DE1164497B - Regelbare Transistorschaltung - Google Patents
Regelbare TransistorschaltungInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
- H03G1/0023—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier in emitter-coupled or cascode amplifiers
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. KL: H03f
Deutsche KL: 21 a2 -18/08
Nummer: 1164 497
Aktenzeichen: N 17410 VIII a / 21 a2
Anmeldetag: 22. Oktober 1959
Auslegetag: 5. März 1964
Die Erfindung bezieht sich auf eine Transistorschaltungsanordnung mit durch einen Regelstrom
bedingtem Verstärkungsgrad, z. B. zur selbsttätigen Lautstärkeregelung, bei der die Signalspannungsquelle
einen Transistor steuert, dessen Eingangsinnenwiderstand zur Verminderung des Verstärkungsgrades durch die Regelung vergrößert wird, so daß
der Signalsteuerstrom abnimmt.
Meist wünscht man bei anwachsender Signalamplitude eine Zurückregelung des Verstärkungsgrades oder sogar eine Signalschwächung (Verstärkungsgrad
unterhalb Eins). Dazu wird in üblichen Schaltungen der Emittergleichstrom auf einen niedrigeren
Wert eingestellt. Dann aber besteht die Gefahr einer starken Signalverzerrung, weil mit abnehmender
Gleichstromeinstellung und zunehmender Signalstärke der Transistor im gekrümmten Teil seiner
Kennlinie ausgesteuert werden kann.
Bei einer Schaltungsanordnung der eingangs erwähnten Art werden diese Nachteile vermieden,
wenn gemäß der Erfindung dieser Verstärkertransistor durch die Differenz zweier von der
Signalspannung abhängiger, den beiden Steuerelektroden des Transistors zugeführter Spannungen
gesteuert wird, von denen die eine in der Amplitude durch einen vom Regelstrom gesteuerten Hilfstransistor
derart geändert wird, daß bei zunehmendem Eingangswiderstand des Verstärkertransistors
zur Verminderung des Verstärkungsgrades die wirksame Differenz-Signalspannung kleiner wird. Dadurch
wird bei zunehmendem Eingangswiderstand des Verstärkertransistors (zur Verminderung des
Verstärkungsgrades) die gegenphasige Spannung größer und damit die wirksame Signalspannung
kleiner. Dadurch wird bei zunehmendem Eingangswiderstand auch die Amplitude der effektiv steuernden
Signalspannung herabgesetzt, so daß die Kennlinie nur zu einem wesentlich geringeren Teil ausgesteuert
wird und dadurch Verzerrungen weitgehend ausgeschlossen sind.
Außerdem kann die Verstärkung bis auf Null herabgeregelt werden, ohne daß der Verstärkertransistor
vollständig gesperrt zu werden braucht, so daß auch hierbei Verzerrungen nicht zu befürchten
sind.
Der Vollständigkeit halber sei bemerkt, daß Verstärkerschaltungen bekannt sind, bei denen die
Signalspannung den Gittern zweier Röhren zugeführt wird, deren Kathoden mit einem gemeinsamen
Kathodenwiderstand verbunden sind. Der Ausgangswiderstand liegt im Anodenkreis der einen Röhre,
die somit zwischen Gitter und Kathode von Signal-Regelbare Transistorschaltung
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande)
Vertreter:
Dipl.-Ing. E. E. Walther, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
Teunis Poorter, Eindhoven (Niederlande)
Spannungen gesteuert wird, die gegenphasig zueinander liegen, so daß die Steuerung durch die Diffe-
ao renz beider Spannungen bewirkt wird. Bei einer Lösung wird die Ausgangsamplitude dadurch verändert,
daß die Verstärkung der Ausgangsröhre durch eine Änderung der Vorspannung geändert
wird. Die Amplitude der in Differenzwirkung steuernden Relais bleibt dabei unverändert, so daß
auch der Gefahr einer etwaigen Übersteuerung nicht entgegengewirkt wird. Eine Verwendung von Transistoren
in dieser Schaltung ist praktisch nicht möglich, da geeignete Transistoren mit regelbarem Ver-Stärkungsfaktor
nicht zur Verfügung stehen. Bei der anderen Lösung nach der bekannten Schaltung wird
der Arbeitspunkt und damit die Verstärkung der einen Röhre, die das gegenphasige Signal an die
Kathode der Ausgangsröhre liefert, verändert. Dabei wird zwar die Amplitude des einen der in Differenz
wirksamen Signale verändert, aber der Arbeitspunkt der Ausgangsröhre bleibt unbeeinflußt, so daß nur
ein verhältnismäßig enger Regelbereich erzielt wird.
Es ist auch eine etwa der vorstehend beschriebenen zweiten Röhrenlösung entsprechende Transistorschaltung
bekannt, bei der die Emitter zweier Transistoren miteinander verbunden und über einen gemeinsamen
Widerstand an die Speisequelle angeschlossen sind. Dabei werden die Signale der Basis
des einen Transistors zugeführt, dessen Kollektorimpedanz mit dem Ausgang verbunden ist. Aus dem
Verstärkerausgang werden weiter Signale über eine zusätzliche Transistorstufe zurückgeführt, deren
Arbeitspunkt durch eine durch Gleichrichtung der Ausgangssignale erhaltene Regelgröße verändert
wird. Vom Kollektor dieses zusätzlichen Transistors werden die Signale der Basis des in Kollektor-
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schaltung liegenden zweiten Transistors zugeführt und damit über die zwischen den Emittern bestehende
Verbindung auch am ersten Transistor wirksam gemacht. Dieser erste Transistor wird somit,
ähnlich der erwähnten Röhrenschaltung, durch die Differenz der unveränderten Signalspannung und
der in der Amplitude geregelten gegenphasigen Spannung gesteuert. Eine Änderung des Arbeitspunktes des ersten Verstärkertransistors erfolgt dabei
nicht, so daß trotz eines erheblichen Aufwandes nur ein verhältnismäßig geringer Regelbereich erhalten
wird.
Beim Anmeldungsgegenstand werden somit bekannte Prinzipien zur Verstärkungsregelung in
spezieller Weise kombiniert, um dadurch unter Berücksichtigung der besonderen Schwierigkeiten bei
Transistorverstärkern einerseits einen großen Regelbereich und andererseits möglichst niedrige Verzerrungen
zu erhalten.
Der Aufwand ist besonders niedrig, wenn der Hilfstransistor auch die Gleichspannung für die
Arbeitspunkteinstellung des Verstärkers und Transistors liefert; dies ist z. B. dadurch möglich, daß die
beiden Transistoren mit einem gemeinsamen nichtentkoppelten Emitterwiderstand versehen sind, daß
die Signalspannung gleichphasig den Basiselektroden beider Transistoren zugeführt wird, daß die Regelgröße
der Basis des einen Transistors zugeführt wird und daß die Ausgangsimpedanz im Kollektorkreis
des anderen Transistors eingeschaltet ist.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert.
Die Schaltung enthält einen Hilfstransistor 1 und einen Verstärkertransistor 2. Im Emitterzweig beider
Transistoren ist ein gemeinsamer Widerstand 3 aufgenommen. Der Gleichstrom und damit der Arbeitspunkt des Transistors 1 kann mittels eines einer
Klemme 4 zugeführten Regelgleichstroms Ir geändert
werden. Dadurch ändert sich der Eingangsinnenwiderstand dieses Transistors und folglich der
aus einer Signalspannungsquelle 5 diesem Transistor 1 zugeführte Signalstrom. Das Signal von der
Quelle S wird auch dem Verstärkertransistor 2 an der Basis zugeführt. Die Ausgangsimpedanz liegt im
Kollektorzweig dieses Verstärkertransistors 2.
Durch den Hilfstransistor 1 werden die Signale von der Quelle 5 auch am Emitter des Verstärkertransistors
2 wirksam gemacht. Sie haben hier die gleiche Phasenlage wie die von der Quelle 5 der
Basis des Transistors 2 direkt zugeführten Signale. Der Kollektorstrom des Transistors 2 und damit der
Strom durch die Ausgangsimpedanz 6 wird somit durch die Differenz der an der Basis und am Emitter
des Transistors 2 wirksamen Signale gesteuert.
Normalerweise ist für eine große Verstärkung der Schaltungsanordnung der Transistor 1 derart eingestellt,
daß er nur eine geringe Verstärkung aufweist, so daß der Verstärkertransistor 2 überwiegend
durch das an seiner Basis zugeführte Signal ausgesteuert wird. Um bei anwachsender Signalamplitude
die Verstärkung herabzusetzen, wird — im Gegensatz zu üblichen Schaltungen — der
Regelstrom Ir vergrößert. Dadurch wird über dem Widerstand 3 und damit auch am Emitter des Transistors
2 eine größere Signalspannung erzeugt, so daß die wirksame Steuerspannung des Verstärkertransistors
2 herabgesetzt wird. Durch den größeren Regelstrom Ir wird am Widerstand 3 auch ein größerer
Gleichspannungsabfall erzeugt, so daß der Emitter des Verstärkertransistors 2 nach negativerem
Potential verschoben wird. Weil die Basis des Transistors 2 an einem festen Abgriff eines Spannungsteilers
7, 8 liegt, wird dadurch auch die zwischen Basis und Emitter des Verstärkertransistors 2
auftretende Gleichspannung herabgesetzt, so daß der Gleichstrom durch diesen Transistor ebenfalls
abnimmt. Dadurch nimmt in an sich bekannter Weise der Eingangsinnenwiderstand des Verstärkertransistors
zu. Der diesen Transistor steuernde Signalstrom nimmt daher aus beiden Gründen — geringere Basis-Emitter-Signalspannung und
größerer Innenwiderstand — ab. Dadurch kann die in üblichen Schaltungen auftretende Signalverzerrung
vermieden werden.
Die Berechnung zeigt, daß die zwischen Basis und Emitter erzeugte Signalspannung v,„, ungefähr der
Formel
e'c
entspricht, wo e die Signalspannung der Quelle 5, R der Wert des Widerstandes 3, I1 bzw. I2 der
Emittergleichstrom im Transistor 1 bzw. 2 und c eine Konstante (ungefähr = 0,03 V) darstellen. Der im
Transistor 2 fließende Signalstrom i., entspricht dann ungefähr der Formel
h R (I1 -12) '
Der Strom I1 wird z. B. von 0 bis 10 mA variiert.
Durch richtige Bemessung der Widerstände 3, 7 und 8, z. B. 300 Ω, 350 und 810 kQ und bei Weglassen
der Schaltelemente 9 und 10 kann erzielt werden, daß der Strom I2 dann von 1 bis nahezu 0 mA
herabgesetzt wird.
Die Verwendung der großen Widerstände 7 und 8 hat den Nachteil, daß die Arbeitspunktstabilität des
Transistors 2 verhältnismäßig gering ist. Zur Vermeidung dieses Nachteils kann ein vorzugsweise
durch den Kondensator 9 entkoppelter Widerstand 10 (von z. B. 3 kO) im Emitterkreis des Transistors 2
allein eingeschaltet werden. Die Widerstände 7 und 8 können dann, bei Behalten der großen Änderung
des Stromes I2, wesentlich kleiner gewählt werden.
Claims (4)
1. Transistorschaltungsanordnung mit regelbarem Verstärkungsgrad, z. B. zur selbsttätigen
Lautstärkeregelung, bei der die Signalspannungsquelle einen Transistor steuert, dessen Eingangswiderstand
zur Verminderung des Verstärkungsgrades durch die Regelung vergrößert wird, so daß der Signalsteuerstrom abnimmt, dadurch
gekennzeichnet, daß dieser Verstärkertransistor (2) durch die Differenz zweier von
der Signalspannung abhängiger, den beiden Steuerelektroden des Transistors zugeführter
Spannungen gesteuert wird, von denen die eine in der Amplitude durch einen vom Regelstrom
gesteuerten Hilfstransistor derart geändert wird, daß bei zunehmendem Eingangswiderstand des
Verstärkertransistors (2) (zur Verminderung des Verstärkungsgrades) die wirksame Differenz-Signalspannung
kleiner wird.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfstransistor
(1) auch die Gleichspannung für die Arbeitspunkteinstellung des Verstärkertransistors (2)
liefert.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Transistoren
mit einem gemeinsamen nicht entkoppelten Emitterwiderstand versehen sind, daß die
Signalspannung gleichphasig den Basiselektroden beider Transistoren zugeführt wird, daß die
Regelgröße der Basis des einen Transistors zugeführt wird und daß die Ausgangsimpedanz
im Kollektorkreis des anderen Transistors eingeschaltet ist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein zusätzlicher,
vorzugsweise durch einen Kondensator (9) überbrückter Widerstand (10) nur im Emitterzweig
des zweiten Transistors eingeschaltet ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 039 099; österreichische Patentschrift Nr. 179 319;
USA.-Patentschrift Nr. 2 903 522;
»IRE Transactions on Circuit Theory«, 1956, März, S. 51 bis 53;
»Journal of the SMPTE«, 1957, Dezember, S. 755 bis 757.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 537/389 2.64 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEN17410A DE1164497B (de) | 1959-10-22 | 1959-10-22 | Regelbare Transistorschaltung |
FR841444A FR1275088A (fr) | 1959-10-22 | 1960-10-18 | Circuits réglables à transistors |
GB35855/60A GB885811A (en) | 1959-10-22 | 1960-10-19 | Improvements in or relating to transistor amplifier circuit arrangements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEN17410A DE1164497B (de) | 1959-10-22 | 1959-10-22 | Regelbare Transistorschaltung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1164497B true DE1164497B (de) | 1964-03-05 |
Family
ID=7340397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN17410A Pending DE1164497B (de) | 1959-10-22 | 1959-10-22 | Regelbare Transistorschaltung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1164497B (de) |
FR (1) | FR1275088A (de) |
GB (1) | GB885811A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1257854B (de) * | 1965-08-11 | 1968-01-04 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Regelbarer Wechselstromverstaerker mit Transistoren, welcher einen Differentialverstaerker umfasst |
DE1278524B (de) * | 1965-04-09 | 1968-09-26 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Regelbare Transistorstufe zur Leistungsverstaerkung von Signalen |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT179319B (de) * | 1951-09-14 | 1954-08-10 | Int Standard Electric Corp | Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregelung |
DE1039099B (de) * | 1956-04-20 | 1958-09-18 | Nordwestdeutscher Rundfunk I L | Gegengekoppelte Roehrenverstaerkerstufe mit Regelung des Verstaerkungsgrades durch AEndern der Steuergittervorspannung |
US2903522A (en) * | 1955-07-07 | 1959-09-08 | Gen Precision Lab Inc | Transistor amplifier |
-
1959
- 1959-10-22 DE DEN17410A patent/DE1164497B/de active Pending
-
1960
- 1960-10-18 FR FR841444A patent/FR1275088A/fr not_active Expired
- 1960-10-19 GB GB35855/60A patent/GB885811A/en not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB885811A (en) | 1961-12-28 |
FR1275088A (fr) | 1961-11-03 |
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