CN206330995U - 晶圆测试针座改良结构 - Google Patents
晶圆测试针座改良结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206330995U CN206330995U CN201621105391.4U CN201621105391U CN206330995U CN 206330995 U CN206330995 U CN 206330995U CN 201621105391 U CN201621105391 U CN 201621105391U CN 206330995 U CN206330995 U CN 206330995U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plural
- substrate
- circuit board
- contact
- needle stand
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 13
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 4
- -1 Polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 15
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012797 qualification Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000012966 insertion method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种晶圆测试针座改良结构，包括电路板、基板及针座，其中该电路板底面电性接触有基板，而基板相对电路板另一侧面设置有针座，其针座所具的上基材及下基材间表面分别穿设有供复数探针以斜向方式插设的复数第一穿孔及复数第二穿孔，且两个相邻探针一侧穿过的两个第一穿孔的间距大于另一侧穿过的两个第二穿孔的间距，而复数探针二侧分别与基板及待检测晶圆形成电性接触，以供测试晶圆是否有缺陷，由于两个相邻探针一侧穿过的两个第一穿孔的间距大于另一侧穿过的两个第二穿孔的间距，即可使基板尺寸扩大，且基板上的线路布局更易于设计、制造，进而提高产品合格率，以达到降低设计及制造成本的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种晶圆测试针座改良结构，尤指针座的上基材及下基材间表面分别穿设有供复数探针以斜向插设的复数第一穿孔及复数第二穿孔，其两个相邻探针一侧穿过的两个第一穿孔的间距大于另一侧穿过的两个第二穿孔的间距，以使基板易于设计、制造，进而降低整体成本。
背景技术
现代半导体的制造包含了复数步骤，包括微影、物质沉积与蚀刻步骤，以在一片单独的半导体硅晶圆上形成出复数半导体装置或集成电路晶片；目前所制造常用的半导体晶圆的直径可以是六吋或六吋以上，其中直径十二吋的晶圆为一种常见的尺寸；然而，在半导体制造的制程中，该晶圆上的晶片可能会因复杂的制造程序而产生变异、毁损等问题以具有一些缺陷。
所以在将集成电路晶片利用晶圆切割方式从半导体晶圆分离的前，会对复数晶片进行电性表现与可靠度的测试，并同时在一既定期间对其进行激发(如晶圆级烧入测试)，而这些测试通常可能包含布局与线路图对比(layout versus schematic；LVS)的确认、静态电流测试(IDDq testing)等，进而凭借测试电路系统的自动测试设备(automatic testequipment；ATE)来捕捉与分析从每个晶片或受测装置(device under test；DUT)所产生的测试结果电性信号，以判定所测式的晶片是否具有缺陷。
再者，为了帮助晶圆级烧入测试(burn-in testing)与同时捕捉来自晶圆上的多个晶片的电性信号，是使用现有的DUT板或探针卡，其探针卡通常是安装于自动测试设备中，并作为晶片或受测装置与自动测试设备之间的界面，而探针卡在本质上为印刷电路板(printed circuit board；PCB)，为包含复数金属电性探针，用以与晶圆的半导体晶片上所对应的复数电性接点(contact)或接头(terminal)接触，由于每一个晶片具有复数接点或接头，且每一个接点或接头都必须进行测试，所以，一般的晶圆级测试需要进行远超过1000个晶片接点或接头来与ATE测试电路系统间形成电性连接以进行测试，因此，为了实施精确地晶圆级测试，必须将大量的探针卡接点与晶圆上的晶片接点精确对准及形成确实的电性连接。
然而，请参阅图4所示，是现有侧视剖面的使用状态图，由图中可清楚看出，该电路基板A一侧表面装设有安装环B，并在安装环B内部形成有收纳空间B1，且收纳空间B1内装设有电性连接于电路基板A一侧表面并具预设复数接点(图中未示出)的板体B2，再在安装环B相对于电路基板A另一侧表面上装设有探针固定装置C，而探针固定装置C为由上基座C1及下基座C2所组成，其上基座C1及下基座C2表面上分别穿设有相对应的复数第一通孔C11及复数第二通孔C21，再在复数第一通孔C11及复数第二通孔C21中分别穿设有复数测试探针D，其复数测试探针D一端为分别穿过复数第一通孔C11，以接触至板体B2表面的预设复数接点，而复数测试探针D另一端则分别穿过复数第二通孔C21，以供电性接触至待测晶圆E上所对应的复数测试点E1上，即可对待测晶圆E进行测试的作业，以检测该待测晶圆E是否具有缺陷。
由于电子科技及半导体制程技术的日新月异且朝轻、薄、短、小化发展，以至于待测晶圆E越做越小，而待测晶圆E上的复数测试点E1间的距离也随之缩减，所以复数测试探针D间的距离必须愈排愈密，导致用于传递电路基板A与测试探针D间的电性测试信号与电源信号的板体B2上的预设复数接点的间距也须缩减，但是，目前板体B2所发生的技术瓶颈是其若要支援过小的复数测试点E1间距，则需耗费高额的制造成本才可制作出板体B2，以至于造成制程上诸多不便之处。
是以，要如何设法解决上述现有的缺失与不便，即为相关业者所亟欲研究改善的方向所在。
实用新型内容
故，实用新型设计人有鉴于上述缺失，乃搜集相关资料，经由多方评估及考量，并以从事于此行业累积的多年经验，经由不断试作及修改，始设计出此种晶圆测试针座改良结构的新型专利。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：
一种晶圆测试针座改良结构，其特征在于：包括电路板、基板及针座，其中：
该电路板表面设有供与预设检测仪器形成电性连接的复数第一金属接点，而电路板底面设有复数第二金属接点；
该基板电性接触于电路板底面处，并在基板相邻于电路板一侧表面设有与复数第二金属接点形成电性接触的复数第一接点，而基板相对于复数第一接点另一侧表面则设有复数第二接点；
该针座设置于基板相对电路板另一侧面且包括上基材、下基材及复数探针，并在上基材及下基材之间形成有穿置空间，且上基材表面穿设有复数第一穿孔，而下基材表面则穿设有复数第二穿孔，再在复数第一穿孔及复数第二穿孔中以斜向插设方式穿设有复数探针，其复数探针一侧设有穿过复数第一穿孔并与基板的复数第二接点形成电性接触的复数第一端部，而复数探针另一侧设有穿过复数第二穿孔处且供电性接触待检测晶圆表面的复数检测点上的复数第二端部，两个相邻探针一侧穿过的两个第一穿孔的间距大于另一侧穿过的两个第二穿孔的间距。
所述的晶圆测试针座改良结构，其中：该电路板表面的位于复数第一金属接点相对内侧处装设有加强环垫。
所述的晶圆测试针座改良结构，其中：该电路板底面的位于复数第二金属接点外侧处装设有固定环垫，并在固定环垫内部形成有供基板置入的容置空间。
所述的晶圆测试针座改良结构，其中：该基板的复数第一接点与电路板的复数第二金属接点间设有供形成电性连接的复数锡球。
所述的晶圆测试针座改良结构，其中：该复数探针位于穿置空间内的表面上涂布有供阻隔电磁信号的阻隔层。
所述的晶圆测试针座改良结构，其中：该复数探针的阻隔层为聚四氟乙烯。
所述的晶圆测试针座改良结构，其中：该复数探针的阻隔层的厚度介于3μm～5μm之间。
所述的晶圆测试针座改良结构，其中：该针座的上基材及下基材间夹持有内部镂空的夹持片。
本实用新型的主要优点乃在于该电路板底面电性接触有基板，并在基板相对电路板另一侧面设置有针座，其针座所具的上基材及下基材间表面分别穿设有复数第一穿孔及复数第二穿孔，以供复数探针以斜向方式穿设，而两个相邻探针一侧穿过的两个第一穿孔的间距大于另一侧穿过的两个第二穿孔的间距，便可使二探针于基板上的间距也大于二探针于晶圆上的间距，以增加基板尺寸，进而提高复数探针接触至基板准确度，达到产品合格率的效果，且因间距增长也可使基板线路布局更易于设计，如此使基板达到较易制作、降低设计及降低制造成本的目的。
本实用新型的次要优点乃在于该针座的复数探针表面为涂布有供阻隔电磁信号的阻隔层，当利用外部检测仪器来对晶圆进行检测作业时，即可通过阻隔层来避免相邻探针间相互接触而产生短路现象，且也可有效防止传输的过程中所产生的电磁波、静电或杂讯等来影响各构件间相互干扰的缺失发生，如此确保整体信号传输的稳定性与可靠度，进而达到提升整体稳定使用性及不易毁损的目的。
本实用新型的另一优点乃在于该针座的复数探针为以斜插的方式插设于上基材及下基材间，当利用外部检测仪器来对晶圆进行检测作业时，其复数探针二端的复数第一端部及复数第二端部便会受到抵压而使第一端部及复数第二端部间产生弹性变形，以确保复数探针与待检测晶圆上的复数检测点间保持稳定接触状态，进而达到使整体信号稳定传输的目的。
本实用新型的再一优点乃在于该针座以斜插的方式穿设有复数探针，其具有弹性变形的特性，即可省略使用诸多复杂结构、外观设计来使复数探针产生弹性变形的特性，以降低复数探针制造、加工的流程，进而达到减少复数探针制造成本的目的。
附图说明
图1是本实用新型的侧视剖面图。
图2是本实用新型的a部份放大图。
图3是本实用新型侧视剖面的使用状态图。
图4是现有侧视剖面的使用状态图。
附图标记说明：1-电路板；11-第一金属接点；12-第二金属接点；13-加强环垫；14-固定环垫；140-容置空间；2-基板；21-第一接点；211-锡球；22-第二接点；3-针座；30-穿置空间；31-上基材；311-第一穿孔；32-下基材；321-第二穿孔；33-探针；331-第一端部；332-第二端部；333-阻隔层；34-夹持片；4-晶圆；41-检测点；A-电路基板；B-安装环；B1-收纳空间；B2-板体；C-探针固定装置；C1-上基座；C11-第一通孔；C2-下基座；C21-第二通孔；D-探针；E-待测晶圆；E1-测试点。
具体实施方式
为达成上述目的及功效，本实用新型所采用的技术手段及其构造，兹绘图就本实用新型的较佳实施例详加说明其特征与功能如下，俾利完全了解。
请参阅图1、图2所示，是本实用新型的侧视剖面图及a部份放大图，由图中所示可以清楚看出，本实用新型包括电路板1、基板2及针座3，其中：
该电路板1内部为具有预设线路布局，并在电路板1表面设有复数第一金属接点11，而电路板1底面则设有复数第二金属接点12。
该基板2内部为具有预设线路布局且电性接触于电路板1底面处，并在基板2相邻于电路板1一侧表面设有通过复数锡球211来与复数第二金属接点12形成电性接触的复数第一接点21，而基板2相对于复数第一接点21另一侧表面则设有复数第二接点22。
该针座3设置于基板2相对电路板1另一侧面且包括上基材31、下基材32及复数探针33，其中该上基材31及下基材32之间形成有穿置空间30，且上基材31表面穿设有复数第一穿孔311，而下基材32表面则穿设有复数第二穿孔321，再在复数第一穿孔311及复数第二穿孔321中以斜向插设方式穿设有导电材质所制成的复数探针33，其复数探针33一侧设有穿过复数第一穿孔311并与基板2的复数第二接点22形成电性接触的复数第一端部331，而复数探针33另一侧则设有穿过复数第二穿孔321处的复数第二端部332，且复数探针33位于穿置空间30内的表面上涂布有供阻隔电磁信号的阻隔层333，其两个相邻探针33一侧穿过的两个第一穿孔311的间距大于另一侧穿过的两个第二穿孔321的间距。
上述的电路板1表面且位于复数第一金属接点11相对内侧处装设有加强环垫13，再在电路板1底面且位于复数第二金属接点12外侧处装设有固定环垫14(mounting ring)，且固定环垫14内部形成有供基板2置入的容置空间140，其加强环垫13、电路板1及固定环垫14为依序迭层，并利用锁固元件(如螺丝)穿设结合定位，即可通过加强环垫13及固定环垫14来增加电路板1整体强度，以避免电路板1于高温或外力环境下产生弯折或变形等情况；而该针座3的上基材31及下基材32间夹持有内部镂空的夹持片34，且夹持片34可通过锁固元件穿设固定于固定环垫14上呈一结合定位，以提高上基材31及下基材32间的支撑力。
再者，上述复数探针33表面涂布的阻隔层333可为聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene)，俗称铁氟龙，且阻隔层333的厚度较佳介于3μm～5μm之间。
再请参阅图3，是本实用新型侧视剖面的使用状态图，由图中可清楚看出，本实用新型使用时，该电路板1为可凭借复数第一金属接点11来与外部检测仪器(图中未示出)形成电性连接，同时，其整体可受外部检测仪器驱动而使复数探针33的复数第二端部332抵触至待检测晶圆4表面的复数检测点41上以形成电性连接状态，以供进行检测作业，且复数探针33获取的电性测试信号与电源信号可通过基板2传递至电路板1，再传输至电路板1外部检测仪器来得知待检测晶圆4是否具有缺陷，以完成本实用新型的使用。
本实用新型针座3的上基材31及下基材32中为斜向穿设有复数探针33，而复数探针33二侧则分别电性接触于基板2的复数第二接点22及待检测晶圆4表面的复数检测点41，由于两个相邻探针33一侧穿过的两个第一穿孔311的间距大于另一侧穿过的两个第二穿孔321的间距，所以基板2与二探针33形成接触的两个第二接点22的间距也大于晶圆4与二探针33形成接触的二检测点41的间距，以至于两个第二接点22的间距相较于现有间距更为增长，且使基板2尺寸可供增大，以提高复数探针33接触至复数第二接点22准确度，进而提升产品合格率，且因间距增长也可使基板2上蚀刻出复数第二接点22较容易，以使基板2的线路布局更易于设计，如此使基板2达到较易制作、降低设计及降低制造成本的效用。
再者，本实用新型针座3的复数探针33表面上为涂布有供阻隔电磁信号的阻隔层333，当利用外部检测仪器来对晶圆4进行检测作业时，即可通过阻隔层333来避免两个相邻探针33间相互接触而产生短路现象，且由于阻隔层333可阻隔电磁信号，便可有效防止本实用新型传输的过程中所产生的电磁波、静电或杂讯等来影响本实用新型构件间相互干扰的缺失发生，如此确保整体信号传输的稳定性与可靠度，进而达到本实用新型稳定使用及不易毁损的效用。
然而，本实用新型针座3的复数探针33为以斜插的方式插设于上基材31及下基材32间，由于复数探针33为呈倾斜状，所以当利用外部检测仪器来对晶圆4进行检测作业时，其复数探针33二端的复数第一端部331及复数第二端部332便会受到抵压而使第一端部331及复数第二端部332间产生弹性变形，以确保复数探针33与待检测晶圆4上的复数检测点41间保持稳定接触状态，进而使整体信号稳定传输，且因复数探针33为以斜插的方式便可具有弹性变形的特性，即可省略使用诸多复杂结构、外观设计来使复数探针33产生弹性变形的特性，以降低复数探针33制造、加工的流程，如此达到降低复数探针33制造成本的效用。
是以，本实用新型为主要针对该电路板1底面电性接触有基板2，而基板2相对电路板1另一侧面设置有针座3，其针座3的上基材31及下基材32间表面分别穿设有供复数探针33以斜向方式插设的复数第一穿孔311及复数第二穿孔321，由于两个相邻探针33一侧穿过的两个第一穿孔311的间距大于另一侧穿过的两个第二穿孔321的间距，便可使基板2更易于设计、制造，进而达到降低整体成本的效用，故举凡可达成前述效果的结构、装置都应受本实用新型所涵盖，此种简易修饰及等效结构变化，均应同理包含于本实用新型的保护范围内，合予陈明。
Claims (8)
1.一种晶圆测试针座改良结构，其特征在于：包括电路板、基板及针座，其中：
该电路板表面设有供与预设检测仪器形成电性连接的复数第一金属接点，而电路板底面设有复数第二金属接点；
该基板电性接触于电路板底面处，并在基板相邻于电路板一侧表面设有与复数第二金属接点形成电性接触的复数第一接点，而基板相对于复数第一接点另一侧表面则设有复数第二接点；
该针座设置于基板相对电路板另一侧面且包括上基材、下基材及复数探针，并在上基材及下基材之间形成有穿置空间，且上基材表面穿设有复数第一穿孔，而下基材表面则穿设有复数第二穿孔，再在复数第一穿孔及复数第二穿孔中以斜向插设方式穿设有复数探针，其复数探针一侧设有穿过复数第一穿孔并与基板的复数第二接点形成电性接触的复数第一端部，而复数探针另一侧设有穿过复数第二穿孔处且供电性接触待检测晶圆表面的复数检测点上的复数第二端部，两个相邻探针一侧穿过的两个第一穿孔的间距大于另一侧穿过的两个第二穿孔的间距。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试针座改良结构，其特征在于：该电路板表面的位于复数第一金属接点相对内侧处装设有加强环垫。
3.根据权利要求1所述的晶圆测试针座改良结构，其特征在于：该电路板底面的位于复数第二金属接点外侧处装设有固定环垫，并在固定环垫内部形成有供基板置入的容置空间。
4.根据权利要求1所述的晶圆测试针座改良结构，其特征在于：该基板的复数第一接点与电路板的复数第二金属接点间设有供形成电性连接的复数锡球。
5.根据权利要求1所述的晶圆测试针座改良结构，其特征在于：该复数探针位于穿置空间内的表面上涂布有供阻隔电磁信号的阻隔层。
6.根据权利要求5所述的晶圆测试针座改良结构，其特征在于：该复数探针的阻隔层为聚四氟乙烯。
7.根据权利要求5所述的晶圆测试针座改良结构，其特征在于：该复数探针的阻隔层的厚度介于3μm～5μm之间。
8.根据权利要求1所述的晶圆测试针座改良结构，其特征在于：该针座的上基材及下基材间夹持有内部镂空的夹持片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621105391.4U CN206330995U (zh) | 2016-10-09 | 2016-10-09 | 晶圆测试针座改良结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621105391.4U CN206330995U (zh) | 2016-10-09 | 2016-10-09 | 晶圆测试针座改良结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206330995U true CN206330995U (zh) | 2017-07-14 |
Family
ID=59286126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201621105391.4U Expired - Fee Related CN206330995U (zh) | 2016-10-09 | 2016-10-09 | 晶圆测试针座改良结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN206330995U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111880067A (zh) * | 2019-04-15 | 2020-11-03 | 中华精测科技股份有限公司 | 晶片测试组件及其电性连接模块 |
-
2016
- 2016-10-09 CN CN201621105391.4U patent/CN206330995U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111880067A (zh) * | 2019-04-15 | 2020-11-03 | 中华精测科技股份有限公司 | 晶片测试组件及其电性连接模块 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9329205B2 (en) | High-precision semiconductor device probing apparatus and system thereof | |
| US9823272B2 (en) | Wafer testing probe card | |
| US5742169A (en) | Apparatus for testing interconnects for semiconductor dice | |
| US7453275B2 (en) | Probe card | |
| JPH11125646A (ja) | 垂直針型プローブカード、その製造方法およびその不良プローブ針の交換方法 | |
| TW202206833A (zh) | 晶圓檢測系統及其晶圓檢測設備 | |
| CN205246821U (zh) | 芯片测试装置 | |
| CN206331005U (zh) | 晶圆测试针座的改进结构 | |
| CN206330995U (zh) | 晶圆测试针座改良结构 | |
| TWM547673U (zh) | 晶圓測試針座結構改良 | |
| CN101995525A (zh) | 一种测试装置及其测试方法 | |
| CN101324636A (zh) | 用于检测电路板的导接模块 | |
| KR102257740B1 (ko) | 테스트 소켓용 절연 필름 및 이를 포함하는 테스트 소켓 | |
| JP3164542B2 (ja) | プローブ及びそれを用いたプローブカード | |
| TWM478824U (zh) | 探針式檢測裝置之訊號轉接線 | |
| TWM478825U (zh) | 探針卡及測試機台 | |
| CN206331004U (zh) | 晶圆测试针座的改良结构 | |
| TWM547674U (zh) | 晶圓測試針座結構改良及其針座 | |
| KR20090075515A (ko) | 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장비 | |
| US10281491B2 (en) | Probe card for testing semiconductor wafers | |
| TWM547675U (zh) | 晶圓測試針座結構改良及其針座 | |
| JP2000074991A (ja) | 半導体チップ用パッケージの良否検査方法及びその装置とこれに用いるプローブピン構造 | |
| US20040032271A1 (en) | Anisotropic probing contactor | |
| KR100725456B1 (ko) | 웨이퍼 검사용 프로브 카드 | |
| KR101531767B1 (ko) | 프로브 카드 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170713 Address after: Chinese Taiwan Taoyuan City Patentee after: GUANQUAN TECHNOLOGY INDUSTRIAL CO.,LTD. Address before: Tao Yuanshi Patentee before: HO TECK ELECS. Corp. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170714 |