[go: up one dir, main page]

CN207909879U - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN207909879U
CN207909879U CN201820433213.7U CN201820433213U CN207909879U CN 207909879 U CN207909879 U CN 207909879U CN 201820433213 U CN201820433213 U CN 201820433213U CN 207909879 U CN207909879 U CN 207909879U
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode plate
electrode
tft
array substrate
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201820433213.7U
Other languages
English (en)
Inventor
程鸿飞
张玉欣
郝学光
马永达
卢永春
李会
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201820433213.7U priority Critical patent/CN207909879U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN207909879U publication Critical patent/CN207909879U/zh
Priority to US16/475,335 priority patent/US11094766B2/en
Priority to JP2019528880A priority patent/JP7024937B2/ja
Priority to KR1020197015432A priority patent/KR102201052B1/ko
Priority to EP18893327.9A priority patent/EP3780107A4/en
Priority to PCT/CN2018/111631 priority patent/WO2019184321A1/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/451—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by the compositions or shapes of the interlayer dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/481—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。该阵列基包括多个像素单元，其中每一像素单元上分别设置有存储电容，其中，所述存储电容包括至少三个相互平行的电极板，其中所述电极板中的第一电极板与第二电极板之间电连接，第三电极板设置于所述第一电极板与所述第二电极板之间，且所述第一电极板和所述第二电极板分别与所述第三电极板具有相正对的部分。本实用新型所述阵列基板，像素电路的存储电容包括至少三个电极板，相较于现有技术，在不增加整个存储电容的占用面积的情况下，通过增加电容的电极板，使电极板之间的距离减小，达到增大存储电容的整体电容值的目的。

Description

阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其是指一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)显示器件和量子点电致发光二极管(Quantum dots Light-emitting Diodes，QLED)显示器件均为自发光型显示设备，通常包括分别用作阳极、阴极的像素电极和公共电极以及设在像素电极与公共电极之间的发光层，使得在适当的电压被施加于阳极与阴极时，发光层能够发光。
如图1所示为通常OLED显示器中，像素单元的驱动电路的结构示意图。参阅图1所示，该电路中包括用于实现OLED开关控制的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)T2、用于实现OLED驱动的薄膜晶体管T1和存储电容C，其中开关TFT T2的栅极连接栅线(Gate)，源极连接数据线(Data)，漏极连接驱动TFT T1的栅极；驱动TFT T1的源极连接电源线(Vdd)，漏极连接像素电极(OLED的阳极)；存储电容C的一个电极C1连接至开关TFT T2的漏极和驱动TFT T1的栅极，另一个电极C2连接至TFT T1的漏极和OLED的阳极。
上述结构的OLED显示器中，存储电容C的电容值越大，OLED显示器的显示画面受驱动TFT T1的漏电流影响越大，越容易获得画面质量稳定的显示画面，因此增大存储电容C的电容值成为提高显示画面稳定性的其中一种方法。
然而，现有技术存储电容C的电容值增大，通常需要加大电容电极的正对面积，但在显示面积有限的条件下，该方式对于电容值的增大效果有限。
实用新型内容
本实用新型技术方案的目的是提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，能够在不增加整个电容的设置面积的情况下，达到提高电容值的目的。
本实用新型提供一种阵列基板，包括多个像素单元，其中每一像素单元上分别设置有存储电容，其中，所述存储电容包括至少三个相互平行的电极板，其中所述电极板中的第一电极板与第二电极板之间电连接，第三电极板设置于所述第一电极板与所述第二电极板之间，且所述第一电极板和所述第二电极板分别与所述第三电极板具有相正对的部分。
可选地，所述的阵列基板，其中，所述第一电极板和/或所述第二电极板上，与所述第三电极板相正对的部分朝所述第三电极板的方向弯折。
可选地，所述的阵列基板，其中，所述存储电容还包括第四电极板，与所述第一电极板电连接，且所述第四电极板设置于所述第一电极板与所述第三电极板之间，所述第四电极板与所述第三电极板具有相正对的部分。
可选地，所述的阵列基板，其中，每一像素单元包括依次设置于基板上的有源层、栅极绝缘层、第一TFT的栅极、层间绝缘层、第一TFT的源/漏极、钝化层和像素电极；其中，所述第一TFT的漏极与所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第一过孔电连接；所述有源层与所述第一电极板为一体结构，所述像素电极与所述第二电极板为一体结构。
可选地，所述的阵列基板，其中，所述第三电极板与所述第一TFT的漏极为同层设置。
可选地，所述的阵列基板，其中，所述第三电极板与所述第一TFT的栅极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔电连接。
可选地，所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括第二TFT，所述第二TFT的源极与数据线连接，所述第二TFT的栅极与栅线连接，且所述第二TFT的源/漏极与所述第一TFT的源/漏极同层设置，所述第二TFT的栅极与所述第一TFT的栅极同层设置；其中所述第二TFT的漏极与所述第一TFT的栅极通过贯穿所述层间绝缘层的第三过孔电连接。
可选地，所述的阵列基板，其中，当所述存储电容还包括与所述第一电极板电连接的第四电极板，所述第四电极板与所述第三电极板具有相正对的部分时，所述第四电极板与所述第一TFT的栅极同层设置。
可选地，所述的阵列基板，其中，所述第四电极板与所述第一电极板通过贯穿所述栅极绝缘层的第四过孔电连接。
可选地，所述的阵列基板，其中，所述钝化层和所述像素电极之间设置有平坦层，所述平坦层上、与所述第三电极板相正对的部分设置有凹槽，所述第二电极板沉积在所述平坦层上，在所述凹槽处形成弯折；和/或，所述基板上、与所述第三电极板相正对的部分设置有突起，所述第一电极板沉积在所述基板上，在所述突起处形成弯折。
可选地，所述的阵列基板，其中，每一像素单元上还分别设置有有机发光层或者量子点发光层，其中所述像素电极为所述有机发光层或者量子点发光层的阳极。
本实用新型实施例还提供一种显示面板，其中，包括如上任一项所述的阵列基板。
本实用新型实施例还提供一种显示装置，其中，包括如上所述的显示面板。
本实用新型具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果：
本实用新型实施例所述阵列基板，像素电路的存储电容包括至少三个电极板，相较于现有技术，在不增加整个存储电容的占用面积的情况下，通过增加电容的电极板，使电极板之间的距离减小，达到增大存储电容的整体电容值的目的。
附图说明
图1为通常OLED显示器中，像素单元的驱动电路的结构示意图；
图2为本实用新型实施例一所述阵列基板的平面结构示意图；
图3为实施例一所述阵列基板中A－A’部分剖面的其中一实施结构的示意图；
图4为实施例一所述阵列基板中A－A’部分剖面的另一实施结构的示意图；
图5为本实用新型实施例二所述阵列基板的平面结构示意图；
图6为实施例二所述阵列基板中B－B’部分剖面的其中一实施结构的示意图。
具体实施方式
为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本实用新型实施例所述阵列基板，包括多个像素单元，其中每一像素单元上分别设置有存储电容，所述存储电容包括至少三个相互平行的电极板，其中所述电极板中的第一电极板与第二电极板之间电连接，第三电极板设置于所述第一电极板与所述第二电极板之间，且所述第一电极板和所述第二电极板分别与所述第三电极板具有相正对的部分。
本实用新型实施例所述阵列基板中，像素电路的存储电容包括至少三个电极板，设置于第一电极板与第二电极板之间的第三电极板分别与第一电极板与第二电极板相正对，构成为存储电容，相较于现有技术，在不增加整个存储电容的占用面积的情况下，通过增加电容的电极板，使电极板之间的距离减小，达到增大存储电容的整体电容值的目的。
如图2为本实用新型实施例一所述阵列基板的平面结构示意图；图3为实施例一所述阵列基板中A－A部分剖面的其中一实施结构图。参阅图2和图3，阵列基板包括多个像素单元100，每一像素单元100包括第一TFT 110、第二TFT120、像素电极130和存储电容。
以下将以本实用新型实施例所述阵列基板应用于OLED显示器为例，对本实用新型实施例所述阵列基板的具体结构进行详细说明。结合图1所示，当阵列基板应用于OLED显示器时，像素电极130为OLED的阳极。
参阅图2和图3，并结合图1，本实用新型实施例中，第二TFT 120的栅极连接Gate线，源极连接数据线Data，漏极连接第一TFT 110的栅极；第一TFT110的源极连接Vdd，漏极连接像素电极(也即为OLED的阳极)130。
另外，参阅图3，阵列基板包括上述构件的各个像素单元100设置于基板1，以阵列基板A－A’处部分的剖面为例，各个像素单元100中，在基板1上依次设置有源层2、栅极绝缘层3、第一TFT 110的栅极111、层间绝缘层4、第一TFT110的源极112/漏极113、钝化层5和像素电极130。其中，基板1可以为玻璃基板。
进一步地，本实用新型实施例中，各个像素单元100中还包括存储电容，结合图2和图3，该存储电容包括第一电极板210、第二电极板220和第三电极板230。其中第一电极板210与第二电极板220之间电连接，第三电极板230设置于第一电极板210与第二电极板220之间，且第一电极板210和第二电极板220分别与第三电极板230具有相正对的部分。相较于现有设置两个电极板的存储电容，在不增加整个存储电容的占用面积的情况下，通过增加了电极板的数量，使电极板之间的距离减小，达到增大存储电容的整体电容值的目的。
具体地，本实用新型实施例中，结合图3所示，有源层2与第一电极板210为一体结构，像素电极130与第二电极板220为一体结构。此外，第一TFT 110的漏极113与像素电极130通过贯穿钝化层5的第一过孔51相连接，而第一TFT110的漏极113还与有源层2相连接，基于该设置结构，第一电极板210与第一TFT 110的漏极113相连接，第二电极板220也与第一TFT 110的漏极113相连接，因此第一电极板210与第二电极板220之间导通连接。第三电极板230设置于第一电极板210与第二电极板220之间，并分别与第一电极板210和第二电极板220相正对，因此第三电极板230与相连接的第一电极板210和第二电极板220相组合形成两个并联的电容，相并联的两个电容的电容值大于仅由两层电极板构成的电容的电容值。
可选地，本实用新型实施例中，如图3所示，第三电极板230与第一TFT 110的漏极113为同层设置。
另外，结合图2和图3所示，本实用新型实施例中，虽然附图中未显示，但可以理解的是，在一个像素单元100中，第二TFT 120的源极122/漏极123与第一TFT 110的源极112/漏极113同层设置,第二TFT 120的栅极121与第一TFT 110的栅极111同层设置。当存储电容包括第一电极板210、第二电极板220和第三电极板230时，第三电极板230与第一TFT110的栅极111通过贯穿层间绝缘层4的第二过孔41电连接，第二TFT 120的漏极123与第一TFT110的栅极111通过贯穿层间绝缘层4的第三过孔42电连接。
采用上述连接方式，结合图1、图2和图3所示，第三电极板230与第一TFT 110的栅极111相连接，构成为存储电容的一个电极板C1，而相互导通的第一电极板210和第二电极板220又与像素电极130相连接，因此构成为存储电容的另一个电极板C2，因此包括三个电极板的电容能够连接至像素单元中。
本实用新型实施例一中，存储电容的第一电极板与有源层为一体结构，在进行阵列基板制作时，在利用半导体完成有源层的制备后，进一步对有源层的其中一部分执行离子化处理，即能够完成第一电极板的制备；存储电容的第二电极板与像素电极为一体结构，通过像素电极制备，同时完成第二电极板的制备。此外，由于第三电极板与第一TFT的漏极为同层设置，在制作第一TFT的漏极的同时能够完成第三电极板的制备。
因此，本实用新型实施例中，存储电容的三个电极板的制作过程简单、方便，不会增加阵列基板的制作工序的复杂度。
可选地，本实用新型实施例中，如图3所示，像素电极130可以制作于平坦层6上，此时第一过孔51还贯穿平坦层6。
本实用新型实施例所述阵列基板中，第一TFT 110的栅极、源极、漏极和第二TFT120的栅极、源极、漏极可以分别采用Cu、Al、Mo、Ti、Cr或W等金属材料制备，也可以采用该些材料的合金材料制备，另外第一TFT 110的栅极、源极、漏极和第二TFT 120的栅极、源极、漏极可以分别为单层结构，也可以为包括至少两层的多层结构。
进一步地，栅极绝缘层可以采用氮化硅或氧化硅制成，且栅极绝缘层可以为单层结构，也可以为包括至少两层的多层结构，例如同时包括氧化硅层和氮化硅层。
本实用新型实施例中，钝化层可以采用氮化硅或氧化硅制成，同样钝化层可以为单层结构，也可以为包括至少两层的多层结构，例如同时包括氧化硅层和氮化硅层。
当所述阵列基板应用于OLED显示器时，阵列基板上还包括OLED的阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的发光层，根据以上，OLED的阳极对应上述的像素电极，可以采用氧化铟锡ITO制备，或者采用ITO和Ag制备为ITO/Ag/ITO结构。另外，OLED的阴极可以采用Al或Ag制备。
本实用新型实施例所述阵列基板中，当存储电容包括三个电极板时，可选地，第一电极板和/或第二电极板上，与第三电极板相正对的部分朝第三电极板的方向弯折。基于该设置结构，通过使第一电极板和/或第二电极板相正对的部分朝第三电极板的方向弯折，第三电极板与第一电极板和/或第二电极板之间的距离更小，从而进一步达到增加整个存储电容的电容值的效果。
如图4为本实用新型实施例一所述阵列基板中，图2所示A－A’部分剖面的另一实施结构的示意图。在该实施结构中，与图3所示的实施结构相同，各个像素单元100中，在基板1上依次设置有源层2、栅极绝缘层3、第一TFT 110的栅极111、层间绝缘层4、第一TFT110的源极112/漏极113、钝化层5和像素电极130。此外，各个像素单元100中还包括存储电容，结合图2和图4，该存储电容包括第一电极板210、第二电极板220和第三电极板230。其中第一电极板210与第二电极板220之间电连接，第三电极板230设置于第一电极板210与第二电极板220之间，且第一电极板210和第二电极板220分别与第三电极板230具有相正对的部分。
进一步地，与图3所示的实施结构相同，有源层2与第一电极板210为一体结构，像素电极130与第二电极板220为一体结构，第三电极板230与第一TFT 110的漏极113为同层设置。
在上述设置结构的基础上，参阅图4所示，钝化层5和像素电极130之间还设置有平坦层6，平坦层6上、与第三电极板230相正对的部分设置有凹槽61，其中第二电极板220沉积在平坦层6上，在凹槽61处形成弯折。采用该实施结构，相较于图3所示的实施结构，能够使第二电极板220与第三电极板230相正对的部分距离更近，达到提高存储电容的电容值的效果。
同理，在基板1上与第三电极板230相正对的部分设置突起，当第一电极板210沉积在基板1时，能够使第三极板230在突起处弯折，相较于图3所示的实施结构，能够使第二电极板220与第三电极板230相正对的部分距离更近，达到提高存储电容的电容值的效果。
可以理解的是，在图4所示实施结构中，第一TFT 110、第二TFT 120、像素电极130与第一电极板210、第二电极板220、第三电极板230之间的连接方式，与图3所示实施结构中上述各构件之间的连接方式相同，在此不再详细说明。
本实用新型实施例所述阵列基板，以上以存储电容包括三个电极板对本实用新型所述阵列基板的具体结构进行了说明，可以理解的是，根据本实用新型中存储电容的设置原理，存储电容不限于仅能够包括三个电极板，还可以包括三个以上的电极板。
举例说明，存储电容还可以包括第四电极板，与第一电极板电连接，且第四电极板设置于第一电极板与第三电极板之间，第四电极板与第三电极板具有相正对的部分。
采用上述的设置结构，通过在第一电极板与第三电极板之间增加一个与第一电极板相连接的第四电极板，使两个相对的电极板之间的距离更小，也能够达到提高存储电容的电容值的效果。
可以理解的是，在上述设置结构的基础上，基于本实用新型中存储电容的设置原理，还可以在第二电极板与第三电极板之间增加一个与第二电极板相连接的第五电极板，更能够进一步使两个相对的电极板之间的距离减小，进一步达到提高存储电容的电容值的效果。
参阅图5和图6所示，本实用新型还提供实施例二所述阵列基板，在实施例二所述阵列基板中，与实施例一相同，阵列基板包括多个像素单元100，每一像素单元100包括第一TFT 110、第二TFT 120、像素电极130和存储电容。
本实用新型实施例中，第二TFT 120的栅极连接Gate线，源极连接数据线Data，漏极连接第一TFT 110的栅极；第一TFT 110的源极连接Vdd，漏极连接像素电极130。
另外，参阅图6，阵列基板包括上述构件的各个像素单元100设置于基板1，以阵列基板B－B’处部分的剖面为例，各个像素单元100中，在基板1上依次设置有源层2、栅极绝缘层3、第一TFT 110的栅极111、层间绝缘层4、第一TFT110的源极112/漏极113、钝化层5和像素电极130。
本实用新型实施例中，各个像素单元100中还包括存储电容，结合图5和图6，该存储电容包括第一电极板210、第二电极板220、第三电极板230和第四电极板240。其中，第一电极板210、第二电极板220和第四电极板240之间电连接，第三电极板230设置于第四电极板240与第二电极板220之间，且第一电极板210、第二电极板220和第四电极板240分别与第三电极板230具有相正对的部分。
进一步地，本实用新型实施例中，有源层2与第一电极板210为一体结构，像素电极130与第二电极板220为一体结构，第三电极板230与第一TFT 110的漏极113为同层设置，第四电极板240与第一TFT 110的栅极111同层设置。
在上述设置结构的基础上，参阅图6所示，钝化层5和像素电极130之间还设置有平坦层6，平坦层6上、与第三电极板230相正对的部分设置有凹槽61，其中第二电极板220沉积在平坦层6上，在凹槽61处形成弯折。
进一步地，采用上述的设置结构，结合图5和图6，第一TFT 110的漏极113与像素电极130通过贯穿钝化层5的第一过孔51相连接，而第一TFT 110的漏极113还与有源层2相连接，第一电极板210与第二电极板220之间导通连接，此外，第四电极板240与第一电极板210通过贯穿栅极绝缘层3的第四过孔31电连接，因此形成为第一电极板210、第二电极板220和第四电极板240相连接的结构。
另外，本实用新型实施例中，在一个像素单元100中，第二TFT 120的源极122/漏极123与第一TFT 110的源极112/漏极113同层设置,第二TFT 120的栅极121与第一TFT 110的栅极111同层设置。其中，第三电极板230与第一TFT 110的栅极111通过贯穿层间绝缘层4的第二过孔41电连接，第二TFT 120的漏极123与第一TFT 110的栅极111通过贯穿层间绝缘层4的第三过孔42电连接。
采用上述连接方式，结合图1、图5和图6所示，第三电极板230与第一TFT 110的栅极111相连接，构成为存储电容的一个电极板C1，而相互导通的第一电极板210、第二电极板220和第四电极板240又与像素电极130相连接，因此构成为存储电容的一个电极板C2，因此包括四个电极板的电容能够连接至像素单元中。
本实用新型实施例二中，通过使第二电极板220与第三电极板230相正对的部分朝第三电极板的方向弯折，以及在第三电极板230与第一电极板210之间设置第四电极板，相较于实施例一的设置结构，使各电极板之间的距离更小，进一步达到提高存储电容的电容值的效果。
另外，实施例二中，阵列基板上各构件的制成材料和制成方式可以与实施例一相同，在此不再赘述。
以上以所述阵列基板应用于OLED显示面板为例对本实用新型实施例所述阵列基板结构进行了详细说明，可以理解的是，所述阵列基板也可以应用QLED显示面板。
当阵列基板应用于OLED显示面板时，阵列基板上每一像素单元上还分别设置有有机发光层，上述的像素电极为有机发光层的阳极；当阵列基板应用于QLED显示面板时，上述的像素电极为量子点发光层，其中像素电极为量子点发光层的阳极。
以上各实施结构的所述阵列基板，仅为本实用新型实施例的其中几种实施方式，可以理解的是，基于本实用新型实施例所述阵列基板，通过设置至少三个相互平行的电极板，使电极板之间的距离减小，达到增大存储电容的整体电容值目的的原理，并不限于仅能够包括上述的几种实施结构，在此不再一一详细说明。
本实用新型实施例另一方面还提供一种显示面板，其中，包括如上任一结构的阵列基板。
另外，本实用新型还提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
结合图1至图6，并参阅以上的详细描述。本领域技术人员应该能够了解采用本实用新型实施例所述阵列基板的显示面板和显示装置的具体结构，在此不再详细说明。
本实用新型实施例所述阵列基板、显示面板和显示装置，相较于现有技术，在不增加整个存储电容的占用面积的情况下，通过增加电容的电极板，使电极板之间的距离减小，达到增大存储电容的整体电容值的目的。
以上所述的是本实用新型的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通人员来说，在不脱离本实用新型所述原理前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (13)

1.一种阵列基板，包括多个像素单元，其中每一像素单元上分别设置有存储电容，其特征在于，所述存储电容包括至少三个相互平行的电极板，其中所述电极板中的第一电极板与第二电极板之间电连接，第三电极板设置于所述第一电极板与所述第二电极板之间，且所述第一电极板和所述第二电极板分别与所述第三电极板具有相正对的部分。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极板和/或所述第二电极板上，与所述第三电极板相正对的部分朝所述第三电极板的方向弯折。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容还包括第四电极板，与所述第一电极板电连接，且所述第四电极板设置于所述第一电极板与所述第三电极板之间，所述第四电极板与所述第三电极板具有相正对的部分。
4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，每一像素单元包括依次设置于基板上的有源层、栅极绝缘层、第一TFT的栅极、层间绝缘层、第一TFT的源/漏极、钝化层和像素电极；其中，所述第一TFT的漏极与所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第一过孔电连接；所述有源层与所述第一电极板为一体结构，所述像素电极与所述第二电极板为一体结构。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第三电极板与所述第一TFT的漏极为同层设置。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第三电极板与所述第一TFT的栅极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔电连接。
7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二TFT，所述第二TFT的源极与数据线连接，所述第二TFT的栅极与栅线连接，且所述第二TFT的源/漏极与所述第一TFT的源/漏极同层设置，所述第二TFT的栅极与所述第一TFT的栅极同层设置；其中所述第二TFT的漏极与所述第一TFT的栅极通过贯穿所述层间绝缘层的第三过孔电连接。
8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，当所述存储电容还包括与所述第一电极板电连接的第四电极板，所述第四电极板与所述第三电极板具有相正对的部分时，所述第四电极板与所述第一TFT的栅极同层设置。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第四电极板与所述第一电极板通过贯穿所述栅极绝缘层的第四过孔电连接。
10.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层和所述像素电极之间设置有平坦层，所述平坦层上、与所述第三电极板相正对的部分设置有凹槽，所述第二电极板沉积在所述平坦层上，在所述凹槽处形成弯折；和/或，所述基板上、与所述第三电极板相正对的部分设置有突起，所述第一电极板沉积在所述基板上，在所述突起处形成弯折。
11.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，每一像素单元上还分别设置有有机发光层或者量子点发光层，其中所述像素电极为所述有机发光层或者量子点发光层的阳极。
12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的阵列基板。
13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求12所述的显示面板。
CN201820433213.7U 2018-03-28 2018-03-28 阵列基板、显示面板及显示装置 Active CN207909879U (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201820433213.7U CN207909879U (zh) 2018-03-28 2018-03-28 阵列基板、显示面板及显示装置
US16/475,335 US11094766B2 (en) 2018-03-28 2018-10-24 Array substrate, display panel, and display device
JP2019528880A JP7024937B2 (ja) 2018-03-28 2018-10-24 アレイ基板、表示パネル及び表示装置
KR1020197015432A KR102201052B1 (ko) 2018-03-28 2018-10-24 어레이 기판, 표시 패널 및 표시 장치
EP18893327.9A EP3780107A4 (en) 2018-03-28 2018-10-24 MATRIX SUBSTRATE, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE
PCT/CN2018/111631 WO2019184321A1 (zh) 2018-03-28 2018-10-24 阵列基板、显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201820433213.7U CN207909879U (zh) 2018-03-28 2018-03-28 阵列基板、显示面板及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207909879U true CN207909879U (zh) 2018-09-25

Family

ID=63558470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201820433213.7U Active CN207909879U (zh) 2018-03-28 2018-03-28 阵列基板、显示面板及显示装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11094766B2 (zh)
EP (1) EP3780107A4 (zh)
JP (1) JP7024937B2 (zh)
KR (1) KR102201052B1 (zh)
CN (1) CN207909879U (zh)
WO (1) WO2019184321A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019184321A1 (zh) * 2018-03-28 2019-10-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN111341814A (zh) * 2020-03-11 2020-06-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
CN111739896A (zh) * 2020-07-01 2020-10-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
WO2022242085A1 (zh) * 2021-05-21 2022-11-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110649046B (zh) * 2019-11-01 2022-11-25 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及制作方法、阵列基板、显示面板
CN111063698B (zh) * 2019-12-18 2022-11-08 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及制作方法、显示面板和装置
CN112864218A (zh) * 2021-04-16 2021-05-28 京东方科技集团股份有限公司 发光基板和发光装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI351764B (en) * 2007-04-03 2011-11-01 Au Optronics Corp Pixel structure and method for forming the same
TW200945648A (en) 2008-04-23 2009-11-01 Ind Tech Res Inst Oganic thin film transistor and pixel and method for manufacturing the same and display panel
CN101924122B (zh) 2010-05-20 2012-07-18 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法
KR101837625B1 (ko) * 2011-11-10 2018-03-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102021028B1 (ko) * 2012-12-04 2019-09-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9673267B2 (en) * 2013-03-26 2017-06-06 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device having a capacitor with stacked storage electrodes and method for manufacturing the same
KR101966847B1 (ko) 2013-03-26 2019-04-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법
CN103208506A (zh) 2013-03-28 2013-07-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及制作方法
KR102045036B1 (ko) * 2013-08-27 2019-11-14 엘지디스플레이 주식회사 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR102137392B1 (ko) * 2013-10-08 2020-07-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103730450A (zh) 2013-11-22 2014-04-16 上海和辉光电有限公司 有机电激发光二极体储存电容结构及其制备方法
KR102124025B1 (ko) * 2013-12-23 2020-06-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR101672091B1 (ko) * 2014-02-25 2016-11-02 엘지디스플레이 주식회사 복합형 박막 트랜지스터를 갖는 유기 전계 발광 표시 장치
US9276050B2 (en) * 2014-02-25 2016-03-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN104064688B (zh) 2014-07-11 2016-09-21 深圳市华星光电技术有限公司 具有存储电容的tft基板的制作方法及该tft基板
KR102333762B1 (ko) * 2015-01-22 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
JP6749252B2 (ja) * 2015-02-12 2020-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN104701314A (zh) 2015-03-24 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
KR102300884B1 (ko) * 2015-04-28 2021-09-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10025130B2 (en) * 2015-12-18 2018-07-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with capping layer
US9985082B2 (en) * 2016-07-06 2018-05-29 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device comprising multi-type thin film transistor and method of manufacturing the same
KR20180047540A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN207909879U (zh) 2018-03-28 2018-09-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019184321A1 (zh) * 2018-03-28 2019-10-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
US11094766B2 (en) 2018-03-28 2021-08-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel, and display device
CN111341814A (zh) * 2020-03-11 2020-06-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
WO2021179390A1 (zh) * 2020-03-11 2021-09-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
US11751440B2 (en) 2020-03-11 2023-09-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and method of manufacturing display panel
CN111739896A (zh) * 2020-07-01 2020-10-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN111739896B (zh) * 2020-07-01 2023-08-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
WO2022242085A1 (zh) * 2021-05-21 2022-11-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11094766B2 (en) 2021-08-17
EP3780107A1 (en) 2021-02-17
JP2021516353A (ja) 2021-07-01
EP3780107A4 (en) 2021-12-22
KR102201052B1 (ko) 2021-01-11
US20200227498A1 (en) 2020-07-16
WO2019184321A1 (zh) 2019-10-03
JP7024937B2 (ja) 2022-02-24
KR20190113757A (ko) 2019-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207909879U (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN107808895B (zh) 透明oled显示器及其制作方法
JP4934599B2 (ja) アクティブマトリクス表示装置
US8963137B2 (en) Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
CN103066212B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US10403696B2 (en) Organic light emitting display device and method of fabricating the same
WO2018045658A1 (zh) Amoled显示装置
CN208622728U (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN107146806B (zh) 一种oled显示基板及oled显示装置
TW200541400A (en) Organic electro luminescence device and fabrication method thereof
CN108511506A (zh) 一种oled基板及显示面板
US6541910B2 (en) Organic el display
CN107204352A (zh) Oled显示面板以及oled显示面板的制造方法
CN207165572U (zh) 一种阵列基板及显示装置
WO2021114421A1 (zh) 显示面板及其制作方法
CN103489892B (zh) 一种阵列基板及其制作方法和显示装置
WO2020220630A1 (zh) 显示面板及显示装置
JP2005340202A (ja) 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
US20190058024A1 (en) Organic light emitting diode display panel and method for manufacturing same
CN110690256A (zh) 一种柔性tft基板及其制造方法
CN115458534A (zh) 显示模组、显示装置
CN100373630C (zh) 主动矩阵式有机电致发光显示组件及其制造方法
CN109904201A (zh) 阵列基板及其制作方法和显示装置
KR100761124B1 (ko) 전계 발광 소자
US20210335937A1 (en) Oled display panel

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant