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DE10259373B4 - Überstromfeste Schottkydiode mit niedrigem Sperrstrom - Google Patents

Überstromfeste Schottkydiode mit niedrigem Sperrstrom Download PDF

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Abstract

Schottkydiode mit einem Halbleiterkörper (1, 2) des einen Leitungstyps, einem auf dem Halbleiterkörper (1, 2) vorgesehenen Schottkykontakt (6) und mehreren im Halbleiterkörper (1, 2) unterhalb des Schottkykontaktes (6) gelegenen und wenigstens teilweise an den Schottkykontakt (6) angrenzenden Gebieten (4, 5) des anderen Leitungstyps, wobei der Mindestabstand (D) von der Mitte wenigstens eines der Gebiete (5) des anderen Leitungstyps bis zu einem Bereich des einen Leitungstyps im Halbleiterkörper (1, 2) wesentlich größer ist als der entsprechende Mindestabstand (d) bei übrigen Gebieten (4) des anderen Leitungstyps, dadurch gekennzeichnet, dass der Mindestabstand so gewählt ist, dass durch das wenigstens eine Gebiet (5) die Erzeugung eines bipolaren Injektionsstromes bewirkt wird, und dass die Gebiete (4, 5) des anderen Leitungstyps wenigstens teilweise zusammenhängend gestaltet sind.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schottkydiode mit einem Halbleiterkörper des einen Leitungstyps, einem auf dem Halbleiterkörper vorgesehenen Schottkykontakt und mehreren im Halbleiterkörper unterhalb des Schottkykontaktes gelegenen und wenigstens teilweise an den Schottkykontakt angrenzenden Gebieten des anderen Leitungstyps, wobei der Mindestabstand von der Mitte wenigstens eines der Gebiete des anderen Leitungstyps bis zu einem Bereich des einen Leitungstyps im Halbleiterkörper wesentlich größer ist als der entsprechende Mindestabstand bei übrigen Gebieten des anderen Leitungstyps. Dieser größere Mindestabstand bedeutet, dass das wenigstens eine Gebiet des anderen Leitungstyps eine wesentlich größere Mindesterstreckung als übrige Gebiete des anderen Leitungstyps hat.
  • Herkömmliche Schottkydioden haben die Eigenschaft, dass bei ihrer Spannungsbelastung in Sperrrichtung unmittelbar an der Fläche des Schottkykontaktes die höchste elektrische Feldstärke auftritt. Dies bewirkt, dass in Schottkydioden bereits deutlich unterhalb der theoretischen Durchbruchfeldstärke ihres Halbleitermaterials ein deutlich erhöhter Leckstrom auftritt. Als Halbleitermaterial kommt neben Silizium beispielsweise Siliziumcarbid (SiC) in Betracht.
  • Infolge der obigen Eigenschaft werden Schottkydioden in der Praxis so ausgelegt, dass in ihnen die elektrische Feldstärke auch bei Nennspannung deutlich unterhalb der theoretisch erreichbaren Durchbruchfeldstärke verbleibt. Diese verringerte elektrische Feldstärke bei Nennspannung kann durch eine verminderte Dotierungskonzentration im Halbleiterkörper der Schottkydiode und/oder eine längere Auslegung der Driftstrecke, also eine dickere Gestaltung des Halbleiterkörpers und/oder durch Verwendung eines Schottkykontaktes mit hoher Energiebarriere für die Ladungsträger erreicht werden. So ist beispielsweise in US 5,262,668 eine Schottkydiode mit Bereichen mit unterschiedlichen Energiebarrieren beschrieben.
  • Alle diese Maßnahmen zur Verminderung der elektrischen Feldstärke bei Nennspannung führen aber dazu, dass die Vorwärtsspannung der Schottkydiode deutlich größer wird als sie es ohne die zur Beseitigung der oben erläuterten Oberflächenproblematik ergriffenen Maßnahmen sein müsste.
  • Ein weiteres Problem insbesondere bei SiC-Schottkydioden ist deren relativ geringe Überstromfestigkeit. Die Vorwärtsspannung von SiC-Schottkydioden ist ungefähr proportional zu T2,5 (T: Temperatur), so dass bereits bei Raumtemperatur beträchtliche Werte erreicht werden. Bei zahlreichen Anwendungen, wie beispielsweise PFC-Einsatz (PFC = Power Factor Correction), wird aber in manchen Betriebszuständen eine bessere Überstromfestigkeit benötigt. Mit einer solchen höheren Überstromfestigkeit wäre es möglich, kleinere SiC-Schottkydioden zu verwenden. Denn derzeit werden die Schottkydioden oft nach der Überstromfestigkeit entsprechend ihrer Anwendung ausgewählt und daher überdimensioniert.
  • Es ist nun aus ”Power Semiconductor Devices” von B. Jayant Baliga, PWS Publishing, 1995, Seiten 182 bis 195, bekannt, dass bei Silizium-Schottkydioden mit n-dotierter Driftstrecke durch Einbringung von p-dotierten Gebieten an der Oberfläche auf der Seite des Schottkykontaktes bei geeigneter Abstimmung der Abstände dieser Gebiete, also der p-dotierten Gebiete in der n-dotierten Umgebung, die Oberflächenfeldstärke am Schottkykontakt im Sperrfall deutlich abgesenkt werden kann. Solche p-dotierte Gebiete sind beispielsweise bereits als erhabene Inseln (vgl. US 4,982,260 A ), als Kombination von pn-Übergängen und Schottky-Übergängen (vgl. US 5 101 244 A ) und als Dotierungen an Seitenwänden und Boden eines Trenches (vgl. US 5,241,195 ) vorgeschlagen worden.
  • Weiterhin sind für Schottkydioden im Halbleiterkörper auch schon Pinch-Strukturen mit höher dotierten n-leitenden Gebieten ( US 4,641,174 ) und Kompensationsstrukturen mit p-dotierten Säulen ( DE 197 40 195 C2 ) beschrieben worden.
  • Auch im Zusammenhang mit SiC-Schottkydioden wurde bereits allgemein an die Einbringung derartiger p-dotierter Gebiete in einem rechteckigen Raster gedacht (vgl. hierzu den Aufsatz ”Comparison of 4H SiC pn, Pinch and Schottky Diodes for the 3 kv Range” von Peters, Friedrichs, Schörner, Stephani in Materials Science Forum, Bd. 389–393, S. 1125–1128). Als Konsequenz der Absenkung der elektrischen Feldstärke unmittelbar an der Schottkykontaktfläche infolge der Einbringung der p-dotierten Gebiete in den sonst n-dotierten Halbleiterkörper können so Schottkydioden mit höherer Dotierung ausgelegt werden, was die Vorwärtsspannung vermindert.
  • Ein zusätzlicher Vorteil dieser p-dotierten Gebiete liegt bei geeigneter Dimensionierung darin, dass bei höheren Stromdichten eines durch die Schottkydiode fließenden Stromes die p-dotierten Gebiete Ladungsträger injizieren und so für einen deutlich geringeren Spannungsabfall sorgen. Die Stromdichte für dieses ”Zünden” der Injektion wird im Allgemeinen so hoch ausgelegt, dass die Diode bei Nennstrom nur als Schottkydiode arbeitet und eine bipolare Leitung infolge der Injektion erst bei Überströmen einsetzt, beispielsweise bei doppeltem Nennstrom.
  • Der Zündstrom für die bipolare Injektion ist in erster Näherung proportional zur n-Dotierungskonzentration im Halbleiterkörper und umgekehrt proportional zum Mindestabstand von der Mitte des p-dotierten Gebietes bis zum nächstgelegenen n-dotierten Gebiet, das heißt umgekehrt proportional zur Mindesterstreckung der p-dotierten Gebiete. Dies bedeutet, dass bei höheren n-Dotierungskonzentrationen für die Absenkung der Vorwärtsspannung die p-dotierten Gebiete breiter gemacht werden müssen. Um nämlich einen Abschirmeffekt des elektrischen Feldes an der Oberfläche zu erreichen, muss bei höherer n-Dotierungskonzentration der Abstand der p-dotierten Gebiete entsprechend verringert werden, damit an allen Stellen des Schottkykontaktes der gewünschte Effekt erzielt wird.
  • Eine höhere Dotierungskonzentration des n-dotierten Halbleiterkörpers bedeutet also, dass die p-dotierten Gebiete größer werden und näher zusammenrücken müssen. Dies führt wiederum zu einem beträchtlichen Flächenverlust des aktiven Schottkyteiles der Diode und damit zu einem starken Ansteigung der Vorwärtsspannung.
  • Insgesamt ist es also für kleinere Sperrspannungen kaum möglich, eine geeignete Dimensionierung von Schottkydioden zu finden, welche bei gutem Abschirmeffekt und hoher Überstromfestigkeit gleichzeitig auch eine niedrige Vorwärtsspannung liefert. Bisher wurde eine Lösung dieses Problems nicht gefunden und auch nicht für möglich gehalten, so dass es als solches hingenommen wurde.
  • Im einzelnen ist noch aus der WO 00/74130 A1 eine Schottky-Diodenvorrichtung mit verringertem Leckstrom bekannt, bei der in eine Schottky-Kontaktfläche p-leitende Gebiete eingelagert sind. Am Rand der Schottky-Kontaktfläche ist ein p-dotierter ringförmiger Bereich vorgesehen, der eine größere Abmessung als die eingelagerten Gebiete hat. Für die eingelagerten Gebiete sind Breiten von beispielsweise 0,2–0,5 μm angegeben.
  • Weiterhin beschreibt die WO 01/22498 A1 eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit einem Schottky-Kontakt, bei der p+-leitende Gebiete in eine Schottky-Kontaktfläche eingebettet sind. Diese Schottky-Kontaktfläche ist von einem p–-leitenden Schutzring umgeben, der eine größere Abmessung aufweist als die eingebetteten Gebiete, die teilweise zusammenhängend gestaltet sein können.
  • Schließlich ist aus der bereits erwähnten US 4,982,260 A ein Gleichrichter-Bauelement mit einem Halbleiterkörper des einen Leitungstyps (hier n-leitend), einer auf dem Halbleiterkörper vorgesehenen Schottkykontakt-Metallschicht und mehreren im Halbleiterkörper unterhalb der Schottky-Metallschicht gelegenen und wenigstens teilweise an die Schottkykontakt-Metallschicht angrenzenden Gebieten des anderen Leitungstyps (hier p-leitend) bekannt, wobei der Mindestabstand von der Mitte wenigstens eines der Gebiete des anderen Leitungstyps bis zu einem Bereich des einen Leitungstyps im Halbleiterkörper wesentlich größer ist als der entsprechende Mindestabstand bei übrigen Gebieten des anderen Leitungstyps. Dabei ist die Mitte des wenigstens einen Gebiets im Wesentlichen in einem Mittenbereich der Schottkydiode gelegen. Als Vorteil dieses Gleichrichter-Bauelements ist angegeben, dass es bei hohen Spannungen als bipolarer Gleichrichter arbeitet.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Schottky-Diode zu schaffen, die sich durch eine hohe Überstromfestigkeit und gleichzeitig eine niedrige Vorwärtsspannung auszeichnet.
  • Diese Aufgabe wird bei einer Schottkydiode der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass der Mindestabstand so gewählt ist, dass durch das wenigstens eine Gebiet die Erzeugung eines bipolaren Injektionsstromes bewirkt wird, und dass die Gebiete des anderen Leitungstyps wenigstens teilweise zusammenhängend gestaltet sind.
  • In bevorzugter Weise ist der eine Leitungstyp der n-Leitungstyp, so dass der andere Leitungstyp, also der Leitungstyp der im Halbleiterkörper gelegenen und an den Schottkykontakt angrenzenden Gebiete der p-Leitungstyp ist. Die Leitungstypen können grundsätzlich aber auch jeweils umgekehrt sein.
  • Der Halbleiterkörper besteht in bevorzugter Weise aus SiC. Die Erfindung ist aber keinesfalls hierauf beschränkt. Vielmehr kann der Halbleiterkörper auch aus einem anderen geeigneten Halbleitermaterial, wie beispielsweise Silizium, Verbindungshalbleiter usw. bestehen.
  • Im Folgenden soll aber davon ausgegangen werden, dass der Halbleiterkörper aus SiC besteht und n-dotiert ist. Das heißt, p-dotierte Gebiete sind in den an den Schottkykontakt angrenzenden Oberflächenbereich des Halbleiterkörpers bzw. der Driftstrecke der Diode eingebettet.
  • Bei der erfindungsgemäßen Schottkydiode ist der Zündbereich für die Steigerung der Überstromfestigkeit auf einen kleinen Teil der Diodenfläche beschränkt, so dass ein großer Flächenverlust für den aktiven Schottkyteil der Diode vermieden und ein starkes Ansteigen der Vorwärtsspannung verhindert wird. Indem die p-dotierten Gebiete wenigstens teilweise zusammenhängend gestaltet werden, kann für eine rasche Ausbreitung der Zündung gesorgt werden. Damit lässt sich eine besonders deutliche Reduzierung der Vorwärtsspannung in sehr einfacher Weise mit einer großen Überstromfestigkeit kombinieren.
  • Ein wesentlich größerer Mindestabstand für das wenigstens eine p-dotierte Gebiet als die Mindestabstände der übrigen p-dotierten Gebiete lässt sich in einfacher Weise dadurch erzielen, dass das wenigstens eine p-dotierte Gebiet mit einer größeren Fläche als die jeweiligen Flächen der übrigen p-dotierten Gebiete versehen ist.
  • Unter ”wesentlich größer” ist ein vorzugsweise um wenigstens einen Faktor 1,5 größerer Abstand bzw. eine um den gleichen Faktor größere Erstreckung zu verstehen. Dieser Faktor kann in der Praxis tatsächlich aber auch wesentlich höhere Werte, beispielsweise 10 oder 20 und darüber annehmen. Er kann aber gegebenenfalls auch kleiner sein.
  • Die Anzahl der Gebiete mit einem größeren Mindestabstand beträgt wenigstens Eins. Es können aber auch mehrere Gebiete mit größerem Mindestabstand vorgesehen werden, beispielsweise 5, 10 oder 20 derartige Gebiete.
  • Bei einer streifenförmigen Struktur der eingebetteten p-dotierten Gebiete können diese mit unterschiedlicher Breite ausgelegt werden. Es ist dann beispielsweise möglich, dass jeweils zwei schmale streifenförmige Gebiete und ein breites streifenförmiges Gebiet einander abwechseln. Es ist aber auch möglich, nur ein breites streifenförmiges Gebiet als Zündfläche einzubauen. Die schmalen streifenförmigen Gebiete können dabei eine so geringe Breite haben, wie es die jeweils angewandte Technologie zulässt.
  • Der Abstand zwischen den übrigen p-dotierten Gebieten, also bei einer streifenförmigen Struktur der Abstand zwischen den schmalen p-dotierten Gebieten, wird so gewählt, dass an der Oberfläche eine Abschirmung des elektrischen Feldes erfolgt. Der Mindestabstand für das wenigstens eine p-dotierte Gebiet, also bei einer streifenförmigen Struktur die halbe Breite der Zündfläche, kann dann unabhängig von der Dimensionierung der schmalen streifenförmigen p-dotierten Gebiete so ausgelegt werden, dass eine Zündung oberhalb des Nennstromes eintritt.
  • Wie bereits oben erwähnt wurde, ist es für eine Ausbreitung der Zündung sehr vorteilhaft, wenn die p-dotierten Gebiete zusammenhängend gestaltet sind, da dann die Stromausbreitung über das zusammenhängende p-dotierte Gebiet deutlich schneller erfolgt als bei nicht zusammenhängenden Gebieten. Wird am Rand der Schottkydiode ein ringförmiges p-dotiertes Gebiet eingebaut, kann auf diese Weise für eine besonders rasche Ausbreitung der Zündung über die gesamte Diodenfläche gesorgt werden. Außerdem ist ein solches Gebiet im Hinblick auf Randeffekte vorteilhaft. Der Rand sollte bei in einen n-leitenden Halbleiterkörper eingebrachten p-leitenden Gebieten also p-leitend sein.
  • Da bei der erfindungsgemäßen Schottkydiode die Zündfläche nur einen geringen Teil der Diode einnimmt, wird der aktive Schottkyteil der Diode kaum beeinträchtigt. Diese Beeinträchtigung ist jedenfalls nicht größer als sie bereits durch den Abschirmeffekt und die kleinste mögliche Geometrie ohnehin vorgegeben ist.
  • Der Schottkykontakt kann zusammenhängend oder unterbrochen gestaltet sein. Bei unterbrochener Gestaltung können die einzelnen Teile am Rand elektrisch zusammengeführt sein.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1A und 1B eine Schnittdarstellung (1A) bzw. eine verkleinerte Draufsicht (1B; ohne Isolierschicht und Schottkykontakt) auf eine Schottkydiode nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
  • 1C eine Schnittdarstellung zur Erläuterung von zwei weiteren Ausführungsbeispielen der Erfindung mit unterbrochenem Schottkykontakt und
  • 2 bis 8 Draufsichten auf weitere Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Schottkydiode (jeweils auf den Halbleiterkörper mit den p-dotierten Gebieten).
  • 1A zeigt auf einem n-dotierten SiC-Substrat 1 eine beispielsweise epitaktisch abgeschiedene n-dotierte SiC-Schicht 2, in deren Oberflächenbereich streifenförmige p-dotierte Gebiete 4, 5 eingelagert sind. Die Breite des streifenförmigen Gebietes 5 ist dabei etwa um einen Faktor 3 größer als die Breite der streifenförmigen Gebiete 4.
  • Der Rand sollte vorzugsweise p-leitend sein. Dies kann beispielsweise durch ein zusätzliches p-leitendes Gebiet 4' erfolgen, das mit dem nächstliegenden Gebiet 4 zusammenhängen oder von diesem auch getrennt sein kann. Ebenso ist es aber auch möglich, ein Gebiet 4 direkt als Rand vorzusehen. Das Gebiet 4' kann auch stärker oder schwächer als das Gebiet 4 dotiert sein.
  • Obwohl in den 1A und 1B nur ein breites Gebiet 5 und zwei schmale Gebiete 4 vorgesehen sind, ist es selbstverständlich, dass wesentlich mehr schmale Gebiete 4 und auch mehr als ein breites Gebiet 5 vorhanden sein können.
  • Der Mindestabstand D von der Mittellinie der Gebiete 5 in horizontaler Richtung bis zum nächstliegenden n-leitenden Bereich, also die halbe Breite des Gebietes 5 ist etwa um einen Faktor 3 größer als der entsprechende Mindestabstand d des Gebietes 4. Entsprechend ist die Mindesterstreckung des Gebietes 5, also dessen Breite, bei diesem Ausführungsbeispiel etwa um einen Faktor 3 größer als die Mindesterstreckung der übrigen Gebiete 4, also deren Breite. Die Mindesterstreckung bzw. Breite des Gebietes 5 ist so gewählt, dass dieses Gebiet 5 als Zündfläche wirkt und eine Zündung oberhalb des Nennstromes der Schottkydiode erfolgt.
  • In üblicher Weise hat die Schottkydiode der 1A noch eine Metallisierung 6, die einen Schottkykontakt mit der Schicht 2 bildet (vgl. Pfeile 7), eine Isolierschicht 8 aus beispielsweise Siliziumdioxid, um die Schottkymetallisierung und eine Gegenelektrode 9 auf dem Substrat 1.
  • Für die Gegenelektrode 9 kann beispielsweise Nickel gewählt werden, während die Metallisierung 6 aus beispielsweise Titan besteht. Es sind aber auch andere Materialien möglich, wie z. B. Gold oder Platin für die Metallisierung 6 und Aluminium für die Gegenelektrode 9.
  • 1C zeigt in der linken Hälfte ein Ausführungsbeispiel einer Schottkydiode, bei der das ”breite” Gebiet in der Mitte liegt und der Rand durch ein schmales Gebiet 4 gebildet wird, während in der rechten Hälfte ein Ausführungsbeispiel dargestellt ist, bei dem das breite Gebiet 5 am Rand vorgesehen ist und der Seitenbereich durch schmale Gebiete 4 eingenommen wird (Symmetrieachse ist jeweils die Strichpunktlinie). In beiden Ausführungsbeispielen der 1C ist die Metallisierung 6 unterbrochen, so dass Metallisierungen 6' für die Gebiete 4, 5 und Metallisierungen E'' für die Schottkykontakte vorliegen. Für die Metallisierungen 6' und 6'' können gegebenenfalls unterschiedliche Materialien verwendet werden. Die Metallisierung 6'' besteht wie die Metallisierung 6 vorzugsweise aus Titan. Die Metallisierungen 6' und 6'' sind beispielsweise am Rand elektrisch zusammengeführt.
  • Während die 1A bis 1C Ausführungsbeispiele zeigen, bei denen die Gebiete 4, 5 nicht zusammenhängen, ist in 2 ein Ausführungsbeispiel mit zusammenhängenden Gebieten 4, 5 dargestellt: Dort sind zahlreiche schmale p-dotierte Gebiete 4 in den n-dotierten Halbleiterkörper 2 eingebettet, wobei der gesamte Rand p-dotiert ist. Ein Gebiet 5 mit größerer Mindesterstreckung ist quadratisch oder rechteckförmig und liegt im Wesentlichen in einem Mittenbereich der Diode. In diesem Gebiet 5 hängen hier insgesamt vier Streifen 4 direkt zusammen.
  • Das Gebiet 5 kann jede beliebige Gestalt annehmen. Beispielsweise kann es, wie in 3 dargestellt ist, auch im Wesentlichen rund sein. Selbstverständlich ist es auch möglich, dass mehrere derartige Gebiete 5 vorhanden sind. Ein Beispiel hierfür ist in 4 dargestellt. Bei dem Ausführungsbeispiel von 4 dehnen sich die Gebiete 5 nicht bis zum Rand aus. Vielmehr wird der Rand hier durch ein gesondertes p-leitendes Gebiet 4 gebildet.
  • 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schottkydiode, bei dem sich schmale streifenförmige Gebiete 4 beidseitig von einem großen Gebiet 5 kammartig erstrecken. Auch beim Ausführungsbeispiel der 5 wird wie beim Ausführungsbeispiel der 4 der Rand durch ein gesondertes p-leitendes Gebiet 4' gebildet.
  • Während in den Ausführungsbeispielen der 2 bis 5 die Gebiete 4, 5 zusammenhängend gestaltet sind, zeigt 6 ein zu 1 ähnliches Ausführungsbeispiel: Hier wechseln jeweils zwei schmale streifenförmige Gebiete 4 und ein breites streifenförmiges Gebiet 5 einander in der Schicht 2 ab, wobei die Gebiete 4, 5 nicht zusammenhängen. Der Rand wird wieder durch ein p-leitendes Gebiet 4' gebildet.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel mit nicht zusammenhängenden Gebieten 4, 5 ist in 7 gezeigt: dort sind wenige große quadratische Gebiete 5 jeweils als Zündfläche vorgesehen, während die Gebiete 4 wesentlich kleiner sind und den übrigen Teil der Oberfläche der Schicht 2 einnehmen. Auch hier ist als Rand ein p-leitendes Gebiet 4' vorgesehen.
  • 8 zeigt noch ein letztes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem das Gebiet 5 den Rand bildet und eine sägezahnförmige Struktur hat. Innerhalb des Gebietes 5 sind hier zahlreiche kleine Gebiete 4 vorgesehen.

Claims (15)

  1. Schottkydiode mit einem Halbleiterkörper (1, 2) des einen Leitungstyps, einem auf dem Halbleiterkörper (1, 2) vorgesehenen Schottkykontakt (6) und mehreren im Halbleiterkörper (1, 2) unterhalb des Schottkykontaktes (6) gelegenen und wenigstens teilweise an den Schottkykontakt (6) angrenzenden Gebieten (4, 5) des anderen Leitungstyps, wobei der Mindestabstand (D) von der Mitte wenigstens eines der Gebiete (5) des anderen Leitungstyps bis zu einem Bereich des einen Leitungstyps im Halbleiterkörper (1, 2) wesentlich größer ist als der entsprechende Mindestabstand (d) bei übrigen Gebieten (4) des anderen Leitungstyps, dadurch gekennzeichnet, dass der Mindestabstand so gewählt ist, dass durch das wenigstens eine Gebiet (5) die Erzeugung eines bipolaren Injektionsstromes bewirkt wird, und dass die Gebiete (4, 5) des anderen Leitungstyps wenigstens teilweise zusammenhängend gestaltet sind.
  2. Schottkydiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Gebiet (5) des anderen Leitungstyps mit einer größeren Fläche als die jeweiligen Flächen der übrigen Gebiete (4) des anderen Leitungstyps versehen ist.
  3. Schottkydiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Mitte des wenigstens einen Gebiets (5) im Wesentlichen in einem Mittenbereich der Schottkydiode gelegen ist.
  4. Schottkydiode nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gebiete (4, 5) des anderen Leitungstyps wenigstens teilweise streifenförmig gestaltet sind und mindestens zwei streifenförmige Gebiete über das wenigstens eine Gebiet (5) miteinander verbunden sind.
  5. Schottkydiode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Gebiet (5) des anderen Leitungstyps rechteckförmig, quadratisch, rund oder oval ist.
  6. Schottkydiode nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass am Rand des Schottkykontaktes (6) ein ringförmiges Gebiet (4, 4') des anderen Leitungstyps vorgesehen ist.
  7. Schottkydiode nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Gebiet (5) des anderen Leitungstyps am Rand des Schottkykontaktes (6) vorgesehen und sägezahnförmig gestaltet ist.
  8. Schottkydiode nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die übrigen Gebiete (4) des anderen Leitungstyps in den vom wenigstens einen Gebiet (5) des anderen Leitungstyps umschlossenen Bereich eingelagert sind.
  9. Schottkydiode nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Gebiete (4, 5) des anderen Leitungstyps rechteckförmig oder quadratisch oder rund sind und das wenigstens eine Gebiet (5) eine größere Fläche als die übrigen Gebiete aufweist.
  10. Schottkydiode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die streifenförmigen Gebiete (4) des anderen Leitungstyps kammartig von dem wenigstens einen Gebiet (5) des anderen Leitungstyps ausgehen.
  11. Schottkydiode nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Schottkykontakt (6', 6'') unterbrochen ist.
  12. Schottkydiode nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Schottkykontakt aus Titan besteht
  13. Schottkydiode nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass eine Gegenelektrode (9) aus Nickel besteht.
  14. Schottkydiode nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der eine Leitungstyp der n-Leitungstyp ist.
  15. Schottkydiode nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (1, 2) aus Si oder SiC besteht.
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