CN217116396U - Mems扬声器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种MEMS扬声器,所述MEMS扬声器包括具有收容空间的壳体和置于所述收容空间内并与所述壳体连接的MEMS扬声器芯片,所述MEMS扬声器芯片具有内腔,所述MEMS芯片将收容空间分为第一腔体和与所述内腔连通的第二腔体,所述壳体设有与第一腔体或第二腔体连通的出声孔,所述MEMS扬声器还设有与所述壳体连接并覆盖所述出声孔的阻尼网,所述MEMS扬声器芯片发出的声音经出声孔和阻尼网向外传播。本实用新型所述的MEMS扬声器可以提高其发声性能。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及声电转换技术领域,尤其涉及一种MEMS扬声器。
【背景技术】
扬声器作为手机等移动终端的主要元器件之一,其主要将电信号转换成声音信号。
MEMS扬声器(Micro-Electro-Mechanical System),即微机电系统扬声器,其相对传统的音圈式扬声器具有一致性好、功耗低、尺寸小、价格低等优势。相关技术的MEMS扬声器包括线路板、与线路板盖接形成收容空间的外壳以及置于收容空间中的MEMS扬声器芯片,外壳设有出声孔。但MEMS扬声器芯片在振动发声时总谐波失真增大,极大的影响了MEMS扬声器的性能。
因此,有要提供一种改善上述问题的MEMS扬声器。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于提供一种发声性能好的MEMS扬声器。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种MEMS扬声器,所述MEMS扬声器包括具有收容空间的壳体和置于所述收容空间内并与所述壳体连接的MEMS扬声器芯片,所述MEMS扬声器芯片具有内腔,所述MEMS芯片将收容空间分为第一腔体和与所述内腔连通的第二腔体,所述壳体设有与第一腔体或第二腔体连通的出声孔,所述MEMS扬声器还设有与所述壳体连接并覆盖所述出声孔的阻尼网,所述MEMS扬声器芯片发出的声音经出声孔和阻尼网向外传播。
优选的,所述阻尼网的声阻抗值为:1Mrayl~500Mrayl。
优选的,所述壳体包括与所述MEMS扬声器芯片连接的线路板和盖接在所述线路板形成所述收容空间的外壳,所述外壳和所述MEMS扬声器芯片形成所述第一腔体,所述线路板和MEMS扬声器芯片形成所述第二腔体,所述出声孔设于所述外壳,所述阻尼网贴设在所述外壳上。
优选的,所述外壳包括与所述线路板间隔设置的顶壁以及位于所述线路板和顶壁之间并分别与所述线路板和顶壁连接的侧壁,所述出声孔设于所述顶壁,所述阻尼网与所述顶壁连接。
优选的,所述顶壁设有远离所述收容空间的第一外表面,所述阻尼网与所述顶壁的第一外表面连接。
优选的,所述外壳包括与所述线路板间隔设置的顶壁以及位于所述线路板和顶壁之间并分别与所述线路板和顶壁连接的侧壁,所述出声孔设于所述侧壁。
优选的,所述阻尼网一端与所述外壳的顶壁连接,另一端与所述线路板连接。
优选的,所述阻尼网包括朝向收容空间的内表面,所述阻尼网的内表面的一端与所述外壳的顶壁连接,内表面的另一端与所述线路板连接。
优选的,所述线路板设有与所述第二腔体连通的通孔,所述MEMS扬声器还设有覆盖所述通孔的防尘网。
优选的,所述壳体包括与所述MEMS扬声器芯片连接的线路板和盖接在所述线路板形成所述收容空间的外壳,所述外壳和所述MEMS扬声器芯片形成所述第一腔体,所述线路板和MEMS扬声器芯片形成所述第二腔体,所述出声孔设于所述线路板,所述出声孔与所述第二腔体连通,所述阻尼网贴设在所述线路板上。
本实用新型的有益效果在于:该MEMS扬声器中通过在出声孔设置阻尼网,有效调节MEMS扬声器的品质因素Q值,降低前腔引起的谐振,改善总谐波失真,从而提高MEMS扬声器的性能。
【附图说明】
图1为本实用新型的第一实施例MEMS扬声器的剖视图;
图2为本实用新型的第一实施例MEMS扬声器与相关技术MEMS扬声器的对比测试数据的声压级SPL的曲线图;
图3为本实用新型的第一实施例MEMS扬声器与相关技术MEMS扬声器的对比测试数据的总谐振失真THD的曲线图;
图4为本实用新型的第二实施例MEMS扬声器的剖视图;
图5为本实用新型的第三实施例MEMS扬声器的剖视图;
图6为本实用新型的第四实施例MEMS扬声器的剖视图。
【具体实施方式】
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
实施例一
请参照图1所示,本实用新型提供的MEMS扬声器100包括具有收容空间10的壳体1和置于所述收容空间10内并与所述壳体1连接的MEMS扬声器芯片2,所述MEMS扬声器芯片2具有内腔20,所述MEMS扬声器芯片2将收容空间10分为第一腔体101和与所述内腔连通的第二腔体102。在本实施方式中,壳体1包括与MEMS扬声器芯片2连接的线路板11和盖接在线路板11形成所述收容空间10的外壳12,外壳12和MEMS扬声器芯片2形成所述第一腔体101,线路板11和MEMS扬声器芯片2形成所述第二腔体102,第二腔体102即为MEMS扬声器芯片2的内腔20。MEMS扬声器芯片2通过绑定金线40与所述线路板11电连接。外壳12设有出声孔120,出声孔120与第一腔体101连通,MEMS扬声器芯片2发出声音并经第一腔体101和出声孔120传播到外部。第一腔体101作为前腔,第二腔体102作为后腔。
MEMS扬声器100还包括阻尼网30,阻尼网30贴设在外壳12上并覆盖所述出声孔120,MEMS扬声器芯片2发出的声音经出声孔120和阻尼网30再向外传播,由此,可以通过阻尼网30有效调节MEMS扬声器100的品质因素Q值,降低前腔引起的谐振,改善总谐波失真,从而提高MEMS扬声器100的性能。优选的,阻尼网30的声阻抗值为1Mrayl~500Mrayl。阻尼网30完全覆盖出声孔120。
参阅图2,通过本实用新型MEMS扬声器与相关技术MEMS扬声器的对比测试,其测试数据的SPL(声压级)的曲线图:相关技术MEMS扬声器未设置阻尼网,其SPL曲线为A曲线,本实用新型MEMS扬声器的SPL曲线为B曲线。可以得出以下结论:阻尼网30的设置可以对前腔引起的SPL谐振峰起到抑制作用。
参阅图3所示,通过本实用新型MEMS扬声器与相关技术MEMS扬声器的对比测试,其测试数据的THD(总谐振失真)的曲线图:相关技术MEMS扬声器未设置阻尼网,其THD曲线为C曲线,本实用新型MEMS扬声器的THD曲线为D曲线。可以得出以下结论:阻尼网30的设置可以对前腔引起的THD谐振峰起到抑制作用。
另外,在本实施例中,外壳12包括与线路板11间隔设置的顶壁121以及位于线路板11和顶壁121之间的侧壁122,侧壁122的两端分别与线路板11和顶壁121连接,出声孔120贯穿顶壁121设置,由此实现了MEMS扬声器100正发声的效果。顶壁121包括远离收容空间10的第一外表面1210,阻尼网30贴设在顶壁121的第一外表面1210,由此阻尼网30不但易于安装,还可以不占用MEMS扬声器100的内部空间。
实施例二
如图4所示,实施例二与实施例一的区别仅在于:所述线路板11’还设有与第二腔体102’连通的通孔110’,MEMS扬声器200’还设有覆盖所述通孔110’的防尘网50’。通孔110’可增大后腔的体积,提高MEMS扬声器200’的低频效果。具体的,线路板11’设有远离收容空间10’的第二外表面111’,防尘网50’贴设在线路板11’的第二外表面111’。防尘网50’不但可以作为防尘防水网,也可以作为阻尼网。
实施例三
如图5所示,实施例三与实施例二的区别仅在于:出声孔120”设于外壳的侧壁122”,阻尼网30”的一端与顶壁121”连接,另一端与线路板11”连接。由此,使得MEMS扬声器300的声音从侧面发出,实现了侧发声的效果。具体的,阻尼网30”包括朝向收容空间10”的内表面31”,阻尼网30”的内表面31”与顶壁122”和线路板11”连接,并且阻尼网30”与顶壁122”和线路板11”齐平。
实施例四
如图6所示,实施例四与实施例一的区别仅在于:出声孔112”’设于线路板11”’,阻尼网30”’贴设在线路板11”’上,阻尼网30”’可以贴设于线路板11”’的内表面也可以贴设在线路板11”’的外表面。此结构第二腔体作为前腔,MEMS扬声器400的声音从MEMS扬声器400的底部发出,实现了底部发声的效果。
需要说明的是,本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
以上的仅是本实用新型的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种MEMS扬声器,所述MEMS扬声器包括具有收容空间的壳体和置于所述收容空间内并与所述壳体连接的MEMS扬声器芯片,所述MEMS扬声器芯片具有内腔,所述MEMS芯片将收容空间分为第一腔体和与所述内腔连通的第二腔体,其特征在于,所述壳体设有与第一腔体或第二腔体连通的出声孔,所述MEMS扬声器还设有与所述壳体连接并覆盖所述出声孔的阻尼网,所述MEMS扬声器芯片发出的声音经出声孔和阻尼网向外传播。
2.根据权利要求1所述的MEMS扬声器,其特征在于,所述阻尼网的声阻抗值为:1Mrayl~500Mrayl。
3.根据权利要求1所述的MEMS扬声器,其特征在于,所述壳体包括与所述MEMS扬声器芯片连接的线路板和盖接在所述线路板形成所述收容空间的外壳,所述外壳和所述MEMS扬声器芯片形成所述第一腔体,所述线路板和MEMS扬声器芯片形成所述第二腔体,所述出声孔设于所述外壳,所述阻尼网贴设在所述外壳上。
4.根据权利要求3所述的MEMS扬声器,其特征在于,所述外壳包括与所述线路板间隔设置的顶壁以及位于所述线路板和顶壁之间并分别与所述线路板和顶壁连接的侧壁,所述出声孔设于所述顶壁,所述阻尼网与所述顶壁连接。
5.根据权利要求4所述的MEMS扬声器,其特征在于,所述顶壁设有远离所述收容空间的第一外表面,所述阻尼网与所述顶壁的第一外表面连接。
6.根据权利要求3所述的MEMS扬声器,其特征在于,所述外壳包括与所述线路板间隔设置的顶壁以及位于所述线路板和顶壁之间并分别与所述线路板和顶壁连接的侧壁,所述出声孔设于所述侧壁。
7.根据权利要求6所述的MEMS扬声器,其特征在于,所述阻尼网一端与所述外壳的顶壁连接,另一端与所述线路板连接。
8.根据权利要求7所述的MEMS扬声器,其特征在于,所述阻尼网包括朝向收容空间的内表面,所述阻尼网的内表面的一端与所述外壳的顶壁连接,内表面的另一端与所述线路板连接。
9.根据权利要求3所述的MEMS扬声器,其特征在于,所述线路板设有与所述第二腔体连通的通孔,所述MEMS扬声器还设有覆盖所述通孔的防尘网。
10.根据权利要求1所述的MEMS扬声器,其特征在于,所述壳体包括与所述MEMS扬声器芯片连接的线路板和盖接在所述线路板形成所述收容空间的外壳,所述外壳和所述MEMS扬声器芯片形成所述第一腔体,所述线路板和MEMS扬声器芯片形成所述第二腔体,所述出声孔设于所述线路板,所述出声孔与所述第二腔体连通,所述阻尼网贴设在所述线路板上。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202220453634.2U CN217116396U (zh) | 2022-03-03 | 2022-03-03 | Mems扬声器 |
US17/879,756 US11910155B2 (en) | 2022-03-03 | 2022-08-02 | MEMS speaker |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202220453634.2U CN217116396U (zh) | 2022-03-03 | 2022-03-03 | Mems扬声器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN217116396U true CN217116396U (zh) | 2022-08-02 |
Family
ID=82599980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202220453634.2U Active CN217116396U (zh) | 2022-03-03 | 2022-03-03 | Mems扬声器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11910155B2 (zh) |
CN (1) | CN217116396U (zh) |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5799619B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2015-10-28 | 船井電機株式会社 | マイクロホンユニット |
DE102011086765A1 (de) * | 2011-11-22 | 2013-05-23 | Robert Bosch Gmbh | Chip mit mikro-elektromechanischer Struktur und Verfahren zum Herstellen eines Chips mit mikro-elektromechanischer Struktur |
US9852723B2 (en) * | 2014-03-27 | 2017-12-26 | Apple Inc. | Acoustic modules |
DE102014105754B4 (de) * | 2014-04-24 | 2022-02-10 | USound GmbH | Lautsprecheranordnung mit leiterplattenintegriertem ASIC |
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-
2022
- 2022-03-03 CN CN202220453634.2U patent/CN217116396U/zh active Active
- 2022-08-02 US US17/879,756 patent/US11910155B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11910155B2 (en) | 2024-02-20 |
US20230283947A1 (en) | 2023-09-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |