DE10038693C2

DE10038693C2 - temperature sensor

Info

Publication number: DE10038693C2
Application number: DE2000138693
Authority: DE
Inventors: Karl Schroedinger; Jaro Stimma
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2000-07-28
Filing date: 2000-07-28
Publication date: 2002-10-24
Anticipated expiration: 2020-07-29
Also published as: DE10038693A1

Description

Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to a temperature sensor according to the Preamble of claim 1.

Die Druckschrift US 5,336,943 beschreibt einen Temperatur sensor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, der zwei Feldeffekttransistoren aufweist, von denen der eine im Bereich unterhalb der Abschnürspannung (subthreshold region) und der andere an einem Arbeitspunkt betrieben wird, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung im wesentlichen temperaturunabhängig ist. Durch Vergleich der Spannungen an den beiden Feldeffekttransistoren wird ein Signal erzeugt, das von der Temperatur des unterhalb der Abschnürspannung betriebenen Transistors abhängig ist.The publication US 5,336,943 describes a temperature sensor according to the preamble of claim 1, the two Has field effect transistors, one of which is in the Area below the pinch-off voltage (subthreshold region) and the other is operated at a working point in which for a constant drain-source current, the gate voltage in is essentially independent of temperature. By comparing the Voltages at the two field effect transistors become one Signal generated by the temperature of the below the Pinch-off operated transistor is dependent.

Ein Nachteil des bekannten Temperatursensors besteht darin, daß das Ausgangssignal aufgrund der kleinen Ströme und Spannungen im Bereich unterhalb der Abschnürspannung klein und daher nur schwer weiterzuverarbeiten ist.A disadvantage of the known temperature sensor is that the output signal due to the small currents and Tensions in the area below the pinch-off voltage are small and is therefore difficult to process.

Die US 5 796 290 A beschreibt ebenfalls einen gattungsgemäßen Temperatursensor. Der Temperatursensor weist zwei Feldeffekttransistoren auf, von denen der eine an einem Arbeitspunkt betrieben wird, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung im wesentlichen temperaturunabhängig ist. Der andere Feldeffekttransistor wird unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes betrieben. Die Differenz der Spannungen an den beiden Feldeffekttransistoren wird als Maß für die Temperatur ausgewertet.US 5 796 290 A also describes a generic one Temperature sensor. The temperature sensor has two Field effect transistors, of which one on one Operating point is operated in a constant Drain-source current is the gate voltage essentially is independent of temperature. The other field effect transistor becomes below the temperature-independent working point operated. The difference in voltages across the two Field effect transistors are used as a measure of temperature evaluated.

Aus der EP 0 523 799 A1 ist ein Temperatursensor mit zwei FET-Transistorschaltungen bekannt, von denen eine Bereich unterhalb der Abschnürspannung (subthreshold region) und die andere in einem temperaturunabhängigen Arbeitspunkt betrieben wird.EP 0 523 799 A1 describes a temperature sensor with two FET transistor circuits are known, one of which is range below the pinch-off voltage (subthreshold region) and the others operated in a temperature-independent operating point becomes.

Die DE 198 41 202 C1 beschreibt einen Temperatursensor, der ein Halbleiterbauelement mit temperaturabhängiger Stromcharakteristik und ein Referenzbauelement aufweist. Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Temperatursensor zur Verfügung zu stellen, der ein im wesent lichen linear von der Temperatur abhängiges, relativ großes Ausgangssignal zur Verfügung stellt. Der Temperatursensor soll sich dabei zur Einstellung einer temperaturunabhängigen Verstärkung einer Verstärkerschaltung eignen.DE 198 41 202 C1 describes a temperature sensor that a semiconductor device with temperature-dependent Has current characteristic and a reference component. The present invention has for its object a To provide temperature sensor, which is essentially one Lichen linearly dependent on the temperature, relatively large Output signal provides. The temperature sensor should aim to set a temperature-independent Amplification of an amplifier circuit are suitable.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Temperatursen sor mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Bevorzugte und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.This object is achieved by a Temperatursen solved with the features of claim 1. Preferred and advantageous embodiments of the invention are in the Subclaims specified.

Danach zeichnet sich der erfindungsgemäße Temperatursensor dadurch aus, daß eine erste FET-Transistorschaltung in einem Arbeitsbereich betrieben wird, der oberhalb des temperatu runabhängigen Arbeitspunktes und in einem Bereich liegt, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung mit zunehmender Temperatur zunimmt. Eine zweite FET-Transi storschaltung wird dagegen an einem Arbeitspunkt betrieben, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung im wesentlichen temperaturunabhängig ist. Dies führt dazu, daß die Differenz der Spannungen an der ersten und der zweiten FET-Transistorschaltung ein Maß für die Temperatur an der ersten FET-Transistorschaltung darstellt und entsprechend ausgewertet wird.The temperature sensor according to the invention then stands out characterized in that a first FET transistor circuit in one Working area is operated above the temperatu run-dependent working point and in an area in the gate voltage for a constant drain-source current increases with increasing temperature. A second FET transi On the other hand, the fault circuit is operated at an operating point in which for a constant drain-source current Gate voltage is essentially independent of temperature. This causes the difference in voltages at the first and the second FET transistor circuit a measure of that Represents temperature at the first FET transistor circuit and is evaluated accordingly.

Die erfindungsgemäße Lösung weist des weiteren eine Verstär kerschaltung auf, die die Differenz der Gatespannungen an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung erfaßt und in eine Steuerspannung für eine weitere Verstärkerschaltung umsetzt. Die Verstärkerschaltung verstärkt die Differenzspannung und paßt sie im Arbeitspunkt an.The solution according to the invention also has an amplifier circuit, which is the difference between the gate voltages at the first and second FET transistor circuit detected and into a Control voltage for another amplifier circuit is implemented. The amplifier circuit amplifies the differential voltage and adjusts them in the working point.

Es wird darauf hingewiesen, daß jeder Feldeffekttransistor einen Arbeitspunkt aufweist, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung im wesentlichen tempera turunabhängig ist (englisch: zero-temperature-coefficient-po int). Unterhalb dieses Arbeitspunktes weist der Drain-Source- Strom einen positiven Temperaturkoeffizienten, oberhalb dieses Arbeitspunktes eines negativen Temperaturkoeffizienten auf. Dies ist in der Literatur zu Feldeffekttransistoren aus führlich beschrieben.It should be noted that each field effect transistor has an operating point in which for a constant Drain-source current the gate voltage essentially tempera is independent of the door (English: zero-temperature-coefficient-po int). Below this operating point, the drain-source Current has a positive temperature coefficient, above this working point of a negative temperature coefficient on. This is from the literature on field effect transistors described in detail.

Der erfindungsgemäße Temperatursensor weist den Vorteil auf, daß durch Betreiben der beiden FET-Transistorschaltungen zum einem im "zero-temperature-coefficient-point" und zum anderen oberhalb dieses Punktes eine im wesentlichen lineare Abhängigkeit des Ausgangssignals von der Temperatur besteht. Das Ausgangssignal ist dabei die Differenz der an den beiden FET-Transistorschaltungen anliegenden Spannungen. Zusätzlich wird eine gegenüber dem Stand der Technik der US-A-5,336,943 größere Ausgangsspannung erzeugt, so daß sich das Ausgangssignal leicht weiterverarbeiten läßt.The temperature sensor according to the invention has the advantage that by operating the two FET transistor circuits to one at the "zero-temperature-coefficient-point" and the other above this point an essentially linear one The output signal depends on the temperature. The output signal is the difference between the two FET transistor circuits present voltages. additionally becomes one over the prior art of US-A-5,336,943 generates larger output voltage, so that the Output signal can be easily processed.

Die Mittel zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung und die Mittel zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschal tung weisen bevorzugt einen Stromgenerator auf, der die beiden Transistorschaltungen mit konstanten Strömen speist. Mit Vorteil besteht der Stromgenerator dabei aus zwei gekoppelten Stromquellen, die die FET-Transistorschaltungen speisen. Durch Verwendung eines Stromgenerators, der die beiden FET-Transistorschaltungen mit unterschiedlichen Strömen betreibt, lassen sich die gewünschten Arbeitspunkte der Transistorschaltungen einfach und zuverlässig einstellen.The means for operating the first FET transistor circuit and the means for operating the second FET transistor scarf device preferably have a power generator that the feeds two transistor circuits with constant currents. The power generator advantageously consists of two coupled current sources that make up the FET transistor circuits Food. By using a power generator that the two FET transistor circuits with different Operates streams, the desired working points the transistor circuits easily and reliably set.

Alternativ weisen die Mittel zum Betreiben der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung jeweils einen Widerstand auf, der mit der jeweiligen FET-Transistorschaltung in Reihe geschaltet ist. In dieser Ausführungsvariante werden die FET- Transistorschaltungen durch die Widerstände gespeist.Alternatively, the means for operating the first and second FET transistor circuit each have a resistor, that with the respective FET transistor circuit in series is switched. In this variant, the FET Transistor circuits powered by the resistors.

Die FET-Transistorschaltungen weisen bevorzugt jeweils mindestens einen MOS-Transistor auf, der in Diodenschaltung betrieben wird, d. h. das Gate ist mit dem Drain-Anschluß verbunden.The FET transistor circuits preferably each have at least one MOS transistor on the diode circuit is operated, d. H. the gate is with the drain connection connected.

Um eine variablere Generierung der Differenzspannung zwischen den beiden FET-Transistorschaltungen zu ermöglichen, ist an einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen, für die erste und/oder die zweite FET-Transistorschaltung kaskadierte MOS-Transistoren einzusetzen. Dabei kann in einfacher Weise durch Variation der Speiseströme sowie der Transistorgrößen die Differenzspannung über einen sehr weiten Spannungsbereich eingestellt werden.In order to generate the differential voltage between To enable the two FET transistor circuits is on a further embodiment of the invention provided for the first and / or the second FET transistor circuit use cascaded MOS transistors. Here, in simply by varying the feed currents and the Transistor sizes the differential voltage over a very wide Voltage range can be set.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen:The invention is described below with reference to the Figures of the drawing using several exemplary embodiments explained in more detail. Show it:

Fig. 1 das Schaltbild einer Verstärkerschaltung mit einer Schaltungsanordnung und einem Temperatursensor; Fig. 1 is a circuit diagram of an amplifier circuit having a circuit arrangement and a temperature sensor;

Fig. 2 schematisch die Verstärkung und den Steuerstrom in Abhängigkeit von der Temperatur mit und ohne Verstärkungssteuerung;2 schematically shows the gain and the control current as a function of temperature with and without gain control.

Fig. 3a schematisch die Transistorkennlinie eines MOS- Transistors für zwei Temperaturen; Figure 3a schematically shows the transistor characteristic of a MOS transistor for two temperatures.

Fig. 3b die Schaltung eines MOS-Transistors bei Aufnahme der Tansistorkennlinie gemäß Fig. 3a, und Fig. 3b, the circuit of a MOS transistor when recording the Tansistor characteristic according to Fig. 3a, and

Fig. 4 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels eines Temperatursensors; Fig. 4 is a circuit diagram of an embodiment of a temperature sensor;

Fig. 1 zeigt eine Verstärkerschaltung mit drei Verstärkerstu fen 1, 1', 1", die jeweils aus MOS-Transistoren Q1, Q2 und Drain-Widerständen Rd bestehen. Die Verstärkerstufen 1, 1', 1" können identisch ausgebildet sein. Dies ist jedoch nicht notwendigerweise der Fall. Fig. 1 1 shows an amplifier circuit with three Verstärkerstu fen 1 ', 1 ", respectively, and drain resistors Rd are composed of MOS transistors Q1, Q2. The amplifier stages 1, 1', 1" can be formed identically. However, this is not necessarily the case.

Die Source-Anschlüsse der beiden Transistoren Q2 einer Ver stärkerstufe sind gemeinsam an den Drain-Anschluß des Transi stors Q1 angeschlossen, der als Stromquelle dient. Der Source-Anschluß des Transistors Q1 ist mit Masse verbunden. Die Drain-Anschlüsse der Transistoren Q2 sind jeweils über einen Drain-Widerstand Rd mit einer Spannungsquelle verbun den. Die an den Drain-Anschlüssen der Transistoren Q2 anlie genden Spannungen einer Stufe 1, 1' werden dem Differenzver stärker der nächsten Stufe 1', 1" als Eingang zugefügt. Derartige Verstärkerstufen sind an sich bekannt.The source connections of the two transistors Q2 of a amplifier stage are connected together to the drain of the transistor Q1, which serves as a current source. The source of transistor Q1 is connected to ground. The drain connections of the transistors Q2 are each connected to a voltage source via a drain resistor Rd. The voltages of one stage 1 , 1 'applied to the drain connections of the transistors Q2 are added to the differential amplifier of the next stage 1 ', 1 "as an input. Such amplifier stages are known per se.

Durch die Gatespannung am Transistor Q1 wird jeweils der Strom durch die einzelnen Verstärkerstufen 1, 1', 1" einge stellt. Wie nachfolgend erläutert, wird die Gatespannung dabei so eingestellt, daß der Strom Iv durch die Verstärker stufen mit abnehmender Temperatur reduziert wird. Dies führt dazu, daß ausgehend von einer ausreichenden Verstärkung V0 bei einer höchsten Betriebstemperatur die Verstärkung bzw. die Transistorsteilheit gm mit abnehmender Temperatur konstant bleibt.The current through the individual amplifier stages 1 , 1 ', 1 "is set in each case by the gate voltage at transistor Q1. As explained below, the gate voltage is set in such a way that the current Iv through the amplifier stages is reduced with decreasing temperature. This leads to the fact that, starting from a sufficient gain V0 at a highest operating temperature, the gain or the transistor steepness gm remains constant with decreasing temperature.

Dieser Zusammenhang ist schematisch in Fig. 2 dargestellt. Der obere Graph G1 in Fig. 2 zeigt die Verstärkung V (die proportional zur Transistorsteilheit gm ist) bei konstantem Strom, ohne die nachfolgend erläuterte Steuerung der Gate spannung des Transistor Q1. Die Verstärkung V nimmt mit zunehmender Betriebstemperatur T quadratisch ab und erreicht bei einer maximalen Betriebstemperatur T_max den Wert V0.This relationship is shown schematically in FIG. 2. The upper graph G1 in FIG. 2 shows the gain V (which is proportional to the transistor steepness gm) at constant current, without the control of the gate voltage of the transistor Q1 explained below. The gain V decreases quadratically with increasing operating temperature T and reaches the value V0 at a maximum operating temperature T _max .

Die untere Kurve G3 zeigt den Strom Iv durch die Verstärkerstufe, der durch eine entsprechende Einstel lung der Steuerspannung bzw. Gatespannung des Transistors Q1 mit abnehmender Temperatur hin reduziert wird.The lower curve G3 shows the current Iv through the amplifier stage, by an appropriate setting development of the control voltage or gate voltage of the transistor Q1 is reduced with decreasing temperature.

Da die Steilheit eines im Sättigungsbereich betriebenen Transistors proportional zur Wurzel des Drain-Stroms Id ist, wird durch den reduzierten Strom Iv die Verstärkung der Ver stärkerstufe bei kleinen Temperaturen entsprechend reduziert. Dies führt dazu, daß die Verstärkung über den gesamten Tempe raturbereich im wesentlichen konstant ist und dem Wert V0 entspricht. Dies ist in dem mittleren Graphen G2 der Fig. 2 dargestellt.Since the steepness of a transistor operated in the saturation region is proportional to the root of the drain current Id, the amplification of the amplification stage at low temperatures is correspondingly reduced by the reduced current Iv. This means that the gain is substantially constant over the entire temperature range and corresponds to the value V0. This is shown in the middle graph G2 of FIG. 2.

Eine Steuerung der Gatespannung Ug der Transistoren Q1 erfolgt mittels eines Temperatursensors 2 und einer Verstär kerschaltung 3.The gate voltage Ug of the transistors Q1 is controlled by means of a temperature sensor 2 and an amplifier circuit 3 .

Der Temperatursensor 2 wird gemäß Fig. 1 durch zwei MOS-Tran sistoren Q3 und Q4 realisiert, die in Diodenschaltung angeordnet sind, d. h. der Gate-Anschluß und der Drain-An schluß der Transistoren sind miteinander verbunden. Über einen Stromgenerator 21 mit zwei gekoppelten Stromquellen werden die Transistoren Q3 und Q4 mit unterschiedlichen Strömen I1 und I2 betrieben. Der Stromgenerator 21 ist dabei mit dem Gate-Anschluß verbunden; der Source-Anschluß der beiden Transistoren ist jeweils geerdet.The temperature sensor 2 is realized according to FIG. 1 by two MOS transistors Q3 and Q4 which are arranged in a diode circuit, ie the gate connection and the drain connection of the transistors are connected to one another. Via a current generator 21 with two coupled current sources, the transistors Q3 and Q4 are operated with different currents I1 and I2. The current generator 21 is connected to the gate terminal; the source connection of the two transistors is grounded.

Die Verstärkerschaltung 3 weist zwei Eingänge auf, von denen der eine Eingang mit dem Drain-Anschluß des Transistors Q3 und der andere Eingang mit dem Drain-Anschluß des Transistors Q4 verbunden ist. Die Steuerschaltung 3 erfaßt damit die Differenzspannung an den beiden Transistoren Q3 und Q4 und setzt diese Differenzspannung in eine Steuerspannung Ug um, die die Gatespannung der als Stromquellen dienenden Transi storen Q1 der Verstärkerstufen 1, 1', 1" bildet.The amplifier circuit 3 has two inputs, of which one input is connected to the drain of transistor Q3 and the other input is connected to the drain of transistor Q4. The control circuit 3 thus detects the differential voltage across the two transistors Q3 and Q4 and converts this differential voltage into a control voltage Ug which forms the gate voltage of the transistors Q1 serving as current sources for the amplifier stages 1 , 1 ', 1 ".

In Abhängigkeit von der Stromdichte ergibt sich eine unterschiedliche Temperaturabhängigkeit der Gatespannung, die zur Temperaturmessung ausgenutzt wird. Fig. 3a zeigt schematisch die Transistorkennlinie eines MOS-Transistors (etwa des Transistors Q3 oder des Transistors Q4 der Fig. 1) für zwei Temperaturen T1 und T2, wobei T2 kleiner als T1 ist. Die zu gehörige Schaltung, bei der die Transistorkennlinie aufgenommen ist, ist in Fig. 3b dargestellt. Der Transistor wird bei Aufnahme der Transistorschaltung in Diodenschaltung betrieben.Depending on the current density, there is a different temperature dependency of the gate voltage, which is used for temperature measurement. FIG. 3a schematically shows the transistor characteristic of a MOS transistor (such as the transistor Q3 or the transistor Q4 of Fig. 1) for two temperatures T1 and T2, where T2 is less than T1. The associated circuit in which the transistor characteristic is recorded is shown in Fig. 3b. The transistor is operated in diode circuit when the transistor circuit is picked up.

Gemäß Fig. 3a existiert ein Arbeitspunkt A, in dem der Tempe raturkoeffizient gleich Null ist, d. h. für einen konstanten Drain-Source-Strom Id ist die Gatespannung Ug temperaturunab hängig. Unterhalb dieses Punktes A ist der Temperaturkoeffi zient des Drain-Source-Stroms Id positiv, oberhalb des Punk tes A negativ.According to Fig. 3a there is an operating point A, where the Tempe raturkoeffizient is equal to zero, ie for a constant drain-source current Id is the gate voltage Ug temperaturunab pending. Below this point A, the temperature coefficient of the drain-source current Id is positive, above the point A is negative.

Bei der Schaltung gemäß Fig. 1 wird nun der Transistor Q4 bei einer Stromstärke I2 betrieben, die dem temperaturunabhängi gen Arbeitspunkt A entspricht. Dementsprechend ist die Spannung U2 am Transistor Q4 konstant.In the circuit of Fig. 1, the transistor Q4 is now operated at a current I2 which corresponds to the operating point A temperaturunabhängi gen. Accordingly, the voltage U2 at transistor Q4 is constant.

Demgegenüber wird der Transistor Q3 an einem Arbeitspunkt oberhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes A betrie ben. In diesem Bereich ist der Temperaturkoeffizient von Id negativ, d. h. mit zunehmender Temperatur wird eine höhere Spannung zur Realisierung einer vorgegebenen Stromstärke I2 benötigt. So werden in Fig. 3a zur Realisierung der Strom stärke I2 bei der (niedrigeren) Temperatur T2 die Spannung U1T2 und bei der (höheren) Temperatur T1 die höhere Spannung U1T1 benötigt.In contrast, the transistor Q3 is operated at an operating point above the temperature-independent operating point A. In this range, the temperature coefficient of Id is negative, ie with increasing temperature, a higher voltage is required to implement a predetermined current I2. Thus, in Fig. 3a to realize the current I2 at the (lower) temperature T2, the voltage U1T2 and at the (higher) temperature T1, the higher voltage U1T1 is required.

Da der Transistor Q4 im Arbeitspunkt I1 und der Transistor Q3 im Arbeitspunkt I2 betrieben werden, variiert die Spannung im Arbeitspunkt I1 in Abhängigkeit von der Temperatur, während sie im Arbeitspunkt I2 konstant bleibt. Die Differenzspannung (U2 - U1) ist proportional zur anliegenden Temperatur T, d. h. mit zunehmender Temperatur des Transistors T3 nimmt auch die Differenzspannung (U2 - U1) zu.Since the transistor Q4 in the operating point I1 and the transistor Q3 are operated at operating point I2, the voltage varies in Working point I1 depending on the temperature while it remains constant in working point I2. The differential voltage (U2 - U1) is proportional to the applied temperature T, i.e. H. with increasing temperature of the transistor T3, the Differential voltage (U2 - U1) too.

Die Differenzspannung (U2 - U1) wird von der Verstärkerschal tung 3 in die Steuerspannung Ug umgesetzt, wobei neben einer Verstärkung auch eine Anpassung des Arbeitspunktes erfolgt. Durch die Steuerspannung Ug wird die Gatespannung der Transistoren Q1 entsprechend dem gewünschten Srom Iv eingestellt. Dabei wird die Temperaturabhängigkeit der Verstärkung bzw. der Steilheit der Transistoren Q2 dadurch kompensiert, daß mit abnehmender Temperatur der Strom Iv durch die Verstärkerstufen 1, 1', 1" reduziert wird. Dabei sind die Transistoren Q3, Q4 sowie die Transistoren Q1 und Q2 natürlich thermisch gekoppelt, so daß über den Transistor Q4 die Temperatur der Transistoren Q2 ermittelt werden kann. Zur thermischen Kopplung sind die entsprechenden Transistoren beispielsweise in einem Siliziumplättchen integriert ausgebildet.The differential voltage (U2 - U1) is converted by the amplifier circuit 3 into the control voltage Ug, an adjustment of the operating point being carried out in addition to an amplification. The gate voltage of the transistors Q1 is set in accordance with the desired current Iv by the control voltage Ug. The temperature dependence of the gain or the steepness of the transistors Q2 is compensated for by the fact that the current Iv through the amplifier stages 1 , 1 ', 1 "is reduced as the temperature decreases. The transistors Q3, Q4 and the transistors Q1 and Q2 are natural thermally coupled, so that the temperature of the transistors Q2 can be determined via the transistor Q4, for thermal coupling the corresponding transistors are, for example, integrated in a silicon wafer.

Bei einer Abnahme der Temperatur sinkt die Spannung U1 am Transistor Q3 des Temperatursensors 2. Dementsprechend sinkt auch die Differenzspannung (U2 - U1). Damit ist auch die Steuerspannung Ug, die die Gatespannung der Transistoren Q1 darstellt, vermindert. Dies führt bei abnehmenden Temperaturen zu einem reduzierten Strom Iv durch die Verstär kerstufen. Somit stellt die dargestellte Schaltung sicher, daß bei kleinen Temperaturen ein nur reduzierter Strom durch die Verstärkerstufen fließt, was wiederum zu einer verminderten Verstärkung führt, die die Zunahme der Verstärkung bei niedrigen Temperaturen kompensiert.When the temperature decreases, the voltage U1 at the transistor Q3 of the temperature sensor 2 drops. The differential voltage (U2 - U1) also drops accordingly. This also reduces the control voltage Ug, which represents the gate voltage of the transistors Q1. With decreasing temperatures, this leads to a reduced current Iv through the amplifier stages. Thus, the circuit shown ensures that at low temperatures, only a reduced current flows through the amplifier stages, which in turn leads to a reduced gain which compensates for the increase in gain at low temperatures.

Fig. 4 zeigt detaillierter ein Ausführungsbeispiel eines Temperatursensors 2' und einer Verstärkerschaltung 3'. Im Unterschied zur Fig. 1 ist der Transistor Q4 durch zwei Transistoren Q4', Q4" ersetzt, die kaskadiert angeordnet sind. Zwei Transistoren Q5 und Q6 dienen als Stromquellen für die Ströme I1 und I2. Fig. 4 shows in more detail an embodiment of a temperature sensor 2 'and an amplifier circuit 3 '. In contrast to FIG. 1, the transistor Q4 is replaced by two transistors Q4 ', Q4 ", which are arranged in cascade. Two transistors Q5 and Q6 serve as current sources for the currents I1 and I2.

Die Verstärkerschaltung 3' wird durch eine an sich bekannte Substraktionsschaltung für die beiden Eingangsspannungen U2 und U1 ausgebildet. Die Subtraktionsschaltung weist einen invertierenden Operationsverstärker 31 auf, dem die Eingangs spannung U1 über einen Spannungsteiler an den nicht invertierenden Eingang zugeführt wird. Da das Verhältnis der Widerstände R1, R2 am invertierenden und am nicht invertierenden Eingang gleich ist, wird nur die Differenz der Eingangsspannungen (U2 - U1) verstärkt und als Steuerspannung Ug ausgegeben.The amplifier circuit 3 'is formed by a subtraction circuit known per se for the two input voltages U2 and U1. The subtraction circuit has an inverting operational amplifier 31 , to which the input voltage U1 is fed via a voltage divider to the non-inverting input. Since the ratio of the resistors R1, R2 at the inverting and at the non-inverting input is the same, only the difference between the input voltages (U2 - U1) is amplified and output as control voltage Ug.

Durch Variation der Ströme I1 und I2 sowie der Transistorgrö ßen Q3, Q4', Q4" kann die Differenzspannung (U2 - U1) bei der Schaltung gemäß Fig. 4 fast beliebig eingestellt werden. Damit kann diese Spannung mittels des Operationsverstärker 31 auf die benötigte Spannung Ug umgesetzt werden. By varying the currents I1 and I2 and the Transistorgrö SEN Q3, Q4 ', Q4', the difference voltage (U2 - U1).. In the circuit of Figure 4 can be set in almost any order for this voltage can by means of the operational amplifier 31 to the required voltage Ug to be implemented.

LIST OF REFERENCE NUMBERS

11

, .

11

', '

11

" Verstärkerstufe
"Amplifier stage

22

, .

22

' Temperatursensor
'' Temperature sensor

2121

Stromgenerator
power generator

33

, .

33

' Verstärkerschaltung
'' Amplifier circuit

3131

Operationsverstärker
Q Transistor
Rd Drain-Widerstand
Iv Strom durch Verstärkerstufe
Id Drain-Source-Strom
Ug Steuerspannung
T Temperatur
V Verstärkung
operational amplifiers
Q transistor
Rd drain resistance
Iv current through amplifier stage
Id drain-source current
Ug control voltage
T temperature
V gain

Claims

1. Temperature sensor with a first FET transistor circuit (Q3), a second FET transistor circuit (Q4, Q4 ', Q4 ") and means for operating the second FET transistor circuit (Q4, Q4', Q4") at an operating point (A ), in which the gate voltage (U2) is essentially temperature-independent for a constant drain-source current (I2), characterized by ,

- Means for operating the first FET transistor circuit (Q3) in a working range which is above the temperature-independent operating point (A) and in a range in which the gate voltage (U1) for a constant drain-source current (I1) increases with increasing temperature, the difference between the gate voltages (U2; U1) at the first and second FET transistor circuits (Q3; Q4, Q4 ', Q4 ") being evaluated as a measure of the temperature,
- And an amplifier circuit ( 3 ) which detects the difference in the gate voltages (U2; U1) at the first and second FET transistor circuits (Q3; Q4, Q4 ', Q4 ") and in a control voltage (Ug) for another Amplifier circuit ( 1 , 1 ', 1 ") implemented.

2. Temperature sensor according to claim 1, characterized in that the means for operating the first FET transistor circuit (Q3) and the means for operating the second FET transistor circuit (Q4, Q4 ', Q4 ") have a current generator ( 21 ), the the two FET transistor circuits (Q3; Q4, Q4 ', Q4 ") each feed with a constant current (I1, I2).

3. Temperature sensor according to claim 2, characterized in that the current generator ( 21 ) has two coupled current sources (Q5, Q6) which feed the FET transistor circuits (Q3; Q4, Q4 ', Q4 ").

4. Temperature sensor according to claim 1, characterized in that the means to operate the first FET transistor circuit (Q3) and the Means for operating the second FET transistor circuit (Q4, Q4 ', Q4 ") each have at least one resistor that with the respective FET transistor circuit (Q3; Q4, Q4 ', Q4 ") is connected in series.

5. Temperature sensor according to at least one of the preceding Claims, characterized in that the first FET transistor circuit (Q3) and the second FET Transistor circuit (Q4, Q4 ', Q4 ") each have a FET Have transistor that is operated in a diode circuit.

6. Temperature sensor according to at least one of claims 1 to 4, characterized in that the first FET transistor circuit (Q3) and / or the second FET Transistor circuit (Q4, Q4 ', Q4 ") cascaded FET Have transistors (Q4 ', Q4 ").