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DE10141352A1 - Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiters - Google Patents

Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiters

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DE10141352A1
DE10141352A1 DE10141352A DE10141352A DE10141352A1 DE 10141352 A1 DE10141352 A1 DE 10141352A1 DE 10141352 A DE10141352 A DE 10141352A DE 10141352 A DE10141352 A DE 10141352A DE 10141352 A1 DE10141352 A1 DE 10141352A1
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DE
Germany
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surface layer
semiconductor substrate
laser pulses
laser
layer
Prior art date
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Withdrawn
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DE10141352A
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Walter Neu
Georg Bruederl
Johannes Baur
Alfred Lell
Raimund Oberschmid
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Wärmebehandlung einer Oberflächenschicht (4) auf einem Halbleitersubstrat (5). Es werden auf die Oberflächenschicht (4) Laserpulse (2) abgegeben, die von einem Laser (1) erzeugt werden. Mit diesem Verfahren lassen sich insbesondere ohmsche Kontakte zu III-V-Verbindungshalbleitern herstellen.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren, bei dem auf ein Halbleitersubstrat eine Oberflächenschicht, insbesondere aus einem Verbindungshalbleitermaterial mit einer Bandlücke > 2,5 eV, mit einer Dicke zwischen 1 und 150 nm aufgebracht und einer Wärmebehandlung unterzogen wird. Sie bezieht sich insbesondere auf ein Verfahren zum Herstellen strahlungsemittierenden Halbleiterbauelemente auf der Basis von Verbindungshalbleitermaterialien, vorzugsweise auf der Basis von III-V- Verbindungshalbleitermaterialien.
  • Derartige Verfahren zur Wärmebehandlung von Oberflächenschichten aus einem III-V-Verbindungshalbleiter sind bekannt. Bei den III-V-Verbindungshalbleitern handelt es sich üblicherweise um Halbleiter auf der Basis von InP, GaP, GaAs oder GaN, das heißt beispielsweise um Halbleitermaterialien mit der allgemeinen Zusammensetzung AlxInyGa1-x-yP, AlxGa1-xAs oder AlxInyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1.
  • Auf die von den III-V-Verbindungshalbleitern gebildete Substratoberfläche wird im allgemeinen eine Oberflächenschicht aus einem Metall aufgebracht. Die Oberflächenschicht kann dabei Dotierstoffe für den darunterliegenden III-V-Verbindungshalbleiter enthalten. Anschließend wird das Halbleitersubstrat in einen Ofen eingebracht und mit Hilfe einer Hochfrequenzquelle, UV-Lampe oder Heizplatte aufgeheizt.
  • Die Qualität der auf diese Weise hergestellten Kontakte ist trotz der starken Diffusion von Atomen aus der Oberflächenschicht in das Halbleitersubstrat häufig unbefriedigend.
  • Aus der US 6,110,813 A ist ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung mittels Laserstrahlung bekannt. Bei geeigneter Wellenlänge der Laserstrahlen bietet dieses Verfahren den Vorteil, daß die Metallschicht selektiv erhitzt wird, da die Laserstrahlung von dem Substrat aus SiC nicht oder nur geringfügig absorbiert wird. Dies ist dann der Fall, wenn die Photonenenergie der Laserstrahlung kleiner als die Bandlücke des Substrates aus SiC ist.
  • Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zur Wärmebehandlung der Oberflächenschicht anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Oberflächenschicht mit Hilfe eines Laserpulses mit einer Dauer von weniger als oder gleich 0,1 µsec und einer Bestrahlungsenergiedichte zwischen 10 und 1000 mJ/cm2 wärmebehandelt wird.
  • Durch die Verwendung von Laserpulsen mit einer Dauer von weniger als oder gleich 0,1 µsec und einer Bestrahlungsenergiedichte zwischen 10 und 1000 mJ/cm2 wird lediglich das Material unmittelbar unter der bestrahlten Oberfläche erwärmt. Aufgrund der hohen Bestrahlungsenergiedichte erreicht die Temperatur in der Oberflächenschicht gegen Ende des Laserpulses einen hohen Maximalwert, der im allgemeinen oberhalb von 1000°C liegt und fällt dann typischerweise auf einer Zeitskala < 1 µsec schnell ab. Auch die ins Innere des Halbleitersubstrats vordringende Wärmediffusionsfront fällt in den Tiefen von einigen µm bereits auf einen Bruchteil des Maximalwerts der Temperatur ab. Beim Verfahren gemäß der Erfindung erwärmt sich daher nur eine dünne Schicht unterhalb der bestrahlten Oberfläche, während das übrige Halbleitersubstrat nur eine leichte Temperaturerhöhung erfährt. Folglich ist es mit dem Verfahren gemäß der Erfindung möglich, die Wärmebehandlung gezielt lokal durchzuführen, ohne daß die Notwendigkeit besteht, das gesamte Halbleitersubstrat aufzuheizen. Daher ist beim Verfahren gemäß der Erfindung die Wahrscheinlichkeit gering, daß die Struktur oder die Zusammensetzung des Halbleitersubstrats durch die Wärmebehandlung der Oberflächenschicht nachteilig verändert wird. Insbesondere ist keine Eindiffusion von Dotierstoffen oder sonstigen Verunreinigungen in eine aktive Zone oder eine Erhöhung oder auch unerwünschte Erniedrigung von Gitterverspannungen zu befürchten. Insbesondere kann im Materialsystem AlxInyGa1-x-yN die Bildung von als Donatoren wirkenden N-Leerstellen verhindert werden, durch die das Dotierniveau der p-Dotierung im Halbleitersubstrat abgesenkt wird.
  • Bei einer vorteilhaften Ausführungsform des Verfahrens wird die Oberfläche der Oberflächenschicht nach einem vorgegebenen Muster lokal mit Laserpulsen beaufschlagt.
  • Aufgrund des schnellen Abfalls der Wärmediffusionsfront ist es möglich, die Oberflächenschicht auch in lateraler Richtung lokal aufzuwärmen. Diese Eigenschaft kann dazu verwendet werden, den Widerstand zwischen der Oberflächenschicht und dem Halbleitersubstrat je nach Bedarf lokal zu erhöhen oder zu erniedrigen, um beispielsweise gezielt Strom in eine im Halbleitersubstrat ausgebildete aktive Zone einzuspeisen.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausführungsformen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Weitere Vorteile der Erfindung und vorteilhafte Ausführungsformen ergeben sich aus dem nachfolgend in Verbindung mit den Fig. 1 bis 3 erläuterten Ausführungsbeispiel. Es zeigen:
  • Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens;
  • Fig. 2 ein Diagramm, das die Änderung der Vorwärtsspannung einer Leuchtdiode in Abhängigkeit von der Bestrahlungsenergiedichte der Laserpulse zeigt; und
  • Fig. 3 ein Diagramm, das die Abhängigkeit der Vorwärtsspannung einer Leuchtdiode von der Zahl der auf eine Oberflächenschicht auftreffenden Laserpulse zeigt.
  • Zur Durchführung des Verfahrens kann beispielsweise, wie in Fig. 1 dargestellt, ein Laser 1 verwendet werden, dessen Laserstrahlung 2 in eine Lichtleitfaser 3 gekoppelt und mit Hilfe der Lichtleitfaser 3 auf eine Oberflächenschicht 4 auf einem Halbleitersubstrat 5 gelenkt wird.
  • Unter dem Halbleitersubstrat 5 wird in diesem Zusammenhang nicht nur eine Einkristallscheibe einer bestimmten Zusammensetzung, sondern beispielsweise auch eine Scheibe aus einem einkristallinen Substratwafer, auf dem eine Schichtenfolge aufgebracht ist. Das Halbleitersubstrat kann beispielsweise eine Schichtenfolge für funktionsfähige Halbleiterchips für ein Leuchtdioden sein.
  • Unter der Oberflächenschicht 4 ist in diesem Zusammenhang eine auf das Halbleitersubstrat 5 aufgebrachte Schicht zu verstehen. Dabei kann es sich insbesondere um eine Kontaktschicht handeln, die dazu dient, einen Ohmschen Kontakt zwischen einer an der Kontaktschicht angebrachten Zuleitung und dem Halbleitersubstrat zu herzustellen.
  • Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung erzeugt eine gepulste Laserstrahlung. Durch einen Laserpuls mit einer Dauer unterhalb von 0,1 µsec, vorzugsweise unterhalb von 1 nsec, und mit einer hohen Bestrahlungsenergiedichte zwischen 10 und 1000 mJ/cm2 erreicht die Temperatur in der zwischen 1 und 150 nm dicken Oberflächenschicht 4 einen Maximalwert oberhalb von 1000°C und fällt dann schnell mit einer Zeitskala von weniger als 1 µsec ab. Auch die in das Innere des Halbleitersubstrats 5 eindringende Wärmediffusionsfront nimmt in einer Tiefe von einigen µm bereits auf einen Bruchteil des äußeren Maximalwerts für die Temperatur ab. Für die Dicke d des erwärmten Volumens unterhalb der bestrahlten Fläche gilt dabei:

    d = √DΔt,

    wobei Δt die Pulsdauer des Laserpulses und D die Diffusivität ist.
  • Die Diffusivität D ergibt sich aus der Wärmeleitfähigkeit λ geteilt durch die spezifische Volumenwärmekapazität CV und liegt bei den meisten Halbleitermaterialien typischerweise in der Größenordnung von 0,5 bis 2 cm2 sec.
  • Der Maximalwert für die Temperatur ist größenordnungsmäßig gleich:


    wobei E die Bestrahlungsenergiedichte in Wcm2 und d die Dicke des erwärmten Volumens ist. Die spezifische Volumenwärmekapazität CV ist für Halbleiter etwa 1,5 J/Kcm3.
  • Entsprechend diesen Formeln wärmt ein 0,1 nsec langer Laserpuls aus UV-Licht lediglich ein 150 nm dickes Volumen unter der bestrahlten Oberfläche auf. Bei einer Bestrahlungsenergiedichte der Pulse von etwa 50 mJ/cm2 werden dabei Temperaturen von etwa 1500 C° erreicht.
  • Durch die Impulsdauer ist es somit möglich, gezielt die Dicke des erwärmten Volumens festzulegen, während über die Bestrahlungsenergiedichte der Maximalwert der in dem Volumen erreichten Temperatur einstellbar ist.
  • Mit diesem Verfahren kann je nach Bestrahlungsenergiedichte und Dauer der Laserpulse beispielsweise die Schottky-Kontakt- Barriere erniedrigt oder erhöht werden.
  • In Fig. 2 ist beispielsweise die Änderung (ΔU) der Vorwärtsspannung Uf bei einem Halbleitersubstrat 5 für eine Leuchtdiode in Abhängigkeit vom Abstand d zwischen dem Ende der Lichtleitfaser 3 und der Kontaktschicht 4 aufgetragen.
  • Zur Durchführung des Versuchs wurde ein Halbleitersubstrat für eine Leuchtdiode ausgewählt, das Epitaxieschichten auf der Basis von GaN aufwies. Die Epitaxieschichten umfaßten einen pn-Übergang. Auf der p-Seite wurde die Leuchtdiode mit der Oberflächenschicht 4 in Form von Platinkontakten versehen. Die Platinkontakte wiesen einen Durchmesser von 200 µm und eine Dicke von 8 nm auf. Diese Platinkontakte wurden kontaktiert und mit einem Flußstrom von 20 mA beschickt. Zugleich wurde der Spannungsunterschied zwischen den Platinkontakten und dem Halbleitersubstrat 5 mit einem Elektrometer gemessen. Der Spannungsunterschied wurde dabei vor und nach der Bestrahlung der Oberfläche der Oberflächenschicht 4 mit Laserpulsen gemessen. Die Messungen wurden jeweils bei verschiedenen Abständen d der Lichtleitfaser 3 von der Oberfläche der Oberflächenschicht 4 wiederholt, um die Bestrahlungsenergiedichte E zu variieren. Bei den Laserpulsen handelt es sich um Laserpulse mit einer Dauer von 1 nsec, wobei 100 Laserpulse in Serie mit einer Frequenz von 10 Hz auf die Oberflächenschicht 4 abgegeben wurden.
  • Die Ergebnisse der Messungen sind in Tabelle 1 und in Fig. 2 enthalten. ΔU bezeichnet die Änderung des Spannungsunterschieds in Volt zwischen dem Platinkontakt und dem Halbleitersubstrat durch die Bestrahlung mit Laserpulsen.



  • Das vermessene Hableitersubstrat hatte vor den Messungen eine Vorwärtsspannung von 3,95 V und anschließend nach den Messungen im günstigsten Fall entsprechend einer Spannungsänderung von 0,3 V eine Vorwärtsspannung Uf von 3,65 V.
  • Bei einem Abstand unterhalb von 0,85 mm verschlechtert sich die Vorwärtsspannung. Dies wird auf eine Beschädigung der aktiven Zone des p-dotierten Halbleiterbereichs oder der Platinkontakte zurückgeführt.
  • Die Absenkung der Vorwärtsspannung Uf, die eine Verbesserung des Ohmschen Kontakts zwischen der Oberflächenschicht 4 und dem Halbleitersubstrat 5 entspricht, kann dagegen entweder auf eine Aktivierung der Dotierstoffe in einem der Oberflächenschicht 4 benachbarten Bereich der Epitaxieschichten des Halbleitersubstrats 5 oder auf einem oberflächennahen Legieren des Platinkontakts mit dem Halbleitermaterial beruhen. Die Aktivierung der Dotierstoffe in einem oberflächennahen Bereich mit einem maximalen Abstand von weniger als 1 µm zu erfolgen. Das Legieren des Metalls der Oberflächenschicht 4 mit dem Halbleitersubstrat erfolgt bis zu einer Tiefe von mehr als 10 nm, aber weniger als 1 µm.
  • Von Interesse ist auch das Verhalten der Vorwärtsspannung in Abhängigkeit von der Zahl der Pulse. In Fig. 3 ist die Änderung (ΔU) der Vorwärtsspannung Uf in Abhängigkeit von der Anzahl N der Laserpulse aufgetragen. Diese Messung wurde bei einem Abstand d von 1,3 mm aufgenommen. Aus Fig. 3 läßt sich entnehmen, daß die Spannung mit dem ersten Laserpuls bereits um 0,03 V gesenkt werden kann. Danach sind schon zwei Laserpulse nötig, um das gleiche Ergebnis zu erzielen, danach fünf und im nächsten Schritt zehn. Nach etwa 1000 Laserpulsen ist keine Verringerung der Vorwärtsspannung mehr messbar.
  • Die so behandelte Oberflächenschicht 5 zeigt auch ein stabiles Alterungsverhalten. Im Verlauf einiger Wochen zeigte sich nämlich keine oder nur eine sehr geringe Verschlechterung zwischen 0,01 bis 0,03 V.
  • Von besonderem Vorteil ist, daß sich mit dem beschriebenen Verfahren eine Absenkung der p-Dotierung von Schichten aus AlxInyGa1-x-yN bis hin zur Umdotierung durchführen läßt. Auf diese Weise ist eine laterale Begrenzung der Stromeinprägung möglich. Beispielsweise ist es möglich, die Oberflächenschicht 4 durch ein Ätzverfahren zu strukturieren, so daß die von der Oberflächenschicht 4 geschützten Bereiche des Halbleitersubstrats 5 in ihrer p-Dotierung erhöht werden, während die ungeschützten Bereiche des Halbleitersubstrats infolge der Erwärmung der Oberseite und der daraus sich ergebenden Erzeugung von N-Leerstellen eine reduzierte p-Leitfähigkeit aufweisen.
  • Für eine derartige Oberflächenschicht 5, die gleichzeitig als Maske dient, eignet sich insbesondere Metall, das Mg oder Zn enthält.
  • Die laterale Begrenzung der Stromeinprägung ist insbesondere bei III-V-Verbindungshalbleitern auf der Basis von AlxInyGa1-x-yN möglich.
  • Im folgenden sind eine Reihe von weiteren Aspekten der Erfindung aufgeführt.
  • Wie bereits erwähnt, können Pulsfolgen von Laserpuls durch die Lichtleitfaser 3 auf das Halbleitersubstrat 5 gelenkt werden. Die Anzahl der Pulse sollte zwischen 2 und 100 liegen und der zeitliche Abstand zwischen den einzelnen Laserpulsen sollte mehr als das Zehntausendfache der Pulsdauer betragen, um sicherzustellen, daß die Oberflächenschicht 4 ausreichend Zeit zur Abkühlung hat.
  • Ferner ist es möglich, bei Anwendung des Verfahrens auf einen Wafer die Laserstrahlung nicht gleichmäßig, sondern in einem räumlichen Muster auf den Wafer zu lenken. Das Muster kann beispielsweise mit Hilfe einer Lochblendenmaske bewerkstelligt werden. Dieses Muster entspricht in der Regel dem späteren Chiprastermaß.
  • Denkbar ist auch, ein Wafer-Stepper-Verfahren anzuwenden, bei dem zunächst ein räumlich begrenzter Ausschnitt des Wafers mit den Laserpulsen bestrahlt wird und dann nach einer räumlichen Verschiebung des Wafers ein weiterer Ausschnitt des Wavers bestrahlt wird, so daß abschließend der gesamte Waver gleichmäßig mit Laserpulsen bestrahlt wird. Dabei sollten die mit Laserpulsen beaufschlagten Flächen möglichst im Chipraster liegen.
  • Wenn verhindert werden soll, daß unterhalb der zum Bonden des Kontaktdrahts vorgesehenen Kontaktstelle Strom in das Halbleitersubstrat 5, insbesondere in die aktive Zone des Halbleitersubstrats 5 eingespeist wird, kann die für die Kontaktstelle vorgesehene Fläche gezielt bestrahlt werden, wobei die Pulsdauer und die Bestrahlungsenergiedichte so gewählt werden, daß die elektrischen Kontakteigenschaften zwischen der Oberflächenschicht 4 und dem Halbleitersubstrat 5 verschlechtert werden.
  • Umgekehrt ist es auch möglich, gezielt die Ränder der für die Kontaktstelle vorgesehenen Flächen zu bestrahlen, um den Stromübergang an den Rändern der Kontaktstelle zu verbessern. Falls die Kontaktstelle kreisförmig ausgebildet ist, ist es zum Beispiel von Vorteil, den Ohmschen Kontakt ringförmig um die Kontaktstelle zu verbessern. Damit die Änderung des Ohmschen Kontakts zwischen der Oberflächenschicht 5 und dem Halbleitersubstrat gezielt durchgeführt werden kann, läßt sich die Bestrahlung mit Laserpulsen nach einer Messung der Chipeigenschaften gezielt durchführen, um die Chips auf einen gewünschten Wert zu trimmen. Zweckmäßigerweise werden dabei die Parameter der Laserpulse, wie Bestrahlungsenergiedichte, Laserpulsdauer und Laserpulszahl entsprechend den anfänglichen oder zwischenzeitlichen Messergebnissen eingestellt oder geregelt.
  • Es kann auch von Vorteil sein, bereits vor dem Aufbringen der Oberflächenschicht 4 auf dem Halbleitersubstrat 5 die Oberfläche des Halbleitersubstrats mit Laserpulsen zu bestrahlen, um die mechanischen Hafteigenschaften zu beeinflussen oder bereits in das Halbleitersubstrat 5 eingebrachte Dotierstoffe zu aktivieren oder um deren Kurzstreckendiffusion zu unterstützen.
  • Zur Schwächung oder Verstärkung der Dotierung des Halbleitersubstrates 5 können in der Oberflächenschicht 4 Donatoren oder Akzeptoren enthalten sein.
  • Nach dem Abschluß der Bestrahlung mit Laserpulsen kann auf die Oberflächenschicht 4 eine weitere Kontaktschicht aufgebracht werden und ein Bonddraht an der Kontaktschicht angebracht werden.
  • Auch ist es denkbar, auf der mit Laserpulse bestrahlten Oberflächenschicht oder der Kontaktschicht eine Passivierungsschicht aus Al2O3, oder SiOxNy mit 0 < x ≤ 2, 0 ≤ y ≤ 1 abzuscheiden.
  • Mit dem hier beschriebenen Verfahren ist es möglich, die Leitfähigkeitseigenschaften der Halbleiterschichten in der Nähe einer Oberfläche sowohl in lateraler Richtung als auch in transversaler Richtung zu beeinflussen. Das Verfahren ist auf III-V-Verbindungshalbleiter anwendbar. Von besonderem Vorteil ist das Verfahren auf Materialien mit der Zusammensetzung AlInGaN anwendbar.

Claims (21)

1. Verfahren zur Wärmebehandlung einer Oberflächenschicht (4) auf einem Halbleitersubstrat (5), dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht (4) mit Hilfe eines Laserpulses mit einer Dauer < 0,1 µsec und einer Bestrahlungsenergiedichte zwischen 10 und 1000 mJ/cm2 wärmebehandelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Halbleitersubstrat (5) ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial mit einer Bandlücke > 2,5 eV aufweist und die Oberflächenschicht (4) insbesondere eine Dicke zwischen 1 und 150 nm besitzt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Oberflächenschicht (4) Donatoren oder Akzeptoren umfaßt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Oberflächenschicht (4) aus einem Metall hergestellt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Oberflächenschicht (4) aus einem Material mit wenigstens einem Element aus der Gruppe Pt, Mg, Zn mit jeweils einem Anteil von > 0,01 Gew.-% hergestellt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das Halbleitersubstrat (5) zumindest teilweise aus einem III-V-Verbindungshalbleiter hergestellt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem das Halbleitersubstrat (5) zumindest teilweise aus AlxInyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 hergestellt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem ein Laserpuls mit einer Dauer < 1 nsec verwendet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem für den Laserpuls Laserstrahlung mit einer Wellenlänge < 450 nm verwendet wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Oberflächenschicht (4) durch den Laserpuls aufgeschmolzen wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem eine Folge von Laserpulsen auf die Oberflächenschicht (4) abgegeben wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem die Laserpulse in einem zeitlichen Abstand abgegeben werden, der größer als das Zehntausendfache der Pulsdauer der Laserpulse ist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem das Halbleitersubstrat (5) mit Hilfe einer Maske in einem vorgegebenen Muster mit Laserpulsen beaufschlagt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem das Halbleitersubstrat (5) zwischen zwei Laserpulsen räumlich versetzt wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem die Ränder der für Kontakte vorgesehenen Flächen auf der Oberflächenschicht (4) mit Laserpulsen beaufschlagt werden.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem die für Kontakte vorgesehenen Flächen der Oberflächenschicht (4) mit Laserpulsen beaufschlagt werden.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, bei dem die Oberflächenschicht (4) nach einer Messung von im Halbleitersubstrat (5) ausgebildeten Bauelementen zur Beeinflussung der gemessenen Parameter mit Laserpulsen beaufschlagt wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, bei dem auf die Oberflächenschicht (4) eine weitere Verstärkungsschicht aufgebracht wird.
19. Verfahren nach Anspruch 18, bei dem die Verstärkungsschicht wenigstens ein Element aus der Gruppe Zn und Mg enthält.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19, bei dem der Oberflächenschicht eine Passivierungsschicht aus Al2O3, oder SiOxNy mit 0 < x ≤ 2, 0 ≤ y ≤ 1 nachgeordnet wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, bei dem vor dem Aufbringen der Oberflächenschicht (4) auf dem Halbleitersubstrat (5) die Oberfläche des Halbleitersubstrates (5) mit Laserpulsen bestrahlt wird.
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