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DE1132249B - Halbleiterdiode - Google Patents

Halbleiterdiode

Info

Publication number
DE1132249B
DE1132249B DET16242A DET0016242A DE1132249B DE 1132249 B DE1132249 B DE 1132249B DE T16242 A DET16242 A DE T16242A DE T0016242 A DET0016242 A DE T0016242A DE 1132249 B DE1132249 B DE 1132249B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
semiconductor diode
caps
semiconductor
contact caps
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DET16242A
Other languages
English (en)
Inventor
Edwin Nosch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority to DET16242A priority Critical patent/DE1132249B/de
Publication of DE1132249B publication Critical patent/DE1132249B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

  • Halbleiterdiode Für bestimmte Schaltanordnungen sind neuerdings Halbleiterdioden entwickelt worden, bei denen an Stelle der elektrischen Zuleitungsdrähte metallische Kappen beiderseits auf ein Glasgehäuse aufgekittet und in elektrischen Kontakt mit den Elektroden der Diode gebracht sind.
  • Die Einschaltung solcher Dioden in Stromkreise erfolgt wie bei Autosicherungen durch Einklemmen in entsprechende Halterungen. Die mechanische Stabilität solcher Dioden muß so groß sein, daß die Dioden beliebig oft ausgewechselt werden können. Durch häufiges Ein- und Ausklemmen werden aber die Kontaktkappen mechanisch erheblich beansprucht und erfordern eine besondere Stabilisierung. Zu diesem Zweck hat man bisher die beiderseits auf das Gehäuse gesteckten Kontaktkappen auf das Gehäuse aufgekittet und mit den Anschlußdrähten verlötet. Um unerwünschtes Licht vom Halbleitersystem fernzuhalten, wurde die Diode danach mit einem undurchsichtigen Lack überzogen.
  • Die mechanische Festigkeit solcher Dioden ließ aber erheblich zu wünschen übrig. Diese Nachteile konnte man dadurch beheben, daß sowohl die Kappen als auch das Gehäuse in Kunststoff eingebettet wurden. Diese Ausführungsform brachte zwar die erforderliche mechanische Festigkeit, jedoch stellte sich beim Feuchtigkeitstest heraus, daß infolge der verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten des Kunststoffes und des Kappenmaterials Feuchtigkeitskanäle zwischen dem Kunststoff und den Kappen auftreten können, die zu unerwünschten Kriechströmen führen und dadurch die Eigenschaften der Diode verschlechtern.
  • Zur Behebung dieser Mängel wird bei einer Halbleiterdiode, bei der die Elektrodenzuleitungen aus beidseitig auf die Gehäusekapsel aufgesteckten Kontaktkappen bestehen, erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß zur Erzielung eines straffen Sitzes der Kontaktkappen auf der Gehäusekapsel ein Schrumpfschlauch vorgesehen ist, der sowohl auf die Gehäusekapsel als auch auf die Kontaktkappen aufgeschrumpft ist.
  • Die Verwendung von Schrumpfschläuchen ist bereits bei Kondensatoren bekannt, bei denen der Schrumpfschlauch über den Kondensatorwickel geschoben wird. Diese bekannte Kondensatoranordnung weist außerdem auch metallische Abschlußscheiben auf, die zu beiden Seiten des Kondensatorwickels angebracht sind. Die metallischen Abschlußscheiben dienen jedoch nicht der Kontaktierung des Kondensators, da die elektrische Verbindung mit dem Kondensator in üblicher Weise durch Zuleitungsdrähte hergestellt wird. Die Verwendung von metallischen Abschlußteilen ist außerdem auch bei Halbleiterdioden bekannt, bei denen jedoch an Stelle eines Schrumpfschlauches ein Lacküberzug auf das Halbleitergehäuse aufgebracht ist. Wie im Falle des bereits erwähnten Kondensators tragen aber auch bei der bekannten Halbleiterdiode die von einer Lackschicht überzogenen metallischen Abschlußteile nicht zur Kontaktierung der Halbleiterdiode bei, da diese allein durch gesonderte Elektrodenzuleitungen erfolgt. Der wesentliche Vorteil der vorliegenden Halbleiterdiode gegenüber den bekannten Anordnungen besteht darin, daß durch einen einfachen Aufbau des gesamten Systems auf die üblichen Zuleitungsdrähte verzichtet und dennoch eine stabile Anordnung erzielt werden kann, die das Auftreten von Kriechströmen verhindert und infolge ihrer mechanischen Stabilität ein beliebiges Auswechseln in sogenannten Steckfassungen ermöglicht.
  • Das Aufbringen des Schrumpfschlauches auf das Halbleitergehäuse erfolgt in der Weise, daß der Schrumpfschlauch zunächst auf die erforderliche Länge zugeschnitten und über das Halbleitergehäuse gestülpt wird. Der anfänglich lose sitzende Schrumpfschlauch schrumpft dann bei entsprechender Wärmebehandlung auf die Gehäusewand auf und ergibt dadurch einen straff sitzenden Überzug.
  • Die Länge des Schrumpfschlauches wird dabei so bemessen, daß der L7berzug 1 entsprechend der Figur auch die Kontaktkappen 2 erfaßt. Dadurch erhalten die Kontaktkappen 2 nicht nur einen besseren Halt, sondern es ergibt sich gleichzeitig auch eine feuchtigkeitsdichte Einkapselung der Diode, die infolge der Eigenschaften eines Schrumpfschlauches auch bei der Erwärmung des Systems erhalten bleibt. Ein weiterer Vorteil gegenüber lackierten oder in Kunststoff eingebetteten Gehäusen besteht darin, daß die Montage des Überzuges 1 einfacher vorzunehmen ist als eine 3 Lackierung oder eine Einbettung in Kunststoff. Außerdem ergeben Schrumpfschläuche auch gleichmäßigere, lichtundurchlässigere und unbedingt griffestere Überzüge als Dioden in lackierter Ausführung.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Halbleiterdiode, bei der die Elektrodenzuleitungen aus Kontaktkappen bestehen, die beidseitig auf die Gehäusekapsel aufgesteckt sind, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung eines straffen Sitzes der Kontaktkappen auf der Gehäusekapsel ein Schrumpfschlauch vorgesehen ist und daß dieser Schrumpfschlauch sowohl auf die Gehäusekapsel als auch auf die Kontaktkappen aufgeschrumpft ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1031426; schweizerische Patentschrift Nr. 212 931; französische Patentsclimift Nr. 1144 979.
DET16242A 1959-02-06 1959-02-06 Halbleiterdiode Pending DE1132249B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET16242A DE1132249B (de) 1959-02-06 1959-02-06 Halbleiterdiode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET16242A DE1132249B (de) 1959-02-06 1959-02-06 Halbleiterdiode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1132249B true DE1132249B (de) 1962-06-28

Family

ID=7548177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DET16242A Pending DE1132249B (de) 1959-02-06 1959-02-06 Halbleiterdiode

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1132249B (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH212931A (de) * 1938-10-26 1940-12-31 Fides Gmbh Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren.
FR1144979A (fr) * 1955-04-02 1957-10-21 Philips Nv Diode à cristal
DE1031426B (de) * 1953-12-15 1958-06-04 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Trockengleichrichtereinheit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH212931A (de) * 1938-10-26 1940-12-31 Fides Gmbh Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren.
DE1031426B (de) * 1953-12-15 1958-06-04 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Trockengleichrichtereinheit
FR1144979A (fr) * 1955-04-02 1957-10-21 Philips Nv Diode à cristal

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