CN204681591U - 一种mems麦克风元件 - Google Patents
一种mems麦克风元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204681591U CN204681591U CN201520363225.3U CN201520363225U CN204681591U CN 204681591 U CN204681591 U CN 204681591U CN 201520363225 U CN201520363225 U CN 201520363225U CN 204681591 U CN204681591 U CN 204681591U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- capacitor
- mems microphone
- diaphragm
- pole plate
- vibrating diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 85
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 2
- 230000009699 differential effect Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000030808 detection of mechanical stimulus involved in sensory perception of sound Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种MEMS麦克风元件，包括：基底，基底上设置有上下贯通的第一开孔和第二开孔；并列设置于基底上方的第一电容和第二电容，第一电容设置在第一开孔之上，第二电容设置在第二开孔之上；第一电容包括位于下方的第一背极板以及位于上方的与第一背极板相对的第一振膜，第二电容包括位于上方的第二背极板以及位于下方的与第二背极板相对的第二振膜；第一电容和第二电容构成一对差分电容。本实用新型实现了差分电容式MEMS麦克风，有利于滤除外界电磁和噪声干扰，提高输出信号的信噪比和收音质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种麦克风，尤其涉及一种差分电容式MEMS麦克风元件。
背景技术
MEMS麦克风是一种用微机械加工技术制作出来的声电换能器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、薄型化发展，MEMS麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。
目前MEMS麦克风产品中包含一个基于电容检测的MEMS芯片和一个ASIC芯片，MEMS芯片的电容会随着输入声音信号的不同产生相应的变化，再利用ASIC芯片对变化的电容信号进行处理和输出从而实现对声音的拾取。MEMS芯片通常包括具有背腔的基底、在基底上方设置的由背极板和振膜构成的平行板电容器，振膜接收外界的声音信号并发生振动，从而使平行板电容器产生一个变化的电信号，实现声-电转换功能。
上述技术方案的问题在于，单个电容检测对外界的干扰信号无法滤除，影响输出信号的噪声水平，降低信噪比。
如果要将MEMS麦克风设计成传统的差分式电容检测，采用三层膜的结构，上下两层膜作为背极板，中间层作为振膜，振膜分别与上下层的背极板形成电容，这两个电容组成差分电容。在有声波作用在中间位置上的振膜时，振膜上下振动，进而差分电容中的一个增加，另一个减小，从而实现声波的差分检测。但这种方案的问题在于，工艺比较复杂，且很难控制上下背极板到振膜的间距相同，所以差分电容的静态电容和灵敏度都很难一致，削弱了差分的效果，与最初的目的相背离。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种性能良好的差分电容式MEMS麦克风元件。
本实用新型提出了一种MEMS麦克风元件，包括：基底，所述基底上设置有上下贯通的第一开孔和第二开孔；并列设置于所述基底上方的第一电容和第二电容，所述第一电容设置在所述第一开孔之上，所述第二电容设置在所述第二开孔之上；所述第一电容包括位于下方的第一背极板以及位于上方的与第一背极板相对的第一振膜，所述第二电容包括位于上方的第二背极板以及位于下方的与第二背极板相对的第二振膜；所述第一电容和第二电容共同构成差分电容。
优选的，所述第一振膜和第二背极板的材质相同，所述第一背极板和第二振膜的材质相同。
优选的，所述第一振膜和第二振膜电连接在一起作为所述差分电容的公共可动极板。
优选的，所述第一背极板以及第二背极板的感应部分分别设置有多个通孔。
优选的，所述第一振膜以及第二振膜的中心位置分别设置有通孔。
优选的，所述第一背极板、第一振膜、第二背极板以及第二振膜由下列材料任意之一形成：多晶硅、氮化硅上附加多晶硅层、氮化硅上附加金属层。
优选的，所述基底包括衬底和衬底上方的第一隔离层。
优选的，所述第一隔离层的材质为氧化硅。
优选的，所述第一固定极板和第一振膜之间以及所述第二固定极板和第二振膜之间分别设置有第二隔离层，以分别在第一固定极板和第一振膜之间、第二固定极板和第二振膜之间形成间隙。
优选的，所述MEMS麦克风元件适用于声音信号从MEMS麦克风元件上方或者下方进入的两种产品结构。
本实用新型的差分电容式MEMS麦克风，将一对差分电容并排设计，通过两层膜来实现差分检测，本实用新型具有以下有益效果：
1.实现差分电容式MEMS麦克风，有利于滤除外界电磁和噪声干扰，提高输出信号的信噪比和收音质量。
2.由于差分电容的背极板和可动极板之间的间隙是在同一步骤完成的，差分电容的间距可以做到完全一致，提高了差分的效果。
3.制造工艺流程简单并且容易控制。工艺流程与目前的单电容式MEMS麦克风的工艺完全兼容，不需要做出工艺的变动。
本实用新型的发明人发现，在现有技术中，还没有双层膜结构的单芯片差分电容式MEMS麦克风，因此本实用新型是一种新的技术方案。
通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本实用新型的实施例，并且连同其说明一起用于解释本实用新型的原理。
图1-2是本实用新型MEMS麦克风实施例的结构示意图。
图3-4是本实用新型MEMS麦克风的差分检测的原理示意图。
图5-14是本实用新型MEMS麦克风的制造过程的各个阶段的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
针对以上提出的问题，本专利提出一种新型的差分电容式MEMS麦克风。将一对差分电容并排设计，通过两层膜来实现，降低了工艺难度。
参考图1-2所示为本实用新型的基本结构，包括：基底1，基底1包括衬底100和位于衬底100上方的第一隔离层200。基底1上设置有上下贯通的第一开孔101和上下贯通的第二开孔102。并列设置于基底1上方的第一电容C1和第二电容C2，第一电容C1设置在第一开孔101之上，第二电容C2设置在第二开孔102之上。第一电容C1包括位于下方的第一背极板12、以及位于上方的与第一背极板12相对的第一振膜11，第二电容C2包括位于上方的第二背极板22以及位于下方的与第二背极板22相对的第二振膜21。第一背极板12和第一振膜11之间、第二背极板22和第二振膜21之间分别设置有第二隔离层400，以在第一背极板12和第一振膜11之间、第二背极板22和第二振膜21之间形成间隙109。
第一背极板12和第二背极板22为固定极板，第一振膜11和第二振膜21为可动极板。
第一电容C1和第二电容C2构成一对差分电容，第一振膜11和第二振膜21电连接在一起作为差分电容的公共可动极板，第一背极板12和第二振膜21之间通过绝缘层106隔离开，第一振膜11和第二背极板22之间通过隔离槽108隔离开。
其中，第一背极板12以及第二背极板22的感应部分分别设置有多个通孔104，第一振膜11以及第二振膜21的中心位置分别设置有通孔103，通孔103和104共同起到传导声音及平衡声压的作用。
其中，第一振膜11和第二背极板22的材质相同，第一背极板12和第二振膜21的材质相同。其中，第一电容C1的背极板12的厚度可以等于或者大于可动极板11的厚度，第二电容C2的背极板22的厚度可以等于或者大于可动极板21的厚度。
其中，第一背极板12、第一振膜11、第二背极板22以及第二振膜21由下列材料任意之一形成：多晶硅、氮化硅上附加多晶硅层、氮化硅上附加金属层。第一隔离层200的材质例如为氧化硅。第二隔离层400例如可以为氧化物层，绝缘层106可以是第2隔离层400的一部分。
从图1中可以看出，MEMS麦克风元件适用于声音信号从MEMS麦克风元件上方进入的TOP产品结构，也适用于声音信号下方进入的BOTTOM产品结构。
从图1-2中可以看出，本实用新型在单个芯片内设置有两个MEMS结构。第一电容C1的振膜11在上，背极板12在下；第二电容C2的振膜21在下，背极板22在上。第一电容C1的背极板12和第二电容C2的振膜21是同时制作的，为同样材质，例如都为多晶硅，或者都为氮化硅附加金属层的材质；第一电容C1的振膜11和第二电容C2的背极板22是同时制作的，也为同样材质，例如都为多晶硅。第一电容C1的背极板12和第二电容C2的振膜21是由第一极板材料层300形成的，第一电容C1的振膜11和第二电容C2的背极板22是由第二极板材料层500形成的，
本实用新型通过特殊的工艺设计，将第一电容C1的振膜和第二电容C2的振膜电连接在一起，作为差分电容的公共可动极板。在有声波作用时，第一电容C1增加则第二电容C2就会减小，第一电容C1减小则第二电容C2增加。具体来说，在没有声波作用时，C1＝C2＝C0。当声波从声孔进入到麦克风内部时：
如果声压向下作用，参考图3所示，第一振膜11向下运动，导致第一振膜11和第一背极板12之间的间距减小，第一电容C1增大；第二振膜21也向下运动，导致第二振膜21和第二背极板22之间的间距增大，第二电容C2减小。从而第一电容C1>C0>第二电容C2。
如果声压向上作用，参考图4所示，第一振膜11向上运动，导致第一振膜11和第一背极板12之间的间距增大，第一电容C1减小；第二振膜21也向上运动，导致第二振膜21和第二背极板22之间的间距减小，第二电容C2增大。从而第一电容C1<C0<第二电容C2。
本实用新型这样的差分设计有利于滤除外界电磁和噪声干扰，提高输出信号的信噪比和收音质量。
下面参考图5-14介绍本实用新型MEMS麦克风的制造工艺过程：
1)参考图5所示，提供衬底100；
2)参考图6所示，在衬底100上生长第一隔离层200，第一隔离层200例如选用氧化硅；
3)参考图7所示，在第一隔离层200生长第一极板材料层300，第一极板材料层300例如选用多晶硅；
4)参考图8所示，对第一极板材料层300进行构图和刻蚀以形成第一电容C1的背极板12、第二电容C2的可动极板21，以及隔离第一电容C1的背极板12和第二电容C2的可动极板21的第一隔离槽105；从图8中可以看出，在第一电容C1的背极板12上开设有多个通孔104以及在第二电容C2的可动极板21的中心位置开设有通孔103；
5)参考图9所示，在第一极板材料层300上沉积第二隔离层400，第二隔离层400例如选用氧化物；
6)参考图10所示，在第二电容C2的可动极板21上方的第二隔离层400上开设连接窗口107，用以连接第一电容C1的可动极板11和第二电容C2的可动极板21；
7)参考图11所示，在第二隔离层400直接生长第二极板材料层500，第二极板材料层500例如选用多晶硅；
8)参考图12所示，对第二极板材料层500进行构图和刻蚀以形成第一电容C1的可动极板11、第二电容C2的背极板22、以及隔离第一电容C1的可动极板11和第二电容C2的背极板22的隔离槽108；从图12中可以看出，第一电容C1的可动极板11，也就是第一振膜11，与第二电容C2的可动极板21，也就是第二振膜21，在连接窗口107处连接到一起。
9)参考图13所示，通过DRIE工艺(Deep Reactive Ion Etching深反应离子刻蚀)从下方刻蚀衬底100，形成第一MEMS结构和第二MME结构的背腔。
10)通过两步释放工艺释放结构，完成整个器件加工。参考图14所示，先从底部刻蚀第一MEMS结构的第一隔离层200和第二隔离层400，以及第二MEMS结构的第一隔离层200，这一步完成后，第一电容C1的下方形成贯通的第一开孔101以及第二电容C2下方形成贯通的第二开孔102，并且在第一电容C1的背极板12和振膜11之间形成间隙109。然后从顶部刻蚀第二MEMS结构的第二隔离层400，在第二电容C2的背极板22和振膜21之间形成间隙109。
需要注意的是，本工艺流程仅仅是示例性流程，如有需要，可以将第一电容C1和第二电容C2的背极板的厚度制作得比第一电容C1和第二电容C2的振膜的厚度更厚。
本实用新型的差分电容式MEMS麦克风，将一对差分电容并排设计，通过两层膜来实现差分检测，本实用新型具有以下有益效果：
1.实现差分电容式MEMS麦克风，有利于滤除外界电磁和噪声干扰，提高输出信号的信噪比和收音质量。
2.由于差分电容的背极板和可动极板之间的间隙是在同一步骤完成的，差分电容的间距可以做到完全一致，提高了差分的效果。
3.制造工艺流程简单并且容易控制。工艺流程与目前的单电容式MEMS麦克风的工艺完全兼容，不需要做出工艺的变动。
虽然已经通过例子对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种MEMS麦克风元件，其特征在于，包括：
基底(1)，所述基底(1)上设置有上下贯通的第一开孔(101)和第二开孔(102)；
并列设置于所述基底(1)上方的第一电容(C1)和第二电容(C2)，所述第一电容(C1)设置在所述第一开孔(101)之上，所述第二电容(C2)设置在所述第二开孔(102)之上；
所述第一电容(C1)包括位于下方的第一背极板(12)以及位于上方的与第一背极板(12)相对的第一振膜(11)，所述第二电容(C2)包括位于上方的第二背极板(22)以及位于下方的与第二背极板(22)相对的第二振膜(21)；
所述第一电容(C1)和第二电容(C2)共同构成差分电容。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风元件，其特征在于，所述第一振膜(11)和第二背极板(22)的材质相同，所述第一背极板(12)和第二振膜(21)的材质相同。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风元件，其特征在于，所述第一振膜(11)和第二振膜(21)电连接在一起作为所述差分电容的公共可动极板。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风元件，其特征在于，所述第一背极板(12)以及第二背极板(22)的感应部分分别设置有多个通孔(104)。
5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风元件，其特征在于，所述第一振膜(11)以及第二振膜(21)的中心位置分别设置有通孔(103)。
6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风元件，其特征在于，所述第一背极板(12)、第一振膜(11)、第二背极板(22)以及第二振膜(21)由下列材料任意之一形成：多晶硅、氮化硅上附加多晶硅层、氮化硅上附加金属层。
7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风元件，其特征在于，所述基底(1)包括衬底(100)和衬底(100)上方的第一隔离层(200)。
8.根据权利要求7所述的MEMS麦克风元件，其特征在于，所述第一隔离层(200)的材质为氧化硅。
9.根据权利要求1所述的MEMS麦克风元件，其特征在于，所述第一背极板(12)和第一振膜(11)之间以及所述第二背极板(22)和第二振膜(21)之间分别设置有第二隔离层，以分别在第一背极板和第一振膜(11)之间、第二背极板和第二振膜(21)之间形成间隙(109)。
10.根据权利要求1-9任一项所述的MEMS麦克风元件，其特征在于，所述MEMS麦克风元件适用于声音信号从MEMS麦克风元件上方或者下方进入的两种产品结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520363225.3U CN204681591U (zh) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | 一种mems麦克风元件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520363225.3U CN204681591U (zh) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | 一种mems麦克风元件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204681591U true CN204681591U (zh) | 2015-09-30 |
Family
ID=54181257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201520363225.3U Active CN204681591U (zh) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | 一种mems麦克风元件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204681591U (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104902414A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-09 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种mems麦克风元件及其制造方法 |
| CN108235203A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-06-29 | 钰太芯微电子科技（上海）有限公司 | 一种自适应跟踪偏置电压的方法及麦克风装置 |
| WO2021248930A1 (zh) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| WO2021248928A1 (zh) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| WO2023202417A1 (zh) * | 2022-04-20 | 2023-10-26 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 一种麦克风组件及电子设备 |
-
2015
- 2015-05-29 CN CN201520363225.3U patent/CN204681591U/zh active Active
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104902414A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-09 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种mems麦克风元件及其制造方法 |
| WO2016192359A1 (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种mems麦克风元件及其制造方法 |
| CN108235203A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-06-29 | 钰太芯微电子科技（上海）有限公司 | 一种自适应跟踪偏置电压的方法及麦克风装置 |
| WO2021248930A1 (zh) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| WO2021248928A1 (zh) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| US12143772B2 (en) | 2020-06-09 | 2024-11-12 | Gmems Tech Shenzhen Limited | Silicon-based microphone device and electronic device |
| WO2023202417A1 (zh) * | 2022-04-20 | 2023-10-26 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 一种麦克风组件及电子设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2016192359A1 (zh) | 一种mems麦克风元件及其制造方法 | |
| CN103563399B (zh) | Cmos兼容的硅差分电容器麦克风及其制造方法 | |
| CN204652659U (zh) | 一种差分电容式mems麦克风 | |
| CN204681591U (zh) | 一种mems麦克风元件 | |
| CN101835079B (zh) | 一种电容式微型硅麦克风及其制备方法 | |
| US10362408B2 (en) | Differential MEMS microphone | |
| WO2016192358A1 (zh) | 一种差分电容式mems麦克风 | |
| US8989411B2 (en) | Differential microphone with sealed backside cavities and diaphragms coupled to a rocking structure thereby providing resistance to deflection under atmospheric pressure and providing a directional response to sound pressure | |
| WO2015196468A1 (en) | Silicon microphone with suspended diaphragm and system with the same | |
| CN205051874U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN105792084A (zh) | Mems麦克风及其制造方法 | |
| CN105492373A (zh) | 具有高深厚比褶皱振膜的硅麦克风和有该硅麦克风的封装 | |
| CN108419193A (zh) | 具有频率选择功能的电容式mems麦克风及其制作方法 | |
| CN206640795U (zh) | 一种电容式麦克风芯片 | |
| CN103067838B (zh) | 一种高灵敏度压电式硅麦克风的制备方法 | |
| CN204681590U (zh) | Mems麦克风、压力传感器集成结构 | |
| CN104378724A (zh) | 一种无背部大声学腔体的mems硅麦克风 | |
| CN203027480U (zh) | 一种高灵敏度压电式硅麦克风 | |
| CN104754480B (zh) | 微型机电系统麦克风及其制造方法 | |
| CN104105041A (zh) | 硅基mems麦克风及其制作方法 | |
| CN103347241B (zh) | 电容式硅麦克风芯片及其制备方法 | |
| CN106488369A (zh) | 一种双背极mems发声装置及电子设备 | |
| CN201699978U (zh) | 一种电容式微型硅麦克风 | |
| CN204733382U (zh) | 一种mems麦克风 | |
| CN101835080A (zh) | 硅基麦克风 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee after: Goertek Inc. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee before: Goertek Inc. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200610 Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province Patentee after: Goer Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee before: GOERTEK Inc. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: F / F, phase II, Qingdao International Innovation Park, 1 Keyuan Weiyi Road, Laoshan District, Qingdao City, Shandong Province, 266104 Patentee after: Geer Microelectronics Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: Room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao City, Shandong Province 266104 Patentee before: Goer Microelectronics Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CP03 | Change of name, title or address |