DE10039478A1 - Zerstäubungs-Bauteil - Google Patents
Zerstäubungs-BauteilInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Zerstäubungs-Bauteil zur Durchführung eines PVD-Beschichtungsverfahrens, bei dem eine Zerstäubung des Zerstäubungs-Bauteils durch Beschuß mit Gasatomen stattfindet und auf ein Substrat eine Schicht mit mehreren metallischen Elementen aufgebracht wird, wobei das Zerstäubungs-Bauteil eine Platte (2) aus einem der Metalle zum Aufbau der Schicht aufweist und die übrigen Metalle zum Aufbau der Schicht wenigstens teilweise in Form von Stopfen (1) vorliegen, die in Bohrungen in der Platte (2) angeordnet sind, wobei die Form der freiliegenden Oberfläche der Stopfen (1) so gewählt ist, daß sich bei einer Zerstäubung des Zerstäubungs-Bauteils für jedes Metall Zerstäubungsraten einstellen, die für die gewünschte Schichtzusammensetzung erforderlich sind.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Zerstäubungs-Bauteil zur
Durchführung eines PVD-Beschichtungsverfahrens, bei dem eine
Zerstäubung des Zerstäubungs-Bauteils durch Beschuß mit
Gasatomen stattfindet und auf ein Substrat eine Schicht mit
mehreren metallischen Elementen aufgebracht wird, wobei das
Zerstäubungs-Bauteil eine Platte aus einem der Metalle zum
Aufbau der Schicht aufweist und die übrigen Metalle zum
Aufbau der Schicht wenigstens teilweise in Form von Stopfen
vorliegen, die in Bohrungen in der Platte angeordnet sind.
Ein so aufgebautes Zerstäubungs-Bauteil wird allgemein als
"mechanisches Sputtertarget" bezeichnet. Das Zerstäubungs-
Bauteil oder "Sputtertarget" wird vor Durchführung eines
PVD-Beschichtungsverfahrens auf eine Kathode der zur Durch
führung des Verfahrens eingesetzten Vorrichtung montiert und
ist mit der Kathode elektrisch leitend verbunden. Aufgrund
dessen besitzt das Zerstäubungs-Bauteil dasselbe elektrische
Potential wie die Kathode der Vorrichtung.
Durch den Beschuß mit Gasatomen werden Atome aus der Platte
und aus den Stopfen von der Oberfläche des Zerstäubungs-
Bauteils abgestäubt und gelangen in die Gasphase. Aus der
Gasphase werden die abgestäubten Metallatome auf einem Sub
strat, beispielsweise einer Wendeschneidplatte oder einem
Spiralbohrer, abgeschieden. Dabei werden die verschiedenen
Arten von Metallatomen in einem bestimmten Verhältnis auf
das Substrat aufgebracht, so daß die Stöchometrie der be
absichtigten Schicht auf dem Substrat gewahrt bleibt.
Wird beispielsweise ein Ti/Al-Zerstäubungs-Bauteil einge
setzt und ist als übliche Beschichtung eine TiAlN-Schicht
auf dem Substrat vorgesehen, können die beiden Metalle in
einem Verhältnis 1 : 1 vorliegen, wobei sich die Gesamt
schicht aus 25 at% Ti, 25 at% Al und 50 at% N zusammensetzt.
Bei einem solchen Zerstäubungs-Bauteil besteht die Platte
aus Titan, während die Stopfen aus Aluminium sind. Bei be
kannten mechanischen Sputtertargets ist die für die Zer
stäubung vorgesehene Oberfläche eben, d. h. die freiliegenden
Stopfenoberflächen liegen in derselben Ebene wie die Ober
fläche der Platte.
Ein solches bekanntes Zerstäubungs-Bauteil hat den Nachteil,
daß zu Beginn der Kathodenzerstäubung nicht das für den
gewünschten Schichtaufbau erforderliche Verhältnis zwischen
beispielsweise abgestäubten Titan- und abgestäubten Alumi
niumatomen vorliegt. Erst nach einer häufig mehrstündigen
Einlaufzeit des Zerstäubungs-Bauteils stehen die Abstäub
raten im zutreffenden Verhältnis. Dies bedeutet, daß, da
während der Einlaufphase bereits Material von der Platte und
den Stopfen abgestäubt wird, dieses Material für den eigent
lichen Beschichtungsvorgang verloren ist.
Bei dem Beispiel eines mechanischen Sputtertargets mit einer
Titanplatte und Aluminium-Stopfen ist bei dem Beschuß des
Targets zu beobachten, daß die Abstäubrate für Aluminium
wesentlich größer ist als für Titan. Aus diesem Grunde ver
brauchen sich die Stopfen wesentlich schneller als die Plat
te. Dies führt dazu, daß ein erheblicher Teil Plattenmateri
al übrig bleibt, wenn die Stopfen bereits verbraucht sind.
Ausgehend hiervon liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde,
ein Zerstäubungs-Bauteil zu schaffen, das bei Durchführung
eines PVD-Beschichtungsverfahrens mit Kathodenzerstäubung
wirtschaftlicher nutzbar ist.
Diese Aufgabe wird bei dem eingangs genannten Zerstäubungs-
Bauteil dadurch gelöst, daß die Form der freiliegenden Ober
fläche der Stopfen so gewählt ist, daß sich bei einer Zer
stäubung des Zerstäubungs-Bauteils für jedes Metall Zer
stäubungsraten einstellen, die für die gewünschte Schicht
zusammensetzung erforderlich sind.
Die erfinderische Lehre besteht folglich darin, durch die
Formgebung für die freiliegenden Oberflächen der Stopfen den
unterschiedlichen Zerstäubungsraten der Metalle, der Platte
und der Stopfen Rechnung zu tragen. Sofern die Zerstäubungs
rate für das Stopfenmaterial größer ist als die Zerstäu
bungsrate für das Plattenmaterial ergibt sich, daß die frei
liegende Oberfläche der Stopfen einwärts der Plattenober
fläche verläuft. Auf diese Weise wirken die Bohrungsöff
nungen der Platte als Blende für Gasatome, die auf das Zer
stäubungs-Bauteil auftreffen oder dieses verlassen. Aufgrund
dessen wird die tatsächliche Zerstäubungsrate für das Stop
fenmetall herabgesetzt, und zwar so weit, daß sich die für
die gewünschte Schichtzusammensetzung auf einem Substrat
erforderlichen Abstäubungsraten sowohl für das Platten- als
auch das Stopfenmetall ergeben.
Im Vergleich zu den Zerstäubungs-Bauteilen des Standes der
Technik benötigt das erfindungsgemäße Zerstäubungs-Bauteil
keine Einlaufzeit, so daß eine ökonomische Ausnutzung des
Materials des Zerstäubungs-Bauteils erfolgt.
Die Platte kann von einem einzigen Metall gebildet werden.
Es ist jedoch auch möglich, daß eine Legierung das Platten
material bildet. Das Material für die Stopfen kann von Stop
fen zu Stopfen variieren. Die Wahl der Materialien richtet
sich ausschließlich nach der für das Substrat beabsichtigten
Schichtzusammensetzung.
Typische Kombinationen von Plattenmaterialien und Stopfenma
terialien sind Titan/Aluminium, Titan/Zirkonium und Ti
tan/Kohlenstoff, wobei das jeweils letztgenannte Material
das Stopfenmaterial ist. Im Falle des Kohlenstoffs als Stop
fenmaterial liegt der Fall vor, daß das Stopfenmaterial eine
geringere Abstäubrate aufweist als das Grundplattenmaterial
Titan. In diesem Fall würde der Stopfen aus der Oberfläche
der Platte in geeignetem Maße hervorstehen.
Allgemein ist es bevorzugt, daß die Zerstäubungsrate für das
Stopfenmaterial durch den Grad des Versenkens bzw. Hervor
stehens der Stopfen in bzw. aus den Bohrungen in der Platte
eingestellt wird.
Es ist nicht zwingend erforderlich, daß die freiliegenden
Oberflächen der Stopfen unmittelbar an die Oberfläche der
Platte anschließen. Versuche haben jedoch gezeigt, daß es
als bevorzugt anzusehen ist, daß die freiliegenden Ober
flächen der Stopfen und die Oberfläche der Platte eine
durchgehende Fläche bilden, wobei die freiliegenden Ober
flächen der Stopfen in Bezug auf die Platte einwärts oder
auswärts gekrümmt sind. Anders ausgedrückt, schließen die
freiliegenden Oberflächen der Stopfen stetig an die Ober
fläche der Platte an. Die jeweilige Krümmung der freiliegen
den Oberflächen der Stopfen richtet sich, wie oben bereits
erwähnt, nach dem Verhältnis aus der Zerstäubungsrate des
Plattenmaterials und des Stopfenmaterials.
Die Bohrungen haben vorteilhafterweise einen kreisförmigen
Querschnitt und der Krümmungsradius der freiliegenden Ober
flächen der Stopfen steht zu dem Bohrungsdurchmesser in
einem Verhältnis von 1,5 : 1 bis 2,5 : 1.
Bei einem Stopfendurchmesser von 15 mm für einen Alumini
umstopfen in einer Titan-Platte sind günstige Beschichtungsbedingungen
bei einem Krümmungsradius der freiliegenden
Oberfläche der Aluminiumstopfen in dem Bereich von 25 bis 35 mm
festgestellt worden.
Wenn eine Verformung des Stopfens im Hinblick auf die Aus
bildung der gewünschten Oberflächenkrümmung vorgesehen ist,
sollte das Stopfenmaterial weicher als das Material der
Grundplatte sein.
Die Grundplatte, die beispielsweise aus den Materialien
Titan, Chrom, Edelstahl, Vanadium, Nickel, Zirkonium, Hafni
um, Tantal, Kohlenstoff bestehen kann, ist, wie im Stand der
Technik bekannt, an einer Kühlplatte, die üblicherweise aus
Kupfer besteht, befestigt.
Die wirtschaftliche Nutzung des Zerstäubungs-Bauteils wird
auch dadurch erhöht, daß die Stopfen von der Platte aus in
Bohrungen in der Kühlplatte hineinragen, und zwar in dem
Fall, wenn das Stopfenmaterial sich schneller verbraucht als
das Plattenmaterial. Bei einer Titanplatte und Aluminium
stopfen kann die Platte 5 mm dick sein, während die Stopfen
eine Höhe von 7 mm haben, so daß 2 mm des Aluminiumstopfens
in die Kühlplatte hineinragen.
Nach Benutzung eines solchen Zerstäubungs-Bauteil zum Auf
bringen von Schichten auf Substrate wird trotz der höheren
Zerstäubungsrate für Aluminium ein optimales Maß an Titan
der Platte verbraucht, wobei in der Kühlplatte noch ein Rest
von beispielsweise 1 mm Höhe des Aluminiumstopfens zurück
bleibt. Es ist nicht möglich, sämtliches Titan der Platte zu
verbrauchen, da sich bei der Durchführung eines Beschich
tungsverfahrens aufgrund des Zerstäubungsprozesses in dem
Zerstäubungs-Bauteil ein umlaufender Graben ergibt, der
zwischen dem mittleren Bereich des Zerstäubungs-Bauteils und
dessen Rand angeordnet ist. Sobald die Tiefe des Grabens die
Dicke der Grundplatte erreicht hat, ist das Zerstäubungs-
Bauteil nicht mehr verwendbar.
Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, daß die Maßnahme,
die Stopfen in die Kühlplatte hineinragen zu lassen, un
abhängig von anderen oben beschriebenen Merkmalen der Erfin
dung, bereits für sich allein Vorteile aufweist. Daher wird
die Ausbildung eines Zerstäubungs-Bauteils der eingangs
genannten Art mit in die Kühlplatte hineinragenden Stopfen
als gesonderte Lösung der der Erfindung zugrundeliegenden
Aufgabe angesehen.
Das Hineinragen der Stopfen in die Kühlplatte hat außerdem
den Vorteil, daß eine effektivere Kühlung des Stopfenmateri
als ermöglicht wird. Insbesondere wird auch vermieden, daß
während eines Kathodenzerstäubungsprozesses Plattenmaterial
zwischen Kühlplatte und Stopfen gelangen kann. Dies ist
insbesondere günstig, wenn das Plattenmaterial eine geringe
Wärmeleitfähigkeit hat, wie sie beispielsweise bei Titan
vorliegt.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand
der Zeichnungen noch näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht eines Zerstäubungs-Bauteils;
Fig. 2 einen Abschnitt des Zerstäubungs-Bauteils im Schnitt
mit in eine Kühlplatte hineinragenden Stopfen, die
eine gekrümmte, freiliegende Oberfläche aufweisen.
Ein typisches Zerstäubungs-Bauteil besteht aus einer Titan-
Grundplatte, die Bohrungen aufweist, in die Aluminiumstopfen
eingepresst sind. Das Zerstäubungs-Bauteil hat eine Breite
von ca. 90 mm und kann eine Länge im Bereich von 100 bis 800 mm
aufweisen. Andere Abmessungen sind im Bedarfsfall möglich.
Die Zahl der Aluminiumstopfen richtet sich nach dem Anteil
von Aluminium in der für die Beschichtung eines Substrats
vorgesehene chemische Zusammensetzung. Der Anteil an Alumi
nium an dem Zerstäubungs-Bauteil kann zwischen 1 und 50 at%
liegen.
Die Stopfen haben typischerweise einen Durchmesser von 15 mm,
während die Grundplatte eine Dicke von 5 bis 8 mm haben
kann.
Fig. 1 zeigt ein Ti/Al-Zerstäubungs-Bauteil mit Titan als .
Grundplattenmaterial und Aluminium als Stopfenmaterial. Die
Aluminiumstopfen 1 sind regelmäßig über die Grundplatte 2
aus Titan verteilt.
Fig. 2 zeigt den in Fig. 1 mit "X" gekennzeichneten Ab
schnitt des Zerstäubungs-Bauteils. Wie die Schnittdarstel
lung veranschaulicht, weisen die Aluminiumstopfen 1 in Bezug
auf die Grundplatte 2 eine konkave Krümmung der freiliegen
den Oberfläche auf. Die freiliegende Oberfläche der Stopfen
1 schließt sich unmittelbar an die Oberfläche der Grund
platte 2 an. Die Stopfen 1 ragen in Bohrungen in einer Kühl
platte 3 hinein. Dies in einem solchen Maße, daß ein mög
lichst vollständiger Verbrauch des Zerstäubungs-Bauteils bei
einer Kathodenzerstäubung trotz verschiedener Zerstäubungs
raten für Titan und Aluminium gewährleistet wird. Die Kühl
platte 3 besteht aus Kupfer und dient zur Ableitung der
durch die Zerstäubung des Zerstäubungs-Bauteils auftretenden
Wärme, die an der dem Zerstäubungsprozeß ausgesetzten Seite
des Zerstäubungs-Bauteils erzeugt wird.
Bei dem Beispiel eines Ti/Al-Zerstäubungs-Bauteils ragen die
Aluminiumstopfen mindestens 1,5 mm in die Kühlplatte 3 hinein,
die eine Dicke im Bereich von 3 bis 6 mm hat.
Claims (8)
1. Zerstäubungs-Bauteil zur Durchführung eines PVD-Be
schichtungsverfahrens, bei dem eine Zerstäubung des
Zerstäubungs-Bauteils durch Beschuß mit Gasatomen
stattfindet und auf ein Substrat eine Schicht mit meh
reren metallischen Elementen aufgebracht wird, wobei
das Zerstäubungs-Bauteil eine Platte aus einem der
Metalle zum Aufbau der Schicht aufweist und die übrigen
Metalle zum Aufbau der Schicht wenigstens teilweise in
Form von Stopfen vorliegen, die in Bohrungen in der
Platte angeordnet sind,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Form der freiliegenden Oberfläche der Stopfen (1)
so gewählt ist, daß sich bei einer Zerstäubung des
Zerstäubungs-Bauteils für jedes Metall Zerstäubungs
raten einstellen, die für die gewünschte Schichtzusam
mensetzung erforderlich sind.
2. Zerstäubungs-Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Zerstäubungsrate für das Stopfenmate
rial durch den Grad des Versenkens bzw. Hervorstehens
der Stopfen (1) in bzw. aus den Bohrungen in der Platte
(2) eingestellt wird.
3. Zerstäubungs-Bauteil nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die freiliegenden Ober
flächen der Stopfen (1) und die Oberfläche der Platte
(2) eine durchgehende Fläche bilden, wobei die freilie
genden Oberflächen der Stopfen (1) in Bezug auf die
Platte (2) einwärts oder auswärts gekrümmt sind.
4. Zerstäubungs-Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Bohrungen einen kreis
förmigen Querschnitt aufweisen und der Krümmungsradius
der freiliegenden Oberflächen der Stopfen (1) zu dem
Bohrungsdurchmesser in einem Verhältnis von 1,5 : 1 bis
2,5 : 1 steht.
5. Zerstäubungs-Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Platte (2) aus Titan und die Stopfen
(1) aus Aluminium bestehen.
6. Zerstäubungs-Bauteil nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Bohrungsdurchmesser 15 mm und der
Krümmungsradius der freiliegenden Oberflächen der Alu
miniumstopfen (1) im Bereich von 25 bis 35 mm liegt,
wobei die freiliegenden Oberflächen der Stopfen (1) in
Bezug auf die Platte nach innen gekrümmt sind.
7. Zerstäubungs-Bauteil zur Durchführung eines PVD-Be
schichtungsverfahrens, bei dem eine Zerstäubung des
Zerstäubungs-Bauteils durch Beschuß mit Gasatomen
stattfindet und auf ein Substrat eine Schicht mit meh
reren metallischen Elementen aufgebracht wird, wobei
das Zerstäubungs-Bauteil eine Platte aus einem der
Metalle zum Aufbau der Schicht aufweist und die übrigen
Metalle zum Aufbau der Schicht wenigstens teilweise in
Form von Stopfen vorliegen, die in Bohrungen in der
Platte angeordnet sind, wobei die Platte mit den Stop
fen an einer Kühlplatte befestigt ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Stopfen (1) von der Platte (2) aus in Bohrungen in
der Kühlplatte (3) hineinragen.
8. Zerstäubungs-Bauteil nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Stopfen von der Platte aus mindestens
1,5 mm in Bohrungen in der Kühlplatte (3) hineinragen.
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WO (1) | WO2002012584A2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008005771A1 (de) | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Wolf Beschichtungstechnologie Gmbh | Zerstäubungstarget zur Herstellung von PVD-Beschichtungen aus mehreren chemischen Elementen |
CN106178113A (zh) * | 2016-08-05 | 2016-12-07 | 北京爱康宜诚医疗器材有限公司 | 溅射靶、溅射仪和假体涂层方法 |
US12173397B2 (en) | 2021-02-23 | 2024-12-24 | Cemecon Ag | Sputtering target |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9051211B2 (en) * | 2004-04-27 | 2015-06-09 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Effects of methods of manufacturing sputtering targets on characteristics of coatings |
CN101775576A (zh) * | 2009-01-12 | 2010-07-14 | 上海广电电子股份有限公司 | ZnO基粉末-金属复合溅射靶材及其制备方法 |
US8821701B2 (en) | 2010-06-02 | 2014-09-02 | Clifton Higdon | Ion beam sputter target and method of manufacture |
DE102012013577A1 (de) | 2012-07-10 | 2014-01-16 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Hochleistungsimpulsbeschichtungsmethode |
DE102012024638A1 (de) | 2012-12-17 | 2014-06-18 | Kennametal Inc. | Werkzeug zur spanenden Bearbeitung von Werkstücken und Verfahren zum Beschichten von Substratkörpern |
EP3282036B1 (de) | 2016-02-09 | 2023-03-29 | Wilsonart LLC | Verfahren zur beschichtung von edelstahldruckplatten |
RU178867U1 (ru) * | 2016-05-04 | 2018-04-20 | Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "НОК" | Вакуумная микроразмерная кристаллизационная ячейка |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE465699C (de) * | 1926-07-22 | 1928-09-21 | Ernst Albers Schoenberg Dr | Aus Stuecken verschiedener Metalle bestehende Kathode zur Herstellung elektrischer Widerstaende |
DE2914618C2 (de) * | 1979-04-11 | 1983-09-29 | Glyco-Metall-Werke Daelen & Loos Gmbh, 6200 Wiesbaden | Schichtwerkstoff mit auf einer Trägerschicht im Drahtexplosionsverfahren oder Kathodenzerstäubung (Sputtering) aufgebrachter Gleit- oder Reibschicht, Verfahren zu seiner Herstellung und Target zur Durchführung des Verfahrens |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5747871A (en) | 1980-09-05 | 1982-03-18 | Hitachi Ltd | Sputtering target |
US4610774A (en) * | 1984-11-14 | 1986-09-09 | Hitachi, Ltd. | Target for sputtering |
JPS61291969A (ja) | 1985-06-18 | 1986-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
JPS627852A (ja) | 1985-07-04 | 1987-01-14 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
US4915810A (en) * | 1988-04-25 | 1990-04-10 | Unisys Corporation | Target source for ion beam sputter deposition |
JPH08158047A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-18 | Toshiba Corp | スパッタリング用ターゲットおよびその製法 |
-
2000
- 2000-08-08 DE DE10039478A patent/DE10039478A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-08-07 AU AU2001291747A patent/AU2001291747A1/en not_active Abandoned
- 2001-08-07 DE DE60104709T patent/DE60104709T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-07 AT AT01971886T patent/ATE272726T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-08-07 US US10/344,128 patent/US6852201B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-07 WO PCT/EP2001/009119 patent/WO2002012584A2/en active IP Right Grant
- 2001-08-07 EP EP01971886A patent/EP1325167B8/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE465699C (de) * | 1926-07-22 | 1928-09-21 | Ernst Albers Schoenberg Dr | Aus Stuecken verschiedener Metalle bestehende Kathode zur Herstellung elektrischer Widerstaende |
DE2914618C2 (de) * | 1979-04-11 | 1983-09-29 | Glyco-Metall-Werke Daelen & Loos Gmbh, 6200 Wiesbaden | Schichtwerkstoff mit auf einer Trägerschicht im Drahtexplosionsverfahren oder Kathodenzerstäubung (Sputtering) aufgebrachter Gleit- oder Reibschicht, Verfahren zu seiner Herstellung und Target zur Durchführung des Verfahrens |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Mater. Sci. Technol. 15, Dez. 1999, 1447-1450 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008005771A1 (de) | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Wolf Beschichtungstechnologie Gmbh | Zerstäubungstarget zur Herstellung von PVD-Beschichtungen aus mehreren chemischen Elementen |
CN106178113A (zh) * | 2016-08-05 | 2016-12-07 | 北京爱康宜诚医疗器材有限公司 | 溅射靶、溅射仪和假体涂层方法 |
US12173397B2 (en) | 2021-02-23 | 2024-12-24 | Cemecon Ag | Sputtering target |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1325167A2 (de) | 2003-07-09 |
EP1325167B1 (de) | 2004-08-04 |
AU2001291747A1 (en) | 2002-02-18 |
EP1325167B8 (de) | 2004-09-29 |
WO2002012584A3 (en) | 2002-04-25 |
US6852201B2 (en) | 2005-02-08 |
DE60104709T2 (de) | 2005-03-10 |
DE60104709D1 (de) | 2004-09-09 |
US20030173216A1 (en) | 2003-09-18 |
WO2002012584A2 (en) | 2002-02-14 |
ATE272726T1 (de) | 2004-08-15 |
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