CZ2018535A3 - Způsob výroby elektricky vodivých spojů s 3D uspořádáním mezi komponentami detektoru ionizujícího záření a detektor s elektricky vodivými spoji vyrobenými tímto způsobem - Google Patents
Způsob výroby elektricky vodivých spojů s 3D uspořádáním mezi komponentami detektoru ionizujícího záření a detektor s elektricky vodivými spoji vyrobenými tímto způsobem Download PDFInfo
- Publication number
- CZ2018535A3 CZ2018535A3 CZ2018-535A CZ2018535A CZ2018535A3 CZ 2018535 A3 CZ2018535 A3 CZ 2018535A3 CZ 2018535 A CZ2018535 A CZ 2018535A CZ 2018535 A3 CZ2018535 A3 CZ 2018535A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- electrically conductive
- printed circuit
- circuit board
- chip
- electrical contacts
- Prior art date
Links
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 18
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 abstract 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N cadmium tellanylidenezinc Chemical compound [Zn].[Cd].[Te] QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/243—Modular detectors, e.g. arrays formed from self contained units
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/244—Auxiliary details, e.g. casings, cooling, damping or insulation against damage by, e.g. heat, pressure or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/811—Interconnections
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Vynález se týká výroby elektrických vodivých spojů s 3D uspořádáním mezi komponentami detektoru (1) ionizujícího záření, při které se zabraňuje degradaci komponent detektoru vlivem mechanického namáhání, tepelného namáhání, či jejich kombinací. Vynález se zaměřuje na přesně lokalizovanou aplikaci elektrovodivého pojiva mezi elektrickými kontakty (2) desky (5) plošných spojů a elektrickými kontakty (3) čtecího čipu (4) detektoru (1) ionizujícího záření.
Description
Způsob výroby elektricky vodivých spojů s 3D uspořádáním mezi komponentami detektoru ionizujícího záření a detektor s elektricky vodivými spoji vyrobenými tímto způsobem
Oblast techniky
Vynález se týká způsobu výroby elektricky vodivých spojů s 3D uspořádáním v detektoru ionizujícího záření tvořeného tepelně a mechanicky zranitelnými komponentami vyžadujícími přesnou montáž, a dále se vynález týká detektoru ionizujícího záření s elektricky vodivými spoji vyrobenými tímto způsobem.
Dosavadní stav techniky
V současné době čtvrté průmyslové revoluce se k přenosu elektrické energie a elektrických signálů mezi jednotlivými komponenty elektrických zařízení stále v největší míře používají elektricky vodivé pájky. Pájkou jez pravidla kov, nebo eutektická slitina kovů, mající nižší teplotu tání, než je teplota tání spojovaných materiálů. Díky této podmínce, se pájka při působení tepla roztaví, aniž by došlo k natavení spojovaných materiálů.
Nevýhody pájení spočívají v tom, že teplo pro roztavení pájky se šíří do bezprostředního okolí, přičemž může dojít k tepelnému poškození okolních materiálů, včetně jejich struktur. Například může dojít k opětovnému natavení již vytvořených pájených spojů, nebo k degradaci okolního materiálu působením sil zapříčiněných teplotní roztažností materiálu, atp.
Alternativou k elektricky vodivým pájkám jsou elektricky vodivá lepidla, která nemusí být pro vytvoření elektricky vodivého spoje roztavena. Nevýhody elektricky vodivých lepidel spočívají vtom, že vykazují nižší elektrickou vodivost, než pájky, a že se v některých případech musejí vytvrzovat působením světelného záření např. v rozsahu vlnových délek UV světla. Naproti tomu pájka může být roztavena i v místech, kam se přímé osvětlení pro zastínění pájenými komponentami nedostane. V těchto případech tedy elektricky vodivá lepidla vyžadující vytvrzení UV světlem nelze použít.
V současné době jsou známé zobrazovací detektory ionizujícího záření, které jsou určeny pro intenzivně zdokonalované zobrazovací a diagnostické metody využívající ionizující záření, a které nacházejí čím dál více uplatnění v nej různějších technických i netechnických oborech od nedestruktivního testování kvality výrobků v průmyslu, až po diagnostické zobrazovací metody v medicíně. Prudký rozvoj těchto metod souvisí s digitalizací celého procesu snímání a zpracování obrazu. Vývoj nových plně digitálních obrazových snímačů je nutným předpokladem k dalšímu růstu kvality poskytované obrazové informace a to, jak ve 2D, tak ve 3D.
Nastupujícím typem zobrazovacích detektorů radiace jsou polovodičové detektory s přímou konverzí dopadajícího záření na elektrický signál. Konverze probíhá v objemu každého elementu (pixelu) polovodičového sensoru, ve kterém každé kvantum detekované radiace (např. každý foton rentgenového záření) vytvoří ionizací elektrický náboj, jenž může být následně přímo digitalizován v připojeném elektronickém obvodu specializovaného elektronického čipu, nebo akumulován v paměťové kapacitě. Každý pixel může být vybaven nezávislým elektrickým obvodem pro zpracování jednotlivých elektrických nábojů vytvořených jednotlivými kvanty záření. Tímto způsobem lze digitalizovat informaci o každém dopadajícím kvantu dopadajícího záření zvlášť (tj. například pro každý foton rentgenového nebo gama záření). Obrazová informace tedy již nemusí být akumulována v průběhu exposiční doby analogově, ale registrována digitálně například ve formě počtu částic (např. fotonů), které na pixel dopadly.
V některých rozšířeních lze zaznamenat nejen počet dopadajících částic, ale i jejich další vlastnosti jako je energetické spektrum nebo čas detekce. Polovodičové detektory s přímou konverzí jsou vyráběny jednak jako monolitické, nebo jako hybridní.
- 1 CZ 2018 - 535 A3
Monolitický pixelový detektor s přímou konverzí obsahuje jeden čip, jehož polovodičový materiál slouží jako sensor, ve kterém probíhá ionizace, a na jehož povrchu jsou vytvořeny elektronické obvody pro čtení a digitalizaci signálů. Nevýhodou tohoto řešení je nutnost použití polovodiče vhodného jak pro vytvoření elektronických obvodů na dostatečné úrovni integrace, tak pro funkci sensoru tedy křemíku. Použití jiných materiálů více vhodných pro detekci požadovaného druhu záření je komplikované.
Hybridní pixelové detektory s přímou konverzí sestávají z dvojice čipů umístěných na sobě: z tzv. senzorového čipu a z tzv. čtecího čipu (v odborné literatuře se používá zkratka ROC = z anglického Read-Out Chip). Plocha senzorového čipu je rozdělena na matici elementů (pixelů), každý pixel je opatřen elektricky vodivým kontaktem. Těmito kontakty dosedá senzorový čip na odpovídající kontakty čtecího čipu. Hybridní konstrukce detektoru umožňuje kombinovat určitý typ čtecího čipu s různými senzorovými čipy zhotovenými z různých polovodičových materiálů optimalizovaných pro detekci konkrétního typu ionizujícího záření. Například pro detekci rentgenového záření do energie nízkých desítek kilo-elektronvoltů (keV) se používají převážně křemíkové senzorové čipy, pro vyšší desítky keV pak GaAs senzorové čipy, a pro energie ve stovkách keV jsou senzorové čipy zhotovovány z CdTe (Cadmium Telluride) nebo CZT (Cadmium Zink Telluride). Další nové typy materiálů senzorových čipů jsou intenzivně vyvíjeny.
Oba hlavní typy detektorů s přímou konverzí (monolitický i hybridní) jsou obvykle prostřednictvím elektrovodivých kontaktů umístěných většinou podél jedné, nebo více, stran čtecího čipu připojeny k plošnému spoji pro připojení ke zdroji napájecích napětí, k řídící elektronice, anebo počítači pro záznam dat. Příkladem takového uspořádání je vynález z patentového dokumentu CZ 304 899 B. Tento způsob připojení vyžaduje, aby část čtecího čipu alespoň podél jedné ze stran přesahovala senzorový čip, jak je vyobrazeno na obr. 1., přičemž přesahující část čtecího čipu se označuje jako periferie.
V současné době rozvíjenou alternativou k výše uvedenému uspořádání elektrovodivých kontaktů podél alespoň jedné strany čtecího čipu je nastupující technologie připojení prostřednictvím vodivých průchodek skrz křemíkový čtecí čip, viz obr. 2. Tyto průchodky známé zatím pouze pod anglickou zkratkou TSV (z angl. fráze „Through Silicon Via“) umožňují přenést elektrické signály na zadní stranu čtecího čipu, a zde je kontaktovat například prostřednictvím pole kuliček elektrovodivé pájky. Příkladem technologie TSV je například vynález známý z dokumentu US 9 496 310 B. Technologie použití pole kuliček pájky je označována zkratkou BGA (z angl. fráze „Ball Grid Array“) a příkladem takové technologie je vynález známý z dokumentu US 6 373 139 Bl. Technologie TSV kombinovaná s BGA montáží vyžaduje, aby byla druhá strana čtecího čipu (někdy je v literatuře označována jako strana substrátu) upravena tak, že je na ní vytvořen obrazec vodivých cest propojujících TSV průchodky s elektricky vodivými ploškami upravenými pro pájení. Tento propojovací obrazec bývá označován jako redistribuční maska. Deska plošného spoje obsahuje stejné rozložení kontaktovacích elektrovodivých plošek. Na elektrovodivé plošky jednoho z těchto povrchů je nanesena pájka ve tvaru kuliček. Po přitlačení obou komponent na sebe je celá sestava zahřáta na teplotu tání pájky, čímž dojde jak k elektrickému, tak k mechanickému spojení.
Připojení detektoru ze strany čtecího čipu prostřednictvím drátových propojek, viz obr. 1, umožňuje přiložit ze zadní strany detektoru blok pro chlazení, nebo pro stabilizaci teploty senzorového čipu, což umožňuje zlepšit kvalitu detekovaného signálu a tedy i obrazu. U technologie výroby TSV+BGA, ve které je detektor připojen k desce plošných spojů ze spodní strany čtecího čipu, je možnost tepelné stabilizace omezena, což je jedna z nevýhod takového řešení. Další nevýhodou technologie TSV+BGA pro připojení desky plošných spojů k elektrickým kontaktům čtecího čipu je použití pájky pro vznik vodivého propojení mezi čtecím čipem a deskou plošných spojů. Při BGA montáži je nutné zvýšit teplotu celého detektoru, včetně plošných spojů mezi čtecím a senzorovým čipem, až na teplotu tání pájky. Některé materiály
-2 CZ 2018 - 535 A3 používané pro výrobu senzorového čipu však při tomto ohřevu degradují (např. CdTe degraduje již při teplotě kolem 150 °C, HgL degraduje již kolem 100 °C).
Další nevýhody v současné době známé BGA montáže spočívají v tom, že zahřátí sestavy komponent detektoru na teploty tání pájky představuje riziko mechanického poškození komponent detektoru při nekompatibilitě koeficientu tepelné roztažnosti materiálu senzorového čipu, čtecího čipu a desky plošných spojů. Navíc zahřátí detektoru při BGA montáži může poškodit již hotové propojení senzorového čipu ke čtecímu čipu, které je často realizováno také pomocí kuliček pájky (tzv. bump-bonding). BGA montáž tedy v tomto případě vyžaduje použití pájky s nižším bodem tání. Tento požadavek je však v některých případech těžké splnit, neboť teplota tání pájky pro bump-bonding je blízká teplotě tání pájky pro montáž BGA.
Další nevýhoda BGA montáže spočívá vtom, že přesnost výroby desky plošných spojů je nižší, než přesnost výroby senzorových a čtecích čipů. Vytvoření detektoru ionizujícího záření se souvislou detekční plochou větší než je plocha jednoho čipu senzoru vyžaduje uspořádání několika (mnoha) těchto čipů vedle sebe s přesností na úrovni velikosti jednoho pixelu senzorového čipu v celé ploše. Při plochách větších než cca 5x5 cm2 je splnění tohoto požadavku výrobně náročné, a tím finančně nákladné. Přitom se v průběhu BGA montáže může vzájemná poloha komponent mírně změnit. Je tedy obtížné dodržet dostatečnou přesnost a rovinnost ve všech třech rozměrech zejména při montáži velkého počtu segmentů do souvislé detekční plochy.
BGA montáž v některých případech vyžaduje použití jisté přítlačné síly, která musí být aplikována prostřednictvím senzorového čipu. Některé materiály senzorových čipů a/nebo struktura velmi tenké krycí elektrody na povrchu senzorového čipu u monolitických detektorů jsou však velmi náchylné na mechanické poškození. Aplikace vnější síly je tedy nežádoucí.
Úkolem vynálezu je vytvoření způsobu výroby elektricky vodivých spojů v detektorech ionizujícího záření s tepelně a mechanicky zranitelnými komponentami, který by využíval pro výrobu spoje omezené množství tepla a který by dokázal efektivně odvádět odpadní teplo, aby nedocházelo k degradaci okolních komponent. Rovněž je úkolem vynálezu vytvoření detektoru ionizujícího záření s elektricky vodivými spoji vytvořenými právě tímto způsobem.
Podstata vynálezu
Vynález řeší způsob mechanické montáže a výroby elektricky vodivého spoje mezi komponentami detektoru ionizujícího záření vytvořeného podle níže uvedeného vynálezu.
Výše uvedené nedostatky technologie BGA montáže jednotlivých hybridních zobrazovacích detektorů radiace s využitím technologie TSV odstraňuje následující vynález, a to proto, že BGA technologie je mechanická montáž, tj. přesné umístění a upevnění detektoru a dále tvorba elektrických propojení, realizována jediným výrobním krokem a to pájením, při kterém dochází k zahřátí cele sestavy na teplotu tání použité pájky.
Nový vynález umožňuje provést krok mechanické montáže nezávisle na kroku tvorby elektrických propojení. Toto rozdělení umožňuje výrazně zlepšit kvalitu obou výrobních kroků. Samotný krok tvorby elektrických propojení prostřednictvím pájení navíc nevyžaduje celkový, ale jen velmi rychlý a lokální ohřev s minimem dodané tepelné energie přes desku plošných spojů.
V tomto novém řešení není čtecí čip mechanicky fixován k desce plošných spojů, ale k nezávislému teplovodivému nosiči (např. kovový nebo keramický) například pomocí lepidla. Nosič zajišťuje efektivní přenos tepla, umožňuje dosáhnout vyšší přesnosti umístění detektoru, jeho fixaci a následnou mechanickou stálost. Na společném nosiči může být vedle sebe umístěno
-3 CZ 2018 - 535 A3 více segmentů detektorů. Pro umožnění elektrického propojení je v tomto nosiči vytvořen jeden nebo více otvorů.
Elektrické připojení signálů je zajištěno prostřednictvím prostorově tvarované desky plošných spojů, umístěné pod čtecím čipem v otvorech v teplovodivém nosiči tak, že se těsně přimyká k povrchu zadní strany čtecího čipu, kde je vytvořena sada kontaktních plošek. Stejně rozmístěné kontaktní plošky jsou vytvořeny i na desce plošných spojů. Postup vytvoření elektrického kontaktu mezi oběma částmi je navržen ve třech výhodných provedeních:
Ve výhodném provedení způsobu podle vynálezu se v oblasti každého elektrického kontaktu na desce plošných spojů před přiložením k elektrickému kontaktu čtecího čipu vytvoří otvor, kterým je následně do prostoru mezi příslušnou kontaktní ploškou čtecího čipu a plošného spoje zavedeno elektrovodivé pojivo. Toto pojivo zprostředkovává pouze elektrický kontakt mezi příslušnou ploškou na desce plošných spojů a na čtecím čipu detektoru a neslouží tedy k mechanické fixaci čipu. Pojivo tedy může mít i formu gelu nebo viskózní kapaliny. Pro lepší pokrytí kontaktní plošky čtecího čipu a její spolehlivé propojení s příslušnou ploškou plošného spoje lze s výhodou využít kapilární síly. V tomto případě je výhodné volit materiál kontaktů tak, aby byl pro kapalná pojivá smáčivý a materiál mimo kontakty byl naopak nesmáčivý.
Dále je výhodné provedení způsobu podle vynálezu, při kterém se jako elektrovodivé pojivo použije pájecí pasta, která se zavede do otvoru elektrického kontaktu desky plošných spojů před přiložením k elektrickým kontaktům čtecího čipu. Pájecí pasta drží v otvorech dobře pro umožnění manipulace s deskou plošných spojů. Po přiložení desky plošných spojů k elektrickým kontaktům čtecího čipu je postupně a v každém otvoru pájka v pájecí pastě roztavena. Toto tavení je provedeno krátkodobým lokálním ohřevem skrz příslušný otvor alespoň jedním zdrojem tepla ze skupiny: laserový paprsek, fokusované infračervené světlo, pájecí hrot, ultrazvukový paprsek, řízený proud teplého plynného média. Při roztavení je pájka kapilárními silami vtažena mezi elektrické kontakty, čímž je vytvořen spoj s požadovanou elektrickou vodivostí. Tento proces bodového pájení je aplikován postupně na všechny kontakty. Při tomto bodovém pájení je tepelná energie dodána velmi rychle skrz otvor přímo pájecí pastě, kde slouží pouze pro roztavení malého objemu pájky v otvoru a pro ohřev příslušných kontaktních plošek. Tato tepelná energie je následně rozptýlena do mnohem většího objemu materiálu křemíkového čtecího čipu, kde způsobí jen nepatrné zvýšení teploty. Teplo je dále odvedeno do tepelně vodivého nosiče a nezpůsobí tedy významné zvýšení teploty čipu sensoru umístěného na druhé straně čtecího čipu. Zvýšení teploty sestavy čtecího čipu a sensoru lze vhodným řízením procesu bodového pájení udržet v intervalu 0.1 - 10 °C. Při tomto postupu tedy odpadá hlavní negativní postupový krok technologie BGA, kterým je zahřívání celé sestavy zahrnující desku plošných spojů a detektor na teplotu tání použité pájky, která činí obvykle 120-300 °C.
Dalším výhodným provedením způsobu podle vynálezu je takové, ve kterém se jako elektrovodivé pojidlo použije elektrovodivé lepidlo, které se následně vytvrzuje pomocí UV světla procházejícího skrz otvor. Použití elektrovodivého lepidla a UV světla má minimální negativní dopad na komponenty detektoru ionizujícího záření. Lepidlo se nanáší za bezpečné teploty, intenzivní svazek UV světla neohřeje místo dopadu o více než několik stupňů Celsia. Podobně lze použít elektrovodivá lepidla vytvrzovaná teplem. Teplo je dodáno lokálně skrz otvor jedním z postupů uvedených výše (laserový paprsek, pájecí hrot, ...).
Výhody vynálezu spočívají v nové technologii pájení skrz prostorově tvarovanou desku plošných spojů. Ve výhodném provedení může být tato deska navíc flexibilní pro usnadnění formování do požadovaného prostorového tvaru. Toto řešení nevyžaduje celkové zvýšení teploty všech komponent tedy detektoru a desky plošných spojů, ale vystačí s lokálním a velmi rychlým ohřevem tak, že se v průběhu této operace teplota senzorového čipu změní jen nepatrně, typicky o jednotky stupňů Celsia.
-4 CZ 2018 - 535 A3
V neposlední řadě je také výhodné provedení způsobu podle vynálezu, pokud je elektrovodivé pojivo nejdříve naneseno v požadované vrstvě na kontakty ještě před přiložením desky plošných spojů ke čtecímu čipu. Po přiložení elektrických kontaktů k sobě je elektrovodivé pojivo bezkontaktně roztaveno/aktivováno pomocí laserového paprsku procházejícího deskou plošných spojů. Vlnová délka laserového paprsku a materiál desky plošných spojů jsou přitom voleny tak, že absorpce laseru v materiálu desky je mnohem menší, než absorpce paprsku v materiálu kontaktu nebo pojidla. Laser tedy prozáří desku plošných spojů s minimálním účinkem na její materiál a je pohlcen až materiálem kontaktu nebo pojidla. Tímto způsobem dojde k lokálnímu ohřátí pojidla, čímž dojde k jeho natavení/aktivaci. Materiál s nízkou absorpci světla dané vlnové délky může tvořit celou desku plošných spojů, nebo jen její vybrané oblasti. Tento způsob provedení nevyžaduje vytvoření otvorů v desce plošných spojů v místech jednotlivých kontaktů.
Alternativním výhodným provedením způsobu podle vynálezu je takové, při kterém se elektrické kontakty desky plošných spojů připojí pomocí tenké elektrovodivé dráhy uspořádané na desce plošných spojů k uzemněné elektrovodivé dráze, načež se po přiložení protilehle uspořádaných elektrických kontaktů nechá elektrickými kontakty desky plošných spojů, tenkými vodivými drahami a uzemněnou elektrovodivou dráhou protékat elektrický proud pro odporové roztavení elektrovodivého pojidla, načež se po vytvoření elektricky vodivého spoje tenké vodivé dráhy přepálí elektrickým proudem, nebo se mechanicky odstraní uzemněná elektrovodivá dráha. Zásadní výhoda tohoto provedení způsobu spočívá v tom, že zatímco ostatní způsoby vyžadují přesné navádění prostředku dodávajícího teplo do místa tvořeného elektrického propojení v průběhu pájení (ať už se jedná o světelné paprsky, hroty, či proudy horkého plynného média), tak oproti výše zmíněnému tento způsob vyžaduje pouze přesné nasazení desky plošných spojů na substrát čtecího čipu. Což významně zjednodušuje automatizaci výrobního procesu.
V rámci provádění způsobů podle vynálezu je výhodné, pokud se jeden teplovodivý nosič použije pro dva a více čtecích čipů současně, neboť může sloužit jako nosná konstrukce při skládání detektorů do souvislé detekční plochy výsledného detektoru ionizujícího záření. Dále je výhodné, pokud se použije flexibilní deska plošných spojů o tloušťce v rozmezí od 50 pm do 500 pm.
V neposlední řadě je výhodné, pokud se vytvoří v desce plošných spojů otvor o průměru minimálně 50 pm.
Součástí vynálezu je rovněž detektor ionizujícího záření s alespoň jedním elektricky vodivým spojem mezi jeho komponenty vytvořeným podle některého z výše uvedených způsobů. Detektor zahrnuje alespoň jeden senzorový čip pro snímání ionizujícího záření a alespoň jeden čtecí čip pro čtení signálů ze senzorového čipu, který je uspořádaný pod senzorovým čipem. Dále detektor zahrnuje alespoň jednu desku plošných spojů pro připojení detektoru ionizujícího záření k externímu zařízení, která je propojená se čtecím čipem pomocí alespoň jedné dvojice protilehle uspořádaných elektrických kontaktů.
Podstata vynalezeného detektoru spočívá v tom, že elektrický kontakt je vytvořen na straně substrátu čtecího čipu. Umístění elektrického kontaktu na stranu substrátu umožňuje vytvoření souvislé detekční plochy detektoru ve všech směrech 2D prostoru. Dále je podstatné, že strana substrátu čtecího čipu je z části umístěna na teplovodivý nosič, který slouží jako prostředek pro odvedení přebytečného tepla, čímž chrání komponenty detektoru před poškozením, jak při tvorbě elektrovodivých spojů mezi elektrickými kontakty, tak při provozu detektoru. Deska plošných spojů je prostorově tvarovaná tak, aby jedna její část prošla otvorem v teplovodivém nosiči, další část může nést například konektor pro připojení externí elektroniky. Je výhodné použít ohebnou desku plošných spojů, kterou lze tvarovat dle potřeby.
Ve výhodném provedení detektoru podle vynálezu je detektor tvořen polem spárovaných senzorových čipů a čtecích čipů uspořádaných do souvislé detekční plochy, přičemž teplovodivý nosič vymezuje pod každým čtecím čipem senzorového čipu alespoň jeden otvor pro průchod desky plošných spojů k substrátu čtecího čipu. Tento otvor zajišťuje přístup k elektrickým
-5 CZ 2018 - 535 A3 kontaktům čtecího čipu. Teplovodivý nosič také fixuje čipy na svém místě, aby nedošlo k narušení souvislé detekční plochy.
S výhodou je alespoň jeden teplovodivý nosič opatřen vedením chladicího média, nebo je dutý pro vedení chladicího média. Toto médium slouží k odvádění přebytečného tepla z teplovodivého nosiče.
Mezi hlavní výhody vynálezu patří šetrnost vůči tepelně a mechanicky citlivým komponentům detektoru ionizujícího záření. Způsob podle vynálezu šetrně nakládá s teplem pro pájení, případně umožňuje nasazení elektrovodivého lepidla. Polovodičové struktury senzorových čipů jsou vytvořeny z tepelně velice citlivých materiálů a současně jsou tyto struktury náchylné na mechanické poškození v důsledku tepelné roztažnosti požitých materiálů. Tato poškození mohou nastat zejména při větším počtu senzorových čipů sestavených do souvislé detekční plochy již při ohřevu v řádech desítek stupňů Celsia. Navíc vynalezený způsob využívá z pohledu pájení stávající stav techniky, takže není potřeba pro jeho nasazení vytvářet kompletně nové nástroje a materiály. Je možné použít stávající zdroje tepla, stávající pojivá, atp. Detektor ionizujícího záření se spoji vytvořenými podle vynálezu může zahrnovat pole detekčních segmentů ze senzorových a čtecích čipů sesazených do souvislé detekční plochy, aniž by docházelo k deformacím (průhybům) při mechanickému upevnění na teplovodivé nosiče, k deformaci vlivem tepelné roztažnosti, atp. Vynález navíc umožňuje vést elektrické vodiče v prostoru pod čtecími čipy, a tedy i pod celým detektorem ionizujícího záření.
Objasnění výkresů
Uvedený vynález bude blíže objasněn na následujících vyobrazeních, kde:
obr. 1 znázorňuje dosavadní stav techniky s bočním vyvedením elektrických kontaktů čtecího čipu, obr. 2 znázorňuje dosavadní stav techniky s vyvedením elektrických kontaktů skrz čtecí čip (TSV technologie), obr. 3 znázorňuje detektor podle vynálezu s flexibilní deskou plošných spojů opatřenou otvory pro průchod pojivá, obr. 4 znázorňuje detektor podle vynálezu s flexibilní deskou plošných spojů s natavováním pojivá pomocí prozáření materiálu flexibilní desky plošných spojů, obr. 5 znázorňuje flexibilní desku plošných spojů s tenkými elektrovodivými dráhami a s uzemněnou elektrovodivou dráhou.
Příklad uskutečnění vynálezu
Rozumí se, že dále popsané a zobrazené konkrétní případy uskutečnění vynálezu jsou představovány pro ilustraci, nikoliv jako omezení vynálezu na uvedené příklady. Odborníci znalí stavu techniky najdou nebo budou schopni zajistit za použití rutinního experimentování větší či menší počet ekvivalentů ke specifickým uskutečněním vynálezu, která jsou zde popsána. I tyto ekvivalenty budou zahrnuty v rozsahu následujících patentových nároků.
Na obr. 3 je vyobrazen příčný řez částí detektoru 1 ionizujícího záření, který zahrnuje dva páry tvořené senzorovým čipem 7 a čtecím čipem 4. Senzorový čip 7 je ke čtecímu čipu 4 připojen pomocí pole rozmístěných kuliček pájky, tzv. bump-bonding. Senzorové čipy 7 jsou uspořádány do souvislé detekční plochy a knim přiřazené čtecí čipy 4 jsou uloženy na teplovodivých
-6 CZ 2018 - 535 A3 nosičích 6. Na straně substrátu čtecích čipů 4 mezi teplovodivými nosiči 6 jsou vytvořeny elektrické kontakty 3 pro elektrické připojení desky 5 plošných spojů.
Deska 5 plošných spojů je tvořena flexibilním materiálem, aby ji bylo možné zohýbat do správného prostorového tvarování tak, aby se vyhnula teplovodivým nosičům 6.
Teplovodivé nosiče 6 jsou tvořeny kovovými nosníky vykazujícími tvarovou stálost, tepelnou a radiační odolnost. Navíc může teplovodivými nosiči 6 v nevyobrazeném uskutečnění vynálezu procházet chladicí médium, ať už přímo, či vedením chladicího média.
Jak je z obr. 3 zjevné, je deska 5 plošných spojů opatřena otvory 8 a elektrickými kontakty 2, které jsou vytvořené v otvorech 8. Elektrické kontakty 2 mají v tomto vyobrazeném příkladu uskutečnění vynálezu tvar dutých špulek, tento tvar je v elektronice označován jako prokovy. Současně jsou otvory 8 ve flexibilní desce 5 plošných spojů vyplněny elektrovodivým pojivém, které je skrz otvor 8 natavováno zdrojem 9 tepla, např. pulsním laserovým paprskem, či pájecím hrotem. Zdroj 9 tepla systematicky postupuje od jednoho otvoru 8 ke druhému, taví elektrovodivé pojivo, které je kapilární silou vtaženo mezi elektrické kontakty 2 a 3, čímž dojde ke vzniku pájeného spoje. Odpadní teplo uniká vedením přes křemíkový čip do teplovodivých nosičů 6.
Elektrovodivým pojivém může být pájka například s cínově-olověným nebo indium-cínovým základem. Či je elektrovodivé pojivo tvořeno elektrovodivým lepidlem, které se vytvrzuje skrz otvor 8 UV světelným paprskem. V jiných příkladech uskutečnění vynálezu může mít elektrovodivé pojivo formu gelu, či viskózní kapaliny.
V příkladu uskutečnění vynálezu na obr. 4 je namísto obecného zdroje 9 tepla použit laserový paprsek 10. Laserový paprsek 10 má vlnovou délku zvolenou tak, aby procházel materiálem plošného spoje a byl pohlcován materiálem kontaktu 2. Flexibilní deska 5 plošných spojů je souvislá bez otvorů 8, přičemž je elektrovodivé pojivo uloženo na elektrickém kontaktu 2 flexibilní desky 5 plošných spojů. Laserový paprsek 10 proniká skrz flexibilní desku 5 plošných spojů s minimální energetickou ztrátou a zahřívá elektrický kontakt 2 desky 5 plošných spojů, od něhož se natavuje elektrovodivé pojivo. Případně, pokud není děravá deska 5 plošných spojů žádoucí, mohou být otvory 8 desky 5 ze světlo pohlcujícího materiálu zaslepeny materiálem s nízkou absorpcí vlnové délky laserového paprsku 10, takže se deska 5 plošných spojů jeví jako souvislá, přičemž obsahuje virtuální otvory pro průchod laserového paprsku 10.
Alternativní uskutečnění vynálezu je znázorněno na obr. 5. Flexibilní deska 5 plošných spojů zahrnuje navíc tenké elektrovodivé dráhy 11 směřující od elektrických kontaktů 2 k uzemněné elektrovodivé dráze 12. Po přiložení elektrických kontaktů 2 k elektrickým kontaktům 3 čtecího čipu 4, se nechá elektrovodivými dráhami 11 a 12 protékat elektrický proud, který zapříčiní nejprve lokální ohřev v oblastech přiložených elektrických kontaktů 2 a 3, poté natavení elektrovodivého pojivá a následné spájení elektrických kontaktů 2 a 3. Posléze se po ztuhnutí pájky nechá protékat krátký impulz zvýšeného proudu, který dříve přepálí tenké elektrovodivé dráhy 11, než se stihne opětovně natavit pájka mezi elektrickými kontakty 2 a 3. Alternativou k vysoko proudovému impulzu je mechanické oddělení uzemněné vodivé dráhy 12, např. odstřižením nebo odlomením v perforaci.
Průmyslová využitelnost
Způsob výroby elektricky vodivého spoje mezi komponenty detektoru ionizujícího záření a detektor s elektricky vodivým spojem podle vynálezu naleznou uplatnění v oblastech techniky využívajících pronikavého ionizujícího záření, zejména v průmyslové defektoskopii, v lékařství, a ve výzkumu.
Claims (12)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Způsob výroby elektricky vodivého spoje s 3D uspořádáním mezi komponentami detektoru (1) ionizujícího záření, v rámci kterého se nejprve vytvoří alespoň jedna dvojice protilehle uspořádaných elektrických kontaktů (2, 3) na alespoň jednom čtecím čipu (4) detektoru (1) ionizujícího záření a na alespoň jedné desce (5) plošných spojů detektoru (1) ionizujícího záření pro jeho připojení k externímu zařízení, a následně se dvojice protilehle uspořádaných elektrických kontaktů (2, 3) k sobě přiloží a oba elektrické kontakty (2,3) se spojí elektrovodivým pojivém pro vytvoření elektricky vodivého spoje, vyznačující se tím, že jeden z dvojice protilehle uspořádaných elektrických kontaktů (3) se vytvoří na straně substrátu čtecího čipu (4) a druhý z dvojice protilehle uspořádaných elektrických kontaktů (2) se vytvoří na prostorově tvarované desce (5) plošných spojů, přičemž se před přiložením a spojením elektrovodivým pojivém uspořádá čtecí čip (4) částí plochy substrátu na alespoň jeden teplovodivý nosič (6), a posléze se elektrovodivé pojivo aktivuje lokálně přes prostorově tvarovanou desku (5) plošných spojů.
- 2. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že se v oblasti elektrického kontaktu (2) na desce (5) plošných spojů před přiložením k elektrickému kontaktu (3) čtecího čipu (4) vytvoří otvor (8) pro zavedení elektrovodivého pojivá.
- 3. Způsob podle nároku 2, vyznačující se tím, že se jako elektrovodivé pojivo použije pájecí pasta a že se zavede do otvoru (8) elektrického kontaktu (2) desky (5) plošných spojů před přiložením k elektrickému kontaktu (3) čtecího čipu (4), načež se po přiložení k elektrickému kontaktu (3) čtecího čipu (4) elektrovodivé pojivo natavuje skrz otvor (8) alespoň jedním zdrojem (9) tepla, ze skupiny pájecí hrot, laserový paprsek, ultrazvukový paprsek, řízený proud teplého plynného média, fokusované infračervené světlo.
- 4. Způsob podle nároku 2, vyznačující se tím, že se jako elektrovodivé pojidlo použije elektrovodivé lepidlo, které se následně vytvrzuje pomocí UV světla procházejícího skrz otvor (8) nebo pomocí tepla procházejícího skrz otvor (8).
- 5. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že elektrovodivé pojivo se najeden z protilehle uspořádaných elektrických kontaktů (2, 3) aplikuje v netečném stavu, načež se po přiložení elektrických kontaktů (2, 3) k sobě elektrovodivé pojivo bezkontaktně aktivuje pomocí laserového paprsku (10) procházejícího deskou (5) plošných spojů, přičemž se použije vlnová délka laserového paprsku (10), která je blízká hodnotě nejnižší absorpce světla materiálem desky (5) plošných spojů.
- 6. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že elektrické kontakty (2) desky (5) plošných spojů se pomocí tenké elektrovodivé dráhy (11) uspořádané na desce (5) plošných spojů připojí k uzemněné elektrovodivé dráze (12), načež se po přiložení protilehle uspořádaných elektrických kontaktů (2, 3) nechá elektrickými kontakty (2) desky (5) plošných spojů, tenkými vodivými drahami (11) a uzemněnou elektrovodivou dráhou (12) protékat elektrický proud pro odporové roztavení elektrovodivého pojidla, načež se po vytvoření elektricky vodivého spoje tenké vodivé dráhy (11) přeruší elektrickým proudem, nebo se mechanicky odstraní uzemněná elektrovodivá dráha (12).
- 7. Způsob podle některého z nároků 1 až 6, vyznačující se tím, že jeden teplovodivý nosič (6) se použije nejméně pro dva čtecí čipy (4) současně.-8 CZ 2018 - 535 A3
- 8. Způsob podle některého z nároků 1 až 7, vyznačující se tím, že se použije flexibilní deska (5) plošných spojů pro prostorové vytvarování ohybem o tloušťce v rozmezí od 50 pm do 500 pm.
- 9. Způsob podle některého z nároků 2 až 4, vyznačující se tím, že se vytvoří v desce (5) plošných spojů otvor (8) o průměru minimálně 50 pm.
- 10. Detektor (1) ionizujícího záření s alespoň jedním elektricky vodivým spojem mezi jeho komponenty vytvořeným podle způsobu z některého z nároků 1 až 9, zahrnující alespoň jeden senzorový čip (7) pro snímání ionizujícího záření, alespoň jeden čtecí čip (4) pro čtení signálů ze senzorového čipu (7) uspořádaný pod senzorovým čipem (7), a alespoň jednu desku (5) plošných spojů pro připojení detektoru (1) ionizujícího záření k externímu zařízení propojenou se čtecím čipem (4) pomocí alespoň jedné dvojice protilehle uspořádaných elektrických kontaktů (2, 3), vyznačující se tím, že elektrický kontakt (3) je vytvořen na straně substrátu čtecího čipu (4), že strana substrátu čtecího čipu (4) je z části uspořádána na teplovodivý nosič (6), a že deska (5) plošných spojů v oblasti půdorysného překrytí desky (5) plošných spojů s teplovodivým nosičem (6) vede mimo teplovodivý nosič (6).
- 11. Detektor podle nároku 10, vyznačující se tím, že je tvořen polem senzorových čipů (7) uspořádaných do souvislé detekční plochy, přičemž teplovodivý nosič (6) vymezuje pod každým čtecím čipem (4) senzorového čipu (7) alespoň jeden otvor pro průchod desky (5) plošných spojů.
- 12. Detektor podle nároků 10 nebo 11, vyznačující se tím, že teplovodivý nosič (6) je opatřen vedením chladicího média, nebo je dutý pro vedení chladicího média.5 výkresůSeznam vztahových značek1 detektor ionizujícího záření2 elektrický kontakt na desce plošných spojů3 elektrický kontakt na čtecím čipu4 čtecí čip5 deska plošných spojů6 teplovodivý nosič7 senzorový čip8 otvor v desce plošných spojů9 zdroj tepla10 laserový paprsek11 tenká elektrovodivá dráha12 uzemněná elektrovodivá dráha
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2018-535A CZ310034B6 (cs) | 2018-10-09 | 2018-10-09 | Způsob výroby elektricky vodivých spojů s 3D uspořádáním mezi komponentami detektoru ionizujícího záření a detektor s elektricky vodivými spoji vyrobenými tímto způsobem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2018-535A CZ310034B6 (cs) | 2018-10-09 | 2018-10-09 | Způsob výroby elektricky vodivých spojů s 3D uspořádáním mezi komponentami detektoru ionizujícího záření a detektor s elektricky vodivými spoji vyrobenými tímto způsobem |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2018535A3 true CZ2018535A3 (cs) | 2020-06-03 |
| CZ310034B6 CZ310034B6 (cs) | 2024-05-29 |
Family
ID=70848240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ2018-535A CZ310034B6 (cs) | 2018-10-09 | 2018-10-09 | Způsob výroby elektricky vodivých spojů s 3D uspořádáním mezi komponentami detektoru ionizujícího záření a detektor s elektricky vodivými spoji vyrobenými tímto způsobem |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ310034B6 (cs) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635718A (en) * | 1996-01-16 | 1997-06-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-module radiation detecting device and fabrication method |
| JP4532782B2 (ja) * | 2000-07-04 | 2010-08-25 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及びシステム |
| US8548119B2 (en) * | 2011-01-13 | 2013-10-01 | General Electric Company | Multi-slice CT detector with tileable packaging structure |
| US8829454B2 (en) * | 2012-02-27 | 2014-09-09 | Analog Devices, Inc. | Compact sensor module |
| US9354186B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-05-31 | Texas Instruments Incorporated | X-ray sensor and signal processing assembly for an X-ray computed tomography machine |
| CN107003417B (zh) * | 2014-10-20 | 2019-06-21 | 模拟技术公司 | 用于辐射成像模态装置的探测器阵列的探测器单元 |
-
2018
- 2018-10-09 CZ CZ2018-535A patent/CZ310034B6/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CZ310034B6 (cs) | 2024-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7531809B2 (en) | Gamma ray detector modules | |
| JP5418510B2 (ja) | 評価用半導体チップ、評価システム及びそのリペア方法 | |
| JP5698472B2 (ja) | 一体型直接変換式検出器モジュール | |
| US8210424B2 (en) | Soldering entities to a monolithic metallic sheet | |
| CN105534540B (zh) | 用于制造检测器模块的传感器板的方法 | |
| CN110058291B (zh) | 用于生产x射线探测器的组装方法、x射线探测器和x射线设备 | |
| JP7185481B2 (ja) | 放射線撮像装置 | |
| JP3804803B2 (ja) | 電子部品搭載用基板及び半導体装置 | |
| CZ2018535A3 (cs) | Způsob výroby elektricky vodivých spojů s 3D uspořádáním mezi komponentami detektoru ionizujícího záření a detektor s elektricky vodivými spoji vyrobenými tímto způsobem | |
| JP5610520B2 (ja) | 放射線検出装置 | |
| JP2004219318A (ja) | 放射線検出器 | |
| JP5966091B2 (ja) | 放射線検出器素子及び構築方法 | |
| JP6468299B2 (ja) | 電子部品および電子部品の製造方法 | |
| JP7181050B2 (ja) | 放射線撮像装置 | |
| US10717236B2 (en) | Curing a heat-curable material in an embedded curing zone | |
| US20050151088A1 (en) | Image sensor and manufacturing method thereof | |
| JPH09199540A (ja) | 半導体装置及び実装構造体及びその製造方法及び実装構造体検査方法及びその装置 | |
| Apsimon et al. | Application of advanced thermal management technologies to the ATLAS SCT barrel module baseboards | |
| JP2016181575A (ja) | 放熱基板及び半導体装置 | |
| US20150296630A1 (en) | Ball grid array mounting system | |
| JP3823654B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| KR20220158460A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| Capote et al. | Gamma ray detector modules | |
| JP2016080678A (ja) | 治具、治具の製造方法および試験方法 |