DE1087290B - Einrichtung zur Strahljustierung bei Korpuskularstrahlapparaten, insbesondere Elektronenmikroskopen - Google Patents
Einrichtung zur Strahljustierung bei Korpuskularstrahlapparaten, insbesondere ElektronenmikroskopenInfo
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Description
DEUTSCHES
Bei Korpuskularstrahlapparaten, insbesondere bei Elektronenmikroskopen, ist es notwendig, die Achse
des vom Strahlerzeugungssystem ausgehenden Strahlenbündels in eine durch Objektpunkt und Strahleinfallsrichtung
vorgegebene Gerade bringen, zu können. Es ist dabei zweckmäßig, die zu diesem
Zweck vorgesehenen Einstellmittel so· anzuordnen, daß die Änderungen der Strahlrichtung — oder der
Lage der Eintrittspupille, wenn es sich um eine Strahlzentrierung in einem Elektronenmikroskop
handelt — und des Strahlortes in der Objektebene getrennt und unabhängig voneinander erfolgen. Die
beiden Drehpunkte der das in die Objektebene einfallende Strahlenbündel repräsentierenden Geraden
liegen demnach in der Objektebene und in. der Ebene der Eintrittspupille.
Den bisher bekannten Einrichtungen zur Strahljustierung mit mechanischen Verstellmöglichkeiten
haftet der Mangel an, daß für sie besondere ■Vakuumdurchführungen erforderlich sind. Außerdem sind sie
verhältnismäßig umfangreich und schwerfällig, und ihre Bedienung ist im allgemeinen unbequem.
Es sind daher bereits Einrichtungen zur elektrischen Strahljustierung vorgeschlagen worden, die
die genannten Mängel nicht besitzen. Bekanntlich · erfährt eine in Richtung der optischen Achse in ein
vorwiegend homogenes Feld mit einer zur Achse senkrechten Feldstärke einfallende Bahnkurve eines
geladenen Teilchens eine parabelförmige Krümmung. Mit zwei längs der optischen Achse hintereinander
angeordneten Feldern, von denen jedes nach Richtung und Betrag eingestellt werden kann, läßt sich
dann, und das gilt auch für windschief zur Achse einfallende Strahlen, Strahlort und Richtung in der
Objektebene in einem gewissen Intervall beliebig einstellen.
Davon ausgehend wurde vorgeschlagen, ein Ablenkelektrodensystem oberhalb der mit einem Leuchtschirm
ausgestatteten Ebene der Eintrittspupille anzuordnen, mit dessen Feldstärke das Strahlenbündel
auf die vorgegebene Blendenöffnung ausgerichtet wird, und ein zweites unterhalb der Blende, das die
Justierung auf das in Richtung der Achse entfernt liegende und zu beleuchtende Objektgebiet gestattet.
Bei einer Änderung der Strahleinfallsrichtung in der Objektebene müssen die erwähnte Blende mechanisch
verstellt und die Spannungen an den beiden Elektrodensystemen nachreguliert werden.
Es ist auch bereits eine Einrichtung zur Justierung des Elektronenstrahlbündels bei Elektronenmikroskopen
bekannt, bei der zwischen dem Strahlerzeugungssystem
und der Objektebene längs der optischen Achse mehrere Ablenkelektrodensysteme angeordnet
sind, die eine getrennte Einstellung der Strahlrich-Einriclxtung
zur Strahljustierung
bei Korpuskularstrahlapparaten,
insbesondere Elektronenmikroskopen
Anmelder:
VEB Freiberger Präzisionsmechanik,
Freiberg (Sa.), Hainichener Str. 2 a
Freiberg (Sa.), Hainichener Str. 2 a
Eberhard Hahn, Jena,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
rung und des Strahlortes in der Objektebene ermöglichen.
Die vorliegende Erfindung richtet sich auf eine derartige Justiereinrichtung, bei der gemäß der Erfindung
eine Ablenkung des Strahlenbündels zum Zwecke einer Strahlort- oder Strahlrichtungsänderung in der
Objektebene durch eine dem Betrag nach gleiche Spannungsänderung gleichzeitig an allen in der jeweiligen
Meridianebene wirksamen Elektroden in der Weise herbeizuführen ist, daß gegenüberliegende
Elektroden stets gleiche, dem Vorzeichen nach aber entgegengesetzte Spannungen aufweisen und daß zur
Regelung des Strahlortes die jeweils zwei übereinanderliegenden Elektroden auch dem Vorzeichen nach
gleiche Spannungsänderungen erhalten, während zur Regelung der Strahlrichtung die jeweils übereinanderliegenden
Elektroden eine dem Betrag nach gleiche, dem Vorzeichen nach aber entgegengesetzte Spannungsänderung
erfahren.
Durch die gleichzeitige Spannungsänderung an allen in der jeweiligen Meridianebene wirkenden
Elektroden läßt sich die Regelung mit entsprechend kleineren Spannungsänderungen als bei der bekannten
Einrichtung durchführen. So wird beispielsweise bei einer gleichzeitigen Spannungsänderung an vier in
einer Meridianebene wirksamen Elektroden nur ein Viertel der Spannung benötigt, die bei einer Anordnung
erforderlich wäre, bei der nur eine Elektrode entsprechend geregelt wird. Die für die Durchführung
der Strahljustierung erforderlichen Spannungsänderungen können daher durch die Anwendung der vorliegenden
Einrichtung auf ein bequem beherrschbares Maß herabgesetzt werden.
Die beiden Elektrodensysteme werden zweckmäßig so bemessen und angeordnet, daß die gekoppelte Feldstärkenregelung
mit einer einfachen regelbaren Widerstandsschaltung verwirklicht werden kann.
009 587/370
In Abb. 1 ist scheniätisciuder Strahlverlauf zwischen
der Ebene der Eintrittspupille £ und der Objektebene O bei einem in zwei Etagen I und II angeordneten
Elektrodensystemen dargestellt. Da im allgemeinen das Strahlenbündel windschief zur Achse
einfällt, ist noch ein in der achsensenkrechten Ebene um einen rechten Winkel gedrehtes Plattensystem, der
gleichen Anordnung angebracht, das in Abb. 1 nicht wiedergegeben ist. Jede der-beiden Etagen I und II
besteht also aus zwei rechtwinklig zueinander angeordneten
symmetrischen Plattenpaaren, die beispielsweise auch gekrümmt sein -können, wie dies Abb. 2
zeigt.
Bekanntlich kann innerhalb eines solchen Plattensystems eine Feldstärke nach Richtung und Betrag
beliebig eingestellt werden. Es ist dabei zweckmäßig, die die Feldstärke erzeugenden Elektrodenspannungen
symmetrisch zu wählen, so daß die Achse ständig auf Erdpotential liegt. Demgemäß haben einander gegenüberliegende
Elektroden dem Betrag nach gleiche; dem Vorzeichen nach aber verschiedene Spannungen.
Zur Darstellung der Strahldurchstoßpunkte in der Ebene der Eintrittspupille und der Objektebene sind
in Abb. 1 Vektoren benutzt.' Der Austrittsort in der Ebene der Eintrittspupille ist mit r0 und der Zielpunkt
in der Objektebene bei Durchgang ohne Ablenkung mit Ύο bezeichnet. Ebenso lassen sich zur Darstellung
der innerhalb der. Etagen erzeugten Feldstärken zwei Vektoren U1 und U2 verwenden, wobei
der Vektor u die Richtung des Potentialgradienten (negative Richtung der Feldstärke) anzeigt und sein
Betrag gleich dem gegenüber Erdpotential angelegten Spannungsbetrag ist. Legt man nun an die Etagen I
und II jeweils gleiche Spannungen, so daß also U1 = U2■= to ist, so wirken die beiden Etagen wie eine
einzelne, und das Strahlenbündel wird von X0 über den Bogenzug ABCD nach r, dem gewünschten Ort
in der Objektebene, gelenkt. Für die Strahleinfallsrichtung in der Objektebene ist der scheinbare Ort I1
der Eintrittspupille maßgebend, der sich bei diesem \rorgang zwangläufig eingestellt hat. Soll nun die
Eintrittspupille die scheinbare Lager bekommen, so werden an die beiden Etagen zwei zusätzliche, dem
Betrag nach gleiche, in ihrer Richtung aber verschiedene Spannungen O1 = —1>2 '■= Ό angelegt, so daß also
die resultierenden Feldstärken nunmehr die folgenden
sind: '
u2 = to — t).
Das Strahlenbündel läuft dann von r0 über AB'CD'
nach r, das fest geblieben ist* Die Bedingung, die an
die Anordnung und Abmessung der Etagen zu stellen ist, lautet für verschiedene Durchmesser (I1 und d2 der
beiden Etagen :" "■
Dies ist im Beispiel der Abb. 1 eingehalten. Allerdings
ist an der Strahlüberkreuzung der verlängerten bzw. rückverlängerten Geraden^ in der Ebene E' zu
erkennen, daß der Drehpunkt bei einer Strahlverschiebung in der Objektebene nicht, wie gewünscht, in der
Ebene der. Eintrittspupille liegt. Die Abb. 1 ist jedoch keine maßstabsgetreue Wiedergabe der in der Praxis
verwendeten Anordnung. Infolge des" gegenüber der
Systemlänge großen AbständeS zwischen Plattensystem
und Objektebene: liegt die Ebene B' nahe
unterhalb der Eintrittspüpille; so daß die Abweichung unbedeutend ist. Außerdem-läßt sich, ohne den Strahlort
in der Objektebene zu verändern, die scheinbare Lage der Eintrittspupille gegebenenfalls nachregulieren.
Die voneinander unabhängige Einstellung der Vektoren to und b bzw. to und —to kann beispielsweise
mit Hilfe einer Widerstandsschaltung erreicht werden, wie sie in Abb. 3 für die Speisung der Elektroden
einer Meridianebene gezeigt ist. Eine zweite ebensolche Schaltungsanordnung ist für das Elektrodensystem
der dazu senkrechten Meridianebene vorgesehen. Von den Regel widerständen sind einerseits
P1 und P2 und andererseits P3 bis P6 mechanisch
gekuppelt. Die Spannungen für die Elektroden 1,3,5,7
(Abb. 2) werden an den den mit entsprechenden Zahlen bezeichneten Punkten abgenommen. Bei einer
Regelung von P1 und P2 erhalten die Elektroden 1
und 5 einen gleichen Spannungszuwachs, während 3 und 7 den entgegengesetzten annehmen. Diese Regelung
ergibt also eine Verschiebung des Strahlortes in der Objektebene. Bei einer Änderung von P3 ... P6
erfolgt dagegen an 1 und 7 eine gleiche und an 3 und 5 eine entgegengesetzte Potentialänderung, wodurch
eine Einstellung der Strahlrichtung bzw. der Lage der Eintrittspupille ermöglicht wird.
Die vorliegende Einrichtung zur Strahl justierung
bietet die Möglichkeit, das Strahlenbündel zum Zwecke besonderer Justiervorgänge geeignet erscheinende
Bewegungen ausführen zu lassen.
Bei Elektronenmikroskopen ist im allgemeinen in der bildseitigen Brennebene des Objektivs (oder in
der zur Ebene der Eintrittspupille konjugierten Ebene der Austrittspupille) eine Aperturblende zur Kontraststeigerung
des Bildes angebracht, deren Aperturbegrenzung in der Größenordnung von 4 · 10'"3 liegt.
Zur Erreichung einer hohen Auflösung ist es notwendig, daß das ungestreute Strahlenbündel, dessen
Apertur gewöhnlich kleiner als 1 · 10~3 ist, die Kontrastblende
konzentrisch passiert. Bei Elektronenmikroskopen, die nicht die Möglichkeit besitzen, die
bildseitige Objektivbrennebene abzubilden, kann die konzentrische Lage kontrolliert werden, indem man
den Mittelwert der Winkel bestimmt, bei denen der Übergang zum Dunkelfeldbild erfolgt. Dieses Verfahren
ist jedoch ziemlich mühevoll und zeitraubend. Auch bei Elektronenmikroskopen, die eine Abbildung
der hinteren Brennebene des Objektivs gestatten, erfordert diese Kontrolle Zeitaufwand, da Linsen und
Blenden um- bzw. eingeschaltet werden müssen. Sie gelingt daher auch nicht immer einwandfrei. Man
kann zwar an Hand der normalen Abbildung die Strahleinfallsrichtung auf den optisch günstigsten
Wert einstellen; aber selbst für ein geübtes Auge ist dies schwierig, da sich mehrere Bildfehler überlagern.
Außerdem geben die meisten Objektpräparate keinen sicheren Anhaltspunkt, nach dem der günstigste
Durchgangsort des ungestreuten Strahlenbündels durch die Kontrastblendenöffnung bestimmt werden
kann. ;
Mit Hilfe der vorliegenden Einrichtung zur elektrischen
Strahlzentrierung lassen sich diese Mängel beheben. Zweckmäßig werden den innerhalb der
beiden Elektrodensysteme vorhandenen Feldstärken U1
und U2 weitere zeitlich variable Feldstärken 3 in der
Weise überlagert, daß das Strahlenbündel auf einem Kegelmantel mit der Spitze in der Objektebene abläuft.
Die Schnittkurve des Kegelmantels mit einer achsensenkrechten Ebene, etwa der Ebene der Eintrittspupille, kann dabei durch entsprechende Spannungen
beliebig gewählt werden, beispielsweise als Kreis, Ellipse oder Strecke.
IUO/ 5
Es sind bereits Anordnungen und Mittel bekannt, die das Strahlenbündel in einer Strecke in der Eintrittspupille
mit dem Zweck schwingen lassen, daß infolge der in einer Meridianebene vergrößerten Beleuchtungsapertur die Scharfeinstellung des Bildes er-
leichtert werden soll. Im Gegensatz dazu sieht die vorliegende Einrichtung die Möglichkeit vor, durch
den Umlauf des Strahlenbündels auf einem Kegelmantel den Rand der Kontrastblende im gewissen
Sinne abzutasten. Dies wird dadurch ermöglicht, daß 'die zusätzlichen zeitlich variablen Feldstärken fa
und J2 die sich zu U1 und U2 addieren, die Form bekommen.
piul
wobei Z die regelbare Amplitude, ω die Kreisfrequenz
und t die Zeit bedeuten. Passiert nun das (ungestreute) Strahlenbündel für 3 = 0 die Kontrastblende
nicht konzentrisch, so kommt auch der Kreisring von ao der Ringbreite 6 = 2o/ (α = Beleuchtungsapertur,
f — Objektivbrennweite) bei der der öffnung der Blende entsprechenden Amplitude Z nicht mit deren
Rand zur Deckung und gibt abwechselnd ein HeIl- und Dunkelfeldbild. Hierdurch ist ein Korrektionsmerkmal
für die Strahlrichtung gegeben, die durch Veränderung der Feldstärke Ό am betreffenden Regelorgan
nachjustiert werden kann.
Es ist dabei gleichgültig, in welcher Weise das Korrektionsmerkmal besonders empfindlich gestaltet
wird, ob mit kleiner oder großer Frequenz ω (bezüglich
des zeitlichen Trennvermögens des Auges) oder mit etwas aus der hinteren Objektivbrennebene herausgerückter
Blende.
Um ein Maß für die Empfindlichkeit des Verfahrens zu bekommen, denke man sich eine Kreisscheibe
vom Radius r halbiert und bringe durch Umklappen der einen die beiden Hälften zur Deckung. Eine geringe
Verschiebung δ (<5 < r) der oberen Hälfte senkrecht
zur Schnittkante gibt ein sichelförmiges Gebiet der unteren frei, deren Fläche angenähert gleich dem
rechteckförmigen Gebiet der oberen ist, das, von unten gesehen, von der unteren freigegeben wird. Bei δ <^ r
gilt also in guter Näherung für die sichelförmige Fläche
Andererseits ergibt sich für einen Ring mit der Breite b und dem inneren Radius r eine Fläche
FR = n- (r + δ)2- π-r* = 2»· (r +
b.
Da für elektronenmikroskopische Abbildungen die Beleuchtungsapertur mindestens um den Faktor Drei
kleiner ist als die durch die Blende zugelassene Streuapertur, gilt in ausreichender Näherung
1 ö ^
Fs = ^1--Fr. f ür ö
<g δ
π ο
Hieraus läßt sich unter Berücksichtigung der Tatsache, daß die Intensitäten den Flächen proportional
sind, die Empfindlichkeit ermitteln.
Claims (6)
1. Einrichtung zur Strahljustierung bei Korpuskularstrahlapparaten,
insbesondere Elektronenmikroskopen, mittels mehrerer zwischen dem Strahlerzeugungssystem und der Objektebene
längs der optischen Achse angeordneter Ablenkelektrodensysteme, die eine getrennte Einstellung
der Strahlrichtung und des Strahlortes in der Objektebene ermöglichen, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Ablenkung des Strahlenbündels — zum Zwecke einer Strahlort- oder Strahlrichtungsänderung
in der Objektebene — durch eine dem Betrag nach gleiche Spannungsänderung gleichzeitig
in allen in der jeweiligen Meridianebene wirksamen Elektroden in der Weise herbeizuführen
ist, daß gegenüberliegende Elektroden stets gleiche, dem Vorzeichen nach aber entgegengesetzte
Spannungen aufweisen und daß zur Regelung des Strahlortes die jeweils zwei übereinanderliegenden
Elektroden auch dem Vorzeichen nach gleiche Spannungsänderungen erhalten, während
zur Regelung der Strahlrichtung die jeweils übereinanderliegenden Elektroden eine dem Betrag
nach gleiche, dem Vorzeichen nach aber entgegengesetzte Spannungsänderung erfahren.
2. Einrichtung nach Anspruch 1 mit zwei hintereinander angeordneten koaxialen Elektrodensystemen,
von denen jedes aus mindestens vier symmetrisch angeordneten Segmenten besteht, dadurch
gekennzeichnet, daß das Produkt aus der mittleren Entfernung eines Systems von der
Objektebene und dem Verhältnis seiner Länge zum Durchmesser für beide Systeme gleich ist.
3. Einrichtung nach Anspruch 1, bei der die Feldstärkenregelung für das Elektrodensystem
über eine Widerstandsschaltung mit zwei oder mehr Regelpaaren durchzuführen ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine Brückenschaltung mit entsprechenden
Regelorganen vorgesehen ist, bei der sich bei einer Regelung am ersten Regelpaar
praktisch nur der Strahlort in der Objektebene verschiebt und bei einer Regelung eines zweiten
Paares sich nur die Strahl richtung bzw. die Lage der Eintrittspupille ändert.
4. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sind, die den
Feldstärken zur Justierung des Strahlortes in der Objektebene und der Eintrittspupille weitere Feldstärken
zu überlagern gestatten, bei deren Ablauf bzw. Regelung das Strahlenbündel und damit
auch die Abbildungseigenschaften Veränderungen erfahren, die zur Auffindung der zur Kontrastblende
konzentrischen Lage des Strahlenbündels führen.
5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß den Feldstärken zur Justierung
des Strahlortes in der Objektebene und der Eintrittspupille
derartige zeitlich variable Feldstärken zu überlagern sind, daß das Strahlenbündel
auf einem in seiner Öffnung regelbaren Kegelmantel abläuft, dessen in der Objektebene
liegende Spitze mit Hilfe einer »Strahlortregelung« und dessen Achse mit Hilfe einer »Richtungsregelung«
beliebig zu verändern ist.
6. Einrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Wirkungen der den Elektroden
angelegten, regelbaren oder zeitlich variablen, gegebenenfalls auch periodisch variablen
Feldstärken zur Kontrolle der Justierung des Beleuchtungsstrahlenganges dienen.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 899 095.
Deutsche Patentschrift Nr. 899 095.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL108225D NL108225C (de) | 1956-01-27 | ||
AT17477D AT17477B (de) | 1956-01-27 | 1902-12-17 | Schaltungsweise zur Regelung mehrerer Motoren mit Verbundwicklung. |
DEV10098A DE1087290B (de) | 1956-01-27 | 1956-01-27 | Einrichtung zur Strahljustierung bei Korpuskularstrahlapparaten, insbesondere Elektronenmikroskopen |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
DEV10098A DE1087290B (de) | 1956-01-27 | 1956-01-27 | Einrichtung zur Strahljustierung bei Korpuskularstrahlapparaten, insbesondere Elektronenmikroskopen |
Publications (1)
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DE1087290B true DE1087290B (de) | 1960-08-18 |
Family
ID=7572952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEV10098A Pending DE1087290B (de) | 1956-01-27 | 1956-01-27 | Einrichtung zur Strahljustierung bei Korpuskularstrahlapparaten, insbesondere Elektronenmikroskopen |
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AT (1) | AT17477B (de) |
DE (1) | DE1087290B (de) |
NL (1) | NL108225C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3138898A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrostatisches ablenksystem |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE899095C (de) * | 1948-10-15 | 1953-12-07 | Siemens Ag | Anordnung an einem Durchstrahlungs-Elektronenmikroskop |
-
0
- NL NL108225D patent/NL108225C/xx active
-
1902
- 1902-12-17 AT AT17477D patent/AT17477B/de active
-
1956
- 1956-01-27 DE DEV10098A patent/DE1087290B/de active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE899095C (de) * | 1948-10-15 | 1953-12-07 | Siemens Ag | Anordnung an einem Durchstrahlungs-Elektronenmikroskop |
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DE3138898A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrostatisches ablenksystem |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AT17477B (de) | 1904-09-10 |
NL108225C (de) |
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