CN205643946U - 一种阵列基板和触控显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种阵列基板和触控显示装置,涉及显示技术领域,解决了整条栅线上方的液晶分子的取向不正常,从而导致Mura类不良产生的技术问题。该阵列基板包括衬底基板以及依次层叠设置于衬底基板上的栅极金属层和触控电极层,栅极金属层和触控电极层相互绝缘,栅极金属层包括多条相互平行的栅线,触控电极层包括多个触控电极,在垂直于栅线的延伸方向的方向上,相邻的两个触控电极之间的间隙在栅极金属层所在平面的垂直投影,与间隙对应的每条栅线均部分重合。本实用新型应用于进行触控显示。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板和触控显示装置。
背景技术
对于触控显示装置的发展而言,目前,通常通过将触控电极集成于触控显示装置包括的液晶显示面板中的方式,使触控显示装置在具有触控功能的同时,仍然具有较小的厚度,以实现触控显示装置的轻薄化。
示例性地,上述液晶显示面板包括阵列基板,如图1所示,阵列基板包括衬底基板,衬底基板上设置有多条栅线1’和多个触控电极2’,其中,在垂直于栅线1’的延伸方向的方向上,任意相邻的两个触控电极2’之间的间隙的形状为直线形,且与栅线1’重合。
本申请的发明人发现,由于栅线1’上具有电信号,且该间隙对应的栅线1’的上方无触控电极2’覆盖,因此,在该间隙位置处,栅线1’上的电信号会对其对应的液晶分子的取向产生影响(例如,使液晶分子中混入的带电离子极化),使得该部分液晶分子的取向不正常,进而导致显示装置出现Mura(亮度不均匀)类不良。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种阵列基板和触控显示装置,用于避免出现整条栅线上方的液晶分子的取向不正常的现象,减轻Mura类不良。
为达到上述目的,本实用新型提供的阵列基板,采用如下技术方案:
该阵列基板包括衬底基板以及依次层叠设置于所述衬底基板上的栅极金属层和触控电极层,所述栅极金属层和所述触控电极层相互绝缘,所述栅极金属层包括多条相互平行的栅线,所述触控电极层包括多个触控电极,在垂直于所述栅线的延伸方向的方向上,相邻的两个所述触控电极之间的间隙在所述栅极金属层所在平面的垂直投影,与所述间隙对应的每条所述栅线均部分重合。
本实用新型提供的阵列基板具有如上所述的结构,由于相邻的两个触控电极之间的间隙在栅极金属层所在平面的垂直投影,与间隙对应的每条栅线均部分重合,从而使得每条栅线的一部分和位于其上方的液晶分子之间有触控电极,触控电极能够对该部分栅线的电场起到屏蔽作用,进而能够使该部分栅线上方的液晶分子的取向正常,进而能够有效避免整条栅线上方的液晶分子的取向不同的现象,能够有效减轻mura类不良。
本实用新型还提供一种触控显示装置,该触控显示装置包括以上所述的阵列基板和彩膜基板,以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶分子层。
由于该触控显示装置包括以上所述的阵列基板,因此,该触控显示装置具有和上述阵列基板相同的有益效果,此处不再进行赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的阵列基板的平面示意图;
图2为本实用新型实施例中的阵列基板的平面示意图一;
图3为本实用新型实施例中的阵列基板的平面示意图二;
图4为本实用新型实施例中的阵列基板的平面示意图三。
附图标记说明:
1—栅线; 2—触控电极;
3—数据线; A—第一部分;
B—第二部分; C—第三部分;
D—第四部分; 1’—现有技术中的栅线;
2’—现有技术中的触控电极。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例提供一种阵列基板,具体地,如图2所示,该阵列基板包括衬底基板1以及依次层叠设置于衬底基板1上的栅极金属层和触控电极层,栅极金属层和触控电极层相互绝缘,栅极金属层包括多条相互平行的栅线1,触控电极层包括多个触控电极2,在垂直于栅线1的延伸方向的方向上,相邻的两个触控电极2之间的间隙在栅极金属层所在平面的垂直投影,与该间隙对应的每条栅线1均部分重合。如无特殊说明,在本实用新型实施例中提及的“相邻的两个触控电极2”均指的是在垂直于栅线1的延伸方向的方向上,相邻的两个触控电极2。示例性地,当包括该阵列基板的触控显示装置的触控原理为互容时,上述触控电极2可以为触控驱动电极TX。
需要说明的是,上述“相邻的两个触控电极2之间的间隙在栅极金属层所在平面的垂直投影,与该间隙对应的每条栅线1均部分重合”指的是,若该间隙仅对应一条栅线1,则该间隙在栅极金属层所在平面的垂直投影,与该条栅线1部分重合,若该间隙仅对应多条栅线1,则该间隙在栅极金属层所在平面的垂直投影,与其对应的任意一条栅线1均部分重合。
本实用新型实施例提供的阵列基板具有如上所述的结构,由于相邻的两个触控电极之间的间隙在栅极金属层所在平面的垂直投影,与间隙对应的每条栅线均部分重合,从而使得每条栅线的一部分和位于其上方的液晶分子之间有触控电极,触控电极能够对该部分栅线的电场起到屏蔽作用,进而能够使该部分栅线上方的液晶分子的取向正常,进而能够有效避免整条栅线上方的液晶分子的取向不同的现象,能够有效减轻mura类不良。
满足“相邻的两个触控电极2之间的间隙在栅极金属层所在平面的垂直投影,与该间隙对应的每条栅线1均部分重合”的间隙的形状可以有多种,为了便于本领域技术人员理解和实施,下面本实用新型实施例对满足“相邻的两个触控电极2之间的间隙在栅极金属层所在平面的垂直投影,与该间隙对应的每条栅线1均部分重合”的间隙的形状进行举例说明。
可选地,在垂直于栅线1的延伸方向的方向上,相邻的两个触控电极2之间的间隙的形状可以为如图2和图3所示的折线形或者如图4所示的波浪线形。示例性地,当相邻的两个触控电极2之间的间隙的形状为折线形时,该间隙的具体结构可以为如图2所示的第一种结构和如图3所示的第二种结构。
具体地,如图2所示,具有第一种结构的间隙包括多个第一部分A和多个第二部分B,第一部分A和第二部分B交替连接,其中,第一部分A的延伸方向与栅线1的延伸方向相同,第二部分B的延伸方向与栅线1的延伸方向垂直。可选地,如图2所示,每个第一部分A与其相邻的两个第二部分B围成U字形或者倒U字形,当然,每个第一部分A与其连接的两个第二部分B也可以围成其他形状,此处不进行限定。
进一步地,当阵列基板还包括阵列排布的多个亚像素,每相邻的两条栅线1限定出一行亚像素时,相邻的两个触控电极2之间的间隙包括的各个部分的尺寸可以与亚像素的尺寸具有一定的对应关系,以使得该间隙不会位于各亚像素的显示区域内,进而保证间隙的设置不会影响各亚像素的正常显示。可选地,如图2所示,相邻的两个触控电极2之间的间隙包括的第一部分A的长度为一个亚像素的宽度,第二部分B的长度为一个亚像素的长度,进而能够有效防止一条栅线1中的很大长度的部分对应的液晶分子的取向不正常的现象出现,从而可以进一步减轻触控显示装置的mura类不良。
具体地,如图3所示,具有第二种结构的间隙包括多个第一部分A、多个第三部分C和多个第四部分D,每个第一部分A的两端分别与一个第三部分C和一个第四部分D连接,第一部分A的延伸方向与栅线1的延伸方向相同,第三部分C和第四部分D的延伸方向与栅线1的延伸方向之间具有夹角。第三部分C的延伸方向与栅线1的延伸方向之间的夹角可以与第四部分D的延伸方向与栅线1的延伸方向之间的夹角相等,第三部分C和第四部分D沿第一部分A的中线轴对称。可选地,每个第一部分A与其连接的第三部分C和第四部分D围成正梯形或者倒梯形,当然,每个第一部分A与其连接的第三部分C和第四部分D也可以围成其他形状,此处不进行限定。
需要补充的是,对于相邻的两个触控电极2之间的间隙如图3和图4所示时,优选该间隙位于子像素内的部分与该子像素对应的薄膜晶体管(图中未示出)的位置相对应,进而使得该间隙的设置不会对该子像素的显示效果产生不良影响。
当然,本领域技术人员知道的是,间隙的形状必然是由与之对应的相邻的两个触控电极2相对的边缘的形状决定的,因此,基于以上公开的间隙的形状的内容,本领域技术人员可以轻松获得与之对应的相邻的两个触控电极2相对的边缘的形状,本实用新型实施例不再进行赘述。
此外,本实用新型实施例中的阵列基板还包括位于栅极金属层和触控电极层之间的像素电极层,像素电极层分别与栅极金属层和触控电极层相互绝缘,像素电极层包括阵列排布的多个像素电极,像素电极为板状,触控电极层包括的每个触控电极2均具有狭缝,所有触控电极2在显示时间段内复用作公共电极,从而能够有效简化阵列基板的结构,有助于触控显示装置的轻薄化设计,以及成本的降低。此时,触控显示装置的显示模式为HADS模式。
当然,本实用新型实施例中的阵列基板必然还包括其他结构,对于其他结构的具体设置方式,本领域技术人员基于现有技术即可得出,此处不再进行赘述。示例性地,如图2、图3和图4所示,阵列基板还包括多条数据线3时,数据线3的延伸方向与栅线1的延伸方向相互垂直,多条栅线1和多条数据线3限定出多个像素单元。
另外,本实用新型实施例还提供了一种触控显示装置,该触控显示装置包括以上任一项所述的阵列基板和彩膜基板,以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层。由于该触控显示装置包括以上所述的阵列基板,因此,该触控显示装置具有和上述阵列基板相同的有益效果,此处不再进行赘述。其中,对于彩膜基板以及液晶分子层的具体结构,本领域技术人员基于现有技术即可得出,此处也不再进行赘述。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板,包括衬底基板以及依次层叠设置于所述衬底基板上的栅极金属层和触控电极层,所述栅极金属层和所述触控电极层相互绝缘,所述栅极金属层包括多条相互平行的栅线,所述触控电极层包括多个触控电极,其特征在于,在垂直于所述栅线的延伸方向的方向上,相邻的两个所述触控电极之间的间隙在所述栅极金属层所在平面的垂直投影,与所述间隙对应的每条所述栅线均部分重合。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,相邻的两个所述触控电极之间的间隙的形状为折线形。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,折线形的所述间隙包括多个第一部分和多个第二部分,所述第一部分和所述第二部分交替连接,所述第一部分的延伸方向与所述栅线的延伸方向相同,所述第二部分的延伸方向与所述栅线的延伸方向垂直。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,每个所述第一部分与其连接的两个所述第二部分围成U字形或者倒U字形。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括阵列排布的多个亚像素,每相邻的两条所述栅线限定出一行所述亚像素,所述第一部分的长度为一个所述亚像素的宽度,所述第二部分的长度为一个所述亚像素的长度。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,折线形的所述间隙包括多个第一部分、多个第三部分和多个第四部分,每个所述第一部分的两端分别与一个所述第三部分和一个所述第四部分连接,所述第一部分的延伸方向与所述栅线的延伸方向相同,所述第三部分和所述第四部分的延伸方向与所述栅线的延伸方向之间具有夹角。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,每个所述第一部分与其连接的所述第三部分和所述第四部分围成正梯形或者倒梯形。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,相邻的两个所述触控电极之间的间隙的形状为波浪线形。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述栅极金属层和所述触控电极层之间的像素电极层,所述像素电极层分别与所述栅极金属层和所述触控电极层相互绝缘,所述像素电极层包括阵列排布的多个像素电极,所述像素电极为板状,所述触控电极层包括的每个触控电极均具有狭缝,所有所述触控电极在显示时间段内复用作公共电极。
10.一种触控显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~9任一项所述的阵列基板和彩膜基板,以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶分子层。
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CN201620455522.5U CN205643946U (zh) | 2016-05-18 | 2016-05-18 | 一种阵列基板和触控显示装置 |
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