DE10214129C1 - Finishing rounded edges of semiconductor disc using drum carrying polishing cloth, displaces return points towards center of polishing cloth - Google Patents
Finishing rounded edges of semiconductor disc using drum carrying polishing cloth, displaces return points towards center of polishing clothInfo
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Abstract
Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Politur der Kan te einer Halbleiterscheibe nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to a method for polishing the Kan te a semiconductor wafer according to the preamble of claim 1.
Ein derartiges Verfahren ist aus US 6159081 A bekannt.Such a method is known from US 6159081 A.
Die unbehandelte Kante einer von einem Einkristall abgetrennten Halbleiterscheibe hat eine vergleichsweise raue und uneinheit liche Oberfläche. Sie bricht bei mechanischer Belastung häufig aus und ist eine Quelle störender Partikel. Es ist daher üb lich, die Kante zu glätten und ihr ein bestimmtes Profil zu ge ben. Dies geschieht durch eine materialabtragende Bearbeitung der Kante mit einem geeigneten Bearbeitungswerkzeug. Dieser Vorgang wird im Allgemeinen als Kantenverrundung bezeichnet.The untreated edge of one separated from a single crystal Semiconductor wafer has a comparatively rough and uneven surface. It often breaks under mechanical stress and is a source of disruptive particles. It is therefore over to smooth the edge and give it a certain profile ben. This is done by material-removing processing the edge with a suitable processing tool. This The process is generally referred to as edge rounding.
In der Regel wird die Kante nach der Verrundung in einem weite ren Arbeitsschritt poliert. Verfahren und Vorrichtungen zur Kantenpolitur von scheibenförmigen Werkstücken sind beispiels weise in US 6159081 A, US 6257954 B1, EP 1000703 A2 oder WO 02/05337 A1 beschrieben. Dabei wird die schräg gestellte Halbleiterscheibe, die auf einem Scheibenhalter ("Chuck") aufgespannt ist, mit ih rer Kante auf eine in der Regel um eine vertikale Achse rotie rende, mit einem weichen Poliertuch beklebte Poliertrommel ge presst. Dabei rotiert auch die Halbleiterscheibe um ihre Achse, sodass zunächst eine Seite (Vorder- oder Rückseite) der Schei benkante poliert wird. Danach wird die Halbleiterscheibe, in der Regel verbunden mit einer Umspannung auf einen zweiten Chuck, um einen vorbestimmten Winkel gekippt, sodass die zweite Seite (Rück- oder Vorderseite) der Scheibenkante poliert werden kann. Eine zur Durchführung dieses Verfahrens geeignete Vor richtung ist beispielsweise in DE 40 31 163 C2 beschrieben.As a rule, the edge becomes wide after the fillet polished work step. Methods and devices for Edge polishing of disc-shaped workpieces are an example as in US 6159081 A, US 6257954 B1, EP 1000703 A2 or WO 02/05337 A1 described. The slanted semiconductor wafer, which is clamped on a disc holder ("Chuck") with it The edge on a usually rotate around a vertical axis Rende polishing drum stuck with a soft polishing cloth pressed. The semiconductor wafer also rotates about its axis, so that one side (front or back) of the Schei edge is polished. Then the semiconductor wafer, in usually combined with a switch to a second Chuck tilted through a predetermined angle so that the second Side (back or front) of the edge of the pane can be polished can. A suitable one for performing this procedure Direction is described for example in DE 40 31 163 C2.
Die mit Poliertuch beklebte Poliertrommel wird gemäß dem Stand der Technik zwischen einem festen oberen und einem festen unte ren Umkehrpunkt sensorgesteuert auf- und ab bewegt, um beim Po lieren keine Rillen im Poliertuch zu erzeugen. Die Zeitspanne, die die Poliertrommel von einem zum anderen Umkehrpunkt benö tigt, beträgt typischerweise zwischen 30 s und 10 min. Da die Umkehrpunkte so gewählt sind, dass der unmittelbare Randbereich des Poliertuchs nicht genutzt wird, entsteht oben und unten ein nicht benutzter Bereich auf dem Poliertuch, der sich mit zuneh mender Abnutzung des Poliertuchs immer deutlicher als Stufe abzeichnet. Durch die Schrägstellung der Halbleiterscheibe während des Polierens kann dies in Verbindung mit dicken Poliertüchern bzw. hohen Po lierdrücken am oberen und unteren Umkehrpunkt des Poliertuchs zu einem als "Overpolish" bezeichneten Effekt führen. Durch die entstandene Stufe im Poliertuch wird auch der Randbereich der Vorder- oder Rückseite der Halbleiterscheibe - und nicht nur die Scheibenkante - poliert. Die polierten Stellen im Randbe reich der Scheibenfläche bezeichnet man als "Overpolish". Halb leiterscheiben, die Overpolish, insbesondere auf der Scheiben rückseite, zeigen, sind in der Regel nicht zur Herstellung e lektronischer Bauelemente geeignet und daher Ausschuss.The polishing drum stuck with the polishing cloth is made according to the status the technology between a fixed upper and a fixed lower Ren reversal point sensor-controlled moves up and down to the Po not to create grooves in the polishing cloth. The timespan, which the polishing drum needs from one reversal point to another typically takes between 30 s and 10 min. Since the Reversal points are chosen so that the immediate edge area of the polishing cloth is not used, a arises at the top and bottom unused area on the polishing cloth, which increases with wear and tear of the polishing cloth becomes more and more apparent as a step. By the inclination of the semiconductor wafer during polishing can do this in connection with thick polishing cloths or high buttocks Press at the upper and lower turning point of the polishing cloth lead to an effect called "overpolish". Through the The step created in the polishing cloth also becomes the edge area of the Front or back of the semiconductor wafer - and not only the edge of the pane - polished. The polished spots in the edge Rich of the disc area is called "overpolish". half conductor disks, the overpolish, especially on the disks back, show, are usually not for making e suitable electronic components and therefore rejects.
Es bestand daher die Aufgabe, diesen als Overpolish bezeichne ten Effekt bei der Politur der Kante einer Halbleiterscheibe zumindest auf der Scheibenrückseite zu vermeiden.It was therefore the task to call this overpolish effect when polishing the edge of a semiconductor wafer to avoid at least on the back of the pane.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Polieren der Kante einer Halbleiterscheibe (W) mit Hilfe einer um ihre Achse (AT) rotierenden mit Poliertuch (P) bespannten Poliertrommel (T), wobei die schräg gestellte, auf einem Scheibenhalter fi xierte Halbleiterscheibe um ihre Achse (AW) rotiert und dabei mit ihrer Kante gegen das Poliertuch gepresst wird, und wobei eine oszillierende Relativbewegung zwischen Poliertrommel und Halbleiterscheibe in der Richtung der Achse der Poliertrommel zwischen einem vorgegebenen ersten (U1) und einem vorgegebenen zweiten Umkehrpunkt (U2) ausgeführt wird, dadurch gekennzeich net, dass zumindest einer der Umkehrpunkte im Verlauf der Le bensdauer des Poliertuchs in Richtung der Mitte des Poliertuchs verschoben wird.The object is achieved by a method for polishing the edge of a semiconductor wafer (W) by means of a rotating about its axis (A T) covered with polishing cloth (P) polishing drum (T), wherein the inclined, on a wafer holder fi xed semiconductor wafer to its axis (A W ) rotates and its edge is pressed against the polishing cloth, and an oscillating relative movement between the polishing drum and the semiconductor wafer in the direction of the axis of the polishing drum between a predetermined first (U 1 ) and a predetermined second reversal point (U 2 ) is carried out, characterized in that at least one of the reversal points is shifted towards the center of the polishing cloth in the course of the service life of the polishing cloth.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, dass durch die Verschiebung des Umkehrpunkts vom Rand des Poliertuchs weg hin zur Mitte des Poliertuchs die sich ausbildende Stufe im Polier tuch nicht mehr von der Halbleiterscheibe berührt wird. Dadurch wird ein Overpolish auf der Scheibenseite, die zum verschobenen Umkehrpunkt gerichtet ist, wirkungsvoll vermieden.The inventive method has the advantage that Moving the turning point away from the edge of the polishing cloth to the center of the polishing cloth is the step in the polishing process cloth is no longer touched by the semiconductor wafer. Thereby becomes an overpolish on the side of the pane that is shifted Reversal point is effectively avoided.
Im Folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand von Fi guren näher erläutert:The method according to the invention is described below with reference to FIG guren explained in more detail:
Fig. 1 stellt eine Vorrichtung zum Polieren der Kante einer Halbleiterscheibe dar, deren Poliertrommel mit einem neuen Po liertuch beklebt ist. Fig. 1 shows a device for polishing the edge of a semiconductor wafer, the polishing drum is lined with a new po lishing cloth.
Fig. 2 stellt dieselbe Vorrichtung dar, jedoch mit abgenutztem Poliertuch. Fig. 2 shows the same device, but with a worn polishing cloth.
Fig. 1 zeigt eine standardmäßig zum Polieren der Kanten von Halbleiterscheiben verwendete Anordnung. Eine vertikal angeord nete Poliertrommel T rotiert um ihre vertikale Achse AT. Die Trommel ist mit einem neuen, nicht abgenutzten Poliertuch P be klebt. Eine um einen Winkel α aus der Horizontalen gekippte Halbleiterscheibe (Wafer) W rotiert ebenfalls um seine Achse AW. Dabei wird ein Bereich seiner verrundeten Kante gegen das Poliertuch gepresst. Während der Politur wird eine oszillieren de Relativbewegung zwischen Halbleiterscheibe und Poliertrommel ausgeführt, und zwar in Richtung der Achse AT der Poliertrom mel. Die Relativbewegung ist begrenzt durch den oberen Umkehr punkt U1 und den unteren Umkehrpunkt U2. Auf der Figur sind bei spielhaft zwei gleichartige, gegenüberliegende Scheibenhalter dargestellt. Das erfindungsgemäße Verfahren kann jedoch mit Kantenpoliervorrichtungen mit beliebig vielen Scheibenhaltern, die nacheinander oder gleichzeitig zugestellt werden, betrieben werden. Gebräuchlich sind bislang Kantenpoliervorrichtungen mit ein bis fünf Scheibenhaltern, siehe beispielsweise DE 40 31 163 C2. Fig. 1 shows an arrangement used by default for polishing the edges of semiconductor wafers. A vertically angeord designated polishing drum T rotates about its vertical axis A T. The drum is glued with a new, not worn polishing cloth P. A semiconductor wafer (wafer) W tilted out of the horizontal by an angle α likewise rotates about its axis A W. An area of its rounded edge is pressed against the polishing cloth. During polishing a de oscillate relative motion between the semiconductor wafer and polishing drum is executed, and in the direction of the axis A of the T Poliertrom mel. The relative movement is limited by the upper reversal point U 1 and the lower reversal point U 2 . In the figure, two identical, opposite disc holders are shown at playful. However, the method according to the invention can be operated with edge polishing devices with any number of disk holders that are fed in succession or simultaneously. Up to now, edge polishing devices with one to five disc holders have been used, see for example DE 40 31 163 C2.
Fig. 2 stellt dieselbe Vorrichtung dar, allerdings mit abge nutztem Poliertuch. Das abgenutzte Poliertuch zeigt an den Um kehrpunkten U1 und U2 jeweils eine Stufe zum nicht benutzten Randbereich des Poliertuchs. Die Figur zeigt eine Situation, bei der sich die Halbleiterscheibe genau am oberen Umkehrpunkt U1 der oszillierenden Relativbewegung befindet. Die an diesem Punkt durch die Abnutzung des Poliertuchs ausgebildete Stufe führt nach dem Stand der Technik dazu, dass die obere Scheiben fläche im Randbereich R mitpoliert wird. Dieser Effekt wird, wie bereits beschrieben, als Overpolish bezeichnet. Fig. 2 shows the same device, but with abge used polishing cloth. The worn polishing cloth shows a step to the unused edge area of the polishing cloth at the reversal points U 1 and U 2 . The figure shows a situation in which the semiconductor wafer is located exactly at the upper reversal point U 1 of the oscillating relative movement. The step formed at this point by the wear of the polishing cloth leads according to the prior art to the fact that the upper pane surface is also polished in the edge region R. As already described, this effect is referred to as overpolish.
Erfindungsgemäß wird nun bei der in den Fig. 1 und 2 gezeig ten Anordnung, bei der die Halbleiterscheibe um einen positiven Winkel α gekippt ist, zumindest der obere Umkehrpunkt U1 im Laufe der Lebensdauer des Poliertuchs kontinuierlich oder schrittweise vom Poliertuchrand weg Richtung Mitte des Polier tuchs verschoben. Damit berührt die Halbleiterscheibe nicht die sich ausbildende Stufe im Poliertuch, sodass ein Overpolish vermieden wird. Wird eine Anordnung verwendet, bei der die Halbleiterscheibe entgegengesetzt, also um einen negativen Win kel α gekippt ist, muss entsprechend zumindest der untere Um kehrpunkt Richtung Tuchmitte verschoben werden. Generell muss immer zumindest der Umkehrpunkt Richtung Tuchmitte verschoben werden, an dem aufgrund der Anordnung ein Overpolish auftreten kann. Im Verlauf der Lebensdauer des Poliertuchs wird der Um kehrpunkt insgesamt vorzugsweise um 2 bis 20 mm verschoben.According to the invention, in the arrangement shown in FIGS . 1 and 2, in which the semiconductor wafer is tilted by a positive angle α, at least the upper reversal point U 1 in the course of the service life of the polishing cloth is continuously or step-wise away from the polishing cloth edge in the direction of the center of the polishing cloth shifted. This means that the semiconductor wafer does not touch the developing step in the polishing cloth, so that an overpolish is avoided. If an arrangement is used in which the semiconductor wafer is opposite, that is to say tilted by a negative angle α, at least the lower reversal point must accordingly be shifted towards the center of the cloth. In general, at least the reversal point must always be shifted towards the center of the fabric, where an overpolish can occur due to the arrangement. In the course of the service life of the polishing cloth, the reversal point is preferably shifted overall by 2 to 20 mm.
Die Verschiebung des Umkehrpunkts der oszillierenden Relativbe wegung zwischen Poliertrommel und Halbleiterscheibe erfolgt entweder kontinuierlich oder schrittweise. Eine kontinuierliche Verschiebung bedeutet, dass der Umkehrpunkt bei jeder Oszilla tion um eine sehr kleine Strecke Richtung Poliertuchmitte ver schoben wird, beispielsweise unter Verwendung eines Schrittmo tors. Dies ist nicht mit allen Gerätesteuerungen durchführbar.The shift of the reversal point of the oscillating relative movement between the polishing drum and the semiconductor wafer either continuously or gradually. A continuous one Shift means that the turning point at every oszilla a very short distance towards the center of the polishing cloth is pushed, for example using a step motor tors. This cannot be carried out with all device controls.
Deshalb ist es bevorzugt, den Umkehrpunkt schrittweise zu ver schieben, beispielsweise nach einer vorbestimmten Anzahl von Polierfahrten. Beginnend mit einem neuen Poliertuch werden so eine vorbestimmte Anzahl von Halbleiterscheiben herkömmlich be arbeitet. Danach wird zumindest der für das Overpolish kriti sche Umkehrpunkt (bei der Anordnung von Fig. 2 also der obere Umkehrpunkt U1) um eine vorbestimmte Strecke zur Poliertuchmit te hin verschoben. Der Zeitpunkt der Verschiebung wird zweckmä ßigerweise so gewählt, dass bis zu diesem Zeitpunkt kein Over polish an der Scheibenfläche auftritt. Die Strecke, um die der Umkehrpunkt verschoben wird, wird so groß gewählt, dass nach der Verschiebung die am ursprünglichen Umkehrpunkt ausgebildete (kleine) Stufe auch im weiteren Verlauf, d. h. bei einer weite ren Abnutzung des Poliertuchs, nicht mehr zu einem Overpolish führen kann. Zeitpunkt und Größe der Verschiebung des Umkehr punkts werden in Abhängigkeit von den Polierbedingungen (z. B. Anpressdruck der Halbleiterscheibe, Dicke und Beschaffenheit des Poliertuchs) und der Beschaffenheit der Scheibenkante (z. B. Rauhigkeit) gewählt.Therefore, it is preferred to gradually shift the reversal point, for example after a predetermined number of polishing runs. Starting with a new polishing cloth, a predetermined number of wafers are conventionally processed. Thereafter, at least the critical for the overpolish reversal point (in the arrangement of FIG. 2, therefore, the upper reversal point U 1 ) is shifted by a predetermined distance toward the polishing cloth center. The point in time of the shift is expediently chosen such that no overpolish occurs on the pane surface by this point in time. The distance by which the reversal point is shifted is chosen so large that after the shift, the (small) step formed at the original reversal point can no longer lead to an overpolish even in the further course, ie if the polishing cloth is worn further. The time and size of the shift of the reversal point are selected depending on the polishing conditions (e.g. contact pressure of the semiconductor wafer, thickness and nature of the polishing cloth) and the nature of the edge of the wafer (e.g. roughness).
Bevorzugt wird der Umkehrpunkt nach jeweils 1 bis 1000 polier ten Halbleiterscheiben (Polierfahrten) um 1 µm bis 5 mm Rich tung Poliertuchmitte verschoben. Besonders bevorzugt ist eine Verschiebung nach 100 bis 600 Polierfahrten um eine Strecke von 0,5 bis 2 mm. Nimmt man beispielsweise eine Lebensdauer des Po liertuchs (Poliertuchstandzeit) von 1300 Polierfahrten an und wird der Umkehrpunkt nach jeweils 300 Polierfahrten um 1 mm Richtung Poliertuchmitte verschoben, so sind insgesamt vier Verschiebungen nötig. Der Umkehrpunkt wird während der Lebens dauer des Poliertuchs in diesem Fall um insgesamt 4 mm verscho ben. Nach einem Wechsel des Poliertuchs bzw. der Poliertrommel wird der Umkehrpunkt vorzugsweise wieder in seine ursprüngliche Ausgangslage zurückgesetzt.The turning point is preferably polished every 1 to 1000 th semiconductor wafers (polishing runs) by 1 µm to 5 mm Rich the polishing cloth shifted. One is particularly preferred Shift after 100 to 600 polishing runs by a distance of 0.5 to 2 mm. Take, for example, a lifetime of the bottom polishing cloth (polishing cloth service life) from 1300 polishing runs on and becomes the turning point after every 300 polishing runs by 1 mm Moved towards the center of the polishing cloth, there are a total of four Shifts necessary. The turning point is during life In this case, the polishing cloth is shifted by a total of 4 mm ben. After changing the polishing cloth or the polishing drum the reversal point is preferably returned to its original Starting position reset.
In bestimmten Fällen kann auch eine Verschiebung des zweiten Umkehrpunkts sinnvoll sein.In certain cases, the second may also be postponed Reversal point make sense.
Vorzugsweise geschieht die Verschiebung des Umkehrpunkts bzw. der Umkehrpunkte automatisch durch die Maschinensteuerung bzw. die Steuerungssoftware.Preferably, the reversal point or the reversal points automatically by the machine control or the control software.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung beinhaltet ein
Verfahren, das durch folgende Schritte gekennzeichnet ist:
A preferred embodiment of the invention includes a method which is characterized by the following steps:
- a) Politur der Scheibenkante im Bereich der Scheibenvordersei te, wobei die um einen Winkel (α) im Bereich zwischen 10 und 80° schräg gestellte, auf einem ersten Scheibenhalter fixierte Halbleiterscheibe um ihre Achse (AW) rotiert und dabei mit ih rer Kante gegen das Poliertuch gepresst wird, und wobei eine oszillierende Relativbewegung zwischen Poliertrommel und Halb leiterscheibe in der Richtung der Achse der Poliertrommel zwi schen einem vorgegebenen ersten (oberen) und einem vorgegebenen zweiten (unteren) Umkehrpunkt ausgeführt wird,a) polishing the edge of the wafer in the area of the front of the wafer, the semiconductor wafer, which is inclined at an angle (α) in the range between 10 and 80 ° and is fixed on a first wafer holder, rotates about its axis (A W ) and thereby with its edge against the polishing cloth is pressed, and an oscillating relative movement between the polishing drum and the semiconductor wafer in the direction of the axis of the polishing drum is carried out between a predetermined first (upper) and a predetermined second (lower) reversal point,
- b) Übernahme der Halbleiterscheibe durch einen zweiten Schei benhalter, der im Wesentlichen parallel zum ersten Scheibenhal ter angeordnet ist, wobei die Halbleiterscheibe um 180° gewen det wird,b) Takeover of the semiconductor wafer by a second wafer benhalter, which is essentially parallel to the first disc neck ter is arranged, wherein the semiconductor wafer by 180 ° det is
- c) Politur der Scheibenkante im Bereich der Scheibenrückseite, wobei die um denselben Winkel (α) schräg gestellte, auf einem zweiten Scheibenhalter fixierte Halbleiterscheibe um ihre Achse (AW) rotiert und dabei mit ihrer Kante gegen das Poliertuch ge presst wird, und wobei eine oszillierende Relativbewegung zwi schen Poliertrommel und Halbleiterscheibe in der Richtung der Achse der Poliertrommel zwischen einem vorgegebenen dritten (o beren) und einem vorgegebenen vierten (unteren) Umkehrpunkt ausgeführt wird, wobei die erfindungsgemäße Verschiebung des Umkehrpunkts dadurch erreicht wird, dass der dritte Umkehrpunkt auf einer geringeren Höhe liegt als der erste Umkehrpunkt.c) polishing the edge of the wafer in the area of the rear of the wafer, the semiconductor wafer, which is inclined by the same angle (α) and fixed on a second wafer holder, rotates about its axis (A W ) and is pressed with its edge against the polishing cloth, and whereby one oscillating relative movement between the polishing drum and the semiconductor wafer in the direction of the axis of the polishing drum between a predetermined third (upper) and a predetermined fourth (lower) reversal point is carried out, the shifting of the reversal point according to the invention being achieved in that the third reversal point is at a lower level Height is the first reversal point.
Auch das vorgenannte Verfahren löst die erfindungsgemäße Aufga be, ein Overpolish auf der Rückseite der Halbleiterscheibe zu vermeiden.The aforementioned method also solves the problem according to the invention be, an overpolish on the back of the semiconductor wafer too avoid.
Kantenpoliermaschinen nach dem Stand der Technik weisen in der Regel wenigstens zwei Scheibenhalter auf, die entweder gleich zeitig oder nacheinander zur Poliertrommel zugestellt werden. Die Fig. 1 und 2 zeigen beispielhaft eine Anordnung mit zwei von Scheibenhaltern (nicht dargestellt) gehaltenen Halbleiter scheiben. Definitionsgemäß wird der erste Scheibenhalter be nutzt, um die Kante im Bereich der Scheibenvorderseite zu po lieren, wohingegen der zweite Scheibenhalter für die Politur der Kante im Bereich der Scheibenrückseite verwendet wird. Die beiden Scheibenhalter sind parallel zueinander in einem festen Abstand, d. h. beispielsweise um ca. 3 mm höhenversetzt, fi xiert. Die beiden Scheibenhalter werden gleichzeitig oder nach einander zur Poliertrommel zugestellt, um jeweils eine auf ih nen fixierte Halbleiterscheibe zu bearbeiten. Nach dem Stand der Technik ist der zweite Scheibenhalter höher positioniert als der erste Scheibenhalter. Dies hat zur Folge, dass der Ef fekt des Overpolish lediglich bei der Politur auftritt, bei der der zweite Scheibenhalter eingesetzt wird. Da der zweite Schei benhalter für die Kantenpolitur im Bereich der Scheibenrücksei te verwendet wird, tritt ein Overpolish deshalb im Randbereich der Scheibenrückseite auf. Bei der mit dem ersten Scheibenhal ter durchgeführten Kantenpolitur im Bereich der Scheibenvorder seite tritt dagegen kein Overpolish auf, da sich die dafür ver antwortliche Stufe im Poliertuch nur am höchstgelegenen oberen Umkehrpunkt, d. h. am dritten Umkehrpunkt, ausbildet.State-of-the-art edge polishing machines generally have at least two disk holders, which are fed to the polishing drum either simultaneously or in succession. Figs. 1 and 2 show an example of an arrangement with two of disc holders (not shown) held slices semiconductor. By definition, the first pane holder is used to polish the edge in the area of the pane front, whereas the second pane holder is used for polishing the edge in the area of the pane rear. The two disc holders are parallel to each other at a fixed distance, for example, offset by a height of about 3 mm, fi xed. The two wafer holders are fed to the polishing drum simultaneously or one after the other in order to process a semiconductor wafer fixed on them. According to the prior art, the second disc holder is positioned higher than the first disc holder. The result of this is that the effect of the overpolish only occurs in the polish in which the second disc holder is used. Since the second window holder is used for edge polishing in the area of the rear of the window, an overpolish therefore occurs in the edge area of the rear of the window. In contrast, in the edge polishing carried out with the first disc holder in the region of the disc front side, no overpolish occurs, since the responsible level in the polishing cloth is only formed at the highest reversal point, ie at the third reversal point.
Gemäß dieser Ausführungsform der Erfindung werden die beiden Scheibenhalter ausgetauscht, sodass der erste Scheibenhalter höher angebracht ist als der zweite Scheibenhalter. Folglich tritt ein Overpolish nunmehr auf der Scheibenvorderseite auf und nicht wie nach dem Stand der Technik auf der Scheibenrück seite. Ein Overpolish auf der Scheibenvorderseite wird durch die nachfolgende Politur der Scheibenvorderseite beseitigt und ist daher unproblematisch.According to this embodiment of the invention, the two Disc holder replaced so that the first disc holder is higher than the second disc holder. consequently an overpolish now occurs on the front of the window and not on the back of the glass as in the prior art page. An overpolish on the front of the window is caused by the subsequent polishing of the front of the pane is eliminated and is therefore not a problem.
Die Erfindung kann bei der Politur der Kante beliebiger runder, scheibenförmiger Werkstücke eingesetzt werden, bevorzugt bei der Politur der Kante von Halbleiterscheiben, besonders bevor zugt von Siliciumscheiben.The invention can be used for polishing the edge of any round, disc-shaped workpieces are used, preferably at polishing the edge of semiconductor wafers, especially before moves from silicon wafers.
Claims (6)
- a) Politur der Scheibenkante im Bereich der Scheibenvorder seite, wobei die um einen Winkel (α) im Bereich zwischen 10 und 80° schräg gestellte auf einem ersten Scheibenhalter fixierte Halbleiterscheibe (W) um ihre Achse (AW) rotiert und dabei mit ihrer Kante gegen das Poliertuch (P) gepresst wird, und wobei eine oszillierende Relativbewegung zwischen Po liertrommel (T) und Halbleiterscheibe (W) in der Richtung der Achse (AT) der Poliertrommel (T) zwischen einem vorgegebenen ersten (obe ren) und einem vorgegebenen zweiten (unteren) Umkehrpunkt (U1, U2) ausgeführt wird,
- b) Übernahme der Halbleiterscheibe (W) durch einen zweiten Scheibenhalter, der im Wesentlichen parallel zum ersten Scheibenhalter angeordnet ist, wobei die Halbleiterscheibe (W) um 180° gewendet wird,
- c) Politur der Scheibenkante im Bereich der Scheibenrücksei te, wobei die um denselben Winkel (α) schräg gestellte, auf einem zweiten Scheibenhalter fixierte Halbleiterscheibe (W) um ihre Achse (AW) rotiert und dabei mit ihrer Kante gegen das Poliertuch (P) gepresst wird, und wobei eine oszillierende Rela tivbewegung zwischen Poliertrommel (T) und Halbleiterscheibe (W) in der Richtung der Achse (AT) der Poliertrommel (T) zwischen einem vor gegebenen dritten (oberen) und einem vorgegebenen vierten (unteren) Umkehrpunkt ausgeführt wird, wobei die Verschie bung des Umkehrpunkts gemäß Anspruch 1 dadurch erreicht wird, dass der dritte Umkehrpunkt auf einer geringeren Höhe liegt als der erste Umkehrpunkt.
- a) polishing the edge of the pane in the region of the front of the pane, the semiconductor wafer (W), which is inclined at an angle (α) in the range between 10 and 80 ° and is fixed on a first pane holder, rotates about its axis (A W ) and thereby with its edge is pressed against the polishing cloth (P), and wherein an oscillating relative movement between Po profiled drum (T) and semiconductor wafer (W) in the direction of the axis (a T) of the polishing drum (T) between a predetermined first (OBE ren) and a predetermined second (lower) reversal point (U 1 , U 2 ) is executed,
- b) takeover of the semiconductor wafer (W) by a second wafer holder, which is arranged essentially parallel to the first wafer holder, the semiconductor wafer (W) being turned through 180 °,
- c) polishing the edge of the pane in the region of the rear of the pane, the semiconductor pane (W), which is inclined by the same angle (α) and fixed on a second pane holder, rotates about its axis (A W ) and with its edge against the polishing cloth (P) is pressed, and wherein an oscillating Real tivbewegung between polishing drum (T) and semiconductor wafer (W) in the direction of the axis (a T) of the polishing drum (T) between an (upper) before said given third and a predetermined fourth (lower) point of reversal run is, wherein the shift of the reversal point according to claim 1 is achieved in that the third reversal point is at a lower height than the first reversal point.
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Citations (5)
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2002
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