DE10162796B4

DE10162796B4 - Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie photolithographisches Fertigungsverfahren

Info

Publication number: DE10162796B4
Application number: DE10162796A
Authority: DE
Inventors: Birgit Mecking; Toralf Gruner; Alexander Kohl
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2001-12-20
Filing date: 2001-12-20
Publication date: 2007-10-31
Anticipated expiration: 2021-12-21
Also published as: US20050254773A1; US20060146427A1; DE10162796A1; WO2003054631A1; AU2002366852A1; US20050013012A1; EP1459134A1; US7027237B2; US6963449B2; CN1606715A; JP2005513794A; CN1271473C

Abstract

Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen, bei dem die relative Lage der optischen Elemente zur Optimierung der optischen Abbildung zueinander eingestellt wird, mit folgenden Verfahrensschritten:
a) Bestimmen einer polarisationsabhängigen Störgröße für mindestens ein optisches Element (9, 10);
b) Berechnen einer Zielposition mindestens eines beweglichen optischen Elements (9) aus den Störgrößen, die für dieses und für das mindestens eine weitere optische Element bestimmt wurden,
c) Bewegen des beweglichen optischen Elements (9) in die Zielposition;
dadurch gekennzeichnet, daß
das Berechnen der Zielposition derart erfolgt, daß in der Zielposition die Gesamtstörgröße aller optischen Elemente (9, 10), zusammengesetzt aus polarisationsabhängigen und polarisationsunabhängigen Störgrößen, minimiert ist.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie ein photolithographisches Fertigungsverfahren.
Derartige Verfahren sind aus der EP 1 063 684 A1 bekannt. Dort wird als polarisationsabhängige Störgröße die Doppelbrechungsverteilung von Linsen innerhalb eines Projektionsobjektivs einer Projektionsbelichtungsanlage bestimmt. Die Linsen werden dann so ausgewählt und innerhalb des Projektionsobjektivs angeordnet, daß sich eine Gesamtdoppelbrechung ergibt, deren Betrag für jeden optischen Weg durch das Projektionsobjektiv einen vorgegebenen Grenzwert unterschreitet. Die Gesamtdoppelbrechung setzt sich hierbei zusammen aus der Summe aller Doppelbrechungen der einzelnen vermessenen Linsen. Ein derartiges Verfahren ist hilfreich, wenn Linsen aufgrund einer nicht tolerierbaren Doppelbrechungsverteilung aussortiert werden sollen, führt in der Praxis jedoch nicht immer dazu, daß Vorgabewerte für die Abbildungseigenschaften der optischen Elemente erreicht werden.
Ein anderes Optimierungsverfahren ist aus dem Fachartikel "The development of microlithographic high-performance optics, Int. J. of Optoelec., 1989, 545, bekannt. Bei der Optimierung der Abbildungseigenschaften optischer Systeme mit optischen Elementen, die aus Kristallmaterialien gefertigt sind, führt dieses Verfahren nur dann zu zufriedenstellenden Ergebnissen, wenn die Kristallmaterialien speziell ausgewählt werden und die optischen Elemente spannungsfrei gehaltert werden. Derartige Maßnahmen sind aufwendig.
Aus der DE 198 07 120 A1 ist ein Verfahren bekannt, bei dem zunächst ein Teilsystem eines optischen Systems fertig montiert und justiert wird. Dieses Teilsystem wird sodann polarisationsoptisch vermessen. Auf der Grundlage der dabei erhaltenen Messdaten wird ein optisch doppelbrechendes Korrekturelement an einer Oberfläche lokal, zum Beispiel mit Ionenstrahlen, geringfügig abgetragen, um eine Korrekturwirkung zu erzielen. Dieses Korrekturelement wird anschließend im Strahlengang hinter dem Teilsystem angeordnet. Ein zweites doppelbrechendes optisches Korrekturelement kann optional in den Strahlengang eingebracht werden, das ebenfalls doppelbrechend ist, jedoch eine gegenüber dem ersten Korrekturelement verdrehte Hauptachse hat.
Es ist daher eine erste Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Optimierungsverfahren der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass ein Gesamtabbildungsfehler, der sich aus den Abbildungsfehlern der einzelnen optischen Komponenten zusammensetzt, für die meisten praktischen Anwendungsfälle weiter reduziert werden kann.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren mit den im Anspruch 1 genannten Merkmalen.
Das erfindungsgemäße Verfahren stützt sich auf folgende Erkenntnisse:
Zur Gesamtstörgröße tragen in aller Regel polarisations abhängige und polarisationsunabhängige Störgrößen bei. Polarisationsabhängige Störgrößen können unterteilt werden in intrinsisch vorliegende polarisationsabhängige Störgrößen wie der intrinsischen, also auch bei homogenem und spannungsfreien Material auftregenden, Doppelbrechung, in aufgrund externer Effekte auftretende polarisationsabhängige Störgrößen wie der Spannungsdoppelbrechung und in aufgrund innerer Materialinhomogenitäten auftretende polarisationsabhängige Störgrößen wie einer Doppelbrechung aufgrund von Kristallfehlern, insbesondere durch die Ausbildung von Domänen im Material.
Bisherige Bestimmungsverfahren zur Bestimmung von Abbildungsfehlern optischer Elemente beschränkten sich in der Regel auf polarisationsunabhängige Störgrößen, da für die gebräuchlichen optischen Materialien nur im Ausnahmefall von einer polarisationsabhängigen Störgröße ausgegangen wurde. Diesen polarisationsabhängigen Störgrößen wurde bisher Rechnung getragen, ohne sie in eine Zielpositionsberechnung einzubinden. Dies geschah, wie oben schon erwähnt, durch Materialauswahl bzw. spezielle Halterung.
Aus der Internet-Publikation "Preliminary Determination of an Intrinsic Birefringence in CaF₂" von J. H. Burnett, G. L. Shirley und Z. H. Levine, NIST Gaithersburg MD 20899 USA (verbreitet am 7.5.01), ist jedoch bekannt, dass CaF₂ Einkristalle auch nicht spannungsinduzierte, also intrinsische Doppelbrechung aufweisen. Dies gilt zum Beispiel für eine Strahlausbreitung in der (110)-Kristallrichtung. Bei einer Strahlausbreitung in der (100)-Kristallrichtung und in der (111)-Kristallrichtung weist CaF₂ dagegen keine intrinsische Doppelbrechung auf. Die auftretende Doppelbrechung ist also strahlrichtungsabhängig. Sie kann weder durch Materialauswahl noch durch eine spannungsfreie Halterung eines optischen Elements eliminiert werden.
Da CaF₂ und auch andere Kristallmaterialien mit intrinsischer Doppelbrechung zunehmend als optische Materialien insbesondere in Verbindung mit UV-Lichtquellen eingesetzt werden, führt das Nichtberücksichtigen polarisationsabhängiger Störgrößen zu Abbildungsfehlern, die bei den bekannten Optimierungsverfahren nicht erfaßt werden.
Die polarisationsabhängigen Störgrößen führen dazu, dass eine Abbildung von Lichtstrahlen orthogonaler Polarisationen an unterschiedlichen Orten erfolgt. Gleichzeitig können Polarisationseffekte bewirken, daß die einzelnen Polarisationskomponenten unterschiedliche Abbildungsfehler erfahren.
Die oben erwähnte EP 1 063 684 A1 berücksichtigt zwar eine polarisationsabhängige Störgröße, nämlich die Doppelbrechung, läßt aber im Rahmen der Optimierung der Anordnung der optischen Komponenten zueinander andere Störgrößen außer acht, wodurch sich vermeidbare Fehlerbeträge zum Gesamtabbildungsfehler ergeben können.
Erfindungsgemäß werden sowohl die polarisationsabhängigen als auch die polarisationsunabhängigen Störgrößen bei der Zielpositionsberechnung berücksichtigt. Auf diese Weise lassen sich die optischen Elemente hinsichtlich ihrer Abbildungseigenschaften präzise und vollständig modellieren.
Die polarisationsabhängige Störgröße gemäß Anspruch 2 berücksichtigt den Einfluss von internen Spannungen in den optischen Materialien. Diese internen Spannungen können etwa beim Herstellungsprozess im Material eingefroren worden sein oder aufgrund der mechanischen Halterung (Fassung) des optischen Elements auftreten. Die Berücksichtigung der Spannungsdoppelbrechung verbessert die Optimierung der Abbildungseigenschaften auch bei optischen Elementen, die keine intrinsische Spannungsdoppelbrechung aufweisen.
Eine Lagebestimmung mindestens einer Kristallachse gemäß Anspruch 3 kann im günstigsten Fall, wenn keine weiteren polarisationsabhängigen Störgrößen vorliegen, eine weitere Messung polarisationabhängiger Störgrößen überflüssig machen, da nach Bestimmung der Kristallachsenlage die intrinsische Doppelbrechung berechnet werden kann.
Ein relativ einfach, da ohne größere Eingriffe in die Halterung des optischen Elements, realisierbarer Bewegungsfreiheitsgrad ist die Verdrehbarkeit des mindestens einen optischen Elements gemäß Anspruch 4.
Die Auswirkungen der Verlagerung eines gemäß Anspruch 5 linear verlagerbaren optischen Elements auf die Abbildungseigenschaften der mindestens zwei optischen Elemente lassen sich präzise, z.B. mittels optischer Designprogramme vorhersagen, was die Berechnung der Zielposition erleichtert.
Mit einem gemäß Anspruch 6 verlagerbaren optischen Element lassen sich insbesondere Zentrierungsfehler kompensieren.
Ein gemäß Anspruch 7 verkippbares optisches Element erlaubt z.B. eine Ausrichtung der Kristallachsen des optischen Elements relativ zur optischen Achse einer Gesamtoptik, welche die mindestens zwei optischen Elemente umfaßt.
Eine Bestimmung der polarisationsabhängigen Störgröße gemäß Anspruch 8 führt dazu, dass auch die Beiträge der Spannungsdoppelbrechung, die von der Fassung ausgehen bei der Bestimmung der polarisationsabhängigen Störgröße berücksichtigt werden. Dies erhöht die Präzision des Optimierungsverfahrens.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein photolithographisches Fertigungsverfahren mit verbesserter optischer Qualität schaffen.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren mit den im Anspruch 9 genannten Merkmalen. Die Vorteile des Fertigungsverfahrens ergeben sich aus den oben diskutierten Vorteilen des Optimierungsverfahrens.
Bei einer Belichtungswellenlänge gemäß Anspruch 10 liegen bei vielen optischen Materialien polarisationsabhängige Störgrößen vor, die die Abbildungseigenschaften optischer Elemente stärker beeinflussen als z.B. bei Belichtung mit sichtbarem Licht. Bei einer Belichtung mit Wellenlängen kleiner als 200 nm kommt daher das erfindungsgemäße Optimierungsverfahren stark zum Tragen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert; es zeigen:
1 eine Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie;
2 einen Schnitt durch einen Block eines Einkristalls als Ausgangsmaterial für eine Linse einer Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage von 1;
3 eine schematische Darstellung der intrinsischen Doppelbrechung einer aus einem Einkristall hergestellten optischen Platte der Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage von 1;
4 ein Koordinatensystem zur Definition eines Öffnungswinkels und eines Azimutwinkels für Strahlen eines Projektionslichtbündels der Projektionsbelichtungsanlage von 1; und
5 den Verlauf der intrinsischen Doppelbrechung der optischen Platte von 3 in Abhängigkeit vom Azimutwinkel.
Eine in 1 insgesamt mit 1 bezeichnete Projektionsbelichtungsanlage dient zur Übertragung einer Struktur von einer Maske 2 auf einen in der 1 nicht darge stellten Wafer.
Eine Lichtquelle 3, zum Beispiel ein F₂-Laser bei mit einer Wellenlänge 157 nm, erzeugt hierzu ein Projektionslichtbündel 4. Dieses durchtritt zur Formung zunächst eine Beleuchtungsoptik 5 und anschließend die Maske 2. Eine Projektionsoptik 6 bildet die auf der Maske 2 vorliegende Struktur auf den Wafer ab.
Die Projektionsoptik 6 ist in 1 unterteilt in einen um die optische Achse der Projektionsoptik 6 verdrehbaren Teil 7 und in einen stationären Teil 8. In der Praxis liegen bei der Projektionsoptik 6 oft mehrere verdrehbare Teile vor; zu Zwecken dieser Beschreibung genügt jedoch die Beschränkung auf nur einen verdrehbaren Teil 7.
Stellvertretend für die optischen Komponenten des verdrehbaren Teils 7 ist in 1 eine bikonvexe Linse 9 und für die optischen Komponenten des stationären Teils 8 eine planparallele optische Platte 10 angedeutet. Die Linse 9 ist zudem, wie in 1 durch ein kartesisches Koordinatensystem 20 illustriert, sowohl längs der optischen Achse als auch quer zur optischen Achse der Projektionsoptik 6 verlagerbar, sowie, wie durch einen Doppelpfeil 21 in 1 angedeutet, gegenüber der optischen Achse der Projektionsoptik 6 verkippbar. Der Doppelpfeil 21 bezeichnet hierbei eine von zwei möglichen und aufeinander senkrecht stehenden Kippbewegungen gegenüber der optischen Achse. Auch andere, in 1 nicht explizit dargestellte optische Elemente der Projektionsoptik 6 können die genannten Bewegungsfreiheitsgrade aufweisen.
Zur Vermessung von sich auf die Abbildungseigenschaften der Projektionsoptik 6 auswirkenden Störgrößen ist ein positionsempfindlicher Sensor 11 vorgesehen. Dieser ist quer zur optischen Achse der Projektionsoptik 6 zwischen einer in 1 dargestellten Messposition und einer nicht dargestellten, aus dem Strahlengang des Projektionslichtbündels 4 herausverlagerten Projektionsbelichtungsposition verschiebbar (vgl. Doppelpfeil 12 in 1). Über eine Signalleitung 13 steht der Sensor 11 mit einem Rechner 14 in Verbindung.
Die Linse 9 und die optische Platte 10 sind aus Einkristallen aus CaF₂ gefertigt, welches eine kubische Kristallsymmetrie aufweist. Zur Herstellung werden diese optischen Elemente 9, 10 aus Kristallblöcken herausgeschnitten und poliert.
Für die Linse 9 ist in 2 beispielhaft ein solcher Kristallblock 15 dargestellt. Dieser ist so orientiert, dass (100)-Kristallebenen 16 derart senkrecht auf der Zeichenebene stehen, daß ihre Schnittgeraden mit der Zeichenebene horizontal verlaufende Linien ergeben. Die Linse 9 wird aus dem Kristallblock 15 so herausgearbeitet, dass ihre Elementachse EA, d. h. die optische Achse der Linse 9, mit der (100)-Kristallrichtung, die senkrecht auf den (100)-Kristallebenen steht, zusammenfällt.
Auch die optische Platte 10, die isoliert in 3 dargestellt ist, ist derart orientiert aus einem Kristallblock herausgearbeitet. Dort sind neben der (100)-Kristallrichtung auch die (101)-, (110)-, (10-1)- und (1-10)-Kristallrichtungen als Pfeile dargestellt, wobei das negative Vorzeichen bei der Indizierung der Kristallrichtung in dieser Beschreibung der Bezeichnung "oben quer" in der Zeichnung gleichzusetzen ist. Eine intrinsische Doppelbrechung der optischen Platte 10 ist schematisch durch vier "Keulen" 17 dargestellt, deren Oberflächen den Betrag der intrinsischen Doppelbrechung für die jeweilige Strahlrichtung eines Lichtstrahls des Projektionslichtbündels 4 (vgl. 1) angeben. Die maximale intrinsische Doppelbrechung der optischen Platte 4 ergibt sich jeweils in den (101)-, (110)-, (10-1) und (1-10)-Kristallrichtungen.
Die Strahlrichtung eines Lichtstrahls 18 des Projektionslichtbündels 4 ist durch einen Öffnungswinkel Theta und einen Azimutwinkel Alpha definiert. Die Lage dieser beiden Winkel verdeutlicht 4: Dort ist ein kartesisches Koordinatensystem der Projektionsbelichtungsanlage 1 gezeigt, dessen z-Achse mit der optischen Achse der Projektionsoptik 6 zusammenfällt. Der Öffnungswinkel Theta ist der Winkel zwischen dem Lichtstrahl 18 und der z-Achse. Der Azimutwinkel Alpha ist der Winkel zwischen der x-Achse und der Projektion des Lichtstrahls 18 auf die xy-Ebene.
Bei der nachfolgenden Beschreibung sind die optischen Komponenten 9, 10 so orientiert, daß die (100)-Kristallrichtung mit der z-Achse und die Projektion der (101)-Kristallrichtung auf die xy-Ebene mit der x-Achse zusammenfällt.
5 zeigt die intrinsische Doppelbrechung (IDB) der optischen Platte 10 in Abhängigkeit vom Azimutwinkel Alpha für den Öffnungswinkel Theta = 45 Grad. Es ergibt sich eine vierzählige Symmetrie, wobei die Maxima der intrinsischen Doppelbrechung sich für Lichtstrahlen ergeben, deren Strahlrichtung mit den (101)-, (110)-, (10-1)- und (1-10)-Kristallrichtungen (vgl. 3) zusammenfallen, also für Lichtstrahlen mit einem Öffnungswinkel Theta von 45 Grad und einem Azimutwinkel Alpha von 0 Grad, 90 Grad, 180 Grad und 270 Grad. Die intrinsische Doppelbrechung verschwindet (vgl. 3) bei einem Öffnungswinkel von 0 Grad, d. h. eine Strahlrichtung längs der optischen Achse des Projektionsobjektivs 6 in (100)-Kristallrichtung.
Als maximale intrinsische Doppelbrechung (Strahlausbreitung z.B.. in (110)-Kristallrichtung, d.h. Theta gleich 45 Grad, Alpha gleich 90 Grad) wurde ein Wert von (11,0 +/– 0,4) nm/cm bei einer Wellenlänge von 156,1 nm für CaF₂ gemessen.
Bei den Azimutwinkeln, bei denen eine intrinsische Doppelbrechung auftritt (vgl. 5), nimmt diese für Öffnungswinkel kleiner als 45 Grad mit dem Öffnungswinkel kontinuierlich ab (vgl. 3).
Neben diesen intrinsischen Beiträgen zur Doppelbrechung weisen die Linse 9 und die optische Platte 10 abhängig von ihrer Einbausituation in der Projektionsoptik 6 zusätzliche Spannungsdoppelbrechungsbeiträge auf, die sich zur intrinsischen Doppelbrechung addieren. Weitere Doppelbrechungsbeiträge können sich zum Beispiel durch Kristallfehler, insbesondere durch die Ausbildung von Domänen, ergeben. Nicht intrinsische Doppelbrechungsbeiträge können auch bei optischen Materialien vorliegen, die keine intrinsische Doppelbrechung aufweisen.
Ein Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften der Projektionsoptik 6 wird folgendermaßen durchgeführt:
Zunächst werden die optischen Störgrößen aller optischen Elemente der Projektionsoptik 6 einzeln ermittelt. Derartige Messverfahren zur Bestimmung einerseits der oben beschriebenen Doppelbrechungsbeiträge als Beispiel für polarisationsabhängige Störgrößen und andererseits polarisationsunabhängiger Störgrößen sind dem Fachmann bekannt. Hierzu kann zum Beispiel, wie dies durch den Sensor 11 in 1 angedeutet ist, eine Messung der Gesamtabbildungseigenschaften der Projektionsoptik 6 bei verschiedenen Justagezuständen der Projektionsoptik 6 erfolgen.
Alternativ oder zusätzlich können mit Hilfe bekannter Messverfahren die einzelnen optischen Elemente der Projektionsoptik 6 unabhängig voneinander vermessen werden. Hierbei muss darauf geachtet werden, dass die Einbausituation der optischen Elemente in der Projektionsoptik 6 während dieser unabhängigen Vermessung möglichst präzise simuliert wird, so dass bedingt durch den Einbau der optischen Elemente in die Projektionsbelichtungsanlage 1 nicht zusätzliche Störbeiträge entstehen, die die Optimierung der Abbildungseigenschaften der Projektionsoptik 6 beeinträchtigen.
Die Bestimmung der Doppelbrechungsbeiträge kann zum Beispiel die Lagebestimmung der Kristallachsen der vermessenen optischen Elemente, soweit es sich um Kristallmaterialien handelt, umfassen.
Die Messergebnisse werden vom Rechner 14 ausgewertet. Dieser ermittelt die jeweiligen Störgrößenbeiträge der einzelnen optischen Elemente der Projektionsoptik und ordnet diese Beiträge den einzelnen polarisationsabhängigen und polarisationsunabhängigen Störgrößen zu. Anschließend berechnet und optimiert der Rechner 14 eine Zielfunktion (Meritfunktion). In diese Zielfunktion gehen die Abhängigkeiten der Störgrößenbeiträge aller optischen Elemente von den Bewegungsfreiheitsgraden dieser optischen Elemente (Verdrehung, Neigung, Zentrierung) ein.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel erfolgt diese Berechnung für die optischen Komponenten 9 und 10:
Wie oben ausgeführt, ist die Linse 9 gegenüber der optischen Platte 10 um die optische Achse verdrehbar. Nach der Vermessung der Störgrößenbeiträge liegen für die Linse 9 und die optische Platte 10 ihre jeweiligen Beiträge zu den polarisationsabhängigen und den polarisationsunabhängigen Störgrößen vor. Die Meritfunktion enthält neben den Störgrößen der Linse 9 und der optischen Platte 10 auch die Abhängigkeit der Störgrößenbeiträge der Linsen 9 von der Verdrehung von dieser um die optische Achse.
Anschließend wird die Meritfunktion durch Variation der Bewegungsfreiheitsgrade der beweglichen Teile der Projektionsoptik 6 optimiert. Bei der Ausführung gemäß 1 wird die Meritfunktion bei jeder Drehposition des verdrehbaren Teils 7 der Projektionsoptik 6 ausgewertet. Anschließend wird diejenige Drehposition ermittelt, in der die Meritfunktion den optimalen Wert aufweist.
Schließlich werden die beweglichen optischen Elemente in die ermittelte Zielposition gefahren. Bei der Ausführung nach 1 wird der verdrehbare Teil 7 mit der Linse 9 in die ermittelte Zielposition gedreht.

Claims

Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen, bei dem die relative Lage der optischen Elemente zur Optimierung der optischen Abbildung zueinander eingestellt wird, mit folgenden Verfahrensschritten: a) Bestimmen einer polarisationsabhängigen Störgröße für mindestens ein optisches Element (9, 10); b) Berechnen einer Zielposition mindestens eines beweglichen optischen Elements (9) aus den Störgrößen, die für dieses und für das mindestens eine weitere optische Element bestimmt wurden, c) Bewegen des beweglichen optischen Elements (9) in die Zielposition; dadurch gekennzeichnet, daß das Berechnen der Zielposition derart erfolgt, daß in der Zielposition die Gesamtstörgröße aller optischen Elemente (9, 10), zusammengesetzt aus polarisationsabhängigen und polarisationsunabhängigen Störgrößen, minimiert ist.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass unter den polarisationsabhängigen Störgrößen die Spannungsdoppelbrechung ist.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine optische Element (9, 10), dessen polarisationsabhängige Störgröße bestimmt wird, aus einem Kristallmaterial besteht und dass das Bestimmen der aus der Spannungsdoppelbrechung resultierenden Störgröße das Bestimmen der Lage mindestens einer Kristallachse umfasst.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine bewegliche optische Element (9) um seine optische Achse verdrehbar ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine bewegliche optische Element relativ zu den anderen optischen Elementen linear verlagerbar ist.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das bewegliche optische Element quer zur optischen Achse verlagerbar ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das bewegliche optische Element gegenüber der optischen Achse verkippbar ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestimmung der polarisationsabhängigen Störgröße am gefassten optischen Element erfolgt.
Photolithographisches Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente unter Benutzung optischer Elemente, deren Abbildungseigenschaften mit einem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche optimiert wurden.
Photolithographisches Fertigungsverfahren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch eine Projektionsbelichtung mit einer Wellenlänge, die geringer ist als 200 nm.