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CN212515728U - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDF

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CN212515728U
CN212515728U CN202020579241.7U CN202020579241U CN212515728U CN 212515728 U CN212515728 U CN 212515728U CN 202020579241 U CN202020579241 U CN 202020579241U CN 212515728 U CN212515728 U CN 212515728U
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CN
China
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signal line
sub
shielding
array substrate
pixels
Prior art date
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Application number
CN202020579241.7U
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English (en)
Inventor
张吉和
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Huawei Technologies Co Ltd
Original Assignee
Huawei Technologies Co Ltd
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Abstract

本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,能够降低亚像素间因有无触控信号线对像素电容的耦合差异而导致显示画面异常(mura)的程度。该阵列基板包括基板以及设置于基板上位于开口区的数据线、公共电极、触控信号线、遮蔽信号线;公共电极位于数据线背离基板的一侧;触控信号线和遮蔽信号线位于数据线和公共电极之间;触控信号线和遮蔽信号线与数据线的延伸方向一致,且触控信号线和遮蔽信号线均数据线正对设置;触控信号线与遮蔽信号线对应不同的数据线。

Description

阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
触控显示面板(touch panel)作为目前一种常见的显示面板,由于其简单、方便、自然的人机交互方式,在公共信息的查询、工业控制、军事指挥、电子游戏、多媒体教学等领域得到了广泛的应用。
相关技术中提供一种触控显示面板,该触控显示面板的阵列基板(array)中,在位于部分数据线(data line)与公共电极(也可以称为com电极)之间设置触控信号线(touchsensor pad trace,简称TP trace),并且每一触控信号线均连接有多个位于亚像素区域的触控感应电极(touch sensor pad);在此情况下,有触控信号线的亚像素与无触控信号线的亚像素耦合至像素电容的水准有差异,进而在某些重载显示情况下导致显示画面异常(mura);尤其在一些亚像素特定排布的触控显示面板中,受数据线上加载的数据信号的影响,还会造成显示画面出现水平串扰现象(horizontal cross-talk)。
实用新型内容
本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,能够降低亚像素间因有无触控信号线对像素电容的耦合差异而导致显示画面异常(mura)的程度。
本申请提供一种阵列基板,包括基板以及设置于所述基板上位于开口区的数据线、公共电极、触控信号线、遮蔽信号线;所述公共电极位于所述数据线背离所述基板的一侧;所述触控信号线和所述遮蔽信号线位于所述数据线和所述公共电极之间;所述触控信号线和所述遮蔽信号线与所述数据线的延伸方向一致,且所述触控信号线和所述遮蔽信号线均所述数据线正对设置;所述触控信号线与所述遮蔽信号线对应不同的数据线。
综上所述,本申请实施例提供的阵列基板,通过在未设置触控信号线的数据线的正上方、公共电极的下方单独设置遮蔽信号线,通过向遮蔽信号线施加固定的电位,分别通过触控信号线和遮蔽信号线电容耦合作用,能够使得各亚像素区域的耦合电容更均匀,进而降低了在重载显示下出现触控电极显示异常(touch sensor pad mura)的程度。
在一些可能实现的方式中,每一所述数据线与所述触控信号线正对设置或者与所述遮蔽信号线正对设置;从而能够最大程度的保证公共电极受到触控信号线和遮蔽信号线的耦合电容的均匀性,进而有效的降低重载显示下发生出现触控电极显示异常(touchsensor pad mura)的程度。
在一些可能实现的方式中,所述遮蔽信号线的宽度大于所述数据线的宽度。
在一些可能实现的方式中,所述阵列基板还包括:分别位于所述开口区、呈矩阵排列的多个亚像素中的像素电极;所述像素电极包括条状子电极;位于同列亚像素中的像素电极与同一所述数据线连接;与所述遮蔽信号线正对设置的数据线为第一数据线,相邻两个所述第一数据线之间间隔N列亚像素,N为奇数;位于同行、且与相邻两个所述第一数据线连接的像素电极位于该行亚像素中依次设置的两个相同颜色的亚像素中。
在此情况下,一方面,通过将触控信号线移离第一数据线的正上方,避免了触控信号线以及与触控信号线连接的触控感应电极对公共电极所在亚像素区域的电位造成耦合拉扯;另一方面,在第一数据线的正上方设置遮蔽信号线,通过遮蔽信号线的屏蔽作用,降低了第一数据线上的数据信号变化对公共电极所在亚像素区域的耦合程度;进而在降低了公共电极被数据线串扰的程度的同时,降低了显示画面发生水平串扰的现象,缩短了通过数据线向像素电极的充电开启时长。
在一些可能实现的方式中,所述呈矩阵排列的多个亚像素划分为多个第一像素单元和多个第二像素单元,所述第一像素单元和所述第二像素单元在行方向和列方向上均依次交替排布;所述第一像素单元包括:沿行方向上依次设置的红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素;所述第二像素单元包括:沿行方向上依次设置的红色亚像素、绿色亚像素、白色亚像素;所述第一数据线与位于同列且依次交替排布的蓝色亚像素和白色亚像素中的像素电极连接。
在此情况下,一方面,避免了触控信号线以及与触控信号线连接的触控感应电极对公共电极在蓝色亚像素区域的电位造成耦合拉扯;另一方面,降低了第一数据线上的数据信号变化对公共电极对应蓝色亚像素区域的耦合程度,降低了显示画面在蓝色串扰测试图样下发生水平串扰的现象,缩短了通过数据线向像素电极的充电开启时长。
在一些可能实现的方式中,所述像素电极位于所述公共电极背离所述基板的一侧;所述公共电极包括位于每一亚像素中的面状子电极;也即该阵列基板为FFS型阵列基板。
在一些可能实现的方式中,所述公共电极在与所述遮蔽信号线正对的区域设置有镂空部;以降低公共电极因数据线上加载的数据信号造成的二次耦合。
在一些可能实现的方式中,所述遮蔽信号线在朝向所述数据线的一侧的表面在宽度方向上向所述公共电极一侧凸起;在此情况下,一方面,由于遮蔽信号线的下表面向上凸起,从而能够阻挡数据线侧向的耦合电场,从而有效的降低数据线上的数据信号对公共电极的耦合程度;另一方面,遮蔽信号线是独立电性连接的信号,可以在数据线传输信号时给一个微小的反向电压差,从而能够使得数据线在进行数据信号传输,对公共电极发生藕合时,利用遮蔽信号线的电压对于公共电极进行微小的反向拉扯,进而能够通过遮蔽信号线将数据线对公共电极发生侧向耦合电场的部分修正回来。
在一些可能实现的方式中,所有的所述遮蔽信号线的两端通过位于非开口区的连接部横向连接;以降低数据线上加载的数据信号对遮蔽信号线产生的耦合电压幅值,同时保证遮蔽信号线的电位能够快速恢复至原本的电位。
在一些可能实现的方式中,所有的所述遮蔽信号线中,沿行方向上的依次相邻的多个遮蔽信号线形成遮蔽单元,所述遮蔽单元中的多个遮蔽信号线的两端通过位于非开口区的连接部横向连接;不同的所述遮蔽单元中的遮蔽信号线独立设置。这样一来,一方面,降低数据线上加载的数据信号对遮蔽信号线产生的耦合电压幅值,进而保证遮蔽信号线能够快速恢复至原本的电位;另一方面,避免了因局部区域的数据线上加载的数据信号对遮蔽信号线产生的高耦合电压幅值,拉升相邻区域的遮蔽信号线的电压,也即避免对相邻区域的遮蔽信号线产生影响。
在一些可能实现的方式中,相邻的多个所述遮蔽信号线通过位于所述开口区内的连接部横向连接;以保证遮蔽信号线能够快速恢复至原本的电位。
在一些可能实现的方式中,所述触控信号线和所述遮蔽信号线同层同材料;以简化制作工艺,降低制作成本。
本申请实施例还提供一种显示面板,包括如前述任一种可能实现的方式中的阵列基板、对盒基板以及位于所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶层。
在一些可能实现的方式中,所述对盒基板在朝向所述阵列基板一侧设置有光刻间隙柱,且所述光刻间隙柱与所述阵列基板上设置所述遮蔽信号线的区域正对;以避免主间隙柱与配向膜之间的摩擦,进而也就避免了显示画面的PS mura。
本申请实施例还提供一种显示装置,其特征在于,包括背光模组以及如前述任一种可能实现的方式中的显示面板,所述显示面板位于所述背光模组的出光侧。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的平面示意图;
图2为图1的显示面板在AA’位置的剖面示意图;
图3为本申请实施例提供的一种显示面板的亚像素排布示意图;
图4为本申请实施例提供的一种阵列基板的局部剖面示意图;
图5为本申请相关技术提供的一种显示面板的示意图;
图6为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图;
图7为本申请实施例提供的一种阵列基板的局部剖面示意图;
图8为本申请实施例提供的一种阵列基板的局部示意图;
图9为本申请实施例提供的一种阵列基板的局部示意图;
图10为本申请实施例提供的一种阵列基板中遮蔽信号线的分布示意图;
图11为本申请实施例提供的一种阵列基板中遮蔽信号线的分布示意图;
图12为本申请实施例提供的一种阵列基板中遮蔽信号线的分布示意图;
图13为本申请实施例提供的一种阵列基板的局部剖面示意图;
图14为本申请实施例提供的一种数据线和遮蔽信号线上的电位时序示意图;
图15为本申请实施例提供的一种显示面板的局部剖面示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请中的附图,对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书实施例和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述的目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性,也不能理解为指示或暗示顺序。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元。方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。“上”、“下”等仅用于相对于附图中的部件的方位而言的,这些方向性术语是相对的概念,它们用于相对于的描述和澄清,其可以根据附图中的部件所放置的方位的变化而相应地发生变化。
本申请实施例提供一种显示装置,该显示装置为触控显示装置,可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、车载电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件,本申请对于显示装置的具体形式不做具体限制。
在一些可能实现的方式中,上述显示装置可以为液晶显示装置(liquid crystaldisplay),该显示装置包括背光模组以及显示面板,显示面板位于背光模组的出光侧。以下实施例均是以此为例进行说明。
本申请实施例提供一种显示面板,如图1所示,该显示面板划分为开口区(aperture area,简称AA区)01和非开口区02。
如图2所示(图1沿AA’位置的剖面示意图),该显示面板包括阵列基板1、对盒基板2以及位于阵列基板1和对盒基板2之间的液晶层3。当然,该显示面板还包括其他一些器件,例如数据驱动IC、偏光板等,此处不做赘述。
可以理解的是,在一些可能实现的方式中,对盒基板2可以为彩膜基板,也即将彩色滤光层设置在对盒基板2上。在一些可能实现的方式中,彩色滤光层也可以设置在阵列基板1上;本申请对于对盒基板2的具体设置形式不做特殊限制。
在一些可能实现的方式中,参考图1和图3,显示面板在开口区01中设置有呈矩阵排布的亚像素P(sub pixel)。例如,如图3所示,呈矩阵排布的亚像素P可以包括:沿行方向XX’依次重复排列的红色亚像素R、绿色亚像素G、蓝色亚像素B;沿列方向YY’上,位于同列的亚像素的颜色相同;但亚像素P的排布方式并不限制于此。
结合前述相关描述,以下对本申请显示面板中的阵列基板1的具体设置作进一步的说明。
如图4(阵列基板1在相邻多个亚像素P位置的横向剖面图)所示,阵列基板1包括:基板11以及设置在基板11上位于开口区01中的数据线12(data line)、公共电极13、像素电极14。
公共电极13分布在整个开口区01,且公共电极13位于各亚像素P中的部分为电连接的一体结构。在一些可能实现的方式,公共电极13在各亚像素P的区域内可以包括面状子电极(参考图4);例如,在各亚像素P的区域内,像素电极14包括条状子电极,像素电极14相对于公共电极13靠近液晶层一侧。在一些可能实现的方式中,公共电极 13在各亚像素P的区域内可以包括多个条状子电极。例如,在各亚像素P的区域内,公共电极13与像素电极14均包括位于靠近液晶层一侧(也即阵列基板的最上层)的条状电极,且公共电极13和像素电极14中的条状子电极同层依次交替设置。
此处可以理解的是,对于前述公共电极13在各亚像素P的区域内为面状子电极的情况下,像素电极14位于公共电极13的上方(即像素电极14位于公共电极13背离基板1 的一侧);也就是说,采用该阵列基板的显示面板为FFS(fringe field switching,边缘场开关)型显示面板。对于前述公共电极13在各亚像素P的区域包括多个条状子电极的情况下,像素电极14中的条状子电极和公共电极13中的条状子电极,可以同层依次交替设置,也可以异层(即不同层)依次交替设置;也就是说,采用该阵列基板的显示面板为IPS (in planeswitch,横向电场效应)型。在此情况下,显示面板在显示时,公共电极与各像素电极间形成像素电容,并在液晶层的位置形成不同强度的电场,驱动液晶分子旋转,以实现不同的灰度显示(例如0~255灰阶)。
另外,在该阵列基板中,位于同列亚像素P中的像素电极14与同一数据线12连接,位于同行亚像素P中的像素电极14与同一栅线(gate line)连接;其中,数据线12位于相邻两列亚像素P之间的区域,栅线(图4中未示出)位于相邻两行亚像素P之间的区域。
示意的,在一些可能实现的方式中,阵列基板1在每个亚像素P中分别设置有薄膜晶体管(thin film transistor,TFT),且各亚像素P中的薄膜晶体管的漏极与该亚像素P中的像素电极14连接,位于同列亚像素P中薄膜晶体管的源极与同一数据线12连接,位于同行亚像素P中薄膜晶体管的栅极与同一栅线连接,从而通过向栅线输入扫描信号逐行开启各行亚像素,并在一行亚像素开启时,数据线将数据信号通过薄膜晶体管写入至该行各亚像素P的像素电极中,从而实现连续的画面显示。
另外,结合图3和图4所示,本申请实施例提供的阵列基板1还包括:位于数据线层与公共电极层之间的触控信号线层,该触控信号线层包括:与数据线12的延伸方向一致的多个触控信号线15。触控信号线15位于部分数据线12正上方;也即触控信号线15与数据线12在基板1上的正投影交叠。一般可以设置触控信号线15与数据线12的中线对齐;示意的,触控信号线15的宽度大于数据线12的宽度。下文中的“正上方”均可以按照两者在基板1上的正投影交叠理解。
此处可以理解的是,在阵列基板1中,数据线12是针对每一列亚像素P分别设置的,而触控信号线15的设置密度小于数据线12的设置密度,触控信号线15一般间隔多列亚像素P进行设置;也即阵列基板仅在部分数据线12的正上方设置有触控信号线15。另外,在阵列基板1的亚像素区域设置有与触控信号线15连接的多个触控感应电极(touch sensorpad),以及与触控信号线15交叉设置的感应信号线,以实现触摸控制。
相比于未设置触控信号线15的亚像素区间,部分设置有触控信号线15的亚像素区间,触控信号线15以及与其连接触控感应电极会与上方的像素电极14、临近的栅线和数据线12之间发生电容耦合,从而导致该部分亚像素区间在触控感应电极间做电性绝缘的区域有电容容值上差异,进而造成重载显示下发生触控电极显示异常(touch sensor padmura)。
基于此,结合图3和图4所示,在本申请实施例提供的阵列基板1中,对于上方未设置触控信号线15的部分数据线12而言,可以在该部分数据线12的正上方,设置与数据线12延伸方向一致的遮蔽信号线16,并且遮蔽信号线16位于公共电极13靠近基板11 的一侧,也即遮蔽信号线16与触控信号线15均位于数据线12与公共电极13之间,且遮蔽信号线16与触控信号线15分别与不同的数据线12正对设置。
综上所述,本申请实施例提供的阵列基板,通过在未设置触控信号线的数据线的正上方、公共电极的下方单独设置遮蔽信号线,通过向遮蔽信号线施加固定的电位,分别通过触控信号线和遮蔽信号线电容耦合作用,能够使得各亚像素区域的耦合电容更均匀,进而降低了在重载显示下出现触控电极显示异常(touch sensor pad mura)的程度。
在一些可能实现的方式中,如图4所示,阵列基板1可以在未设置触控信号线15的每一数据线12的正上方均设置遮蔽信号线16;也即对于任一数据线12而言,其正上方必然设置触控信号线15和遮蔽信号线16中的一个,从而能够最大程度的保证各亚像素区域受到触控信号线和遮蔽信号线的耦合电容的均匀性,进而有效的降低重载显示下出现触控电极显示异常(touch sensor pad mura)的程度。
另外,本申请相关技术中提供一种显示面板,如图5所示,该显示面板中成矩阵排布的多个亚像素P划分多个第一像素单元U1和多个第二像素单元U2,第一像素单元U1和第二像素单元U2在行方向XX’和列方向YY’上均依次交替排布。其中,第一像素单元 U1包括:沿行方向XX’上依次设置的红色亚像素R、绿色亚像素G、蓝色亚像素B;第二像素单元U2包括:沿行方向XX’上依次设置的红色亚像素R、绿色亚像素G、白色亚像素W。可以理解的是,在该排布规则下,蓝色亚像素B和白色亚像素W在列方向YY’上依次交替排布,并且在行方向XX’上,依次相邻的两个蓝色亚像素B之间间隔五个(奇数个)亚像素。
在该显示面板中,将与位于同列的蓝色亚像素B和白色亚像素W中的像素电极连接的数据线12定义为第一数据线,并且触控信号线15设置在该第一数据线的正上方。这样一来,在该显示面板采用单列反转(one column inversion)的方式进行显示时,也即位于同列的亚像素P的极性相同,相邻两列亚像素的极性相反。
如图5中示出的,在某一显示帧画面时,位于奇数列的亚像素均为正极性(+),位于偶数列的亚像素均为负极性(-),在下一显示帧画面时,每列亚像素的极性进行翻转,即位于奇数列的亚像素均为负极性(-),位于偶数列的亚像素均为正极性(+)。在此情况下,可以理解的是,由于触控信号线15设置于蓝色亚像素B的像素电极连接的数据线(即第一数据线)的正上方,也即在第一数据线上加载数据信号时,触控信号线15以及与其连接的触控感应电极会对蓝色亚像素位置处的公共电极的电位产生耦合;同时由于位于同行依次设置的两个蓝色亚像素B的极性相同,也即公共电极的电位在位于同行的所有蓝色亚像素的向同一方向耦合拉扯,从而导致显示画面在蓝色串扰(cross talk)测试图样下发生水平串扰的现象,相关技术中通过延长数据线向像素电极的充电时长来,使得公共电极回覆到原本电压来降低串扰。
基于此,在本申请的一些实施例中,如图6和图7(图6沿行方向在多个亚像素位置的剖面图)所示,可以将遮蔽信号线16设置在第一数据线12’的正上方,将触控信号线 15移动至除第一数据线12’以外的其他数据线12的正上方。图7中仅是示意的将触控信号线15移动至同列的红色亚像素R中的像素电极连接的数据线的正上方为例进行示意说明的,本申请并不限制于此,在一些可能实现的方式中,也可以将触控信号线15移动至同列的绿色亚像素中的像素电极连接的数据线的正上方。在一些可能实现的方式中,还可以在位于同列颜色相同的亚像素中的像素电极连接的数据线的正上方也设置遮蔽信号线 16,例如可以在图7中的同列的绿色亚像素中的像素电极连接的数据线的正上方也设置遮蔽信号线16。
在此情况下,一方面,通过将触控信号线15移离第一数据线12’的正上方,避免了触控信号线15以及与触控信号线15连接的触控感应电极,对公共电极13在蓝色亚像素区域的电位造成耦合拉扯;另一方面,在第一数据线12’的正上方设置遮蔽信号线16,通过遮蔽信号线的屏蔽作用,降低了第一数据线上的数据信号变化对公共电极对应蓝色亚像素区域的耦合程度;进而在降低了公共电极被数据线串扰的程度的同时,降低了显示画面在蓝色串扰测试图样下发生水平串扰的现象,缩短了通过数据线向像素电极的充电开启时长。
另外,需要说明的是,上述通过调整遮蔽信号线16与触控信号线15的位置来降低对公共电极的耦合电容幅度来降低串扰的方案,并不单适用于采用图6中的亚像素排布方式的显示面板,在其他一些具体特定排布亚像素的显示面板同样适用。
例如,在一些显示面板中,位于同行依次设置的两个相同特定颜色的亚像素之间间隔 N(N奇数)个的亚像素的情况下,在采用单列反转的方式进行显示时,该行中该特定颜色的亚像素的极性均相同,因此同样存在行串扰的问题。在此情况下,同样可以采用上述设置,将遮蔽信号线16设置与该特定颜色的亚像素的像素电极连接的数据线的上方(将触控信号线15设置在其他数据线上),此时相邻两个遮蔽信号线16之间间隔N列亚像素,以解决该显示面板在显示过程中,因同行的特定颜色的亚像素的极性相同,而引起的行串扰的问题。
以下对遮蔽信号线16的其他相关设置做进一步的说明。
在一些可能实现的方式中,如图8所示,公共电极13可以保留位于遮蔽信号线15正上方的部分。在一些可能实现的方式中,如图9所示,公共电极13可以去除位于遮蔽信号线15正上方的部分,也即公共电极13在与遮蔽信号线13正对的区域设置有镂空部S。
需要说明的是,对于上述公共电极13在遮蔽信号线15正上方保留的技术方案而言,数据线12上加载数据信号时,通过遮蔽信号线15,容易对公共电极13造成二次耦合。相比之下,公共电极12在遮蔽信号线15正上方设置镂空部S的技术方案,能够降低公共电极12因数据线12上加载的数据信号造成的二次耦合。
示意的,在一些实施例中,可以将在公共电极13与遮蔽信号线13正对的区域中,仅保留对应左右亚像素区域之间相连接的部分,将其他的全部去除,以最大程度的降低公共电极12因数据线12上加载的数据信号造成的二次耦合。
在一些可能实现的方式中,为了简化制作工艺,降低制作成本,如图7所示,可以设置触控信号线15和遮蔽信号线16同层同材料;也即触控信号线15和遮蔽信号线16通过同一次制作工艺制成;下文均是以此为例进行说明的。
示意的,在一些可能实现的方式中,触控信号线15和遮蔽信号线16采用同一金属薄膜通过曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺制备得到。
在一些可能实现的方式中,如图10所示,可以将位于开口区01中所有的遮蔽信号线 16的两端通过位于非开口区02的连接部L1横向(也即沿行方向XX’)连接,以降低数据线上加载的数据信号对遮蔽信号线产生的耦合电压幅值,同时保证遮蔽信号线的电位能够快速恢复至原本的电位。
示意的,如图10所示,在一些可能实现的方式中,位于遮蔽信号线16上端的连接部L1可以与遮蔽信号线16同层同材料,也即位于遮蔽信号线16上端的连接部L1与遮蔽信号线16通过同一次制作工艺制成;位于遮蔽信号线16下端的连接部L1可以与公共电极 13同层同材料,也即位于遮蔽信号线16下端的连接部L1与公共电极13通过同一次制作工艺制成。
在一些可能实现的方式中,如图11所示,在位于开口区01中所有的遮蔽信号线16中,沿行方向XX’上的依次相邻的多个遮蔽信号线16形成遮蔽单元C,遮蔽单元C中的多个遮蔽信号线16的两端通过位于非开口区02的连接部L2横向(也即沿行方向XX’) 连接;不同的遮蔽单元C中的遮蔽信号线16独立设置,也即各遮蔽单元C之间独立设置,不发生电连接。这样一来,一方面,降低数据线上加载的数据信号对遮蔽信号线产生的耦合电压幅值,进而保证遮蔽信号线能够快速恢复至原本的电位;另一方面,避免了因局部区域的数据线上加载的数据信号对遮蔽信号线产生的高耦合电压幅值,拉升相邻区域的遮蔽信号线的电压,也即避免对相邻区域的遮蔽信号线产生影响。
示意的,如图11所示,在一些可能实现的方式中,位于遮蔽单元C上端的连接部L2可以与遮蔽信号线16同层同材料,也即位于遮蔽单元C上端的连接部L2与遮蔽信号线16通过同一次制作工艺制成;位于遮蔽单元C下端的连接部L2可以与公共电极13同层同材料,也即位于遮蔽单元C下端的连接部L2与公共电极13通过同一次制作工艺制成。
在一些可能实现的方式中,为了进一步的保证遮蔽信号线能够快速恢复至原本的电位,如图12所示(开口区01和非开口区02参考图11中的标注),可以设置相邻的多个遮蔽信号线16通过位于开口区01内的连接部L3横向(也即沿行方向XX’)连接。
示意的,如图12所示,在一些可能实现的方式中,公共电极13采用分区块设置的方式(也即每一区块分别作为一个触控电极与对应的触控信号线15连接),可以设置连接部L3位于同列相邻区块公共电极(也即触控电极)之间的区域,并且设置连接部L3与遮蔽信号线16通过同一次制作工艺制成(也即连接部L3与遮蔽信号线16同层同材料)。另外,可以设置位于遮蔽信号线16上端的连接部L1与遮蔽信号线16通过同一次制作工艺制成(也即位于遮蔽信号线16上端的连接部L1与遮蔽信号线16同层同材料),也即位于遮蔽信号线16下端的连接部L1与公共电极13通过同一次制作工艺制成(也即位于遮蔽信号线16下端的连接部L1可以与公共电极13同层同材料)。
对于上述位于非开口区02中的连接部L1、L2而言,根据阵列基板的实际的布线要求,可以将连接部L1、L2与遮蔽信号线16异层设置,通过两次制作工艺分别制得;也可以将连接部L1、L2与遮蔽信号线16同层设置,通过一次制作工艺制得。
在一些可能实现的方式中,如图4所示,可以设置遮蔽信号线15的宽度大于数据线12的宽度,也即遮蔽信号线15在基板11上的正投影覆盖数据线12在基板11上的正投影,从而保证有效保证遮蔽信号线对数据线上的数据信号的屏蔽作用,有效的降低数据线上的数据信号对公共电极的耦合程度。
在一些可能实现的方式中,如图13所示,可以设置遮蔽信号线16在朝向数据线12的一侧的表面在宽度方向上向公共电极13一侧凸起,也即遮蔽信号线16的下表面向上凸起,对于遮蔽信号线16的上表面,本申请不作特殊的限制,可以为平面,也可以为向公共电极13一侧凸起的曲面。
在此情况下,一方面,由于遮蔽信号线的下表面向上凸起,从而能够阻挡数据线侧向的耦合电场,从而有效的降低数据线上的数据信号对公共电极的耦合程度;另一方面,遮蔽信号线16是独立电性连接的信号,可以在数据线传输信号时给一个微小的反向电压差,从而能够使得数据线在进行数据信号(参考图14中的Vdata)传输,对公共电极发生藕合时,利用遮蔽信号线的电压(参考图14中的V16)对公共电极进行微小的反向拉扯,进而能够通过遮蔽信号线16将数据线对公共电极发生侧向耦合电场的部分修正回来。
此处需要说明的是,对于上述凸起结构的遮蔽信号线16而言,可以理解的是,遮蔽信号线16采用金属材料制成,其上方以及下方必然设置有绝缘层,以避免遮蔽信号线16 与阵列基板1中的其他导电图案发生电连接。示意的,参考图13所示,在一些可能实现的方式中,可以在制作遮蔽信号线16之前,采用半透掩膜(也即半色调掩膜)的方式在待制作遮蔽信号线16区域形成具有凸起结构的绝缘层17;然后在该绝缘层17上形成金属薄膜,并通过构图工艺(包括曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺)形成沿宽度方向上凸起的遮蔽信号线16。
另外,阵列基板中的绝缘层可以采用有机绝缘材料、无机绝缘材料中的一种或两种。示意的,有机绝缘材料可以包括有机树脂材料;无机绝缘材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种。
在此基础上,可以理解的是,参考图15所示,阵列基板01在最上层与液晶层03接触的一侧设置有配向膜(图中未示出),起着控制液晶层中的液晶分子Lc排列方向的作用,配向膜一般采用聚酰亚胺(polyimide,PI),也可以称为PI膜。由于遮蔽信号线16 的厚度相对于其上层的绝缘层的厚度较大,从而导致最上层的配向膜在对应遮蔽信号线 16位置出现凸台。
在此情况下,为了避免位于对盒基板2与阵列基板1之间因相对位移,容易导致对盒基板2在靠近液晶层3一侧设置的光刻间隙柱(photo space,PS)20与阵列基板1在对应遮蔽信号线16位置处的配向膜的摩擦,导致配向膜损伤,进而造成显示画面出现mura,也可以称为间隙柱显示异常(PS mura)。
为了解决上述技术问题,如图15所示,本申请的一些实施例中,可以设置对盒基板2上的光刻间隙柱20与阵列基板1上的遮蔽信号线16的位置正对,也即在显示面板中,对盒基板2上的光刻间隙柱20位于阵列基板01上的遮蔽信号线16的正上方。
此处应当理解的是,参考图15所示,光刻间隙柱20一般可以包括主间隙柱21(mainPS)和副间隙柱22(sub PS);其中,主要间隙柱21的高度大于副间隙柱22的高度,在对盒基板2与阵列基板1对盒后,阵列基板1在对应主间隙柱21的位置,直接与位于正上方的主间隙柱21接触,与副间隙柱22不接触;也即主间隙柱21作为对顶结构直接与阵列基板1在对应主间隙柱21的位置的配向膜对顶,从而也就避免了主间隙柱21与配向膜之间的摩擦,进而也就避免了显示画面的PS mura。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种阵列基板,其特征在于,包括基板以及设置于所述基板上位于开口区的数据线、公共电极、触控信号线、遮蔽信号线;
所述公共电极位于所述数据线背离所述基板的一侧;所述触控信号线和所述遮蔽信号线位于所述数据线和所述公共电极之间;
所述触控信号线和所述遮蔽信号线均与所述数据线的延伸方向一致,且所述触控信号线和所述遮蔽信号线均所述数据线正对设置;所述触控信号线与所述遮蔽信号线对应不同的数据线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每一所述数据线与所述触控信号线正对设置或者与所述遮蔽信号线正对设置。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述遮蔽信号线的宽度大于所述数据线的宽度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:分别位于所述开口区、呈矩阵排列的多个亚像素中的像素电极;所述像素电极包括条状子电极;
位于同列亚像素中的像素电极与同一所述数据线连接;
与所述遮蔽信号线正对设置的数据线为第一数据线,相邻两个所述第一数据线之间间隔N列亚像素,N为奇数;
位于同行、且与相邻两个所述第一数据线连接的像素电极位于该行亚像素中依次设置的两个相同颜色的亚像素中。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述呈矩阵排列的多个亚像素划分为多个第一像素单元和多个第二像素单元,所述第一像素单元和所述第二像素单元在行方向和列方向上均依次交替排布;
所述第一像素单元包括:沿行方向上依次设置的红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素;所述第二像素单元包括:沿行方向上依次设置的红色亚像素、绿色亚像素、白色亚像素;
所述第一数据线与位于同列且依次交替排布的蓝色亚像素和白色亚像素中的像素电极连接。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极位于所述公共电极背离所述基板的一侧;所述公共电极包括位于每一亚像素中的面状子电极。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极在与所述遮蔽信号线正对的区域设置有镂空部。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮蔽信号线在朝向所述数据线的一侧的表面在宽度方向上向所述公共电极一侧凸起。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所有的所述遮蔽信号线的两端通过位于非开口区的连接部横向连接;
或者,所有的所述遮蔽信号线中,沿行方向上的依次相邻的多个遮蔽信号线形成遮蔽单元,所述遮蔽单元中的多个遮蔽信号线的两端通过位于非开口区的连接部横向连接;不同的所述遮蔽单元中的遮蔽信号线独立设置。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,相邻的多个所述遮蔽信号线通过位于所述开口区内的连接部横向连接。
11.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控信号线和所述遮蔽信号线同层同材料。
12.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-11任一项所述的阵列基板、对盒基板以及位于所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶层。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述对盒基板在朝向所述阵列基板一侧设置有光刻间隙柱,且所述光刻间隙柱与所述阵列基板上设置所述遮蔽信号线的区域正对。
14.一种显示装置,其特征在于,包括背光模组以及如权利要求12或13所述的显示面板,所述显示面板位于所述背光模组的出光侧。
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WO2025086221A1 (zh) * 2023-10-26 2025-05-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和触控显示装置

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