CN207039558U - 预驱动器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及预驱动器，其包括：第一场效应管，其源极连接到预驱动器的电源输入管脚；第二场效应管，其漏极与第一场效应管的漏极连接并连接到预驱动器的第一输出管脚，其源极连接到预驱动器的第二输出管脚，第一和第二场效应管被控制交替地导通；第三场效应管，其源极连接地；反向保护电路，防止从地到第二输出管脚的电流；第一控制电路，用于当控制信号指示预驱动器用作高侧驱动器时或者当控制信号指示预驱动器用作低侧驱动器且第一输出管脚的电压大于电压阈值时使第三场效应管处于关闭状态，以及，当控制信号指示预驱动器用作低侧驱动器且第一输出管脚的电压未大于电压阈值时使第三场效应管处于导通状态。该预驱动器能承受更大电压。

Description

预驱动器

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，尤其涉及预驱动器。

背景技术

预驱动器是一种基本电路，其在许多领域有广泛的应用。如图 1A所示，预驱动器包括漏极连接在一起且交替地导通的两个场效应管Mpu和Mpd，并且具有一个电源输入管脚VPR和三个输出管脚Btst、 Gate和Srce。预驱动器通常可以配置为用作低侧驱动器或高侧驱动器。

预驱动器可以在车辆中用来控制电池对负载的驱动。图1B所示的情形是预驱动器用作高侧驱动器，通过控制场效应管Mpower来控制车辆中的电池VBAT对负载Lload的驱动。在图1B的情形中，预驱动器在工作的过程中会出现输出管脚Gate和Srce是负电压(‐7伏)的情况。由于仅具有孤立的N型环(isolated N‐type ring)的场效应管能承受负电压，因此，现有的预驱动器中的场效应管Mpd通常是具有孤立的N型环的场效应管。

图1C所示的情形是预驱动器用作低侧驱动器，通过控制场效应管Mpower来控制车辆中的电池VBAT对负载Lload的驱动。在图1C 的情形中，如果发生故障而导致预驱动器的输出管脚Gate短路到电池VBAT，则预驱动器的输出管脚Gate和Srce之间的电压是36伏，这要求预驱动器中的场效应管Mpd最大要能承受电压36伏。然而，具有孤立的N型环的场效应管通常只能承受最大电压20伏，而现有的预驱动器中的场效应管Mpd是具有孤立的N型环的场效应管，因此，现有的预驱动器不能满足承受更大电压的要求。

实用新型内容

考虑到现有技术的以上缺陷，本实用新型的实施例提供一种预驱动器，其能够承受更大电压。

按照本实用新型的实施例的一种预驱动器，其特征在于，包括：第一场效应管，其源极连接到所述预驱动器的电源输入管脚，所述电源输入管脚可连接外部电源；第二场效应管，其漏极与所述第一场效应管的漏极连接并且一起连接到所述预驱动器的第一输出管脚，以及，其源极连接到所述预驱动器的第二输出管脚，其中，所述第一场效应管和所述第二场效应管被控制交替地导通；第三场效应管，其源极连接地；反向保护电路，其位于所述第二输出管脚和所述第三场效应管的漏极之间，用于防止从所述地到所述第二输出管脚的电流；以及，第一控制电路，其连接到所述第三场效应管的栅极和所述第一输出管脚，用于当来自外部的控制信号指示所述预驱动器用作高侧驱动器时或者当所述控制信号指示所述预驱动器用作低侧驱动器且所述第一输出管脚的电压大于电压阈值时使所述第三场效应管处于关闭状态，以及，当所述控制信号指示所述预驱动器用作低侧驱动器且所述第一输出管脚的电压未大于所述电压阈值时使所述第三场效应管处于导通状态。

从以上的描述可以看出，在所述预驱动器被配置为低侧驱动器且所述第一输出管脚的电压大于电压阈值的情况下，所述第一输出管脚的电压将由所述第二和第三场效应管共同承受，而不是仅由所述第二场效应管独自承受，从而所述预驱动器由于包括所述第三场效应管而能够承受更大电压。

附图说明

本实用新型的特征、特点、优点和益处通过以下结合附图的详细描述将变得显而易见。

图1A示出了现有的预驱动器的示意图。

图1B示出了现有的预驱动器用作高侧驱动器的示意图。

图1C示出了现有的预驱动器用作低侧驱动器的示意图。

图2示出了按照本实用新型的一个实施例的预驱动器的示意图。

具体实施方式

下面，结合附图详细描述本实用新型的各个实施例。

图2示出了按照本实用新型的一个实施例的预驱动器的示意图。如图2所示，预驱动器10可以包括场效应管Mpu、Mpd、Mreverse 和Mshort，以及，控制电路20和30。其中，场效应管Mpd是具有孤立的N型环的场效应管。

场效应管Mpu的源极S连接预驱动器10的电源输入管脚VPR和输出管脚Btst，以及，场效应管Mpu的漏极D连接场效应管Mpd的漏极D并一起连接到预驱动器10的输出管脚Gate。场效应管Mpd 的源极S连接场效应管Mreverse的源极S并一起连接到预驱动器10 的输出管脚Srce。场效应管Mreverse的漏极D连接场效应管Mshort 的漏极D，以及，场效应管Mshort的源极S连接地GND。场效应管 Mpu和Mpd的栅极G被提供控制信号，以使得场效应管Mpu和Mpd 被控制交替地导通。

控制电路20连接到场效应管Mshort的栅极G和输出管脚Btst、 Gate，用于当来自外部的控制信号Cfg_LS指示预驱动器10用作高侧驱动器时或者当控制信号Cfg_LS指示预驱动器10用作低侧驱动器并且输出管脚Gate或Btst的电压大于电压阈值TH时使场效应管Mshort 处于关闭状态，以及，当控制信号Cfg_LS指示预驱动器10用作低侧驱动器且输出管脚Gate和Btst的电压都未大于电压阈值TH时使场效应管Mshort处于导通状态。在一个方面，高电平的控制信号Cfg_LS 用于指示预驱动器10用作低侧驱动器，而低电平的控制信号Cfg_LS 用于指示预驱动器10用作高侧驱动器。这里，电压阈值TH被选择合适的值以使得如果输出管脚Gate或Btst的电压大于电压阈值TH，则意味着场效应管Mpd即将要承受的电压有可能要达到场效应管Mpd 能够承受的最大电压。

控制电路30连接到场效应管Mreverse的栅极G，用于当控制信号Cfg_LS指示预驱动器10用作低侧驱动器时使场效应管Mreverse处于导通状态，以及，当控制信号Cfg_LS指示预驱动器10用作高侧驱动器时使场效应管Mreverse处于关闭状态。

在一个方面，控制电路20可以包括压降电路22、场效应管Mcfg 和Mc、电阻R2、电流源I1和与门AND。

压降电路22的一端连接输出管脚Gate和Btst，压降电路22的另一端连接场效应管Mcfg的漏极D。

场效应管Mcfg的源极S连接场效应管Mc的栅极G，以及，场效应管Mcfg的栅极G被提供控制信号Cfg_LS。

场效应管Mc的源极S接地GND，以及，场效应管Mc的漏极D 连接电流源I1和与门AND的一个输入端。电阻R2连接在场效应管 Mc的栅极G和源极S之间。

与门AND的另一个输入端被提供控制信号Cfg_LS，以及，与门AND的输出端连接到场效应管Mshort的栅极G。

在一个方面，压降电路22可以包括二极管D2、D3和稳压二极管Z1、Z2。二极管D2和D3的阳极分别连接输出管脚Btst和Gate，以及，二极管D2和D3的阴极连接在一起并一起连接到稳压二极管 Z1的阴极。稳压二极管Z1的阳极连接稳压二极管Z2的阴极，以及，稳压二极管Z2的阳极连接场效应管Mcfg的漏极D。这里，稳压二极管Z1、Z2各自例如可以稳压在5伏左右。

在一个方面，控制电路30可以包括场效应管M1、M2和M3、电流源I2和电阻R1。

场效应管M1和M2的源极S连接到电源输入管脚VPR，场效应管M1和M2的栅极G连接在一起并连接到场效应管M1的漏极D。场效应管M2的漏极D连接到场效应管Mreverse的栅极G。

场效应管M3的漏极D连接到场效应管M1的漏极D，场效应管 M3的源极S连接电流源I2，以及，场效应管M3的栅极G被提供控制信号Cfg_LS。

电阻R1连接在场效应管Mreverse的栅极G和源极S之间。

场效应管Mreverse和控制电路30形成预驱动器10的反向保护电路，其防止从地GND到输出管脚Srce的电流。

下面，描述预驱动器10的工作原理。

当预驱动器10要被配置为高侧驱动器时，将控制信号Cfg_LS设置为低电平。在这种情况下，场效应管M3、Mcfg的栅极G和与门 AND的其中一个输入端被提供低电平的控制信号Cfg_LS。

在控制电路20中，当与门AND的其中一个输入端被提供低电平的控制信号Cfg_LS时，不管与门AND的另一个输入端接收到高电平还是低电平，与门AND的输出端都将输出低电平给场效应管Mshort 的栅极G，从而场效应管Mshort处于关闭状态。

在控制电路30中，场效应管M3在其栅极G被提供低电平的控制信号Cfg_LS时处于关闭状态，从而流过场效应管M1的电流为零。在这种情况下，由于场效应管M1和M2的电流镜像作用，因此，流过场效应管M2的电流为零，导致流过电阻R1的电流也为零，从而场效应管Mreverse的栅极G和源极S之间的电压为零，这相当于场效应管Mreverse的栅极G被提供低电平，从而场效应管Mreverse处于关闭状态。

可见，当预驱动器10被配置为高侧驱动器时，场效应管Mshort 和Mreverse都处于关闭状态。当预驱动器10的输出管脚Gate和Srce 为负电压(例如‐7伏)时，存在从地GND指向输出管脚Srce的压降，但由于场效应管Mreverse在处于关闭状态时相当于一个阳极和阴极分别指向输出管脚Srce和地GND的二极管，因此该从地GND指向输出管脚Srce的压降并不能导致从地GND到输出管脚Srce的电流，即处于关闭状态的场效应管Mreverse阻止电流从地GND流向输出管脚 Srce，从而在预驱动器10被配置为高侧驱动器时场效应管Mreverse及其控制电路30对预驱动器10起反向保护作用。

当预驱动器10要被配置为低侧驱动器时，将控制信号Cfg_LS设置为高电平。在这种情况下，场效应管M3、Mcfg的栅极G和与门AND的其中一个输入端被提供高电平的控制信号Cfg_LS。

在控制电路20中，场效应管Mcfg在其栅极G被提供高电平的控制信号Cfg_LS时处于导通状态，从而在由二极管D2和D3、稳压二极管Z1和Z2、场效应管Mcfg和R2形成的电路中有电流流过，相应地在R2上产生压降，该压降就是场效应管Mc的栅极G和源极S之间的VGS实际电压。当输出管脚Gate和Btst的电压都未达到电压阈值 TH时，场效应管Mc的VGS实际电压(即R2上的压降)小于场效应管Mc的VGS开启电压，这相当于场效应管Mc的栅极G被提供低电平，从而场效应管Mc处于关闭状态。在场效应管Mc处于关闭状态的情况下，场效应管Mc的漏极D处于高电平，从而场效应管Mc的漏极D向与门AND的另一个输入端提供高电平。在这种情况下，与门AND的两个输入端都被提供高电平，从而与门AND通过其输出端向场效应管Mshort的栅极G提供高电平，因而场效应管Mshort处于导通状态。

在控制电路20中，场效应管M3在其栅极G被提供高电平的控制信号Cfg_LS时处于导通状态，从而有电流DL流过场效应管M1。在这种情况下，由于场效应管M1和M2的电流镜像作用，因此，也有电流DL流过场效应管M2，该电流DL也流过电阻R1。从而，在电阻R1上产生压降，该压降就是场效应管Mreverse的栅极G和源极S 之间的VGS实际电压并且其大于场效应管Mreverse的栅极G和源极 S之间的VGS开启电压，这相当于场效应管Mreverse的栅极G被提供高电平，从而场效应管Mreverse处于导通状态。

可见，当预驱动器10被配置为低侧驱动器且输出管脚Gate和 Btst的电压都未达到电压阈值TH时，场效应管Mshort和Mreverse 都处于导通状态。

当例如由于故障等，输出管脚Gate和/或Btst的电压大于电压阈值TH时，在由二极管D2和D3、稳压二极管Z1和Z2、场效应管Mcfg 和R2形成的电路中流过的电流增大，从而在R2上产生的压降(即场效应管Mc的栅极G和源极S之间的VGS实际电压)增大并大于场效应管Mc的VGS开启电压，这相当于场效应管Mc的栅极G被提供高电平，从而场效应管Mc处于导通状态。在场效应管Mc处于导通状态的情况下，场效应管Mc的漏极D处于低电平，从而场效应管Mc 的漏极D向与门AND的另一个输入端提供低电平。在这种情况下，即使与门AND的其中一个输入端都被提供高电平的控制信号Cfg_LS，与门AND也输出低电平并提供给场效应管Mshort的栅极G，从而场效应管Mshort处于关闭状态。

因此，在预驱动器10被配置为低侧驱动器且输出管脚Gate和/ 或Btst的电压大于电压阈值TH的情况下，输出管脚Gate和Btst的电压将由场效应管Mpd和Mshort共同承受，而不是仅由场效应管 Mpd独自承受，从而预驱动器10能够承受更大电压。

从以上的描述可以看出，本实施例的预驱动器10由于包括场效应管Mshort而能承受更大电压，同时，由于包括场效应管Mreverse 而具有反向保护能力。

其它变型

本领域技术人员应当理解，在本实用新型的其它实施例中，预驱动器10还可以包括连接在电源输入管脚VPR和场效应管Mpu之间的二极管D1和/或连接在电源输入管脚VPR和控制电路30之间的二极管D4，以防止预驱动器10的电压反灌连接到电源输入管脚VPR的外部电源而损害该外部电源。

本领域技术人员应当理解，虽然在上面的实施例中，控制电路 30是由场效应管M1、M2和M3、电流源I2和电阻R1构成的，然而，本实用新型并不局限于此。在本实用新型的其它一些实施例中，控制电路30也可以利用其它合适的方式来实现。

本领域技术人员应当理解，虽然在上面的实施例中，场效应管 Mreverse和控制电路30形成预驱动器10的用于防止从地GND到输出管脚Srce的电流的反向保护电路，然而，本实用新型并不局限于此。在本实用新型的其它一些实施例中，例如也可以使用二极管替代场效应管Mreverse和控制电路30来充当预驱动器10的用于防止从地GND到输出管脚Srce的电流的反向保护电路。在这种情况下，充当预驱动器10的用于防止从地GND到输出管脚Srce的电流的反向保护电路的二极管的阳极和阴极分别连接输出管脚Srce和场效应管 Mshort的漏极。

本领域技术人员应当理解，虽然在上面的实施例中，压降电路 22是由两个二极管D2、D3和两个稳压二极管Z1、Z2构成的，然而，本实用新型并不局限于此。在本实用新型的其它一些实施例中，压降电路22可以包括一个或两个以上稳压二极管，或者，压降电路22可以不包括二极管D2、D3。

本领域技术人员应当理解，虽然在上面的实施例中，控制电路 20包括场效应管Mcfg，然而，本实用新型并不局限于此。在本实用新型的其它一些实施例中，控制电路20也可以不包括场效应管Mcfg。

本领域技术人员应当理解，虽然在上面的实施例中，预驱动器 10包括输出管脚Btst，然而，本实用新型并不局限于此。在本实用新型的其它一些实施例中，预驱动器10也可以不包括输出管脚Btst。

本领域技术人员应当理解，虽然在上面的实施例中，场效应管 Mpd是具有孤立的N型环的场效应管，然而，本实用新型并不局限于此。在本实用新型的其它一些实施例中，场效应管Mpd可以是其它合适类型的场效应管。

本实用新型的实施例提供一种预驱动器，其包括：第一场效应管，其源极连接到所述预驱动器的电源输入管脚，所述电源输入管脚可连接外部电源；第二场效应管，其漏极与所述第一场效应管的漏极连接并且一起连接到所述预驱动器的第一输出管脚，以及，其源极连接到所述预驱动器的第二输出管脚，其中，所述第一场效应管和所述第二场效应管被控制交替地导通；第三场效应管，其源极连接地；反向保护电路，其位于所述第二输出管脚和所述第三场效应管的漏极之间，用于防止从所述地到所述第二输出管脚的电流；以及，第一控制电路，其连接到所述第三场效应管的栅极和所述第一输出管脚，用于当来自外部的控制信号指示所述预驱动器用作高侧驱动器时或者当所述控制信号指示所述预驱动器用作低侧驱动器且所述第一输出管脚的电压大于电压阈值时使所述第三场效应管处于关闭状态，以及，当所述控制信号指示所述预驱动器用作低侧驱动器且所述第一输出管脚的电压未大于所述电压阈值时使所述第三场效应管处于导通状态。

在第一方面，所述第一场效应管的源极还连接所述预驱动器的第三输出管脚，以及，所述第一控制电路还用于当所述控制信号指示所述预驱动器用作低侧驱动器且所述第一输出管脚的电压或所述第三输出管脚的电压大于所述电压阈值时使所述第三场效应管处于关闭状态。

在第二方面，所述第一控制电路包括：压降电路，其一端连接所述第一输出管脚和所述第三输出管脚；第四场效应管，其漏极连接所述压降电路的另一端，以及，其栅极被提供所述控制信号，其中，当所述控制信号指示所述预驱动器用作低侧驱动器时所述控制信号处于高电平，以及，当所述控制信号指示所述预驱动器用作高侧驱动器时所述控制信号处于低电平；第五场效应管，其栅极、漏极和源极分别连接所述第四场效应管的源极、第一电流源和地，以及，在所述第五场效应管的栅极和源极之间连接第一电阻；以及，与门，其一个输入端连接到所述第五场效应管的漏极，其另一个输入端被提供所述控制信号，以及，其输出端连接到所述第三场效应管的栅极。

在第三方面，所述压降电路包括：第一二极管，其阳极连接所述第一输出管脚；第二二极管，其阳极连接所述第三输出管脚；以及，至少一个串联的稳压二极管，其连接在所述第一二极管和所述第二二极管二者的阴极与所述第四场效应管的漏极之间。

在第四方面，所述反向保护电路包括：第六场效应管，其源极和漏极分别连接所述第二输出管脚和所述第三场效应管的漏极；以及，第二控制电路，其连接所述第六场效应管的栅极，用于当所述控制信号指示所述预驱动器用作低侧驱动器时使第六场效应管处于导通状态，以及，当所述控制信号指示所述预驱动器用作高侧驱动器时使所述第六场效应管处于关闭状态。

在第五方面，所述第二控制电路包括：第七场效应管和第八场效应管，其中，所述第七场效应管和所述第八场效应管二者的栅极连接在一起并且连接到所述第七场效应管的漏极，所述第七场效应管和所述第八场效应管二者的源极连接到所述电源输入管脚，以及，所述第八场效应管的漏极连接所述第六场效应管的栅极；第九场效应管，其漏极连接所述第七场效应管的漏极，其源极连接第二电流源，以及，其栅极被提供所述控制信号，其中，当所述控制信号指示所述预驱动器用作低侧驱动器时所述控制信号处于高电平，以及，当所述控制信号指示所述预驱动器用作高侧驱动器时所述控制信号处于低电平；以及，第二电阻，连接在所述第六场效应管的栅极和源极之间。

在第六方面，所述第二场效应管是具有孤立的N型环的场效应管。

本领域技术人员将理解，本实用新型所公开的各个实施例可以在不偏离发明实质的情况下做出各种变形、修改和/或调整，这些变形、修改和/或调整都落在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围由所附的权利要求书来定义。

Claims (7)

1.一种预驱动器，其特征在于，包括：

第一场效应管(Mpu)，其源极连接到所述预驱动器的电源输入管脚(VPR)，所述电源输入管脚可连接外部电源(VPR)；

第二场效应管(Mpd)，其漏极与所述第一场效应管(Mpu)的漏极连接并且一起连接到所述预驱动器的第一输出管脚(Gate)，以及，其源极连接到所述预驱动器的第二输出管脚(Srce)，其中，所述第一场效应管(Mpu)和所述第二场效应管(Mpd)被控制交替地导通；

第三场效应管(Mshort)，其源极连接地；

反向保护电路(Mreverse、30)，其位于所述第二输出管脚(Srce)和所述第三场效应管(Mshort)的漏极之间，用于防止从所述地到所述第二输出管脚(Srce)的电流；以及

第一控制电路(20)，其连接到所述第三场效应管(Mshort)的栅极和所述第一输出管脚(Gate)，用于当来自外部的控制信号(Cfg_LS)指示所述预驱动器用作高侧驱动器时或者当所述控制信号(Cfg_LS)指示所述预驱动器用作低侧驱动器且所述第一输出管脚(Gate)的电压大于电压阈值时使所述第三场效应管(Mshort)处于关闭状态，以及，当所述控制信号(Cfg_LS)指示所述预驱动器用作低侧驱动器且所述第一输出管脚的电压未大于所述电压阈值时使所述第三场效应管(Mshort)处于导通状态。

2.如权利要求1所述的预驱动器，其特征在于，

所述第一场效应管(Mpu)的源极还连接所述预驱动器的第三输出管脚(Btst)，以及

所述第一控制电路(20)还用于当所述控制信号(Cfg_LS)指示所述预驱动器用作低侧驱动器且所述第一输出管脚(Gate)的电压或所述第三输出管脚(Btst)的电压大于所述电压阈值时使所述第三场效应管(Mshort)处于关闭状态。

3.如权利要求2所述的预驱动器，其特征在于，所述第一控制电路(20)包括：

压降电路(22)，其一端连接所述第一输出管脚(Gate)和所述第三输出管脚(Btst)；

第四场效应管(Mcfg)，其漏极连接所述压降电路(22)的另一端，以及，其栅极被提供所述控制信号(Cfg_LS)，其中，当所述控制信号(Cfg_LS)指示所述预驱动器用作低侧驱动器时所述控制信号(Cfg_LS)处于高电平，以及，当所述控制信号(Cfg_LS)指示所述预驱动器用作高侧驱动器时所述控制信号(Cfg_LS)处于低电平；

第五场效应管(Mc)，其栅极、漏极和源极分别连接所述第四场效应管(Mcfg)的源极、第一电流源(I1)和地(GND)，以及，在所述第五场效应管(Mc)的栅极和源极之间连接第一电阻(R2)；以及

与门(AND)，其一个输入端连接到所述第五场效应管(Mc)的漏极，其另一个输入端被提供所述控制信号(Cfg_LS)，以及，其输出端连接到所述第三场效应管(Mshort)的栅极。

4.如权利要求3所述的预驱动器，其特征在于，所述压降电路(22)包括：

第一二极管(D3)，其阳极连接所述第一输出管脚(Gate)；

第二二极管(D2)，其阳极连接所述第三输出管脚(Btst)；以及

至少一个串联的稳压二极管(Z1、Z2)，其连接在所述第一二极管(D3)和所述第二二极管(D2)二者的阴极与所述第四场效应管(Mcfg)的漏极之间。

5.如权利要求1‐4中的任意一个所述的预驱动器，其特征在于，所述反向保护电路包括：

第六场效应管(Mreverse)，其源极和漏极分别连接所述第二输出管脚(Srce)和所述第三场效应管(Mshort)的漏极；以及

第二控制电路(30)，其连接所述第六场效应管(Mreverse)的栅极，用于当所述控制信号(Cfg_LS)指示所述预驱动器用作低侧驱动器时使第六场效应管(Mreverse)处于导通状态，以及，当所述控制信号(Cfg_LS)指示所述预驱动器用作高侧驱动器时使所述第六场效应管(Mreverse)处于关闭状态。

6.如权利要求5所述的预驱动器，其特征在于，所述第二控制电路(30)包括：

第七场效应管(M1)和第八场效应管(M2)，其中，所述第七场效应管(M1)和所述第八场效应管(M2)二者的栅极连接在一起并且连接到所述第七场效应管(M1)的漏极，所述第七场效应管(M1)和所述第八场效应管(M2)二者的源极连接到所述电源输入管脚(VPR)，以及，所述第八场效应管(M2)的漏极连接所述第六场效应管(Mreverse)的栅极；

第九场效应管(M3)，其漏极连接所述第七场效应管(M1)的漏极，其源极连接第二电流源(I2)，以及，其栅极被提供所述控制信号(Cfg_LS)，其中，当所述控制信号(Cfg_LS)指示所述预驱动器用作低侧驱动器时所述控制信号(Cfg_LS)处于高电平，以及，当所述控制信号(Cfg_LS)指示所述预驱动器用作高侧驱动器时所述控制信号(Cfg_LS)处于低电平；以及

第二电阻(R1)，连接在所述第六场效应管(Mreverse)的栅极和源极之间。

7.如权利要求1所述的预驱动器，其特征在于，所述第二场效应管(Mpd)是具有孤立的N型环的场效应管。