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DE1127407B - Schaltungsanordnung fuer Wechselsprechanlagen - Google Patents

Schaltungsanordnung fuer Wechselsprechanlagen

Info

Publication number
DE1127407B
DE1127407B DEN19939A DEN0019939A DE1127407B DE 1127407 B DE1127407 B DE 1127407B DE N19939 A DEN19939 A DE N19939A DE N0019939 A DEN0019939 A DE N0019939A DE 1127407 B DE1127407 B DE 1127407B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
main station
substation
transistor
state
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN19939A
Other languages
English (en)
Inventor
Simon Kuin
Ebertus Willems
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1127407B publication Critical patent/DE1127407B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M9/00Arrangements for interconnection not involving centralised switching
    • H04M9/001Two-way communication systems between a limited number of parties
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/08Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
    • H02H3/087Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current for DC applications
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/08Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
    • H02H3/093Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current with timing means
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/345DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H03F3/3455DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/2893Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Schaltungsanordnung für Wechselsprechanlagen Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für eine Wechselsprechanlage, bei der die mit einem als Hör- und Sprechverstärker anschaltbaren transistorisierten Verstärker ausgerüstete Hauptstation über eine Zweiadrige Leitung mit einer Unterstation verbunden ist, deren elektroaktustischer Wandler in Reihe mit einem durch einen Schalter überbrückbaren Kondensator liegt.
  • Bei diesem bekannten System besteht die Möglichkeit, daß sich die Hauptstation mit einer Unterstation verbindet, ohne daß die betreffende Unterstation angerufen hat. Hierdurch kann der Zustand eintreten, daß die Bedienungsperson der Hauptstation die Gespräche mithört, welche vom elektroakustischen Wandler in der Unterstation aufgefangen werden. Dies kann unerwünscht sein.
  • Die Erfindung bezweckt, ein einfaches Mittel zu schaffen, durch welches der Verstärker von der Unterstation aus geregelt werden kann.
  • Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß im Hörzustand der Hauptstation die Basiselektrode wenigstens der ersten Transistorstufe einerseits über einen Widerstand und eine Gleichspannungsquelle und andererseits über einen Widerstand in Reihe mit den Klemmen der Leitung mit der Emitterelektrode verbunden ist in der Weise, daß im Hörzustand der Hauptstation durch Herabsetzung des Widerstandes der Leitungsschleife der Unterstation die Transistorstufe vom Sättigungszustand in einen zum Verstärken elektrischer Signale geeigneten Zustand übergeht.
  • Dieses System bietet den Vorteil, das im Gesprächszustand zwischen der Unterstation und der Hauptstation der Verstärker von der Unterstation aus unempfindlich gemacht werden kann. Hierdurch ist es möglich, bei der Unterstation rückzufragen, ohne daß die Hauptstation diese Rückfrage hörbar machen kann.
  • Die Erfindung wird an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
  • In der Figur sind eine Hauptstation HP und eine Unterstation BP dargestellt.
  • Die Hauptstation ist in dem Ausführungsbeispiel mit nur einer Unterstation über die Leiter L 1 und L 2 verbunden. In im übrigen bekannter Weise können mehrere Unterstationen über Einzelleitungen mit der Hauptstation verbunden sein.
  • Die Hauptstation besitzt einen Transistorverstärker V, der aus zwei Transistorstufen mit den Transistoren T 1 und T 2 besteht, die von einer Batterie B gespeist werden, einen elektroakustischen Wandler LS2 und einen Sprech-Hör-Schalter SL. Die Unterstation besitzt einen elektroakustischen Wandler LS1 in Reihe mit dem Kondensator C4, der durch einen von Hand betätigten Schalter SK überbrückt wird.
  • Die elektroakustischen Wandler LS1 und LS2 sind z. B. elektrodynamische Lautsprecher, welche elektrische Signale in Schall überführen können, und umgekehrt. Im nachfolgenden werden die Wandler LS1 und LS2 als Lautsprecher bezeichnet.
  • Der Sprech-Hör-Schalter SL hat zwei Lagen. In der dargestellten Lage ist der Lautsprecher LS2 mit dem Verstärkerausgang über den Schaltarm 2 und der Leiter L 1 mit dem Verstärkereingang über den Schaltarm 1 verbunden. Dieser Zustand der Hauptstaion wird als Hörzustand bezeichnet.
  • In den EmitterKollektor-Kreisen der Transistoren T 1 und T 2 liegen in bekannter Weise Kollektorwiderstände und von Kondensatoren überbrückte Emitterwiderstände.
  • Die Basiselektroden sind über die Widerstände R 2 und R 4 mit der negativen Klemme der Batterie B verbunden. Solange der Schalter SK in der Unterstation BP geöffnet ist, gibt es keinen anderen Gleichstromweg zwischen der Basiselektrode und der Emitterelektrode der Transistoren T 1 und T 2 als über die Batterie B.
  • In diesem Zustand speist die Batterie B die Transistoren T 1 und T 2 mit dem Sättigungsstrom. Der Lautsprecher LS 1, der jetzt als Mikrophon wirkt, führt den empfangenen Schall in eine elektrische Spannung über, die über die Kondensatoren C 4 und C 2 und den im Emitterkreis liegenden -Ent kopplungskondensator an die Emitter-Basis-Strecke des Transistors T 1 gelegt wird. Hierdurch fließt ein geringer Sprechstrom im Emitter-Basis-Kreis des Transistors T1. Dieser Transistor bleibt aber im Sättigungszustand, so daß sich der Kollektorstrom praktisch nicht ändert.
  • Die geringe Sprechspannung, die noch an der Kollektorelektrode des Transistors T 1 auftreten kann, wird der Basiselektrode des Transistors T2 über einen Kondensator C 3 zugeführt. Dieser Transistor ist gleichfalls im Sättigungszustand, so daß an seiner Kollektorelektrode keine Sprechspannung auftritt.
  • Nach Schließung des Schalters SK in der Unterstation BP sind zwei Gleichstromwege geschlossen. Der erste erstreckt sich von der Basiselektrode des Transistors T 1 über den Widerstand R 1, den Leiter L 1, den Schalter SK, den Lautsprecher LS 2 und den Leiter L2 zur positiven Klemme der Batterie B. Der zweite erstreckt sich von der Basiselektrode des Transistors T2 über die Widerstände R 5 und R 3 und weiterhin in gleicher Weise wie der erste Gleichstromweg.
  • Der Kondensator C 5, der den Verbindungspunkt der Widerstände R 3 und R 5 mit der positiven Klemme der Batterie B verbindet, bildet zusammen mit dem Widerstand R 5 ein Tiefpassfilter. Hierdurch werden unerwünschte Rückkopplungseffekte vermieden.
  • Der Spannungsteiler R 1-R 2 legt über die Batterie B eine Spannung an die Basiselektrode des Transistors T1, derart, daß der Transistor als Verstärker wirksam ist. Ebenso legt der Spannungsteiler R3-R5-R4 eine derartige Einstellspannung an den Transistor T2.
  • Die vom LautsprecherLSl erzeugten Sprechspannungen werden jetzt von den beiden Transistorstufen des Verstärkers V verstärkt. Die verstärkte Spannung wird über den Kondensator C 4 dem Lautsprecher LS 2 zugeführt, der diese Spannung in Schall umwandelt. In der anderen, nicht dargestellten Lage des Sprech-Hör-Schalters SL ist der Lautsprecher LS2 mit dem Eingang des Verstärkers Y und der Leiter L 1 mit dem Ausgang des Verstärkers V verbunden. Dieser Zustand der Hauptstation wird als der Sprechzustand bezeichnet.
  • Im Sprechzustand sind die Widerstände R 1 und R3 mit der positiven Klemme der Batterie B über den Lautsprecher LS2 verbunden. Die beiden Transistoren sind dann als Verstärker wirksam.
  • Der Verstärker V ist in diesem Beispiel als Zweistufenverstärker ausgebildet. Die Stufenzahl kann in bekannter Weise vergrößert werden. Es ist weiterhin möglich, nur eine Stufe zu regeln statt zwei, wie im Beispiel gezeigt.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Schaltungsanordnung für eine Wechselsprechanlage, bei der die mit einem als Hör- und Sprechverstärker anschaltbaren transistorisierten Verstärker ausgerüstete Hauptstation über eine zweiadrige Leitung mit einer Unterstation verbunden ist, deren elektroakustischer Wandler in Reihe mit einem durch einen Schalter überbrückbaren Kondensator liegt, dadurch gekennzeichnet, daß im Hörzustand der Hauptstation (HP) die Basiselektrode wenigstens der ersten Transistorstufe (T 1) einerseits über einen Widerstand (R 2) und eine Gleichspannungsquelle (B) und andererseits über einen Widerstand (R 1) in Reihe mit der Leitung (L 1, L2) mit der Emitterelektrode verbunden ist in der Weise, daß im Hörzustand der Hauptstation durch die Herabsetzung des Widerstandes der Leitungsschleife der Unterstation (BP) die Transistorstufe (T 1) vom Sättigungszustand in einen zum Verstärken elektrischer Signale geeigneten Zustand übergeht.
DEN19939A 1959-06-11 1961-04-25 Schaltungsanordnung fuer Wechselsprechanlagen Pending DE1127407B (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CA701637T
GB20034/59A GB950182A (en) 1959-06-11 1959-06-11 Improvements in and relating to electrical circuits employing transistor networks
NL1127407X 1960-04-28
NL250981 1960-04-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1127407B true DE1127407B (de) 1962-04-12

Family

ID=76269552

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEE19460A Pending DE1141333B (de) 1959-06-11 1960-06-10 Transistorschaltung als Signalpegeldetektor mit Zeitverzoegerung
DEN19939A Pending DE1127407B (de) 1959-06-11 1961-04-25 Schaltungsanordnung fuer Wechselsprechanlagen

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEE19460A Pending DE1141333B (de) 1959-06-11 1960-06-10 Transistorschaltung als Signalpegeldetektor mit Zeitverzoegerung

Country Status (6)

Country Link
JP (3) JPS384353B1 (de)
CA (1) CA701637A (de)
DE (2) DE1141333B (de)
FR (2) FR1259724A (de)
GB (3) GB950183A (de)
NL (1) NL250981A (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH407212A (de) * 1963-08-29 1966-02-15 Siemens Ag Albis Amplitudendiskriminator mit einer bistabilen Schaltung
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Family Cites Families (1)

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DE1048946B (de) * 1957-07-19 1959-01-22 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Steuerung der Leistungszufuhr zu einem Verbraucher mit insbesondere induktiver Blindwiderstandskomponente mittels eines Transistors

Also Published As

Publication number Publication date
JPS384354B1 (de) 1963-04-24
JPS3819521B1 (de) 1963-09-26
JPS384353B1 (de) 1963-02-24
FR1287248A (fr) 1962-03-09
GB950182A (en) 1964-02-19
DE1141333B (de) 1962-12-20
CA701637A (en) 1965-01-12
NL250981A (de)
FR1259724A (fr) 1961-04-28
GB936756A (en) 1963-09-11
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