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DD248907A1 - CONSTRUCTION ELEMENT PLATE FOR ASSEMBLING SEMICONDUCTOR CHIPS IN DISC ASSEMBLY - Google Patents

CONSTRUCTION ELEMENT PLATE FOR ASSEMBLING SEMICONDUCTOR CHIPS IN DISC ASSEMBLY Download PDF

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DD248907A1
DD248907A1 DD28989586A DD28989586A DD248907A1 DD 248907 A1 DD248907 A1 DD 248907A1 DD 28989586 A DD28989586 A DD 28989586A DD 28989586 A DD28989586 A DD 28989586A DD 248907 A1 DD248907 A1 DD 248907A1
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DD
German Democratic Republic
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carrier plate
semiconductor wafer
semiconductor
plate according
chips
Prior art date
Application number
DD28989586A
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German (de)
Inventor
Eberhard Koehler
Guenter Dittmar
Dietmar Oertel
Rudolf Behlert
Original Assignee
Robotron Elektronik
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Publication date
Application filed by Robotron Elektronik filed Critical Robotron Elektronik
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Publication of DD248907A1 publication Critical patent/DD248907A1/en

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Bauelementetraegerplatte zur Montage von unverkappten Halbleiterchips im Scheibenverband. Ziel der Erfindung ist es, eine kostenguenstige Bauelementetraegerplatte fuer die Montage nackter elektronischer Bauelemente im Scheibenverband bei minimalem Flaechen- und Volumenbedarf zu schaffen. Aufgabe ist es, eine Bauelementetraegerplatte mit elektrisch leitenden Durchverbindungen zu schaffen, die bereits im Scheibenverband die face-down-Montage sowie die vollstaendige elektrische Pruefung und Passivierung ermoeglicht. Die Aufgabe wird mit einer Bauelementetraegerplatte mit massiven Durchkontaktierungen geloest, die aus der Traegerplatte herausragen und mit einem Verbindungsmittel beschichtet sind. Die Bauelementetraegerplatte besitzt die Abmessungen einer Halbleiterscheibe und enthaelt fuer je einen Halbleiterchip eine Passivierungsoeffnung. Der Zwischenraum zwischen Traegerplatte und die Passivierungsoeffnung ist mit Sekundaerpassivierungsmittel gefuellt. Vorzugsweise sind nur die qualitaetsgerechten Chips passiviert und es entfaellt das Inken der einzelnen Chips. Anwendungsgebiet: Zyklus II der Halbleitertechnologie. Fig. 2The invention relates to a component carrier plate for mounting uncapped semiconductor chips in the disk assembly. The aim of the invention is to provide a cost-effective component mounting plate for the assembly of bare electronic components in the disk assembly with minimal space and volume requirements. The task is to create a component carrier plate with electrically conductive through-connections, which enables the face-down assembly as well as the complete electrical testing and passivation already in the disk assembly. The task is solved with a component carrier plate with massive plated-through holes, which protrude from the carrier plate and are coated with a bonding agent. The component carrier plate has the dimensions of a semiconductor wafer and contains a passivation opening for each semiconductor chip. The space between the carrier plate and the passivation opening is filled with secondary passivating agent. Preferably, only the qualitaetsgerechten chips are passivated and it eliminates the inking of the individual chips. Application: Cycle II of Semiconductor Technology. Fig. 2

Description

Hierzu 2 Seiten ZeichnungenFor this 2 pages drawings

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung betrifft eine Bauelementeträgerplatte zur Montage von unverkappten Halbleiterchips im Scheibenverband. Anwendungsgebiet der Erfindung ist der Zyklus Il bei der Produktion von Halbleiterbauelementen.The invention relates to a component carrier plate for mounting uncapped semiconductor chips in the disk assembly. Field of application of the invention is the cycle II in the production of semiconductor devices.

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

Die zukünftig höhere Packungsdichte elektronischer Geräte erfordert gegen Umwelteinflüsse geschützte elektronische Bauelemente, die in ihrem Flächen- und Volumenbedarf nicht oder nur unwesentlich größer als unverkappte elektronische Bauelemente sind. Sie sollen kostengünstig herstellbar, vorteilhaft montierbar sein und eine ausreichende Abführung der Verlustwärme gewährleisten. Die unterschiedlichsten Träger unverkappter Bauelemente und Gehäuse von einzelnen Bauelementen sind beschrieben in Schade, K. u.a. Halbleitertechnologie Band II, VEB Verlag Technik Berlin, 1983; in Müller, H., Leiterplattentechnologie, Chip carrier-PIN-Grid-Array-TAB-Anwendungen, Eugen G. Leuze Verlag, Saulgau/Württ, sowie in Kohlbeck, Der Chip Carrier, in Elektronik 11/1.6.1984 S. 93-98.The future higher packing density of electronic devices requires protected against environmental influences electronic components that are not or only slightly larger than uncapped electronic components in their area and volume requirements. They should be inexpensive to produce, advantageous mountable and ensure adequate dissipation of heat loss. The most diverse carriers uncapped components and housing of individual components are described in Schade, K. u.a. Semiconductor Technology Volume II, VEB Verlag Technik Berlin, 1983; in Müller, H., printed circuit board technology, chip carrier pin grid array TAB applications, Eugen G. Leuze publishing house, Saulgau / Württ, as well as in Kohlbeck, the chip carrier, in electronics 11 / 1.6.1984 S. 93- 98th

Bei den vorgestellten Lösungen sind vereinzelte und vorgeprüfte Halbleiterchips ganzflächig mit der Rückseite auf einen metallischen oder keramischen Träger montiert. Die elektrische Verbindung von den Bondinseln der Chips zu den elektrischen Anschlüssen des Gehäuses, die sowohl massive als auch gedruckte oder galvanisch erzeugte Durchkontaktierungen sein können, erfolgt flexibel z. B. durch Drahtbonden. Die Chips sind durch einen geeigneten Kunststoff geschützt und passiviert oder in einem Herrnetikgehäuse untergebracht.In the solutions presented, isolated and pre-tested semiconductor chips are mounted over the whole area with the rear side on a metallic or ceramic carrier. The electrical connection of the bonding pads of the chips to the electrical terminals of the housing, which can be both solid and printed or galvanically generated vias, is flexible z. B. by wire bonding. The chips are protected by a suitable plastic and passivated or housed in a Herrnetikgehäuse.

Chips, deren Bondinseln mit Hügeln versehen sind, werden direkt auf einen Träger, der eine Verdrahtungsstruktur und Anschlüsse zu einem übergeordneten Verdrahtungsniveau besitzt, montiert. Die Chips sind mit einem geeigneten Kunststoff umhüllt.Chips whose bump pads are bumped are mounted directly on a carrier having a wiring structure and connections to a higher level of wiring. The chips are covered with a suitable plastic.

Bei Anwendung der bekannten Bauelementeträger ist trotz Vormessung der Chips noch eine Endmessung und oft auch eine Voralterung der fertiggestellten Bauelemente unerläßlich.When using the known component carrier despite Vormessung the chips still a final measurement and often also a pre-aging of the finished components is essential.

Keiner der bekannten Bauelementeträger bietet die technischen Voraussetzungen, schon im Scheibenverband die Montage, Endmessung, Sekundärpassivierung und Voralterung durchzuführen.None of the known component carriers offers the technical prerequisites to carry out the assembly, final measurement, secondary passivation and pre-aging already in the disk assembly.

Ziel der ErfindungObject of the invention

Es ist das Ziel der Erfindung, eine kostengünstige Bauelementeträgerplatte für die Montage nackter elektronischer Bauelemente im Scheibenverband bei minimalem Flächen- und Volumenbedarf zu schaffen.It is the object of the invention to provide a low-cost component support plate for the assembly of bare electronic components in the disc assembly with minimal space and volume requirements.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Bauelementeträgerplatte mit elektrisch leitenden Durchverbindungen zu schaffen, die bereits im Scheibenverband die face-down-Montage sowie die vollständige elektrische Prüfung und Passivierung von Bauelementen ermöglicht.The invention has for its object to provide a device carrier plate with electrically conductive through-connections, which allows the face-down assembly and the complete electrical testing and passivation of components already in the disc association.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit einer Bauelementeträgerplatte zur Montage im Scheibenverband, bestehend aus einer Trägerplatte mit massiven Durchkontaktierungen dadurch gelöst, daß die Bauelementeträgerplatte die Abmessungen einer zu kontaktierenden Halbleiterscheibe besitzt, wobei die massiven Durchkontaktierungen entsprechend den Kontaktstellen der Halbleiterscheibe angeordnet sind. Die massiven Durchkontaktierungen ragen aus der Bauelementeträgerplatte heraus und sind mit einem Verbindungsmittel beschichtet. Für je einen Halbleiterchip der Halbleiterscheibe enthält die Bauelementeträgerplatte eine Passivierungsöffnung. Der Zwischenraum zwischen Halbleiterscheibe und Bauelementeträgerplatte und die Passivierungsöffnung ist mit einem Sekundärpassivierungsmittel gefüllt.According to the invention the object is achieved with a component support plate for mounting in the disk assembly, consisting of a support plate with solid vias in that the component support plate has the dimensions of a semiconductor wafer to be contacted, the massive vias are arranged according to the contact points of the semiconductor wafer. The solid vias protrude out of the device backing plate and are coated with a bonding agent. For each semiconductor chip of the semiconductor wafer, the component carrier plate contains a passivation opening. The gap between the semiconductor wafer and the device carrier plate and the passivation opening is filled with a secondary passivation agent.

Vorzugsweise bestehen die massiven Durchkontaktierungen aus Kupfer oder einer Kupferlegierung oder Aluminium oder einer Aluminiumlegierung.Preferably, the solid plated-through holes are made of copper or a copper alloy or aluminum or an aluminum alloy.

Als Verbindungsmittel dienen leitende oder nichtleitende Kleber oder Lot.The connecting means are conductive or non-conductive adhesive or solder.

Bei der Kontaktierung der Halbleiterscheibe durch Ultraschallbonden sind die massiven Durchkontaktierungen nicht mit einem Verbindungsmittel beschichtet.When the semiconductor wafer is contacted by ultrasonic bonding, the solid plated-through holes are not coated with a bonding agent.

Eine Variante ist es, daß die massiven Durchkontaktierungen mit der Bauelementeträgerplatte eine Ebene bilden und daß auf die massiven Durchkontaktierungen Bond- oder Lothügel aufgesetzt sind.One variant is that the solid plated-through holes form a plane with the component support plate and that bonding or solder bumps are placed on the solid plated-through holes.

Das ermöglicht das Kontaktieren mittels Thermokompression.This allows contacting by thermocompression.

Vorteilhafterweise ist das Passivierungsmittel ein aushärtbares Harz mit sehr guten Kriecheigenschaften im unausgehärteten Zustand. Vorzugsweise sind nur die geprüften und qualitätsgerechten Halbleiterchips mit dem Passivierungsmittel abgedeckt.Advantageously, the passivating agent is a thermosetting resin with very good creep properties in the uncured state. Preferably, only the tested and quality-compliant semiconductor chips are covered with the passivation agent.

Dadurch entfällt das Inken der Halbleiterchips.This eliminates the inconvenience of the semiconductor chips.

Für Bauelemente mit einer großen thermischen Verlustleistung sind auf der Rückseite der Halbleiterchips Kühlkörper angebracht.For devices with a large thermal dissipation heat sinks are mounted on the back of the semiconductor chips.

Die Bauelementeträgerplatte kann in ihren Abmessungen so gestaltet werden, daß sie das Kontaktieren von Einzelchips ermöglicht.The device carrier plate may be sized to permit the contacting of individual chips.

Ausführungsbeispielembodiment

Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werdenThe invention will be explained in more detail using an exemplary embodiment

Es zeigen: Fig. 1: Bauelementeträgerplatte FIG. 1: Component carrier plate. FIG

Fig.2: Querschnitt durch einen Teil der Bauelementeträgerplatte.2 shows a cross section through a part of the component carrier plate.

Fig. 1 zeigt die Bauelementeträgerplatte zur Montage im Scheibenverband. Eine ebene Trägerplatte, bestehend aus einem Isolationsmaterial 1 besitzt massive Durchkontaktierungen 2, die entsprechend den Kontaktstellen der zu kontaktierenden Halbleiterscheibe 7 angeordnet sind. Die Passivierungsöffnung 3 ist eine Bohrung oder durch ein eingelegtes Hohlprofil entstanden.Fig. 1 shows the component carrier plate for mounting in the disk assembly. A planar carrier plate, consisting of an insulating material 1, has solid plated-through holes 2, which are arranged corresponding to the contact points of the semiconductor wafer 7 to be contacted. The Passivierungsöffnung 3 is a bore or created by an inserted hollow profile.

Fig.2 zeigt einen Querschnitt durch einen Teil der erfindungsgemäßen Bauelementeträgerplatte. Die massiven Durchkontaktierungen 2 ragen aus der Bauelementeträgerplatte ca. ΙΟμηη heraus und sind mit einem Verbindungsmittel 4 beschichtet. Als Variante bilden die massiven Durchkontaktierungen 10 mit der Bauelementeträgerplatte eine Ebene und tragen Bond-oder Lothügel, die auf der Bauelementeträgerplatte oder auf der Halbleiterscheibe erzeugt werden können. Dadurch kann die face-down-Kontaktierung der unzerteilten Halbleiterscheibe wahlweise durch Löten, Kleben, Ultraschallbonden oder Thermokompression erfolgen.2 shows a cross section through part of the component carrier plate according to the invention. The solid plated-through holes 2 protrude from the component carrier plate approximately ΙΟμηη out and are coated with a connecting means 4. As a variant, the solid plated-through holes 10 form a plane with the component carrier plate and carry bonding or solder bumps which can be generated on the component carrier plate or on the semiconductor wafer. As a result, the face-down contacting of the undivided semiconductor wafer can be effected either by soldering, gluing, ultrasonic bonding or thermocompression.

Die nach der Kontaktierung geprüfte Halbleiterscheibe ist vorteilhafterweise nur an den Stellen passiviert, an denen sich funktionsfähige Halbleiterchips befinden. Dadurch kann das Inken der Halbleiterchips entfallen.The semiconductor wafer tested after the contacting is advantageously passivated only at the points where functional semiconductor chips are located. As a result, the recessing of the semiconductor chips can be omitted.

Das Sekundärpassivierungsmittel 5 ist ein aushärtbares Harz mit sehr guten Kriecheigenschaften im unausgehärteten Zustand.The secondary passivating agent 5 is a thermosetting resin having very good creep properties in the uncured state.

Die Verbindung zum nächsten Verdrahtungsniveau erfolgt ebenfalls durch Hügel 8.The connection to the next wiring level is also through Hill 8.

Auf der Rückseite der Halbleiterchips sind bei Bedarf Kühlkörper angebracht.If required, heatsinks are mounted on the back of the semiconductor chips.

Die Bauelementeträgerplatte zur Montage im Scheibenverband schafft die Voraussetzungen, auf das Vormessen und Inken der Halbleiterchips zu verzichten und die Gut-Schlecht-Sortierung bei der notwendigen Endprüfung vorzunehmen. Als Kennzeichnung für gute Bauelemente dient vorteilhafterweise das Passivierungsmittel. Die Bauelementeträgerplatte ermöglicht eine Voralterung im Scheibenverband.The component carrier plate for mounting in the disc association creates the conditions to dispense with the pre-measurement and Inken of the semiconductor chips and make the good-bad sorting in the necessary final test. As an identifier for good components is advantageously the passivation. The component carrier plate allows pre-aging in the disc assembly.

Das Vereinzeln der Halbleiterchips erfolgt nach den bekannten Verfahren.The separation of the semiconductor chips takes place according to the known methods.

Claims (8)

1. Bauelementeträgerplatte zur Montage von Halbleite'rchips im Scheibenverband, bestehend aus einer Trägerplatte mit massiven Durchkontaktierungen, gekennzeichnet dadurch, daß die Bauelementeträgerplatte die Abmessungen einer zu kontaktierenden Halbleiterscheibe (7) besitzt, daß die massiven Durchkontaktierungen (2) aus der Bauelementeträgerplatte herausragen und mit einem Verbindungsmittel (4) beschichtet sind, daß die Bauelementeträgerplatte für je einen Halbleiterchip der Halbleiterscheibe (7) eine Passivierungsöffnung (3) enthält und daß der Zwischenraum zwischen Halbleiterscheibe (7) und Bauelementeträgerplatte und die Passivierungsöffnung (3) mit einem Sekundärpassivierungsmittel (5) gefüllt ist.1. component support plate for mounting Halbleite'rchips in the disc assembly, consisting of a support plate with solid vias, characterized in that the component support plate has the dimensions of a semiconductor wafer to be contacted (7) that the massive vias (2) protrude from the component support plate and with a connecting means (4) are coated, that the component carrier plate for each semiconductor chip of the semiconductor wafer (7) contains a Passivierungsöffnung (3) and that the gap between the semiconductor wafer (7) and the device carrier plate and the Passivierungsöffnung (3) filled with a Sekundärpassivierungsmittel (5) is. 2. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die massiven Durchkontaktierungen (10) und die Halbleiterscheibe über Bond- oder Lothügel (6) kontaktiert ist.Second component support plate according to claim 1, characterized in that the solid plated-through holes (10) and the semiconductor wafer via bond or solder bumps (6) is contacted. 3. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß die getesteten und qualitätsgerechten Halbleiterchips der Halbleiterscheibe (7) mit Sekundärpassivierungsmittel (5) passiviertsind.3. device carrier plate according to claim 1 or 2, characterized in that the tested and quality-compliant semiconductor chips of the semiconductor wafer (7) with secondary passivation means (5) are passivated. 4. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1 und 3 oder 2 und 3, gekennzeichnet dadurch, daß das Passivierungsmittel (5) ein aushärtbares Harz mit sehr guten Kriecheigenschaften im unausgehärteten Zustand ist.4. element carrier plate according to claim 1 and 3 or 2 and 3, characterized in that the passivating agent (5) is a curable resin with very good creep properties in the uncured state. 5. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die massiven Durchkontaktierungen (2) ohne Verbindungsmittel (4) mit der Halbleiterscheibe (7) durch Ultraschallbonden verbunden sind.5. device carrier plate according to claim 1, characterized in that the solid plated-through holes (2) without connecting means (4) to the semiconductor wafer (7) are connected by ultrasonic bonding. 6. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß auf der Rückseite der Halbleiterchips Kühlkörper angebracht sind.6. device carrier plate according to claim 1, characterized in that are mounted on the back of the semiconductor chip heatsink. 7. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß die massiven Durchkontaktierungen (2; 10) aus Kupfer, einer Kupferlegierung, Aluminium oder einer Aluminiumlegierung bestehen.7. The device carrier plate according to claim 1 or 2, characterized in that the solid plated-through holes (2, 10) consist of copper, a copper alloy, aluminum or an aluminum alloy. 8. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß ihre Abmessungen so gewählt sind, daß die Montage von Einzelchips möglich ist.8. element carrier plate according to claim 1, characterized in that their dimensions are chosen so that the mounting of individual chips is possible.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE3840228A1 (en) * 1988-11-29 1990-05-31 Siemens Ag Semiconductor component for bump assembly
DE19507547A1 (en) * 1995-03-03 1996-09-05 Siemens Ag Assembly of semiconductor chips using double-sided supporting plate
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