DE10126341A1 - Elektrochemischer DNA-Sensor, Verfahren zur Herstellung und Betrieb eines solchen DNA-Sensors - Google Patents
Elektrochemischer DNA-Sensor, Verfahren zur Herstellung und Betrieb eines solchen DNA-SensorsInfo
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Abstract
DNA-Sensoren aus Elektrodenanordnungen mit Interdigitalstrukturen sind bekannt. Gemäß der Erfindung hat die Interdigitalstruktur zusätzliche Reaktionsflächen zur Anlagerung von Thiolen. Zur Herstellung eines solchen DNA-Sensors werden auf die Elektrodenflächen zunächst ein weiteres Metall, beispielsweise Kupfer, abgeschieden und eine thiolhaltige Lösung in die Reaktionskammer gebracht. Die Thiole werden auf den freien Flächen angelagert und anschließend werden das Metall und die daran angelagerten Thiole durch verdünnte Schwefelsäure beseitigt. Beim Betrieb eines solchen Sensors dienen als Sensor die Oligos der Thiolen, die als langkettige Moleküle mit ihren Schwefelkomponenten auf der Goldoberfläche verankert sind.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrochemischen DNA-
Sensor mit einer Anordnung aus zwei Kammelektroden auf einer
Silizium-Chip-Oberfläche, wobei die Kammelektrodenanordnung
Interdigitalstrukturen mit ineinandergreifenden Elektroden
fingern bildet. Daneben bezieht sich die Erfindung auf ein
Verfahren zur Herstellung und auf eine zugehörige Betriebs
weise eines solchen DNA-Sensors.
Für die DNA-Analyse werden elektrochemische Sensoren verwen
det, die beispielsweise ein mikrostrukturiertes Elektrodenar
ray haben, für die das sogenannte Redox-Cycling Basis ist.
Dabei wird eine Interdigitalstruktur mit Gold als Elektroden
material verwendet. Üblicherweise werden dabei auf der Elekt
rodenfläche Thiol-Verbindungen, beispielsweise Thiol-Alcan
modifizierte Olegonucleotide (sog. Thiol-ONTs oder kurz Thio
le), angelagert, die als langkettige Moleküle mit ihrer
Schwefelkomponente auf der Goldoberfläche verankert werden
und am Kopf sogenannte Oligos als Sonde tragen.
Verfahren und zugehörige Anordnungen letzterer Art sind in
den älteren, nicht vorveröffentlichten deutschen Patentanmel
dungen DE 100 58 394.6 und DE 100 58 397.0 beschrieben. Im
vorbeschriebenen Fall kann es vorkommen, dass die Thiole bei
einer vollständigen Bedeckung die Elektrodenoberflächen bloc
kieren und dadurch die für den DNA-Sensor notwendigen elek
trochemischen Reaktionen verhindern.
Aufgabe der Erfindung ist es, hier für Verbesserungen zu sor
gen und einen DNA-Sensor zu schaffen, der die Nachteile des
Standes der Technik nicht aufweist. Gleichermaßen soll ein
Verfahren zur Herstellung eines solchen DNA-Sensors und die
zugehörige Betriebsweise des DNA-Sensors angegeben werden.
Die Aufgabe ist bei einem DNA-Sensor der eingangs genannten
Art erfindungsgemäß durch die Gesamtheit der Merkmale des Pa
tentanspruches 1 gelöst. Das zugehörige Herstellungsverfahren
ist Gegenstand des Patentanspruches 11 und ein zugehöriges
Betriebsverfahren Gegenstand des Patentanspruches 20. Jeweils
vorteilhafte Weiterbildungen sind in den auf die unabhängigen
Hauptansprüche zurückbezogenen abhängigen Ansprüchen angege
ben.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass in kammar
tigen Strukturen in die Lücken zwischen den Elektrodenfingern
zusätzlich mit Goldflächen versehen werden können, wobei die
se Bereiche die Immobilisierung-Basis für die Thiole (Thiol-
ONTs) sind. Da der Sensor in bekannter Weise Kammelektroden
mit einer Interdigitalstruktur aufweist, muss die Interdigi
talstruktur während der Adsorption der Thiole abgedeckt wer
den. Beispielsweise kann vor der Adsorption auf der Goldober
fläche eine "Schutz"-Metallschicht elektrochemisch abgeschie
den werden. Hierfür ist in besonderem Maße Kupfer geeignet,
ggf. kommt aber auch Silber infrage.
Bei der Erfindung können die Thiole auch auf der "Schutz"-
Metallschicht teilweise adsorbieren, während die reaktiven
Goldflächen der Elektroden vollständig geschützt sind. Nach
Erreichen der vollständigen Bedeckung wird das Lösungsmittel,
das die Thiole enthält, entfernt und der Reaktionsraum ge
spült. Anschließend wird der Reaktionsraum mit einem Elektro
lyten gefüllt, in dem das "Schutz"-Metall, das die Goldelek
roden bedeckt, elektrochemisch oxidiert und gelöst wird.
Der DNA-Sensor gemäß der Erfindung wird dadurch in besonders
einfacher Weise hergestellt, dass die Elektrodenoberfläche
temporär abgedeckt wird, dieser Prozess durch Metallabschei
dung realisiert wird und ein geeignetes Material, beispiels
weise Kupfer darauf aufgebracht wird. Durch die Kupferab
scheidung und spätere Auflösung wird die Oberfläche der
Elektrode wieder in den Ausgangszustand versetzt. Da im wäss
rigen Elektrolyten die gebundenen Thiole nicht löslich sind,
können sie aufgrund ihrer Bindung die Oberfläche nicht mehr
erreichen, bzw. dort adsorbieren..
Beim erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren lässt man die
Thiole aus einer Lösung geringer Konzentration auf der Ober
fläche des Substrates adsorbieren, wobei eine nur teilweise
Bedeckung durch Abbruch des Adsorptionsvorganges erreicht
werden kann. Dies führt dazu, dass es zu keinem vollständigen
Self-Assembly der Moleküle kommt, so dass in jedem Fall, ab
hängig vom Bedeckungsgrad die katalytische Aktivität der
Elektrode reduziert und die Effektivität des Sensors be
schnitten wird. Trotzdem sind aber die Voraussetzungen für
eine Messung gegeben.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich
aus der Figurenbeschreibung von Ausführungsbeispielen anhand
der Zeichnung in Verbindung mit den Patentansprüchen. Es zei
gen
Fig. 1 die Meßmethode beim neuem DNA-Sensors,
Fig. 2 eine Anordnung für eine oxidationsbestimmte Messung
und
Fig. 2 bis 4 drei Alternativen für Interdigitalstrukturen
mit zusätzlicher Immobilisierungsfläche zur Anlage
rung der Thiole.
Mit einem Silizium-Chip-Sensor kann in der Bioanalytik er
reicht werden, dass mit Hilfe elektrochemischer Verfahrens
schritte ein Sensor zur Messung von DNA (Desoxiribonuclein
säuren), bei dem die Signale elektrisch auslesbar sind, ein
setzbar wird. Dies Verfahren beruht darauf, dass man kammar
tige Elektrodenstrukturen, die auch als Interdigitalstruktu
ren bezeichnet werden, bevorzugt aus Gold (Au) auf einem Si
lizium-Chip herstellt, auf dem anschließend auf den Elektro
denfingern oder Elektrodenzungen Thiole verankert werden, die
später einen Marker tragen können.
Es ist bekannt, dass Thiole mit ihrer Schwefelgruppe fest auf
einer Elektrodenoberfläche gebunden sind und dass sie nach
folgende Elektrodenreaktionen in ihrer Geschwindigkeit sen
ken. Dadurch tritt bei der vorgesehenen Redox-Reaktion an
stelle einer Diffusionshemmung eine Durchtrittshemmung auf.
Bekannt sind weiterhin beispielsweise DNA-Sensoren für opti
sche Ausleseverfahren, wobei die Reaktionsblockierung nicht
in das Verfahren eingreift. Das Auslesen und Verarbeiten der
optischen Signale kann aber nur mit hohem Aufwand erfolgen.
In der Fig. 1 ist eine Messanordnung mit zwei Elektroden 2
und 3 dargestellt, bei der zusätzlich eine Goldfläche 5 vor
handen ist. Diese Goldflächen 5 sind Immobilisierungs-Basis
für die Thiole.
Die Elektrodenstruktur 2, 3 ist während der Adsorption der
Thiole abgedeckt, wofür vor der Adsorption auf der Goldober
fläche 5 ein Metall elektrochemisch abgeschieden wird. Das
Metall ist Kupfer oder Silber. Auf dem Kupfer oder Silber
können dann auch teilweise die Thiole adsorbieren, während
die reaktiven Goldflächen vollständig geschützt sind.
Nach Erreichen einer vollständigen Bedeckung wird das Lö
sungsmittel, das die Thiole enthält, entfernt und der Reakti
onsraum gespült. Im nächsten Schritt wird dann der Reaktions
raum mit einem Elektrolyten gefüllt, in dem das Metall, das
die Goldelektroden bedeckt, elektrochemisch oxidiert und ge
löst wird. Für Kupfer als Metall wird beispielsweise Puffer
pH < = 7 als Elektrolyt verwendet.
Wird anschließend die Interdigitalstruktur 1 auf ein Potenti
al positiver als das Bildungspotential des Kupfer-Ions gelegt,
wird Kupfer als Kupfer-Ion im Elektrolyten gelöst. Der
Strom geht gegen Null, wenn die Bedeckung der Goldelektroden
5 mit Kupfer vollständig abgebaut ist. Der Elektrolyt wird
dann entfernt. Anschließend erfolgen die weiteren Schritte
zum Aufbau des Sensorsystems für die DNA-Analyse.
Das Substrat 1 mit planarer Oberfläche wird beispielsweise
durch die kristallographische Oberfläche eines Silizium-Chips
gebildet. Auf dem Substrat 1 ist ein Array von optischen/-
elektrischen Detektoren 2, 2', . . . und 3, 3' auf vorgegebenen
Arraypositionen realisiert, mit denen bioanalytische Untersu
chungen mit enzymgekoppelten Reaktionen vorgenommen werden.
Im Einzelnen ist für die bioanalytischen Untersuchungen ein
Fänger-Molekül mit 100, ein Analyt-Molekül mit 200 und ein
sog. Enzym-Label mit 300 bezeichnet. Dabei reagieren das Fän
germolekül 100 spezifisch mit einem komplementären Analytmo
lekül 200 und immobilisiert so arraypositionsspezifisch einen
Enzym-Label 300. Anschließend zugegebenes Enzym-Substrat 400
wird durch die katalytische Wirkung des Enzym-Labels in ein
Produkt 500 überführt.
Auf jeder Arrayposition 8, 8', . ., kann mit Hilfe des dort
lokalisierten optischen oder elektrischen Detektors 2, 2',
. . . die Abnahme/Zunahme von Substrat/Produkt gemessen werden.
In bestimmten Fällen ist das Redox-Verhalten diffusionsbe
stimmt. Als Beispiel für ein Redoxpaar sei p-Aminophenol/-
Chinonimin genannt:
Am entsprechenden Redoxprozess sind 2 Elektronen sowie 2 H+-
Ionen beteiligt.
Dieses System kommt z. B. bei Enzym-gekoppelten Nachweisreak
tionen zum Einsatz. Dabei wird das Enzym "Alkalische Phospha
tase" als Label- bzw. Verstärkungs-Substanz eingesetzt. Alka
lische Phosphatase ist in der Lage, p-Aminophenyl-Phosphat in
p-Aminophenol und Phosphat zu spalten:
Das entstehende p-Aminophenol wird am Elektroden-System oxi
diert bzw. das Redoxpaar p-Aminophenol/Chinonimin zyklisiert.
Speziell bei dem anhand der Fig. 2 dargestellten Sensorsys
tem ist also wesentlich, dass die zusätzliche Reaktionsflä
chen aus Gold so platziert sind, dass eine günstige Lokali
sierung in der Nähe der positiven Elektroden in den Finger
strukturen der Kammelektroden gegeben ist. Dazu zeigen die
Fig. 3 bis 5 entsprechende Alternativen anhand von Elek
trodenanordnungen 30, 40 und 50.
In der ersten Alternative gemäß Fig. 3 zur Anwendung bei der
Messanordnung gemäß Fig. 2 haben die beiden Kammelektroden
31 und 33 unterschiedliche Periodizitäten. Beispielsweise hat
die untere Kammelektrode 33 eine geringere Periodizität der
Elektrodenfinger 34, d. h. eine größere Anzahl von Fingern pro
Flächeneinheit. Dies bedeutet, dass von den Elektrodenfingern
32 der oberen Kammelektrode 31 jeder Elektrodenfinger 32 von
zwei Elektrodenfingern 34 der unteren Kammelektrode benach
bart ist. In den in größerem Abstand gebildeten Lücken sind
dann die zusätzlichen Flächen 35 vorhanden.
Letztere Anordnung der Kammelektroden ist dann günstig, wenn
die Reaktionshemmungen für den anodischen und für den katho
dischen Prozess unterschiedlich sind.
In Fig. 4 besteht die Elektrodenanordnung 40 aus zwei iden
tischen Kammelektroden 41 bzw. 41', die mit ihren Elektroden
fingern 42 bzw. 42' ineinander greifen und so die Interdigi
talstruktur bilden. Zwischen den benachbarten Elektrodenfin
gern 42 bzw. 42' ist jeweils eine zusätzliche Fläche 45 ein
gebracht, die entsprechend der Fläche 5 in den Fig. 1 und
2 die Thiole tragen. Wesentlich ist dabei, dass jede der zu
sätzliche Flächen 45 genau einen Elektrodenfinger 42 bzw. 42'
benachbart ist. Dabei ist wesentlich, dass die Dimensionie
rung der Elektrodenfinger 42 bzw. 42' und der zusätzlichen
Fläche gleich sind, so dass sich in Längsrichtung hinsicht
lich der Flächen eine vollständige Identität ergibt.
In Fig. 5 ist die Periodizität der beiden Kammelektroden -
wie in Fig. 4 - ebenfalls gleich, jedoch der Periodenabstand
größer. Dies bedeutet, dass die dazwischen liegenden Flächen
in ihrer Breite größer ausgebildet sind und beispielsweise
die 3-fache Breite wie die Elektrodenfinger aufweisen.
Die Herstellung der Elektrodenstrukturen entsprechen den
Fig. 3 bis 5 erfolgt entsprechend der anhand Fig. 1 be
schriebenen Vorgehensweise. Die Kammstrukturen sind nach der
beschriebenen Herstellung voll funktionsfähig und werden bei
der Redox-Reaktion zur Identifikation der DNA-Fragmente wirk
sam. Die freien Flächen sind von den Thiolen bedeckt, wobei
die Marker an den Kopfgruppen der Thiole verankert werden.
Wesentlich ist bei den beschriebenen Beispielen, dass die
Funktion der Kammstrukturen auf die elektrochemische Detek
tion beschränkt ist. Die Elektrodenfinger werden selbst also
nicht für die Markerplatzierung genutzt. Stattdessen werden
separate Reaktionsflächen zur Verfügung gestellt. Die konkre
te Ausbildung der Reaktionsflächen ergibt sich dabei anhand
des Einzelfalls, je nachdem, ob eine Diffusionshemmung oder
eine Durchtrittshemmung geschwindigkeitsbestimmend ist.
Claims (18)
1. Elektrochemischer DNA-Sensor mit einer Anordnung aus zwei
Kammelektroden auf einer Silicium-Chip-Oberfläche, wobei die
Kammelektrodenanordnung aus Anode und Kathode eine Interdigi
talstruktur mit ineinandergreifenden Elektrodenfingern bil
det, dadurch gekennzeichnet, dass
der Interdigitalstruktur (1, 20, 30, 40) zusätzliche Reakti
onsflächen (5, 25, 35, 45) zur Anlagerung von Thiolen zuge
ordnet sind.
2. DNA-Sensor nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, dass für einen oxidationsbestimm
ten Prozess die zusätzlichen Reaktionsflächen (5, 25, 35, 45)
den Anoden-Elektrodenfingern einer Kammelektrode benachbart
sind.
3. DNA-Sensor nach Anspruch 2, dadurch ge
kennzeichnet, dass die kammartig ineinander
greifenden Elektrodenfinger (32, 34) der beiden Kammelektro
den (21, 23) in der Interdigitalstruktur (20) unterschiedli
che Periodizität haben und dass die zusätzliche Reaktionsflä
che (25) zwischen jeweils zwei Elektrodenfingern (22, 24) ei
ner der Kammelektroden (21, 23) liegt.
4. DNA-Sensor nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, dass die kammartig ineinander
greifenden Elektrodenfinger (42, 42', 52, 52')) der beiden
Kammelektroden (41, 41', 51, 51') die gleiche Periodizität
haben und dass jeder Elektrodenfinger (42, 42'; 52, 52') je
weils von zwei zusätzlichen Reaktionsflächen (45, 45) benach
bart ist.
5. DNA-Sensor nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, dass die jeweilige zusätzliche
Reaktionsfläche die gleiche Größe wie ein Elektrodenfinger
(42, 22') der Interdigitalstruktur (40) hat.
6. DNA-Sensor nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, dass die jeweilige zusätzliche
Reaktionsfläche (55, 55) größer als die Elektrodenfinger (42,
44; 52, 52') der Interdigitalstruktur (40, 50) ist.
7. DNA-Sensor nach Anspruch 6, dadurch ge
kennzeichnet, dass die zusätzliche Reaktions
fläche (55) etwa die dreifache Fläche eines Elektrodenfingers
(52, 52') hat.
6. DNA-Sensor nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, dass die zusätzliche Reaktions
fläche (55) die gleiche Länge und etwa die dreifache Breite
wie ein Elektrodenfinger (52, 52') hat.
9. DNA-Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die zu
sätzliche Reaktionsfläche aus Gold besteht.
10. DNA-Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die zu
sätzlichen Reaktionsflächen und die Kammelektroden aus dem
gleichen Material bestehen.
11. Verfahren zur Herstellung eines DNA-Sensors nach Anspruch
1 oder einem der Ansprüche 2 bis 10, mit folgenden Verfah
rensschritten:
- - Auf den Elektrodenflächen aus Gold oder einem anderen Edelmetall wird ein weiteres Metall abgeschieden und eine thiolhaltige Lösung in die Reaktionskammer gebracht;
- - die Thiole werden auf den freien Flächen und auf den Me tall- bzw. Kammstrukturen angelagert;
- - anschließend wird auf den Kammstrukturen das Metall und die angelagerten Thiole durch einen elektrochemischen Pro zess beseitigt.
12. Herstellungsverfahren nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, dass für den elektrochemi
schen Prozess ein Puffer pH < = 7 verwendet wird.
13. Herstellungsverfahren nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, dass als Elektroden Gold
schichten verwendet werden.
14. Herstellungsverfahren nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, dass als Abdeckung Kupfer
verwendet wird.
15. Herstellungsverfahren nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, dass an die freien, von den
Thiolen bedeckten Flächen in einem weiteren Verfahrensschritt
sog. Marker angebracht werden.
16. Herstellungsverfahren nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, dass die Marker an den Kopf
gruppen der Thiole verankert werden.
17. Verfahren zum Betrieb eines DNA-Sensors nach Anspruch 1
oder einem der Ansprüche 2 bis 9, wobei der Sensor nach dem
Verfahren gemäß Anspruch 10 bzw. einem der Ansprüche 11 bis
16 hergestellt ist, dadurch gekennzeich
net, dass als Sensor die Oligos der Thiolen, die als
langkettige Moleküle mit ihren Schwefelkomponenten auf der
Goldoberfläche verankert werden, dienen.
18. Betriebsverfahren nach Anspruch 17, dadurch
gekennzeichnet, dass ein Redox-(Re)Cycling
Basis für den Betrieb des mikrostrukturierten Elektroden
arrays ist.
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