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DE1027798B - Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Koerper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Koerper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren

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Publication number
DE1027798B
DE1027798B DEN9891A DEN0009891A DE1027798B DE 1027798 B DE1027798 B DE 1027798B DE N9891 A DEN9891 A DE N9891A DE N0009891 A DEN0009891 A DE N0009891A DE 1027798 B DE1027798 B DE 1027798B
Authority
DE
Germany
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layer
transistors
contain
production
electrode systems
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN9891A
Other languages
English (en)
Inventor
Jan Coenraad Van Vessem
Theodorus Le Grand
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1027798B publication Critical patent/DE1027798B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C44/00—Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles
    • B29C44/20—Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles for articles of indefinite length
    • B29C44/32—Incorporating or moulding on preformed parts, e.g. linings, inserts or reinforcements
    • B29C44/322—Incorporating or moulding on preformed parts, e.g. linings, inserts or reinforcements the preformed parts being elongated inserts, e.g. cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/06—Insulating conductors or cables
    • H01B13/14—Insulating conductors or cables by extrusion
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Körper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren, bei denen ein Teil der Oberfläche dieses Körpers z. B. durch Schleifen und/oder Ätzen gereinigt wird. Es ist üblich, die halbleitenden Körper, welche z. B. aus Germanium oder Silizium bestehen können, einer solchen Reinigung zu unterwerfen, bevor die Systeme weiter aufgebaut werden, z. B. mit weiteren Elektroden versehen und in einer Hülle untergebracht werden.
Die elektrischen Eigenschaften der fertiggestellten Systeme können aber größere Unterschiede aufweisen, was naturgemäß unerwünscht ist; der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß diese Unterschiede größtenteils auf atmosphärische Einflüsse auf den halbleitenden Körper während des Zeitverlaufs zwischen der Reinigung und dem weiteren Aufbau, also dem Anbringen von weiteren Elektroden und dem Unterbringen in einer Hülle, zurückzuführen sind.
Die Erfindung bezweckt unter anderem, diese Nachteile zu beseitigen und die Herstellung eines gleichmäßigen Erzeugnisses zu ermöglichen.
Nach der Erfindung wird die gereinigte Oberfläche des halbleitenden Körpers sofort nach dem Reinigen mit einer dichten Isolierschicht überdeckt, durch welche Schicht wenigstens ein Spitzenkontakt hindurchgedrückt wird und welche alsdann mit einer viskosen Schicht überdeckt wird. Auf diese Weise wird daher der Einfluß der Atmosphäre auf die erwähnte Oberfläche nahezu völlig beseitigt.
Geeignete Stoffe zur Herstellung der ersten, dichten Schicht sind Zelluloseester, Polystyrol, Alkydharze. Polyisobutylol und viele andere. Die viskose Schicht besteht z.B. aus sogenanntem Silikonvakuumfett.
Die viskose Schicht kann durch Zentrifugieren an die feste Isolierschicht angedrückt werden und ist vorzugsweise viel dicker als die feste Schicht.
Die Erfindung wird an Hand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Die Fig. 1 bis 6 zeigen schematisch die verschiedenen Herstellungsphasen einer Diode mit einem Spitzenkontakt (Spitzenelektrode).
Als Ausgangserzeugnis für die Diode ist ein Germaniumkügelchen 10 gewählt, welches auf galvanischem Wege mit einer dünnen Kupferschicht 11 versehen wurde (Fig. 1). Das Stück 10 wird auf dem Kopf eines Trägers 12 mit einem z. B. aus Zinn bestehenden Lötmittel 13 befestigt (Fig. 2). Darauf wird auf der vom Träger abgekehrten Seite des Germaniumstückes 10 eine ebene Fläche 14 angeschliffen (Fig. 3). Die Kupferschicht ist nicht mehr dargestellt.
Verfahren zur Herstellung
von Elektrodensystemen,
die einen halbleitenden Körper enthalten,
insbesondere Kristalldioden
oder Transistoren
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 15. Dezember 1953 und 20. April 1954
Jan Coenraad van Vessem und Theodoras le Grand,
Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
Darauf wird das Ganze auf die übliche Weise geätzt, so daß eine gereinigte Oberfläche 15 entsteht (Fig. 4). Alsdann wird das Trägerende mit einer dichten Schicht 16 versehen, z. B. dadurch, daß der Träger in einer Lösung von Polystyrol in Benzol eingetaucht oder mit einer solchen Lösung bespritzt wird (Fig. 5).
Die so entstandene Elektrode mit Träger ist gegen
atmosphärische Einflüsse geschützt.
Schließlich wird der Träger 12 mit dem halbleitenden Körper 10 in eine Hülle 17 eingebaut, die z. B. aus Glas besteht. Eine zweite Elektrode in Form einer Spitze 18, die auf einem Träger 19 befestigt ist, kann unbedenklich durch die Schicht 16 hindurchgedrückt werden. Die beiden Träger sind hier in im Glas eingeschmolzenen Metallröhrchen 20 festgelötet. In diediesem Fall bietet die Anwendung der dichten Schicht 16 noch den besonderen Vorteil, daß der halbleitende Körper auch vor der Einwirkung von Dampf geschützt ist, der sich aus dem beim Löten verwendeten Flußmittel entwickeln kann.
Zuvor wurde jedoch die dichte und feste Schicht 16 mit einer viskosen Schicht 21 überdeckt. Diese Schicht kann z. B. aus sogenanntem Silikonvakuumfett be-
709 959/335
stehen, einer aus Polymethylsiloxanen bestehenden Masse. Die Schicht 21 #ird vorzugsweise nach dem Einbringen in die Hülle durch Zentrifugieren um eine senkrecht zur Längsachse X-X der Diode stehende Achse Y-Y fest angedrückt. .
Es sei bemerkt, daß es bekannt ist, einen Träger mit einem auf diesem befestigten halbleitenden Körper mit einer Isolierschicht zu versehen. Diese Schicht wurde aber vor dem Schleifen oder Reinigen des Körpers angebracht, so daß in diesem Fall die Isolierschicht keinen schützenden Einfluß auf die gereinigte Oberfläche ausübte. Es ist ebenfalls bekannt, eine auf einem Kristall angeordnete Isolierschicht zu durchlöchern und in dem Loch sowie daneben auf die Schicht eine metallene Schicht aufzudampfen. Auch ist es bekannt, die Spitzenkontakte von Dioden oder Transistoren nach dem Aufsetzen auf den halbleitenden Körper in eine Isoliermasse einzubetten, entweder zu ihrer besseren Befestigung oder zur Beseitigung atmosphärischer Einflüsse. In diesem Fall wird der schädliche Einfluß der Atmosphäre während des Zeitverlaufs zwischen dem Reinigen der halbleitenden Oberfläche und dem weiteren Aufbau ebenfalls nicht ausgeschaltet.
Dieser Einfluß wird ausgeschaltet bei einem bekannten Verfahren, wobei die Kristalle völlig vernickelt oder verkupfert werden; es wurde diese Schicht wieder entfernt und durch eine Schicht aus Spezialfett ersetzt. Das Verfahren gemäß der Erfindung unterscheidet sich hiervon, indem es bei Verwendung der dichten isolierenden Schicht nicht nötig ist, diese zu entfernen.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Körper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren, bei denen ein Teil der Oberfläche dieses Körpers z. B. durch Schleifen und/oder Ätzen gereinigt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die erwähnte Oberfläche sofort nach dem Reinigen mit einer dichten Isolierschicht bedeckt wird, durch welche Schicht wenigstens ein Spitzenkontakt hindurchgedrückt wird und welche alsdann mit einer viskosen Schicht überdeckt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die viskose Schicht durch Zentrifugieren andie feste Isolierschicht angedrückt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine viskose Schicht aus SiIikonvakuumfett verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für die dichte und formfeste Schicht ein Zelluloseester verwendet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
'Radio-Magazin, H. 9, September 1953, S. 310;
Journal of Applied Physics, Bd. 24 (1953), Februar, S. 228.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 709 959/335 4.
DEN9891A 1953-12-15 1954-12-13 Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen, die einen halbleitenden Koerper enthalten, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren Pending DE1027798B (de)

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NL786277X 1953-12-15
NL2948050X 1954-04-20

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