises während 40 koppelt ist, erreicht die Spannung an der Eingangsdes
Rücklaufs nicht Null ist. elektrode des Ausgangstransistors nicht den zum
Da zwischen dem Aufladenetzwerk und dem Aus- Sperren des Transistors während der Rücklaufgangstransistor
eine Gleichstromkupplung vorgesehen periode erforderlichen Pegel. Indem für die Rückist,
wird die erwähnte Restspannung auch dem Aus- Stellwicklung eine passende Anzahl von Windungen
gangstransistor zugeführt, so daß sie den Ausgangs- 45 vorgesehen wird, kann die Amplitude des dieser
transistor am Anfang jedes Hinlaufs steuert. Infolge- Rückstellwicklung entnommenen Impulses größer
dessen fließt bereits ein Strom durch diesen Ausgangstransistor am Anfang jedes Hinlaufs, während
in dem betreffenden Augenblick gar kein Strom
fließen darf. Es tritt somit ein Verlust an Gleich- 50
Stromleistung auf, wodurch die Verlustleistung des
Ausgangstransistors vergrößert wird.
in dem betreffenden Augenblick gar kein Strom
fließen darf. Es tritt somit ein Verlust an Gleich- 50
Stromleistung auf, wodurch die Verlustleistung des
Ausgangstransistors vergrößert wird.
1. Eine Schaltungsanordnung ist praktisch unabhängig von Temperaturschwankungen;
2. die Empfindlichkeit der Schaltungsanordnung ist besser, und
3. die Speisequelle braucht weniger Strom zu liefern.
Es tritt nur die eine Schwierigkeit auf, daß eine Restspannung am Anfang des Hinlaufs vorhanden
gemacht werden als der Wert der Restspannung, so daß der Ausgangstransistor während der Rücklaufzeit
richtig gesperrt wird.
Eine mögliche Ausführungsform einer vertikalen Ablenkschaltung nach der Erfindung wird nachstehend
an Hand der Zeichnungen näher erläutert.
509 718/366
3 4
Es zeigt Ablenkspule Ly gemeinsam mit der Drosselspule Lc
Fig. 1 eine erste Ausführungsform der Schaltungs- aufgenommen, die als eine zusätzliche induktive Be-
anordnung mit einem Transistorblockieroszillator mit lastung des Ausgangstransistors betrachtet werden
der in die Emitterleitung eingefügten Rückstellwick- kann,
lung, 5 In den Emitterkreis des Transistors Γ 3 ist ein
Fig. 2 die durch das Auflade- und Entladenetz- Widerstand RlS zur Rückkopplung eingefügt. An
werk erzeugte Spannung, erster Stelle ist diese Rückkopplung eine Stromrück-
F i g. 3 einen Blockieroszillator, wobei die Rück- kopplung für den Ausgangstransistor an sich, und
Stellwicklung mit dem Kollektor des Transistors ver- über den Widerstand R16 ist sie eine Spannungsbunden ist, 10 rückkopplung nach dem Verbindungspunkt der Kon-
Fig.4 eine weitere Ausbildung der Schaltungs- densatoren C12 und C13. Die Rückkopplung über
anordnung, wobei eine Vierschichtendiode als den Widerstand R16 dient zur Verbesserung der
Schaltelement verwendet wird, und Linearität der Sägezahnspannung, welche durch das
Fig. 5 die Spannung über der induktiven Be- Auflade- und Entladenetzwerk erhalten wird,
lastung in dem Kollektorkreis des Ausgangstran- *5 Zunächst werden die Wicklung Lb3 und der
sistors. Emitterwiderstand R2, d. h. ein Widerstand mit
Nach F i g. 1 wird die Sägezahnspannung zur negativem Temperaturkoeffizienten zum Ausgleich
Steuerung des Ausgangstransistors Γ 3 durch ein von Temperaturschwankungen in dem Transistor Tl,
Aufladenetzwerk, das aus einem Widerstand R13 außer Betracht gelassen; es wird weiter unten das
■und Kondensatoren C12 und C13 besteht, und ein a° Auftreten der Restspannung Vn wie vorstehend er-Entladenetzwerk
erzeugt, das aus einer Diode Dl wähnt, näher erläutert. Während der Rücklaufzeit
und einem als Sperrschwinger geschalteten Transistor werden der Transistor Tl und die Diode Dl leitend
Tl gemeinsam mit den Transformatorwicklungen gemacht, so daß die Kondensatoren C12 und C13
LbI und Lb2 und dem aus einem Widerstand Rl sich über die Diode Dl, den Transistor Tl und den
und einem Kondensator Cl bestehenden Netzwerk as Widerstand Rl entladen können. Da diese Elemente
besteht. Durch den Widerstand Rl kann die Fre- einen bestimmten Widerstandswert haben, können
quenz der Sägezahnspannung verändert werden, die die Kondensatoren C12 und C13 sich nicht volldurch
das erwähnte Auflade- und das Entladenetz- ständig entladen, so daß eine Restspannung Vr zuwerk
erhalten wird. Durch den Widerstand Ä13 rückbleibt. Wenn nach der Rücklaufzeit der Trankann
die Amplitude "dieser Sägezahnspannung ein- 3o sistor Tl und die Diode Dl wieder gesperrt werden,
gestellt werden. Die Diode Dl ist zur Verbesserung werden die Kondensatoren C12 und C13 sich wieder
der Aufladefunktion des Netzwerkes in den Kreis über den Widerstand R13 aufladen, und die dann
aufgenommen, da sonst der Leckstrom des Tran- erzeugte Sägezahnspannung wird, wie in F i g, 2 darsistors
Π während dessen Blockierzeit die Säge- gestellt, von der Restspannung V1. ausgehen. Da der
zahnspannung über den Kondensatoren C12 und 35 Punkt B gleichstrommäßig mit dem Transistor Γ3
C13 verzerren würde. gekoppelt ist, zieht dieser Transistor bereits einen
Wie vorstehend erwähnt, muß das Aufladenetz- gewissen Strom am Anfang des Hinlaufs, was durch
werk für Gleichstrom mit dem Ausgangstransistor die neigende Linie der Sägezahnspannung in Fig. 2
gekoppelt werden, und zu diesem Zweck wird der angedeutet wird. Der den Ausgangstransistor Γ3
Punkt B des Aufladenetzwerkes direkt mit der Basis 40 durchfließende Strom muß jedoch am Anfang des
des Verstärkertransistors Tl verbunden. Dieser Ver- Hinlaufs Null sein, da sonst Gleichstrom verloren-
stärkertransistor ist als Emitterfolgetransistor ge- geht, so daß die Verlustleistung des Transistors Γ 3
schaltet, und zu diesem Zweck ist der Widerstand erhöht wird. Aus Fig. 2 ist weiter ersichtlich, daß
RlS in den Emitterkreis des Transistors Tl auf ge- die erhaltene Steuerspannung den Ausgangstransistor
nommen. Der Emitter des Verstärkertransistors Tl 45 T 3 während der Rücklaufzeit nicht hinreichend
ist wieder direkt mit der Basiselektrode des Aus- sperrt.
gangstransistors Γ3 verbunden, wodurch die Gleich- Um diese Schwierigkeiten zu beseitigen, ist die
Stromkopplung zwischen dem Aufladenetzwerk und Rückstellwicklung Lb 3 in den Emitterkreis des
dem Ausgangstransistor erhalten wird. Transistors Tl aufgenommen. Diese Rückstellwick-
Wie anfangs erwähnt, ist einer der Vorteile der 50 lung ist magnetisch mit den Transformatorwicklun-Gleichstromkupplung
der, daß die Schaltungsanörd- genL&l und Lb derart gekoppelt, daß ein Spannung
praktisch unabhängig von Temperaturschwan- nungsimpuls mit einer Polarität erzeugt wird, die der
kungen ist. Dies wird dadurch erreicht, daß die der Restspannung Vx. entgegengesetzt ist. Diese
beiden Transistoren Tl und T 3 durch eine Span- Spannung stellt somit sicher, daß keine Restspannung
an ihren Basen gesteuert werden. Die Steilheit 55 nung bei der dem Transistor Γ 3 zugeführten Steuer-Cd
ijd Vb) der Transistoren Tl und Γ 3 bedingt so- spannung vorhanden ist und der Ausgangstransistor
mit deren Verstärkung. Die Steilheit eines Tran- Γ 3 am Anfang des Hinlaufs nicht von Strom durchsistors
ist weniger abhängig von der Temperatur als flössen wird, während außerdem eine gute Sperre des
der Faktor α = ic/ib. Um jedoch sicherzustellen, daß Transistors Γ3 sichergestellt wird,
auch der Transistor T 3 durch eine Spannung ge- 60 Unter Umständen ist es möglich, den Sperrsteuert wird, ist der Verstärkertransistor Tl als schwinger so aufzubauen, daß die Rückstellwicklung Emitterfolgetransistor geschaltet, so daß die Aus- Lb 3 gleichzeitig als Rückkopplungswicklung wirkt gangsimpedanz dieses Transistors bedeutend niedri- und die Wicklung Lb 1 entfallen kann,
ger ist als die Eingangsimpedanz des Transistors T3, Fig. 3 zeigt einen Sperrschwinger, der gegenüber wodurch die Spannung über dem Widerstand R14 65 dem Sperrschwinger nach Fig. 1 etwas abgeändert die Steuerung des Transistors Γ 3 bedingt. In den ist. Die Rückstellwicklung Lb 3 ist in diesem Fall Kollektorkreis des Ausgangstransistors T 3 ist die zwischen der Anode der Diode D1 und dem Kollek-Reihenschaltung des Koppelkondensators Cy und der tor des Transistors Tl eingeschaltet. Die Wirkungs-
auch der Transistor T 3 durch eine Spannung ge- 60 Unter Umständen ist es möglich, den Sperrsteuert wird, ist der Verstärkertransistor Tl als schwinger so aufzubauen, daß die Rückstellwicklung Emitterfolgetransistor geschaltet, so daß die Aus- Lb 3 gleichzeitig als Rückkopplungswicklung wirkt gangsimpedanz dieses Transistors bedeutend niedri- und die Wicklung Lb 1 entfallen kann,
ger ist als die Eingangsimpedanz des Transistors T3, Fig. 3 zeigt einen Sperrschwinger, der gegenüber wodurch die Spannung über dem Widerstand R14 65 dem Sperrschwinger nach Fig. 1 etwas abgeändert die Steuerung des Transistors Γ 3 bedingt. In den ist. Die Rückstellwicklung Lb 3 ist in diesem Fall Kollektorkreis des Ausgangstransistors T 3 ist die zwischen der Anode der Diode D1 und dem Kollek-Reihenschaltung des Koppelkondensators Cy und der tor des Transistors Tl eingeschaltet. Die Wirkungs-
Claims (1)
- 5 6weise dieser Rückstellwicklung ist gleich der der während dieser Wert sogar noch größer ist, wenn der Rückstell wicklung Lb 3 nach Fig. 1, da die Rück- Wert des Widerstands RlS niedriger ist. Es fließt Stellwicklung Lb 3 nur die passende Anzahl von auch ein unnützer Gleichstrom durch T 2, aber Windungen zu haben braucht und die Entladebahn dessen Wert ist erheblich niedriger,
der Kondensatoren C12 und C13 aufgenommen ist. 5 Es sei bemerkt, daß der Emitterwiderstand RlS Eine andere Ausführungsform der Schaltungs- nicht stets von wesentlicher Bedeutung ist, aber, wie anordnung nach der Erfindung ist in F i g. 4 darge- vorstehend erwähnt, ist dessen Anwendung vorteilstellt. Der Sperrschwinger ist hier durch eine Vier- haft.schichtendiode O ersetzt, die als Schaltelement be- Obgleich alle Figuren einen Verstärkertransistor nutzt und durch Synchronisierimpulse an der ίο Γ 2 zeigen, wird es einleuchten, daß er weggelassen Klemme 5 gesteuert wird. Diese Vierschichtendiode O werden kann, wenn die Verstärkung des Ausgangswird jeweils durch einen der Klemme S zugeführten transistors T 3 hinreichend hoch ist, um die erImpuls leitend gemacht, wodurch sich die Konden- wünschte Amplitude des Sägezahnstroms durch die satoren C12 und C13 entladen, welche über den Ablenkspule L3, zu erzielen. Ohne den Transistor Widerstand R13 aufgeladen worden sind. Da kein 15 Γ2 kann die Basis des Transistors Γ3 direkt mit Sperrschwinger in der Schaltung vorhanden ist, ist dem Punkt B verbunden werden,
die Rückstellwicklung Lb 3 mit der Drosselspule Lc Durch die Erniedrigung oder die Unterdrückung in dem Kollektorkreis des Ausgangstransistors Γ 3 von Vr wird nicht nur der unnütze Gleichstrom durch gekoppelt. Die über der Belastung Lc erzeugte Γ 2 erniedrigt oder unterdrückt, sondern ergibt sich Spannung ist in F i g. 5 dargestellt. Aus dieser Figur so auch der zusätzliche Vorteil, daß die Einwirkung ergibt sich, daß ein Impuls während der Rückläufzeit von Änderungen der Toleranzen von Einzelteilen tl-t2 erzeugt wird, der in die RückstellwicklungLb3 und der Transistoren und des Gleichstroms (infolge induziert wird, die in diesem Fall magnetisch mit der V1) auf vernachlässigbare Werte herabgemindert Drossel Lc gekoppelt und zwischen dem Konden- wird, infolge der bereits geringen Kollektorströme sator C12 und der Vierschichtendiode O eingeschal- 25 beim Nähern der Sperrspannung infolge der Biegung tet ist. Es wird einleuchten, daß der erwünschte der V6e//e-Kennlinien des Verstärker- und Ausgangs-Impuls durch passende Wahl der Windungszahl der transistors. Dies ist besonders wichtig bei der Serien-Wicklung Lb3 und des erwünschten Wickelsinnes herstellung von Fernsehempfängern, da individuelle erzielt werden kann, so daß die Polarität des Impul- Instramentalprüfung der richtigen Wirkung nicht ses der Polarität der Restspannung V1. entgegen- 30 notwendig ist. Es genügt die übliche Höhe der gesetzt ist. »Halte- und Linearitätseinstellungen« visuell einzu-Beispielsweise folgen weiter unten einige Werte stellen.für die in der Schaltungsanordnung benutzten Einzel- Bei der Schaltungsanordnung nach F i g. 2 könnte,teile nach F i g. 4 für die vertikale Ablenkung in wenn V1. auf Null herabgesetzt ist, eine Nichtlineari-einem 405- oder 625-Zeilen-Fernsehempfänger mit 35 tat der Abtastung unter bestimmten Verhältnisseneiner Ablenkung von 110° und einer Strahlbeschleu- auftreten, wenn ein Ausgangstransistor mit einemnigungsspannung von 16 kV. sehr hohen Ic „-Leckstrom benutzt wird und einesehr hohe Temperatur auftritt. Sogar unter diesenHochspannung(Vcc) ... 15kV äußerst schweren Bedingungen werden nicht mehrTransistor T 2 Mullard OC 81 40 als 5% des Anfangs der Abtastung verzerrt. Da eineTransistor Γ 3 Mullard OC 28 Fernsehbildröhre gewöhnlich mit einer Toleranz vonWiderstand R13 2 k Ohm ->% abgetastet wird, ist diese Nichtlinearität nicht-iTfj χ j π -«-· -i on ™_ sichtbar. Diese Nichtlinearität ist auf den LeckstromWiderstand R14 180 Ohm durch deQ Basiskreis des Ausgangstransistors zurück-Widerstandi?15 3,3 Ohm 45 zuführen, wodurch der Emitter von T2 negativ vor-Widerstand R 16 50 Ohm gespannt wird (dies erfolgt somit nicht beim FehlenKondensator C12 100 μΗ für 110° des Transistors Γ2). Wenn es unter kritischen Ver-Ablenkung hältnissen unannehmbar erscheint, daß diese NichtKondensator C13 .25 uH für 100° linearität in einem Empfänger auftritt, kann ein einAblenkung 5° facnes Brückennetzwerk verwendet werden, um den „ j , y-, innn τ- Emitter von Γ 2 positiv zu machen, so daß wiederKondensator C3, 1000 μΡ Leitfähigkeit erzielt wird. Ein solches i?C-NetzwerkDrosselspule Lc 200 mH bei 400 mA, ^rd zwischen dem Verbindungspunkt von Cl und0,95 Ohm R1 un(j dem Emitter von T 2 eingeschaltet und kannSpule Ly 21 mH, 9 Ohm 55 aus einem Kondensator von 10 μΡ in Reihe mitWicklung Lb3 20 Windungen, einem Widerstand von 820 Ohm bestehen.etwa 0,5 Ohm Patentansprüche:In diesem Fall sind die Werte von V1. und Vm 1. Schaltung zur vertikalen magnetischenetwa 0,3 V bzw. 1,5 V (der Wert Vm ist die mittlere 60 Strahlablenkung einer Elektronenstrahlröhre, dieSpannung der Sägezahnspannung nach F i g. 2). in Kombination folgende Elemente umfaßt: eineObgleich der Wert (in diesem Fall 0,3 V) der Rest- Transistorverstärkerausgangsstufe; ein Aufladespannung V1, klein ist im Vergleich zu der Ampli- netzwerk mit einem Kondensator für die Zufuhr tude der Sägezahnspannung, ist diese Spannung groß der sägezahnförmigen Steuerspannung an diesen genug, um einen erheblichen unnützen Gleichstrom 65 Transistor; einen Oszillator mit einem Entladedurch den Transistor Γ 3 fließen zu lassen. Dieser kreis, der parallel zum Kondensator geschaltet unnütze Gleichstrom kann z. B. 15 bis 20% des ist, um diesen während der Rücklaufperioden Gesamtkollektorstroms des Transistors Γ 3 betragen, periodisch zu entladen, und der mit einer alsSchaltelement verwendeten Halbleitervorrichtung versehen ist; eine Gleichstromkopplung von dem erwähnten Aufladenetzwerk her nach der Basis des Ausgangstransistors, die den Spannpegel und die Wellenform der Speisespannung praktisch ungeändert übertragen kann; eine direkte, symmetrisch leitende Gleichstromverbindung des erwähnten Oszillatorkreises mit dem erwähnten Aufladenetzwerk, die einen Teil des erwähnten Entladekreises bildet, und Mittel, die den erwähnten Entladekreis und die Gleichstromverbindung enthalten, zum Festlegen der Basisspannung des Ausgangstransistors am Anfang jedes Hinlaufs auf einem festen Spannungspegel, wobei eine Restspannung gleich dem Spannungsabfall über den erwähnten Entladekreis am Anfang des Hinlaufs infolge des durch diesen Entladekreis fließenden Stroms am Ende des vorhergehendenRücklaufs auftritt, dadurch gekennzeichnet, daß die erwähnten Pegelfestlegemittel eine Rückstellwicklung enthalten, die in Reihe mit dem Entladekreis geschaltet ist und in die Rücklaufimpulse von solcher Polarität und die Amplitude induziert werden, daß die Restspannung während der Rücklaufperiode mindestens nahezu unterdrückt wird.2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Rücklaufimpulse in die Rückstellwicklung aus dem Kollektorkreis der Ausgangsstufe induziert werden,3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei der Oszillatorkreis durch einen Transistorsperrschwinger mit einem Transformator gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückstellwicklung magnetisch mit diesem Transformator gekoppelt ist.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen509 718/366 10.65 © Bundesdruckerei Berlin
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DE19641489164 Pending DE1489164A1 (de) | 1961-08-21 | 1964-06-27 | Vierschichtenhalbleiter und Anwendung desselben in einem Kipposzillator |
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