DE1191493B - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelements mit einer durch eine einen geschlossenen Linienzug bildende Vertiefung in zwei Teile geteilten Zone - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelements mit einer durch eine einen geschlossenen Linienzug bildende Vertiefung in zwei Teile geteilten ZoneInfo
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