DE10118409A1

DE10118409A1 - Process for structuring a resist for a field effect transistor gate uses base and trimming masks having transparent auxiliary structures

Info

Publication number: DE10118409A1
Application number: DE10118409A
Authority: DE
Inventors: Marco Ahrens; Burkhard Ludwig; Marco Hug
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Qimonda AG
Priority date: 2001-04-12
Filing date: 2001-04-12
Publication date: 2002-11-07
Anticipated expiration: 2021-04-13
Also published as: DE10118409B4

Abstract

A process for structuring a resist for field effect transistor gates uses a base mask to leave unexposed regions of the resist as lines (102a,104a,106a) followed by a trimming mask (116) having transparent auxiliary structures (118,120) between the lines. A process for structuring a resist having removable exposed regions and whose unexposed regions define neighboring lines (102a,104a,106a) comprises illuminating through a base mask having transmissive regions (108,110,112,114)along either side of the lines and then through a trimmer mask (116) having a transparent auxiliary structure (118,120) between the lines and extending to their ends.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Strukturierung eines Resists, insbesondere auf ein Verfahren zur Strukturierung eines Resists, dessen belichtete Bereiche entfernbar sind und dessen unbelichtete Bereiche zumindest zwei benachbarte linienförmige Strukturen definieren. Insbe sondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Ver fahren zur Strukturierung eines Resists unter Verwendung ei ner alternierenden Phasenmaske und einer Trimmmaske.The present invention relates to a method for Structuring a resist, especially for a process for structuring a resist, its exposed areas are removable and at least its unexposed areas define two adjacent linear structures. in particular in particular, the present invention relates to a ver drive to pattern a resist using egg an alternating phase mask and a trim mask.

Anhand der Fig. 1 wird nachfolgend ein im Stand der Technik bekanntes Verfahren zur Festlegung von Strukturen näher er läutert. Das bekannte Verfahren wird im Zusammenhang mit der erforderlichen Gatestruktur eines Feldeffekttransistors be schrieben. Nach der Erzeugung der für den Feldeffekttransi stor erforderlichen Strukturen in einem Diffusionsgebiet 100 eines Substrats wird die Gatestruktur durch Ätzen einer auf dem Substrat aufgebrachten Metallschicht erzeugt. Die zu er zeugende Gatestruktur ist in Fig. 1 mit den Bezugszeichen 102, 104 und 106 versehen ("Ziellayout"). Die Strukturierung erfolgt derart, daß die fertig prozessierte Substratoberflä che mit der Metallschicht bedeckt wird, und anschließend ein Photoresist aufgebracht wird, welches strukturiert wird, um in nachfolgenden Ätzschritten die Metallschicht auf dem Sub strat derart zu strukturieren, daß die Gatestruktur 102, 104, 106 erhalten wird.With reference to FIG. 1, a known in the prior art method for defining structures will hereinafter be explained in more detail it. The known method is described in connection with the required gate structure of a field effect transistor. After the structures required for the field effect transistor have been produced in a diffusion region 100 of a substrate, the gate structure is produced by etching a metal layer applied to the substrate. The gate structure to be created is provided with the reference numerals 102 , 104 and 106 in FIG. 1 (“target layout”). The structuring is carried out in such a way that the finished substrate surface is covered with the metal layer, and then a photoresist is applied, which is structured in order to structure the metal layer on the substrate in subsequent etching steps in such a way that the gate structure 102 , 104 , 106 is obtained.

Die zu erzeugende Gatestruktur 102, 104, 106 umfaßt jeweils linienförmige Strukturelemente 102a, 104a und 106a sowie nicht-linienförmige Strukturelemente 102b, 104b und 106b, die beispielsweise als Anschlußflächen für Bondleitungen oder an dere Leitungen bei einer späteren Verdrahtung dienen. The gate structure 102 , 104 , 106 to be produced in each case comprises linear structural elements 102 a, 104 a and 106 a as well as non-linear structural elements 102 b, 104 b and 106 b, which serve, for example, as connection surfaces for bonding lines or on other lines for subsequent wiring ,

Zur Erzeugung der Gatestrukturen 102, 104, 106 ist es erfor derlich, ein auf dem Substrat aufgebrachtes Resist zu struk turieren. Diese Strukturierung erfolgt durch eine zweistufige Belichtung, wobei eine erste Belichtung unter Verwendung ei ner Grundmaske und eine zweite Belichtung unter Verwendung einer Trimmmaske erfolgt.To generate the gate structures 102 , 104 , 106 , it is necessary to structure a resist applied to the substrate. This structuring takes place by means of a two-stage exposure, with a first exposure using a basic mask and a second exposure using a trimming mask.

Die Grundmaske umfaßt eine Mehrzahl von lichtdurchlässigen Bereichen 108, 110, 112 und 114. Mit Ausnahme der Bereiche 108, 110, 112 und 114 sind alle anderen Bereiche der Grund maske lichtundurchlässig. Die lichtdurchlässigen Bereiche 108 und 110 definieren das linienförmige Strukturelement 102b, die lichtdurchlässigen Bereiche 110 und 112 definieren das linienförmige Strukturelement 104a, und die lichtdurchlässi gen Bereiche 112 und 114 definieren das linienförmige Struk turelement 106b. Die Grundmaske ist eine alternierende Pha senmaske, bei der die lichtdurchlässigen Bereiche 108 und 112 keine Phasenverschiebungsschicht aufweisen bzw. eben sind, und somit keine Phasenverschiebung der durchtretenden Strah lung hervorrufen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 110 und 114 sind mit einer Phasenverschiebungsschicht oder einer Vertie fung versehen, um eine Phasenverschiebung der durchtretenden Strahlung um 180° gegenüber einer durch die Bereiche 108 und 112 durchtretenden Strahlung zu bewirken.The basic mask includes a plurality of translucent areas 108 , 110 , 112 and 114 . With the exception of areas 108 , 110 , 112 and 114 , all other areas of the basic mask are opaque. The translucent areas 108 and 110 define the linear structure element 102 b, the translucent areas 110 and 112 define the linear structure element 104 a, and the translucent areas 112 and 114 define the linear structure element 106 b. The basic mask is an alternating phase mask, in which the translucent regions 108 and 112 have no phase shift layer or are flat, and thus do not cause a phase shift in the radiation which passes through. The translucent regions 110 and 114 are provided with a phase shift layer or a recess in order to bring about a phase shift of the radiation passing through 180 ° with respect to radiation passing through the regions 108 and 112 .

Zur Technologie und Bedeutung der Phasenmaskentechnologie wird auf den Artikel von Marc D. Levenson, et al. "Improving Resolution in Photolithography with a Phase-Shifting Mask" in IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-29, Nr. 12, Dezember 1982, S. 1828 bis 1836 verwiesen.The technology and importance of phase mask technology is based on the article by Marc D. Levenson, et al. "Improving Resolution in Photolithography with a Phase Shifting Mask "in IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-29, No. 12, December 1982, pp. 1828 to 1836.

Wie aus Fig. 1 zu erkennen ist, sind die lichtdurchlässigen Bereiche 108 und 114 derart geformt, daß sich dieselben über die frei liegenden Enden der linienförmigen Strukturelemente 102a und 106a um eine Entfernung E/2 hinaus erstrecken. Die Entfernung E, die das Überlappungsmaß der lichtdurchlässigen Bereiche 108 und 114 der Grundmaske bezüglich der zu definierenden linienförmigen Strukturelemente 102b festlegt, ist auf das Diffusionsgebiet 100 bezogen.As can be seen from Fig. 1, the translucent regions 108 and 114 are shaped such that they extend beyond the exposed ends of the linear structural elements 102 a and 106 a by a distance E / 2. The distance E, which defines the degree of overlap of the translucent regions 108 and 114 of the basic mask with respect to the linear structural elements 102 b to be defined, is based on the diffusion region 100 .

Die lichtdurchlässigen Bereiche 110 und 112 erstrecken sich, verglichen mit den lichtdurchlässigen Bereichen 108 und 114, weiter über die Enden der linienförmigen Strukturelemente 102a und 106b hinaus, um den Lineshorting-Effekt zu kompen sieren.The translucent areas 110 and 112 , compared to the translucent areas 108 and 114 , extend further beyond the ends of the linear structure elements 102 a and 106 b in order to compensate for the lineshorting effect.

Zur zweiten Belichtung wird eine Trimmmaske 116 verwendet. Die Trimmmaske ist durch den Rahmen 116 dargestellt. Inner halb dieses Rahmens ist die Trimmmaske lichtundurchlässig. Außerhalb des Rahmens 116 ist die Trimmmaske lichtdurchläs sig. Wie in Fig. 1 zu erkennen ist, legt die Trimmmaske 116 die nicht linienförmigen Bereiche 102b, 104b und 106b der Ga testrukturen 102, 104 und 106 fest.A trim mask 116 is used for the second exposure. The trim mask is represented by frame 116 . The trim mask is opaque within this frame. Outside the frame 116 , the trim mask is translucent. As can be seen in FIG. 1, the trim mask 116 defines the non-linear regions 102 b, 104 b and 106 b of the gate structures 102 , 104 and 106 .

Zur Erzeugung der Gatestrukturen 102, 104 und 106 werden un ter Verwendung der Grundmaske und der Trimmmaske zwei Belich tungsschritte durchgeführt. Bei der ersten Belichtung wird die Grundmaske verwendet, die überall lichtundurchlässig bzw. dunkel ist, außer an den lichtdurchlässigen Bereichen 108, 110, 112, 114, die eine Phasenverschiebung von 0° oder eine Phasenverschiebung von 180° des einfallenden Lichtes bewir ken. Bei diesem ersten Belichtungsschritt werden die zwischen den lichtdurchlässigen Bereichen 108 bis 114 liegenden strei fenförmigen Teile bzw. linienförmigen Strukturelemente 102b, 104b, 106b des Ziellayouts (der Gatestrukturen 102, 104, 106) mit großer Schärfe abgebildet. Im zweiten Belichtungsschritt wird die Trimmmaske verwendet, die überall hell ist, außer an den mit 116 bezeichneten Strukturen.To generate the gate structures 102 , 104 and 106 , two exposure steps are carried out using the basic mask and the trimming mask. The first exposure uses the basic mask, which is opaque or dark everywhere, except on the translucent areas 108 , 110 , 112 , 114 , which cause a phase shift of 0 ° or a phase shift of 180 ° of the incident light. In this first exposure step, the strip-shaped parts or line-shaped structural elements 102 b, 104 b, 106 b of the target layout (the gate structures 102 , 104 , 106 ) lying between the translucent regions 108 to 114 are imaged with great sharpness. In the second exposure step, the trim mask is used, which is bright everywhere, except on the structures labeled 116.

In der Summe bildet dieses Verfahren - im Rahmen der unver meidlichen Abweichungen - gerade die Bereiche oder Gebiete dunkel auf das Resist ab, die auf beiden Masken dunkel sind, d. h. das erwünschte Ziellayout. In total, this process forms - within the framework of the un avoidable deviations - especially the areas or areas dark on the resist, which are dark on both masks, d. H. the desired target layout.

Durch die erwünschte Struktur ist der erwünschte Bereich ei ner darunter liegenden Metallisierung ausreichend maskiert, so daß in einem nachfolgenden Ätzschritt die frei liegenden Bereiche der Metallisierung entfernt werden können, um so die erwünschte Gatestruktur zu erhalten.Due to the desired structure, the desired area is ei sufficiently masked underlying metallization, so that the exposed ones in a subsequent etching step Areas of metallization can be removed so as to to obtain the desired gate structure.

Wie aus Fig. 1 zu entnehmen ist, umfaßt jeder lichtdurchläs sige Bereich 108 bis 114 sogenannte Vorhaltflächen 108a, 110a, 112a und 114a, die durch den Bereich der lichtdurchläs sigen Bereiche definiert sind, die über die Enden der linien förmigen Strukturelemente 102a bis 106a hervorstehen.As can be seen from Fig. 1, each translucent area 108 to 114 includes so-called lead areas 108 a, 110 a, 112 a and 114 a, which are defined by the area of the translucent areas, which are above the ends of the line-shaped structural elements 102 a to 106 a protrude.

Diese Vorhaltfläche 108a bis 114a sind erforderlich, um wäh rend der Belichtung der Grundmaske auftretende Linienend- Verkürzungen zu kompensieren. Die Größe der Vorhaltflächen ergibt sich aus Fig. 1, da die hellen, schlitzartigen Gebiete (die lichtdurchlässigen Bereiche 108 und 114) der Grundmaske verkürzt abgebildet werden. Um dennoch im Zuge der zweistufi gen Belichtung die korrekte Geometrie "zusammenzusetzen", müssen die einzelnen lichtdurchlässigen Bereiche die Enden der zu erzeugenden linienförmigen Strukturelemente 102a bis 106a deutlich überschreiten, also einen sehr großen Überlapp aufweisen, wie dies durch das Maß E in Fig. 1 gezeigt ist. Bei den frei liegenden Gatekanten, die durch die Gatestruktu ren 102 und 106 gebildet sind, die äußeren Gates in Fig. 1, kann dieses Maß auf das Diffusionsgebiet 100 bezogen sein. Bei den mittleren lichtdurchlässigen Bereichen 110 und 112 ist dies nicht möglich, da ansonsten die Gefahr besteht, daß zwischen den linienförmigen Strukturelementen 102a und 104a bzw. zwischen den linienförmigen Strukturelementen 104a und 106a Dunkelstellen verbleiben, also Bereiche die nicht be lichtet werden. Diese nicht-belichteten Bereiche würden wäh rend des zweiten Belichtungsschrittes unter der Trimmmaske liegen, also auch hier nicht belichtet würden. Diese Bereiche würden beim Strukturieren des Resists somit stehenbleiben und einen Teil der darunterliegenden Metallschicht zwischen den linienförmigen Strukturen maskieren, so daß die Metallschicht beim Ätzen derselben in diesem Bereich verbliebe, so daß in diesen Bereichen eine Verbindung zwischen den linienförmigen Strukturelemente 102a bis 106a auftreten könnte, die zu Kurz schlüssen führen würde.These lead areas 108 a to 114 a are required in order to compensate for line end shortenings occurring during the exposure of the basic mask. The size of the lead areas results from FIG. 1, since the bright, slit-like areas (the translucent areas 108 and 114 ) of the basic mask are depicted in a shortened manner. In order to "assemble" the correct geometry in the course of the two-stage exposure, the individual translucent areas must clearly exceed the ends of the linear structural elements 102a to 106a to be produced , that is to say have a very large overlap, as is shown by the dimension E in FIG . 1 is shown. In the case of the exposed gate edges, which are formed by the gate structures 102 and 106 , the outer gates in FIG. 1, this measure can be based on the diffusion region 100 . In the middle translucent areas 110 and 112 , this is not possible, since there is otherwise the danger that dark spots remain between the linear structural elements 102 a and 104 a or between the linear structural elements 104 a and 106 a, i.e. areas that are not exposed , These non-exposed areas would lie under the trimming mask during the second exposure step, ie would not be exposed here either. These areas would thus remain during the structuring of the resist and mask part of the underlying metal layer between the line-shaped structures, so that the metal layer would remain in this area when etching the same, so that a connection between the line-shaped structure elements 102a to 106a would occur in these areas that could lead to short circuits.

Um dieses Problem zu lösen, wird im Stand der Technik die in Fig. 1 dargestellte Vorgehensweise vorgeschlagen, bei der die lichtdurchlässigen Bereiche 110 und 112 sehr große Überlap pungsmaße E bezüglich den Enden der zu erzeugenden Strukturen aufweisen. Hierdurch wird sichergestellt, daß selbst bei ei ner Linienendverkürzung keine unter die Trimmmaske fallenden dunklen Bereiche und im zweiten Belichtungsschritt dunkel bleibende Bereiche erzeugt werden, so daß Kurzschlüsse ver mieden werden.To solve this problem, the procedure shown in FIG. 1 is proposed in the prior art, in which the translucent regions 110 and 112 have very large overlap dimensions E with respect to the ends of the structures to be produced. This ensures that even with egg line shortening no dark areas falling under the trim mask and dark areas in the second exposure step are generated, so that short circuits are avoided ver.

Der Nachteil dieser Vorgehensweise besteht darin, daß die er forderlichen Überlappungsmaße das Gesamtlayout vergrößern, da weitere Layoutstrukturen genügend Abstand zu den lichtdurch lässigen Bereichen halten müssen.The disadvantage of this approach is that it required overlap dimensions enlarge the overall layout, because additional layout structures sufficient distance from the light through must keep casual areas.

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zu schaffen, mit dem Strukturen in einem Resist definiert werden können, bei dem die Überlappungsmaße verkleinert und somit das Layout jeweils verkleinert werden kann.Based on this prior art, the present Invention, the object of an improved method create structures that are defined in a resist can, in which the overlap dimensions are reduced and thus the layout can be reduced in each case.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 ge löst.This object is achieved by a method according to claim 1 solves.

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Struktu rierung eines Resists, dessen belichtete Bereiche entfernbar sind und dessen unbelichtete Bereiche zumindest zwei benach barte linienförmige Strukturen definieren, mit folgenden Schritten:
Belichten des Resists unter Verwendung einer Grundmaske, die jeweils auf beiden Seiten der benachbarten linienförmigen Strukturen lichtdurchlässige Bereiche aufweisen, die sich in Längsrichtung der benachbarten linienförmigen Strukturen zu mindest an einem Ende derselben über diese heraus erstrecken; und
Belichten des Resists unter Verwendung einer Trimmmaske, die eine durchlässige Hilfsstruktur zwischen den benachbarten li nienförmigen Strukturen aufweist, die sich in Längsrichtung der benachbarten linienförmigen Strukturen an dem Ende der selben zwischen diese hinein erstreckt.The present invention provides a method for structuring a resist whose exposed areas are removable and whose unexposed areas define at least two adjacent linear structures, with the following steps:
Exposing the resist using a basic mask, each of which has translucent areas on both sides of the adjacent linear structures, which extend in the longitudinal direction of the adjacent linear structures at least at one end thereof over and above them; and
Expose the resist using a trim mask that has a permeable auxiliary structure between the adjacent linear structures that extends longitudinally between the adjacent linear structures at the end of the same between them.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die Überlappungsmaße, wie sie in Fig. 1 gezeigt sind, redu ziert werden können, indem in der Trimmmaske zusätzliche Öff nungen vorgesehen werden. Die Aufgabe dieser Öffnungen ist es, zusätzliches Licht durchzulassen. Durch die vergrößerte lokale Lichtdosis (Energie) wird die Linienendenverkürzung verringert, wodurch die Gefahr von Dunkelstellen im Ziellay out und damit von Kurzschlüssen vermieden wird. Hierdurch wird Platz eingespart.The present invention is based on the finding that the overlap dimensions, as shown in FIG. 1, can be reduced by providing additional openings in the trim mask. The purpose of these openings is to let additional light through. The increased local light dose (energy) reduces the shortening of the line ends, thereby avoiding the risk of dark spots in the target layout and thus of short circuits. This saves space.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist die Grundmaske eine alternierende Phasenmaske, wobei die lichtdurchlässigen Bereiche alternierend Bereiche mit einer ersten Phasenverschiebungsschicht und Bereiche mit einer zweiten Phasenverschiebungsschicht aufweisen, wobei die erste und die zweite Phasenverschiebungsschicht einfallendes Licht mit einer Phasenverschiebung beaufschlagen, wobei vorzugswei se die erste Phasenverschiebungsschicht eine Phasenverschie bung von 0° bewirkt, und die zweite Phasenverschiebungs schicht eine Phasenverschiebung von 180° bewirkt.According to an embodiment of the present invention the basic mask is an alternating phase mask, whereby the translucent areas alternating areas with a first phase shift layer and areas with a have second phase shift layer, the first and the second phase shift layer is incident light apply a phase shift, preferably two the first phase shift layer is a phase shift exercise of 0 °, and the second phase shift layer causes a phase shift of 180 °.

Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist die Grundmaske eine alternierende Phasenmaske, wobei die lichtdurchlässigen Bereiche alternierend Bereiche mit einer Vertiefung und Bereiche ohne Vertiefung aufweisen, wobei die Bereiche ohne Vertiefung eine Phasenverschiebung von 0° bewirken, und die Bereiche mit Vertiefung eine Phasen verschiebung von 180° bewirken.According to a preferred embodiment of the present Invention the basic mask is an alternating phase mask, the translucent areas alternating areas with a depression and areas without a depression, the areas with no recess a phase shift of 0 °, and the areas with deepening a phase cause a shift of 180 °.

Bevorzugte Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind in den Unteransprüchen definiert.Preferred developments of the present invention are in the sub-claims defined.

Nachfolgend wird bezugnehmend auf die beiliegenden Zeichnun gen ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er findung näher beschrieben. Es zeigen:In the following, reference is made to the attached drawings gene a preferred embodiment of the present Er described in more detail. Show it:

Fig. 1 eine schematische Darstellung der Grundmaske, der Trimmmaske und einer zu erzeugenden Struktur gemäß einem be kannten Ansatz; und Figure 1 is a schematic representation of the basic mask, the trim mask and a structure to be generated according to a known approach. and

Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Grundmaske, einer Trimmmaske und einer zu erzeugenden Struktur gemäß der vor liegenden Erfindung. Fig. 2 is a schematic representation of a basic mask, a trim mask and a structure to be generated according to the prior invention.

Anhand der Fig. 2 wird nachfolgend ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens näher beschrieben, wobei in Fig. 2 gleiche Elemente mit den gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 versehen sind, und eine erneute Beschreibung dieser einzelnen Elemente erfolgt nicht.With reference to FIG. 2, an embodiment of the method according to the invention is hereinafter described in more detail being provided in Figs. 2, the same elements having the same reference numerals as in Fig. 1, and repeated description of these individual elements does not occur.

Wie aus Fig. 2 zu erkennen ist, unterscheidet sich die dort gezeigte Anordnung vom Stand der Technik, wie er in Fig. 1 gezeigt ist, dahingehend, daß die Vorhaltflächen 110a und 112a der lichtdurchlässigen Bereiche 110 und 112, verglichen mit Fig. 1, kleiner sind, und sich verglichen mit Fig. 1 nicht so weit über die Enden der zu erzeugenden Strukturen 102a, 104a und 106a erstrecken. Bei dem in Fig. 2 gezeigten Ausführungsbeispiel erstrecken sich alle Vorhaltflächen 108a, 110a, 112a und 114a um das Maß E von dem Diffusionsgebiet 100.As can be seen from Fig. 2, the arrangement shown there differs from the prior art, as shown in Fig. 1, in that the lead surfaces 110 a and 112 a of the translucent areas 110 and 112 , compared with Fig. 1, are smaller, and compared to Fig. 1 do not extend so far over the ends of the structures to be generated 102 a, 104 a and 106 a. In the exemplary embodiment shown in FIG. 2, all retention areas 108 a, 110 a, 112 a and 114 a extend by the dimension E from the diffusion region 100 .

Ferner umfaßt die Trimmmaske zwei Hilfsstrukturen 118 und 120, die, verglichen mit Fig. 1, zusätzliche lichtdurchlässige Bereiche in der Trimmmaske 116 definieren. Die lichtdurch lässigen Hilfsstrukturen 118 und 120 befinden sich bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel zwischen den linienförmigen Strukturelementen 102a und 104a bzw. zwischen den linienför migen Strukturelementen 104a und 106a und erstrecken sich an den Enden derselben zwischen diese hinein.Furthermore, the trim mask comprises two auxiliary structures 118 and 120 , which, compared with FIG. 1, define additional translucent areas in the trim mask 116 . The translucent auxiliary structures 118 and 120 are in the embodiment shown between the linear structure elements 102 a and 104 a or between the linienför shaped structural elements 104 a and 106 a and extend at the ends thereof between them.

Die Hilfsstruktur 118 hat eine Breite, die dem Abstand der benachbarten linienförmigen Strukturelemente 102a und 104a entspricht, und die Hilfsstruktur 120 hat eine Breite, die kleiner ist als der Abstand zwischen den benachbarten linien förmigen Strukturelementen 104a und 106a. Es wird darauf hin gewiesen, daß die vorliegende Erfindung nicht auf die in Fig. 2 beschriebene Ausgestaltung der Hilfsstrukturen beschränkt ist Auch andere Breiten sind möglich, da die Hilfsstrukturen oder Öffnungen in der Trimmmaske 116 nicht notwendigerweise eine Weite oder Breite haben müssen, die es erlauben würde, diese Öffnungen für sich abzubilden, da die eigentliche Ab bildung durch die kombinierte Belichtung von Grundmaske und Trimmmaske zustande kommt.The auxiliary structure 118 has a width that corresponds to the distance between the adjacent linear structural elements 102 a and 104 a, and the auxiliary structure 120 has a width that is smaller than the distance between the adjacent linear structural elements 104 a and 106 a. It is pointed out that the present invention is not restricted to the configuration of the auxiliary structures described in FIG. 2. Other widths are also possible, since the auxiliary structures or openings in the trim mask 116 do not necessarily have to have a width or width that allows it would map these openings for themselves, since the actual image is created by the combined exposure of the basic mask and the trim mask.

Ferner kann anstelle der in Fig. 2 gezeigten Hilfsstruktur 120 eine der Hilfsstruktur 118 entsprechende Hilfsstruktur verwendet werden, oder anstelle der Hilfsstruktur 118 kann eine der Hilfsstruktur 120 entsprechende Hilfsstruktur ver wendet werden.Further, instead of in Fig. 2 shown auxiliary structure 120 one of the auxiliary structure 118 corresponding auxiliary structure can be used, or instead of the auxiliary pattern 118 may be one of the auxiliary structure 120 corresponding auxiliary structure ver turns are.

Durch die Hilfsstrukturen 118 und 120 wird sichergestellt, daß eine Linienendverkürzung bei einer Belichtung der Grund maske im Bereich der lichtdurchlässigen Bereiche 110 und 112 kompensiert wird, da selbst dann, wenn eine Verkürzung unter die erwünschte Strukturkante erfolgt durch die Hilfsstruktur 118 bzw. 120 noch eine weitere Belichtung dieses Bereichs si cher gestellt wird, so daß sich die erhöhte lokale Lichtdosis (Energie) in diesem Bereich einstellt. The auxiliary structures 118 and 120 ensure that a line end shortening is compensated for when the basic mask is exposed in the region of the translucent regions 110 and 112 , since even if the auxiliary structure 118 or 120 shortens below the desired structural edge, there is still one further exposure of this area is ensured, so that the increased local light dose (energy) occurs in this area.

Hierdurch wird ferner sicher gestellt, daß keine dunklen Be reiche verbleiben, die zu möglichen Kurzschlüssen führen könnten.This also ensures that no dark loading rich remain which lead to possible short circuits could.

Das obige Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wur de anhand einer Phasenmaske näher beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die Verwendung einer solchen Phasenmaske beschränkt. Ferner wurde das erfindungsgemäße Verfahren anhand eines Ausführungsbeispiels beschrieben, bei dem drei benachbarte linienförmige Strukturelemente 102a bis 106a zu erzeugen sind, jedoch ist die Erfindung nicht hierauf beschränkt.The above exemplary embodiment of the present invention was described in more detail using a phase mask, but the present invention is not restricted to the use of such a phase mask. Furthermore, the method according to the invention was described using an exemplary embodiment in which three adjacent linear structural elements 102 a to 106 a are to be produced, but the invention is not restricted to this.

Anstelle des in Fig. 2 beschriebenen Ausführungsbeispiels muß die Grundmaske keine Phasenmaske sein, so daß die lichtdurch lässigen Bereiche alle ohne Phasenverschiebungsschicht vorge sehen sein können. Ferner können auch andere Strukturen defi niert werden, wobei dann eine entsprechende Änderung der Grundmaskenstruktur erforderlich ist. Anstelle des in Fig. 2 gezeigten Beispiels findet die vorliegende Erfindung in ihrer breitesten Form Anwendung bei der Definition von zwei benach barten linienförmigen Strukturen unter Verwendung eines Re sists, welches entsprechend zu strukturieren ist. In diesem Fall werden dann nur die drei lichtdurchlässigen Bereiche 108 bis 112 erforderlich, um die zwei Strukturen 102a und 102b zu erzeugen.Instead of the embodiment described in FIG. 2, the basic mask does not have to be a phase mask, so that the translucent areas can all be seen without a phase shift layer. Furthermore, other structures can also be defined, in which case a corresponding change in the basic mask structure is required. Instead of the example shown in FIG. 2, the present invention in its broadest form is used in the definition of two adjacent linear structures using a resist which is to be structured accordingly. In this case, only the three translucent regions 108 to 112 are required to produce the two structures 102 a and 102 b.

Hinsichtlich der Tiefe der Hilfsstrukturen 118 und 120 ist festzuhalten, daß diese beispielsweise um ein vorbestimmtes Maß von den Enden der zu erzeugenden Strukturen beabstandet sind. With regard to the depth of the auxiliary structures 118 and 120 , it should be noted that these are, for example, a predetermined distance from the ends of the structures to be produced.

LIST OF REFERENCE NUMBERS

100100

Diffusionsgebiet
diffusion region

102102

bis to

106106

Gatestruktur
gate structure

102102

a bis a to

106106

a linienförmiges Strukturelement
a line-shaped structural element

102102

b bis b to

106106

b nicht-linienförmiges Strukturelement
b non-linear structural element

108108

bis to

114114

lichtdurchlässige Bereiche
translucent areas

108108

a bis a to

114114

a Vorhaltflächen
a retention areas

116116

Trimmmaske
trimming mask

118118

, .

120120

Hilfsstrukturen
E Abstandsmaß
auxiliary structures
E distance measure

Claims

1. A method for structuring a resist whose exposed areas can be removed and whose unexposed areas define at least two adjacent linear structures ( 102 a, 104 a, 106 a), with the following steps:
Exposing the resist using a basic mask, which has translucent areas ( 108 , 110 , 112 , 114 ) on both sides of the adjacent linear structures ( 102 a, 104 a, 106 a), which extend in the longitudinal direction of the adjacent linear structures ( 102 a, 104 a, 106 a) extend beyond them at least at one end thereof; and
Exposing the resist using a trimming mask ( 116 ), which has a translucent auxiliary structure ( 118 , 120 ) between the adjacent linear structures ( 102 a, 104 a, 106 a), which extends in the longitudinal direction of the adjacent linear structures ( 102 a, 104 a, 106 a) at the end of the same between them.

2. The method of claim 1, wherein the auxiliary structure ( 118 ) has a width which is the same as the distance between the two adjacent linear structures ( 102 a, 104 a, 106 a).

3. The method of claim 1, wherein the auxiliary structure ( 120 ) has a width that is smaller than the distance between the two adjacent linear structures ( 102 a, 104 a, 106 a).

4. The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the basic mask is a phase mask, the light-transmitting areas ( 108 , 110 , 112 , 114 ) alternating areas ( 108 , 112 ) with a first phase shift layer and areas ( 110 , 114 ) having a second phase shift layer, the first and second phase shift layers striking incident light with a phase shift.

5. The method according to claim 4, wherein the first phase ver shift layer causes a phase shift of 0 °, and in which the second phase shift layer is a phase ver shifted by 180 °.

6. The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the basic mask is a phase mask, the translucent areas ( 108 , 110 , 112 , 114 ) alternating areas ( 110 , 114 ) with a depression and areas ( 108 , 112 ) without Have deepening, the areas without deepening cause a phase shift of 0 °, and the areas with deepening cause a phase shift of 180 °.

7. The method according to any one of claims 1 to 6, wherein the translucent areas ( 108 , 112 , 114 ) of the basic mask by the same first dimension (E / 2) over the ends of the adjacent linear structures ( 102 a, 104 a, 106 a) extend out.