CN222053021U - 一种紧凑型滤波装置及电子装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种紧凑型滤波装置及电子装置，包含：第一至第八容性结构、第一至第三感性结构、第一至第六公共端、第一和第二电位端、第一和第二信号端口；第一容性结构通过第一公共端与第二容性结构耦合，第二容性结构通过第三公共端与第三容性结构、第一感性结构耦合，第三容性结构通过第二公共端与第一容性结构耦合，第四公共端与第二公共端耦合，第五容性结构通过第四公共端与第四容性结构耦合，第五容性结构通过第六公共端与第六容性结构、第八容性结构、第二感性结构耦合，第六容性结构通过第五公共端与第七容性结构、第三感性结构耦合。本实用新型仅用三个感性结构实现了四个带外传输零点的频率响应性能，具有小型化和高频率选择特性。

Description

一种紧凑型滤波装置及电子装置

技术领域

本实用新型实施例涉及射频滤波器技术领域，尤其涉及一种紧凑型滤波装置及电子装置。

背景技术

随着现代通信的发展，越来越需要支持多种模式、覆盖多个频带的通信终端。这些通信终端中，一种关键元器件是用来允许期望的频率信号通过并且将不期望的信号过滤掉的射频滤波器。由于通信制式的演进，各个通信信道所分配的频带呈现出愈加接近的趋势，从而迫切需要具备更加陡峭的带外抑制性能的带通滤波器。再带通滤波器的研制过程中，电路拓扑架构的设计尤为关键，直接关乎滤波器的小型化能力、集成化能力和频率选择能力。为了获得更好的频率选择性能，往往会通过增加滤波器阶数的方式来实现，但是这种方式会大幅增加滤波的元件数量以及整体结构复杂度，尤其是在基于集总参数的滤波器设计中，滤波器阶数的增加会直接导致电感元件数量的激增，这就给高密度射频集成电路系统中滤波器的小型化、高集成化设计带来巨大挑战，因此，滤波电路设计中如何利用更少的电感数量和更小的电感值实现陡峭的频率响应是滤波器设计研究的痛点与难点。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型的目的在于提出一种小型化突出的紧凑型滤波装置及电子装置。本实用新型提出的紧凑型滤波装置通过对容性结构合理配置，仅用三个感性结构实现了四个带外传输零点的频率响应性能，无需配置额外的谐振器结构的情况下实现多传输零点频率响应特性，提高了滤波装置的带外抑制性能，具有小型化以及高频率选择特性的优势。其次，电路中感性结构的所需的等效电感值小于常规椭圆函数拓扑，减小了谐振单元所需的等效电感值所对应的物理结构的占用面积，从而进一步实现滤波器的小型化。

根据本实用新型的一方面，提供了一种紧凑型滤波装置，包含：

第一素体、第一容性结构、第二容性结构、第三容性结构、第四容性结构、第五容性结构、第六容性结构、第七容性结构、第八容性结构、第一感性结构、第二感性结构、与第七容性结构并联耦合的第三感性结构、第一公共端、第二公共端、第三公共端、第四公共端、第五公共端、第六公共端、第一电位端、第二电位端、第一信号端口和第二信号端口；第一容性结构配置在第一公共端与第二公共端之间的耦合路径上，第二容性结构配置在第一公共端与第三公共端之间的耦合路径上，第三容性结构配置在第二公共端与第三公共端之间的耦合路径上，第四容性结构配置在第四公共端与第五公共端之间的耦合路径上，第五容性结构配置在第四公共端与第六公共端之间的耦合路径上，第六容性结构配置在第六公共端与第五公共端之间的耦合路径上，第七容性结构配置在第五公共端与第二信号端口之间的耦合路径上，第八容性结构配置在第六公共端与第二电位端之间的耦合路径上，第一感性结构配置在第三公共端与第一电位端之间的耦合路径上，第二感性结构与第八容性结构并联耦合，配置在第六公共端与第二电位端之间的耦合路径上，第三感性结构配置在第五公共端与第二信号端口之间的耦合路径上，第一信号端与第一公共端耦合；

第一容性结构通过第一公共端与第二容性结构耦合，第二容性结构通过第三公共端与第三容性结构、第一感性结构耦合，第三容性结构通过第二公共端与第一容性结构耦合，第四公共端与第二公共端耦合，第五容性结构通过第四公共端与第四容性结构耦合，第五容性结构通过第六公共端与第六容性结构、第八容性结构、第二感性结构耦合，第六容性结构通过第五公共端与第七容性结构、第三感性结构耦合；第一素体包含沿层叠方向设置的一个或多个电介质层，第一至第八容性结构和/或第一至第三感性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面，第一至第八容性结构由金属化的电极耦合形成。

可选的，还包含第九容性结构，第九容性结构配置在第一信号端口与第一公共端之间的耦合路径上，第九容性结构通过第一公共端与第一容性结构、第二容性结构耦合。这种情况下，有利于调节滤波装置与外部之间的阻抗匹配。

可选的，紧凑型滤波装置还包含第四感性结构，第四感性结构配置在第一信号端口与第一公共端之间的耦合路径上，第四感性结构与第九容性结构并联耦合。这种情况下，有利于进一步增加滤波装置的带外抑制性能。

可选的，紧凑型滤波装置还包含第十容性结构、第三电位端，第十容性结构配置在第一公共端与第三电位端之间的耦合路径上，第十容性结构通过第一公共端与第九容性结构、第一容性结构耦合，第十容性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面。这种情况下，通过调节第十容性结构优化驻波，有利于提高电路阻抗匹配的灵活性。

可选的，紧凑型滤波装置还包含第五感性结构，第五感性结构配置在第一公共端与第三电位端之间的耦合路径上，第五感性结构与第十容性耦合。这种情况下有利于提升滤波装置的带外抑制性能。

可选的，紧凑型滤波装置还包含第十一容性结构和第四电位端，第十一容性结构配置在第一信号端口与第四电位端之间的耦合路径上，第十一容性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面。这种情况下，方便调节第一信号端口对外阻抗，有利于提高电路阻抗匹配的灵活性，同时也有利于提升滤波装置的带外抑制性能。

可选的，紧凑型滤波装置还包含第六感性结构，第六感性结构配置在第一信号端口与第四电位端之间的耦合路径上，第十容性结构与第六感性结构耦合。这种情况下，有利于提升滤波装置的带外抑制性能。

可选的，紧凑型滤波装置还包含第十二容性结构，第十二容性结构配置在第三公共端与第一电位端之间的耦合路径上,第十二容性结构与第一感性结构耦合，第十二容性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面。这种情况下，有利于进一步增加滤波装置的带外抑制程度

可选的，紧凑型滤波装置还包含第七感性结构，第七感性结构配置在第三公共端与第一电位端之间的耦合路径上，第七感性结构与第十二容性结构串联耦合，第十二容性结构与第一感性结构并联耦合。这种情况下，有利于进一步增加滤波装置的带外抑制程度

可选的，紧凑型滤波装置还包含第八感性结构，第八感性结构配置在第六公共端与第二电位端之间的耦合路径上，第八感性结构与第八容性结构串联耦合。这种情况下，有利于进一步增加滤波装置的带外抑制程度。

可选的，紧凑型滤波装置还包含第十三容性结构，第十三容性结构配置在第二公共端与第四电位端之间的耦合路径上，第十三容性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面。这种情况下，有利于提高电路阻抗匹配的灵活性。

可选的，紧凑型滤波装置还包含第十四容性结构、第五电位端和第九感性结构，第十四容性结构配置在第一信号端口与第一公共端之间的耦合路径上，第十四容性结构与第九容性结构串联耦合，第九感性结构配置在第九容性结构到第五电位端、第十四容性结构到第五电位端的公共耦合路径上，第十四容性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面。这种情况下，可以方便调节第一信号端口对外阻抗，有利于提高电路阻抗匹配的灵活性，同时也有利于提升滤波装置的带外选择性能。

可选的，紧凑型滤波装置的第一素体由硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石、磷化铟、玻璃、蓝宝石、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氧化硅和聚酰亚胺中的任意一种或多种形成。

可选的，紧凑型滤波装置还包含由一个或多个电介质层沿层叠方向层叠形成的第二素体，第一素体、第二素体在层叠方向上依次设置，第一素体固定于第二素体，容性结构和/或感性结构至少部分形成在第二素体的内部或表面，第一素体与第二素体经由两者之间的一个或多个连接件电磁耦合，连接件包含金属凸点、铜柱、锡球、金线和焊料凸块中的至少一种。这种情况下，拓展结构三维布局空间，有利于缩小滤波装置所需的平面尺寸。

可选的，紧凑型滤波装置的感性结构由金属迹线形成，金属迹线形成为以折线、弧线、螺线或其组合的形式延伸的形状。

可选的，紧凑型滤波装置的感性结构包含形成在不同电介质层的多个金属迹线和将其互连的多个金属化的导通柱，导通柱沿层叠方向延伸。这种情况下，有利于减小感性结构的平面尺寸，提高滤波装置的小型化性能。

可选的，金属迹线在与层叠方向垂直的面上的投影形成为以一点为中心，绕该点环绕设置。

可选的，金属迹线形成在不同电介质层且实质上沿层叠方向对准，感性结构在与层叠方向垂直的面的投影形成封闭图形。这种情况下，有利于减小金属迹线占用的平面尺寸，提高滤波装置的小型化性能。

可选的，每个金属迹线匝数不超过一匝。

可选的，紧凑型滤波装置的第一电位端和第二电位端等电位。

可选的，紧凑型滤波装置的第一至第八容性结构被配置成沿第一方向排列。

可选的，紧凑型滤波装置的第一至第八容性结构在与层叠方向垂直的面的投影沿第一方向延伸。

可选的，紧凑型滤波装置的第一至第八容性结构在与层叠方向垂直的面上的投影包含首尾依次连接的第一投影分部、第二投影分部和第三投影分部，第一投影分部和第三投影分部沿第一方向延伸，第二投影分部沿第二方向延伸，第一方向与第二方向垂直。这种情况下，有利于增加布局的灵活性。

可选的，紧凑型滤波装置的第二容性结构在与层叠方向垂直的面上的投影沿第二方向远离第八容性结构在与层叠方向垂直的面上的投影。这种情况下，使第二容性结构与第八容性结构之间的距离尽可能大，以减小他们相互之间不期望的耦合或串扰，有利于实现优秀的带外噪声抑制。

可选的，紧凑型滤波装置的第一至第八容性结构在与层叠方向垂直的面上的投影包含沿第一方向延伸的第四投影分部，以及从第四投影分部中部沿第二方向延伸的第五投影分部，第一方向与第二方向垂直。这种情况下，有利于增加布局的灵活性。

可选的，紧凑型滤波装置的第一至第八容性结构在与层叠方向垂直的面上的投影包含首尾依次连接的第六投影分部和第七投影分部，第六投影分部沿第二方向延伸，第七投影分部沿第一方向延伸，第一方向与第二方向垂直。这种情况下，有利于增加布局的灵活性。

可选的，紧凑型滤波装置的第一感性结构、第二感性结构和第三感性结构沿第一方向依次设置。这种情况下，有利于提高布局的空间利用率。

可选的，紧凑型滤波装置的第一感性结构在与第一方向垂直的面上的投影、第二感性结构在与第一方向垂直的面上的投影和第三感性结构在与第一方向垂直的面上的投影，三者至少部分重合。这种情况下，有利于提高布局的空间利用率。

可选的，紧凑型滤波装置的第二感性结构和第三感性结构沿第二方向依次设置，第二感性结构和第三感性结构配置在第一感性结构的同一侧。

可选的，紧凑型滤波装置的第一感性结构在与第一方向垂直的面上的投影和第二感性结构在与第一方向垂直的面上的投影部分重合，第一感性结构在与第一方向垂直的面上的投影和第三感性结构在与第一方向垂直的面上的投影部分重合，第二感性结构在与第二方向垂直的面上的投影和第三感性结构在与第二方向垂直的面上的投影部分重合，第一方向垂直于第二方向。

可选的，紧凑型滤波装置的第一至第三感性结构的至少部分结构形成于第一素体表面或内部。

可选的，紧凑型滤波装置的第一感性结构至第三感性结构的至少部分结构同时形成于第一素体和第二素体的表面或内部。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种电子装置，包含本实用新型任一实施例的紧凑型滤波装置。

应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本实用新型的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本实用新型的范围。本实用新型的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。注意，以下附图的相对尺寸可能并非按比例绘制。

图1是本实用新型的一个实施例提供的一种紧凑型滤波装置的等效电路示意图；

图2是本实用新型另一实施例提供的一种紧凑型滤波装置的等效电路示意图；

图3是本实用新型另一实施例提供的一种紧凑型滤波装置的等效电路示意图；

图4是本实用新型另一实施例提供的一种紧凑型滤波装置的等效电路示意图；

图5是本实用新型另一实施例提供的一种紧凑型滤波装置的等效电路示意图；

图6是本实用新型另一实施例提供的一种紧凑型滤波装置的等效电路示意图；

图7是本实用新型另一实施例提供的一种紧凑型滤波装置的等效电路示意图；

图8是紧凑型滤波装置100所包含的容性结构的结构示意图；

图9是图8所示结构的俯视图；

图10示出了一种变形例的容性结构的投影示意图；

图11示出了另一种变形例的容性结构的投影示意图；

图12示出了另一种变形例的容性结构的投影示意图；

图13是紧凑型滤波装置100所包含的感性结构的结构示意图；

图14是图13所示结构的俯视图；

图15是另一实施例的感性结构的俯视图；

图16示出了本实用新型实施例提供的紧凑型滤波装置100的整体结构示意图；

图17是本实用新型实施例提供的一种紧凑型滤波装置100的插入损耗和回波损耗特性图；

图18是本实用新型实施例提供的一种紧凑型滤波装置100的侧视图；

图19示出了可以与前述任一实施例及其变形例的紧凑型滤波装置集成的各种电子装置的结构示意图；

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的首选实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…连接”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上或与其它元件或层连接，或者可以存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本实用新型教导之下，下面讨论的第一模块、部件、区、层或部分可表示为第二模块、部件、区、层或部分；举例来说，可以将第一方向称为第二方向，且类似地，可以将第二方向称为第一方向；第一方向与第二方向为不同方向。

空间关系术语例如“设置于…上”、“位于…上方”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“设置于…上”、“位于…上方”元件或特征将取向为在其它元件或特征“下”。因此，示例性术语“设置于…上”和“位于…上方”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

这里参考作为本实用新型的理想实施例(和中间结构)的示意图来描述实用新型的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此，本实用新型的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差。图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不表示器件的区的实际形状，且并不限定本实用新型的范围。

本实用新型实施例提供了一种紧凑型滤波装置，图1是本实用新型的一个实施例提供的一种紧凑型滤波装置的等效电路示意图，参考图1，该紧凑型滤波装置99包含第一容性结构C1、第二容性结构C2、第三容性结构C3、第四容性结构C4、第五容性结构C5、第六容性结构C6、第七容性结构C7、第八容性结构C8、第一感性结构L1、第二感性结构L2、第三感性结构L3、第一公共端P1、第二公共端P2、第三公共端P3、第四公共端P4、第五公共端P5、第六公共端P6、第一电位端D1、第二电位端D2、第一信号端口S1和第二信号端口S2。第一容性结构C1配置在第一公共端P1与第二公共端P2之间的耦合路径上，第二容性结构C2配置在第一公共端P1与第三公共端P3之间的耦合路径上，第三容性结构C3配置在第二公共端P2与第三公共端P3之间的耦合路径上，第四容性结构C4配置在第四公共端P4与第五公共端P5之间的耦合路径上，第五容性结构C5配置在第四公共端P4与第六公共端P6之间的耦合路径上，第六容性结构C6配置在第六公共端P6与第五公共端P5之间的耦合路径上，第七容性结构C7配置在第五公共端P5与第二信号端口S2之间的耦合路径上，第八容性结构C8配置在第六公共端P6与第二电位端D2之间的耦合路径上，第一感性结构L1配置在第三公共端P3与第一电位端D1之间的耦合路径上，第二感性结构L2与第八容性结构C8并联耦合，配置在第六公共端P6与第二电位端D2之间的耦合路径上，第三感性结构L3与第七容性结构C7并联耦合，配置在第五公共端P5与第二信号端口S2之间的耦合路径上。

第二容性结构C2经第三公共端P3与第三容性结构C3、第一感性结构L1耦合，第三容性结构C3经第二公共端P2与第一容性结构C1耦合，第四公共端P4与第二公共端P2耦合，第五容性结构C5经第四公共端P4与第四容性结构C4耦合，第五容性结构C5经第六公共端P6与第六容性结构C6、第八容性结构C8、第二感性结构耦合L2，第六容性结构C6经第五公共端P5与第七容性结构C7、第三感性结构L8耦合，第一素体10包含沿层叠方向设置的一个或多个电介质层，第一至第八容性结构C1-C8、第一至第三感性结构L1-L3至少部分有形成在第一素体10的内部或表面，所述第一至第八容性结构C1-C8由金属化的电极耦合形成。第一容性结构C1、第二容性结构C2、第三容性结构C3、第四容性结构C4、第五容性结构C5、第六容性结构C6、第七容性结构C7、第八容性结构C8在紧凑型滤波装置99工作频段内表现为电抗容性。第一感性结构L1、第二感性结构L2、第三感性结构L3在紧凑型滤波装置99工作频段内表现为电抗感性。第一电位端D1和第二电位端D2等电位，并与参考地等电位。通常在滤波器设计中，电容物理结构占用的空间有限，芯片大部分尺寸由电感占用，因此通过设计减少电路中电感数量和减小等效电感值可以有效减小感性结构物理实现时所占用的空间尺寸，有利于滤波器小型化。本实用新型通过对第一至第八容性结构C1-C8进行拓扑配置，紧凑型滤波装置99仅用三个感性结构实现了四个带外传输零点的频率响应性能，无需配置额外的谐振器结构的情况下实现滤波装置频率响应多传输零点特性，提高了滤波装置的带外抑制性能。因此，本实用新型公开的紧凑型滤波装置具有小型化以及高频率选择特性的优势。其次，第一感性结构L1、第二感性结构L2、第三感性结构L3的所需的等效电感值小于常规椭圆函数拓扑，减小了谐振单元所需的等效电感值所对应的物理结构的占用面积，从而进一步实现滤波器的小型化。因此，本实用新型公开的紧凑型滤波装置小型化能力突出。

进一步的，另一实施例的紧凑型滤波装置100还包含第九容性结构C9，参照图2，第九容性结构C9配置在在第一信号端口S1与第一公共端P1之间的耦合路径上。这种情况下，有利于调节滤波装置与外部之间的阻抗匹配。另外，也可以在紧凑型滤波装置100的第一信号端口S1与第一公共端P1之间的耦合路径上配置与第九容性结构C9并联耦合的第四感性结构L4。这种情况下，有利于进一步增加滤波装置的带外抑制性能。

进一步的，另一实施例的紧凑型滤波装置100A还包含第十容性结构C10、第三电位端D3，参照图3，第十容性结构C10配置在第一公共端P1与第三电位端D3之间的耦合路径上，第十容性结构C10通过第一公共端P1与第九容性结构C9、第一容性结构C1耦合，第十容性结构C10至少部分形成在第一素体10的内部或表面。第三电位端D3与参考地等电位。这种情况下，可通过调节第十容性结构C10优化驻波，有利于提高电路阻抗匹配的灵活性。

另外，也可以在紧凑型滤波装置100A的第一公共端P1与第三电位端D3之间的耦合路径上配置第五感性结构L5，第五感性结构L5与第十容性结构C10串联耦合或并联耦合，这种情况下有利于提升滤波装置的带外抑制性能。

进一步的，紧凑型滤波装置100B包含十一容性结构C11和第四电位端D4，第十一容性结构C11配置在第一信号端口S1与第四电位端D4之间的耦合路径上。参照图4，这种情况下，十一容性结构C11、第四电位端D4、第九容性结构C9、第十容性结构C10和第三电位端D3构成了类π匹配结构，便于调节第一信号端口S1对外阻抗，有利于提高电路阻抗匹配的灵活性，同时也有利于提升滤波装置的带外抑制性能。

另外，也可以在紧凑型滤波装置100B的第一信号端口S1与第四电位端D4之间的耦合路径上配置第六感性结构L6，第六感性结构L6与第十一容性结构C11串联耦合或并联耦合，有利于提升滤波装置的带外抑制性能。

另一变形例中，参考图5，示出了提供的紧凑型滤波装置100C的等效电路示意图。在紧凑型滤波装置100的基础上，第十二容性结构C12配置在第三公共端P3与第一电位端D1之间的耦合路径上，第十二容性结构C12与第一感性结构L1串联耦合。实际上，第十二容性结构C12也可以与第一感性结构L1并联耦合。这种情况下，有利于进一步增加滤波装置的带外抑制程度。当第十二容性结构C12与第一感性结构L1并联耦合时，可以在电路中增加一个第七感性结构L7，配置在第三公共端P3与第一电位端D1之间的耦合路径上，第七感性结构L7与第十二容性结构C12串联耦合，如图6所示，有利于进一步提升滤波装置的带外选择性能。

类似的，也可以在第六公共端P6与第二电位端D2之间的耦合路径上配置第八感性结构L8，第八感性结构L8与第八容性结构C8串联耦合。这种情况下，有利于进一步增加滤波装置的带外抑制程度。

另外，也可以在紧凑型滤波装置100的基础上增加第十三容性结构C13，配置在第二公共端P2与第四电位端P4之间。这种情况下，通过调节第十三容性结构C13的规格改变器件内部阻抗，有利于提高电路阻抗匹配的灵活性。

本实用新型的另一实施例中，参考图7，紧凑型滤波装置101包含第九容性结构C9、第一容性结构C1、第二容性结构C2、第三容性结构C3、第四容性结构C4、第五容性结构C5、第六容性结构C6、第七容性结构C7、第八容性结构C8、第十四容性结构C14、第一感性结构L1、第二感性结构L2、第三感性结构L3、第九感性结构L9、第一公共端P1、第二公共端P2、第三公共端P3、第四公共端P4、第五公共端P5、第六公共端P6、第一电位端D1、第二电位端D2、第五电位端D5、第一信号端口S1和第二信号端口S2，第九容性结构C9配置在第一信号端口S1与第一公共端P1之间的耦合路径上，第一容性结构C1配置在第一公共端P1与第二公共端P2之间的耦合路径上，第二容性结构C2配置在第一公共端P1与第三公共端P3之间的耦合路径上，第三容性结构C3配置在第二公共端P2与第三公共端P3之间的耦合路径上，第四容性结构C4配置在第四公共端P4与第五公共端P5之间的耦合路径上，第五容性结构C5配置在第四公共端P4与第六公共端P6之间的耦合路径上，第六容性结构C6配置在第六公共端P6与第五公共端P5之间的耦合路径上，第七容性结构C7配置在第五公共端P5与第二信号端口S2之间的耦合路径上，第八容性结构C8配置在第六公共端P6与第二电位端D2之间的耦合路径上，第一感性结构L1配置在第三公共端P3与第一电位端D1之间的耦合路径上，第二感性结构L2与第八容性结构C8并联耦合，配置在第六公共端P6与第二电位端D2之间的耦合路径上，第三感性结构L3与第七容性结构C7并联耦合，配置在第五公共端P5与第二信号端口S2之间的耦合路径上，第十四容性结构C14配置在第一信号端口S1与第一公共端P1之间的耦合路径上，第十四容性结构C14与第九容性结构C9串联耦合，第九感性结构L9配置在第九容性结构C9到第五电位端D5、第十四容性结构C14到第五电位端D5的公共耦合路径上。这种情况下第九容性结构C9、第十四容性结构C14、第九感性结构L9和第五电位端D5构成了类T型匹配结构，便于调节第一信号端口S1对外阻抗，有利于提高电路阻抗匹配的灵活性，同时也有利于提升滤波装置的带外选择性能。

图8是紧凑型滤波装置100所包含的容性结构的结构示意图。参照图8，第一方向x、第二方向y和层叠方向z两两垂直。第一素体10由电介质层沿层叠方向z层叠形成，其中电介质层可以由硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石、磷化铟、玻璃、蓝宝石、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氧化硅、聚酰亚胺或其组合中的任意一种或多种形成。第一至第九容性结构C1-C9由金属化的电极耦合形成，部分形成在第一素体10的内部或表面。第九容性结构C9包括电极E1、电极E2，电极E1形成在电极E2上方，电极E1和电极E2相互面对并在与层叠方向z垂直的面上的投影部分重合，电极E1和电极E2通过之间的电介质层耦合形成第九容性结构C9，电极E2用来与第一信号端S1耦合。第一容性结构C1包括电极E3、电极E4，电极E3形成在电极E4上方，电极E3和电极E4相互面对并在与层叠方向z垂直的面上的投影部分重合，电极E3和电极E4通过之间的电介质层耦合形成第一容性结构C1，电极E3与第九容性结构C9的电极E1连接。第二容性结构C2包括电极E12、电极E13，电极E12形成在电极E13上方，电极E12和电极E13相互面对并在与层叠方向z垂直的面上的投影部分重合，电极E12和电极E13通过之间的电介质层耦合形成第二容性结构C2，电极E12通过电极E3与第九容性结构C9的电极E1连接。第三容性结构C3包括电极E14、电极E15，电极E14形成在电极E15上方，电极E14和电极E15相互面对并在与层叠方向z垂直的面上的投影部分重合，电极E14和电极E15通过之间的电介质层耦合形成第三容性结构C3，电极E14与第二容性结构C2的电极E12连接，电极E15通过导体与第三容性结构C3的电极E17连接。第三容性结构C3包括电极E17和电极E16，电极E17形成在电极E16上方，电极E16和电极E17相互面对并在与层叠方向z垂直的面上的投影部分重合，电极E16和电极E17通过之间的电介质层耦合形成第三容性结构C3，电极E16和第一容性结构C1的电极E13连接。第四容性结构C4包括电极E16和电极E17，电极E17形成在电极E16上方，电极E17和电极E16相互面对并在与层叠方向z垂直的面上的投影部分重合，电极E16和电极E17通过之间的电介质层耦合形成第四容性结构C4，电极E16与第五容性结构C5的电极E10互连。第七容性结构C7由电极E9和电极E11通过之间的电介质层耦合形成，电极E9和电极E11相互面对并在与层叠方向z垂直的面上的投影部分重合，电极E11形成在电极E9下方，电极E9与电极E17连接，电极E11用来与第二信号端S2耦合。第五容性结构C5由电极E10和电极E18通过之间的电介质层耦合形成，电极E18形成在电极E10上方，电极E10和电极E18相互面对并在与层叠方向z垂直的面上的投影部分重合。第六容性结构C6包括电极E7和电极E8，电极E7形成在电极E8上方，电极E7和电极E8相互面对并在与层叠方向z垂直的面上的投影部分重合，电极E7和电极E8通过之间的电介质层耦合形成第六容性结构C6，电极E7与第四容性结构C4的电极E17互连，电极E8通过导体与第五容性结构C5的电极E18互连。第八容性结构C8包括电极E5和电极E6，电极E5形成在电极E6上方，电极E5和电极E6相互面对并在与层叠方向z垂直的面上的投影部分重合，电极E5和电极E6通过之间的电介质层耦合形成第八容性结构C8，电极E6与第五容性结构C5的电极E18互连，电极E5用来与第二感性结构L2连接。电极E1-E18可以由Ag、Au、Cu等一种或多种金属化的材料形成。

图9是图8所示结构的俯视图，参照图9并结合图8，第一至第九容性结构C1-C9在与层叠方向z垂直的面上的投影包括第一投影分部Y1、第二投影分部Y2和第三投影分部Y3，第一投影分部Y1和第三投影分部Y2沿第一方向x延伸，第二投影分部Y3沿第二方向y延伸。第一投影分部Y1、第二投影分部Y2和第三投影分部Y3首尾依次相连，整体类似“Z”型。这种情况下，与第一信号端S1耦合的第九容性结构C9和与第二信号端S2耦合的第七容性结构C7呈对角线分部，可将第一信号端S1和第二信号端S2在第二方向y上间隔一定距离，有利于增加布局的多样性。其中，第二容性结构C2沿第二方向y上远离第八容性结构C8，第二容性结构C2在与层叠方向z垂直的面上的投影沿第二方向y远离第八容性结构C8在与层叠方向z垂直的面上的投影，这种情况下，使第二容性结构C2与第八容性结构C8之间的距离尽可能大，可以减小他们相互之间不期望的耦合，有利于实现优秀的带外噪声抑制。

图10示出了一种变形例的容性结构的投影示意图，第一至第八容性结构C1-C8在与层叠方向z垂直的面上的投影包括第四投影分部Y4、第五投影分部Y5，第四投影分部Y4沿第一方向x延伸，第五投影分部Y5从第四投影分部Y4中部沿第二方向y延伸，整体类似“T”型。这种情况下，可将与第一信号端S1耦合的第一容性结构C1和与第二信号端S2耦合的第七容性结构C7在第一方向x上布置在同一直线上。

参照图11所示，另外第一至第八容性结构C1-C8也可以布置成沿第一方向x排列，第一至第八容性结构C1-C8与所述层叠方向垂直的面的投影Y6沿第一方向x延伸，整体类似“一”字型，这种情况下有利于减小物理结构在第二方向y上的尺寸，提高的小型化性能。

另外，参照图12所示，第一至第八容性结构C1-C8也可以布置成类似“L”型，此时第一至第八容性结构C1-C8在与层叠方向z垂直的面上的投影包括首尾依次连接的第六投影分部Y7和第七投影分部Y8，所述第六投影分部Y7沿第二方向y延伸，所述第七投影分部Y8沿第一方向x延伸。这种情况下，可将第一信号端S1和第二信号端S2在第二方向y上间隔一定距离，有利于增加布局的多样性。

图13是紧凑型滤波装置100所包含的感性结构的结构示意图。参考图13，其中第一方向x、第二方向y和层叠方向z两两垂直。第一感性结构L1包含金属迹线G1、金属迹线G2、金属迹线G3、导通柱V1和导通柱V2，金属迹线G1、金属迹线G2、金属迹线G3形成在第一素体10的不同电介质层上，形成为以螺线形式环绕一点延伸的形状。金属化的导通柱V1和导通柱V2沿层叠方向z延伸在第一素体10中延伸，金属迹线G1和金属迹线G2通过导通柱V2导电互联。金属迹线G1、金属迹线G2、金属迹线G3的绕线匝数均不超过一匝。第三感性结构L3包含金属迹线G4、金属迹线G5、导通柱V3和导通柱V4，金属迹线G4、金属迹线G5形成在第一素体10的不同电介质层上，形成为以螺线形式环绕一点延伸的形状。金属化的导通柱V3和导通柱V4沿层叠方向z延伸在第一素体10中延伸，金属迹线G3和金属迹线G4通过导通柱V3导电互联。金属迹线G4、金属迹线G5的绕线匝数均不超过一匝。第二感性结构L2包含金属迹线G7、金属迹线G8、导通柱V5和导通柱V6，金属迹线G7、金属迹线G8形成在第一素体10的不同电介质层上，形成为以螺线形式环绕一点延伸的形状。金属化的导通柱V5和导通柱V6沿层叠方向z延伸在第一素体10中延伸，金属迹线G7和金属迹线G8通过导通柱V6导电互联。金属迹线G7、金属迹线G8的绕线匝数均不超过一匝。以端口Port1和端口Port2为形成在第一感性结构L1或第二感性结构L2或第三感性结构L3上的端口，端口Port1和Port2之间电压和电流的关系可由导纳矩阵[Y]’表示，导纳矩阵[Y]’中Y11的虚部小于零，第一感性结构L1、第二感性结构L2、第三感性结构L3在工作频带内表现为电抗感性。在其他实施例或变形例中，金属迹线G1-G8也可以形成为由直线、折线、弧线、螺线或者其组合从一点延伸而成。在其他实施例或变形例中，金属迹线G1-G8也可以形成在第一素体的表面。

第一感性结构L1、第二感性结构L2、第三感性结构L3沿第一方向x设置，第一感性结构L1在与第一方向x垂直的面上的投影、第二感性结构L2在与第一方向x垂直的面上的投影和第三感性结构L3在与第一方向x垂直的面上的投影，三者至少部分重合。

第二感性结构L2和第三感性结构L3形成在第一感性结构L1的同侧，第二感性结构L2、第三感性结构L3分别都与第一感性结构L1沿第一方向x设置。第二感性结构L2和第三感性结构L3沿第二方向y设置。第一感性结构L1在与第一方向x垂直的面上的投影和第二感性结构L2在与第一方向x垂直的面上的投影部分重合，第一感性结构L1在与第一方向x垂直的面上的投影、第三感性结构L3在与第一方向x垂直的面上的投影部分部分重合，第二感性结构L2在与第二方向y垂直的面上的投影和第三感性结构L3在与第二方向y垂直的面上的投影部分重合。

图14是图13所示结构的俯视图，结合图13，形成在不同电介质层的金属迹线G1、金属迹线G2、金属迹线G3实质上垂直对准，感性结构L1在与层叠方向z垂直的面的投影中围成封闭图形。金属迹线G4、金属迹线G5实质上垂直对准，感性结构L2在与层叠方向z垂直的面的投影中围成封闭图形。金属迹线G7、金属迹线G8实质上垂直对准，感性结构L3在与层叠方向z垂直的面的投影中围成封闭图形。

图15是另一实施例的感性结构的俯视图，第二感性结构L2和第三感性结构L3形成在第一感性结构L1的同侧，第二感性结构L2、第三感性结构L3分别都与第一感性结构L1沿第一方向x设置。第二感性结构L2和第三感性结构L3沿第二方向y设置。第一感性结构L1在与第一方向x垂直的面上的投影和第二感性结构L2在与第一方向x垂直的面上的投影部分重合，第一感性结构L1在与第一方向x垂直的面上的投影、第三感性结构L3在与第一方向x垂直的面上的投影部分部分重合，第二感性结构L2在与第二方向y垂直的面上的投影和第三感性结构L3在与第二方向y垂直的面上的投影部分重合。

图16示出了本实用新型实施例提供的紧凑型滤波装置100的整体结构示意图。图17是本实用新型实施例提供的紧凑型滤波装置100的插入损耗和回波损耗特性图。紧凑型滤波装置100通带外产生4个不同的传输零点，其中在通带左侧具有三个传输零点，通带右侧具有一个传输零点，表现出高带外噪声抑制特性和优秀频率选择性能。

在上述各实施例的基础上，在本实用新型的又一个实施例中还进一步包括第二素体11。参照图18，

紧凑型滤波装置100C包含第一素体10和第二素体11。第二素体11由电介质层沿层叠方向z层叠形成，其中电介质层可以由硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石、磷化铟、玻璃、蓝宝石、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氧化硅、聚酰亚胺或其组合中的任意一种或多种形成。第一素体10和第二素体11在层叠方向z上依次设置，第一素体10被固定于第二素体11，并使用多个铜柱作为连接件，使得第一素体10和第二素体11电磁耦合。第一感性结构L1包含金属迹线G9、金属迹线G10、金属迹线G11、金属迹线G11、导通柱V7和导通柱V8，其中，金属迹线G9和金属迹线G11形成于第一素体10的表面，金属迹线G10形成于第一素体10的内部，金属迹线G12形成于第二素体11的表面。金属迹线G12与金属迹线G11通过铜柱导电互连。另外，第一素体10和第二素体11也可以由金属凸点、锡球、金线或焊料凸块进行互连。

本实用新型实施例还提供了一种电子装置，包括上述任意实施例所述的紧凑型滤波装置。

图19示出了可以与前述任一实施例及其变形例的紧凑型滤波装置集成的各种电子装置的结构示意图。例如，移动电话20、膝上型计算机21以及固定位置终端22可包括如本文所述的紧凑型滤波装置。图19的装置仅是示例性的，其它电子装置也可以包括本文所述的任一紧凑型滤波装置，包括但不限于：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、启用全球定位系统的设备、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、可穿戴设备、服务器、路由器、物联网设备、膝上型计算机或其任何组合。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (33)

1.一种紧凑型滤波装置，其特征在于，包含：

第一素体、第一容性结构、第二容性结构、第三容性结构、第四容性结构、第五容性结构、第六容性结构、第七容性结构、第八容性结构、第一感性结构、第二感性结构、与所述第七容性结构并联耦合的第三感性结构、第一公共端、第二公共端、第三公共端、第四公共端、第五公共端、第六公共端、第一电位端、第二电位端、第一信号端口和第二信号端口；所述第一容性结构配置在所述第一公共端与所述第二公共端之间的耦合路径上，所述第二容性结构配置在所述第一公共端与所述第三公共端之间的耦合路径上，所述第三容性结构配置在所述第二公共端与所述第三公共端之间的耦合路径上，所述第四容性结构配置在所述第四公共端与所述第五公共端之间的耦合路径上，所述第五容性结构配置在所述第四公共端与所述第六公共端之间的耦合路径上，所述第六容性结构配置在所述第六公共端与所述第五公共端之间的耦合路径上，所述第七容性结构配置在所述第五公共端与所述第二信号端口之间的耦合路径上，所述第八容性结构配置在所述第六公共端与所述第二电位端之间的耦合路径上，所述第一感性结构配置在所述第三公共端与所述第一电位端之间的耦合路径上，所述第二感性结构与所述第八容性结构并联耦合，配置在所述第六公共端与所述第二电位端之间的耦合路径上，所述第三感性结构配置在所述第五公共端与所述第二信号端口之间的耦合路径上，所述第一信号端与所述第一公共端耦合；

所述第一容性结构通过所述第一公共端与所述第二容性结构耦合，所述第二容性结构通过所述第三公共端与所述第三容性结构、所述第一感性结构耦合，所述第三容性结构通过所述第二公共端与所述第一容性结构耦合，所述第四公共端与所述第二公共端耦合，第五容性结构通过所述第四公共端与所述第四容性结构耦合，所述第五容性结构通过所述第六公共端与所述第六容性结构、所述第八容性结构、所述第二感性结构耦合，所述第六容性结构通过所述第五公共端与所述第七容性结构、所述第三感性结构耦合；所述第一素体包含沿层叠方向设置的一个或多个电介质层，第一至第八容性结构和/或第一至第三感性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面，所述第一至第八容性结构由金属化的电极耦合形成。

2.根据权利要求1所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含第九容性结构，所述第九容性结构配置在所述第一信号端口与所述第一公共端之间的耦合路径上，所述第九容性结构通过所述第一公共端与所述第一容性结构、所述第二容性结构耦合。

3.根据权利要求2所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含第四感性结构，所述第四感性结构配置在所述第一信号端口与所述第一公共端之间的耦合路径上，所述第四感性结构与所述第九容性结构并联耦合。

4.根据权利要求2所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含第十容性结构、第三电位端，所述第十容性结构配置在所述第一公共端与所述第三电位端之间的耦合路径上，所述第十容性结构通过所述第一公共端与所述第九容性结构、所述第一容性结构耦合，所述第十容性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面。

5.根据权利要求4所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含第五感性结构，所述第五感性结构配置在所述第一公共端与所述第三电位端之间的耦合路径上，所述第五感性结构与所述第十容性耦合。

6.根据权利要求4所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含第十一容性结构和第四电位端，所述第十一容性结构配置在所述第一信号端口与所述第四电位端之间的耦合路径上，所述第十一容性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面。

7.根据权利要求6所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含第六感性结构，所述第六感性结构配置在所述第一信号端口与所述第四电位端之间的耦合路径上，所述第十容性结构与所述第六感性结构耦合。

8.根据权利要求1所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含第十二容性结构，所述第十二容性结构配置在所述第三公共端与所述第一电位端之间的耦合路径上，所述第十二容性结构与所述第一感性结构耦合，所述第十二容性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面。

9.根据权利要求8所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含第七感性结构，所述第七感性结构配置在所述第三公共端与所述第一电位端之间的耦合路径上，所述第七感性结构与所述第十二容性结构串联耦合，所述第十二容性结构与所述第一感性结构并联耦合。

10.根据权利要求1所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含第八感性结构，所述第八感性结构配置在所述第六公共端与所述第二电位端之间的耦合路径上，所述第八感性结构与所述第八容性结构串联耦合。

11.根据权利要求6所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含第十三容性结构，所述第十三容性结构配置在所述第二公共端与所述第四电位端之间的耦合路径上，所述第十三容性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面。

12.根据权利要求2所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含第十四容性结构、第五电位端和第九感性结构，所述第十四容性结构配置在所述第一信号端口与所述第一公共端之间的耦合路径上，所述第十四容性结构与所述第九容性结构串联耦合，所述第九感性结构配置在所述第九容性结构到所述第五电位端、所述第十四容性结构到所述第五电位端的公共耦合路径上，所述第十四容性结构至少部分形成在第一素体的内部或表面。

13.根据权利要求1-12任一所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，其特征在于，所述第一素体由硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石、磷化铟、玻璃、蓝宝石、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氧化硅和聚酰亚胺中的任意一种形成。

14.根据权利要求13所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，还包含由一个或多个电介质层沿所述层叠方向层叠形成的第二素体，所述第一素体、所述第二素体在所述层叠方向上依次设置，所述第一素体固定于所述第二素体，所述容性结构和/或所述感性结构至少部分形成在第二素体的内部或表面，所述第一素体与所述第二素体经由两者之间的一个或多个连接件电磁耦合，所述连接件包含金属凸点、铜柱、锡球、金线和焊料凸块中的至少一种。

15.根据权利要求13所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述感性结构由金属迹线形成，所述金属迹线形成为以折线、弧线、螺线或其组合的形式延伸的形状。

16.根据权利要求15所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述感性结构包含形成在不同电介质层的多个所述金属迹线和将其互连的多个金属化的导通柱，所述导通柱沿所述层叠方向延伸。

17.根据权利要求15所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述金属迹线在与所述层叠方向垂直的面上的投影形成为以一点为中心，绕该点环绕设置。

18.根据权利要求15所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述金属迹线形成在不同电介质层且实质上沿所述层叠方向对准，所述感性结构在与所述层叠方向垂直的面的投影形成封闭图形。

19.根据权利要求15所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，每个所述金属迹线匝数不超过一匝。

20.根据权利要求13所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第一电位端和所述第二电位端等电位。

21.根据权利要求13所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第一至第八容性结构被配置成沿第一方向排列。

22.根据权利要求21所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第一至第八容性结构在与所述层叠方向垂直的面的投影沿所述第一方向延伸。

23.根据权利要求13所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第二容性结构在与所述层叠方向垂直的面上的投影沿第二方向远离所述第八容性结构在与所述层叠方向垂直的面上的投影。

24.根据权利要求23所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第一至第八容性结构在与所述层叠方向垂直的面上的投影包含首尾依次连接的第一投影分部、第二投影分部和第三投影分部，所述第一投影分部和所述第三投影分部沿第一方向延伸，所述第二投影分部沿所述第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直。

25.根据权利要求13所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第一至第八容性结构在与所述层叠方向垂直的面上的投影包含沿第一方向延伸的第四投影分部，以及从所述第四投影分部中部沿第二方向延伸的第五投影分部，所述第一方向与所述第二方向垂直。

26.根据权利要求13所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第一至第八容性结构在与所述层叠方向垂直的面上的投影包含首尾依次连接的第六投影分部和第七投影分部，所述第六投影分部沿第二方向延伸，所述第七投影分部沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直。

27.根据权利要求13所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第一感性结构、所述第二感性结构和所述第三感性结构沿第一方向依次设置。

28.根据权利要求27所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第一感性结构在与第一方向垂直的面上的投影、所述第二感性结构在与所述第一方向垂直的面上的投影和所述第三感性结构在与所述第一方向垂直的面上的投影，三者至少部分重合。

29.根据权利要求13所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第二感性结构和所述第三感性结构沿第二方向依次设置，所述第二感性结构和所述第三感性结构配置在所述第一感性结构的同一侧。

30.根据权利要求29所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第一感性结构在与第一方向垂直的面上的投影和所述第二感性结构在与所述第一方向垂直的面上的投影部分重合，所述第一感性结构在与第一方向垂直的面上的投影和所述第三感性结构在与所述第一方向垂直的面上的投影部分重合，所述第二感性结构在与第二方向垂直的面上的投影和所述第三感性结构在与所述第二方向垂直的面上的投影部分重合，所述第一方向垂直于所述第二方向。

31.根据权利要求13所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第一至第三感性结构的至少部分结构形成于所述第一素体表面或内部。

32.根据权利要求14所述的紧凑型滤波装置，其特征在于，所述第一感性结构至所述第三感性结构的至少部分结构同时形成于所述第一素体和所述第二素体的表面或内部。

33.一种电子装置，其特征在于，包含权利要求1到32任一项所述的紧凑型滤波装置。