CN204652659U - 一种差分电容式mems麦克风 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- Pressure Sensors (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种差分电容式MEMS麦克风，包括：线路板、第一MEMS芯片、以及第二MEMS芯片；第一MEMS芯片包括设置在线路板上的第一基底，设置在第一基底上的第一电容，包括位于上方的第一背极板、位于下方的第一振膜、以及设置在第一背极板和第一振膜之间的第一隔离层；第二MEMS芯片包括设置在线路板上的第二基底，设置在第二基底上的第二电容，包括位于下方的第二背极板、位于上方的第二振膜、以及设置在第二背极板和第二振膜之间的第二隔离层；第一电容和第二电容构成一对差分电容。本实用新型的差分电容式MEMS麦克风可以滤除外界的噪声信号，提高信噪比，提高麦克风产品的性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种麦克风，尤其涉及一种差分电容式MEMS麦克风。
背景技术
MEMS麦克风是一种用微机械加工技术制作出来的声电换能器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、薄型化发展，MEMS麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。
目前MEMS麦克风产品中包含一个基于电容检测的MEMS芯片和一个ASIC芯片，MEMS芯片的电容会随着输入声音信号的不同产生相应的变化，再利用ASIC芯片对变化的电容信号进行处理和输出从而实现对声音的拾取。MEMS芯片通常包括具有背腔的基底、在基底上方设置的由背极板和振膜构成的平行板电容器，振膜接收外界的声音信号并发生振动，从而使平行板电容器产生一个变化的电信号，实现声-电转换功能。
上述技术方案的问题在于，单个电容检测对外界的干扰信号无法滤除，影响输出信号的噪声水平，无法达到较高的信噪比。
发明内容
本发明的目的是提供一种差分电容式MEMS麦克风以降低噪声，提高信噪比。
本发明提供了一种差分电容式MEMS麦克风，包括：线路板、第一MEMS芯片、以及第二MEMS芯片；所述第一MEMS芯片包括：设置在所述线路板上的第一基底，所述第一基底设置有上下贯通的第一开孔；设置在所述第一基底上的第一电容，所述第一电容包括位于上方的第一背极板、位于下方的与所述第一背极板相对的第一振膜、以及设置在所述第一背极板和第一振膜之间的第一隔离层；所述第二MEMS芯片包括：设置在所述线路板上的第二基底，所述第二基底设置有上下贯通的第二开孔；设置在所述第二基底上的第二电容，所述第二电容包括位于下方的第二背极板、位于上方的与所述第二背极板相对的第二振膜、以及设置在所述第二背极板和第二振膜之间的第二隔离层；所述第一电容和所述第二电容共同构成差分电容。
优选的，所述第一背极板和第二背极板的感应部分分别设置有多个通孔。
优选的，所述第一振膜和所述第二振膜的中心位置分别设置有若干细小的通孔。
优选的，还包括与所述线路板围成封装腔体的外壳，所述第一MEMS芯片和第二MEMS芯片位于所述封装腔体内部。
优选的，所述外壳上开设有声孔。
优选的，所述线路板在第一开孔位置处开设第一声孔，在第二开孔位置处开设第二声孔。
优选的，所述线路板与所述外壳结合的一侧为线路板的内侧；所述线路板的内侧分别开设有连通第一开孔的第一声孔和连通第二开孔的第二声孔，所述线路板的外侧开设有第三声孔；所述第三声孔位于所述第一声孔和第二声孔中间，所述第一声孔经由第一通道与所述第三声孔连通，所述第二声孔经由第二通道与所述第三声孔连通。
优选的，所述第一背极板、第一振膜、第二背极板、第二振膜均为多晶硅材质；
优选的，所述第一背极板、第一振膜、第二背极板、第二振膜上分别设置有金属连接点。
优选的，还包括设置于所述线路板上的ASIC芯片，所述ASIC芯片上设置有第一、第二、第三连接部；其中，所述第一连接部和第一背极板连接，所述第二连接部与第二背极板连接，所述第三连接部分别与第一振膜和第二振膜连接。
本发明的发明人发现，在现有技术中尚没有差分电容式MEMS麦克风。因此本发明是一种新的技术方案。本发明的差分电容式MEMS麦克风，可以滤除外界的噪声信号，提高信噪比，提高麦克风产品的性能。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明差分电容式MEMS麦克风第一实施例的结构示意图。
图2是第一实施例声压向下作用的振膜变形示意图。
图3是第一实施例声压向上作用的振膜变形示意图。
图4是本发明差分电容式MEMS麦克风第二实施例的结构示意图。
图5是本发明差分电容式MEMS麦克风第三实施例的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
参考图1-3所示是本发明差分电容式MEMS麦克风的第一实施例：
由线路板4和外壳5围成封装腔体，在封装腔体内部设置有第一MEMS芯片1、第二MEM芯片2、以及ASIC芯片3，外壳5上开设有声孔51。
第一MEMS芯片1包括：设置在线路板4上的第一基底11，第一基底11设置有上下贯通的第一开孔111；设置在第一基底11上并与第一基底11绝缘相连的第一电容，第一电容包括位于上方的第一背极板14、位于下方的与第一背极板14相对的第一振膜12、以及设置在第一背极板14和第一振膜12之间使两者保持间隙的第一隔离层13。
第二MEMS芯片2包括：设置在线路板4上的第二基底21，第二基底21设置有上下贯通的第二开孔211；设置在第二基底21上并与第二基底21绝缘相连的第二电容，第二电容包括位于下方的第二背极板24、位于上方的与第二背极板24相对的第二振膜22、以及设置在第二背极板24和第二振膜22之间使两者保持间隙的第二隔离层23。
第一背极板14和第二背极板24为固定极板，第一振膜12和第二振膜22为可动极板。
第一背极板14和第二背极板24的感应部分分别设置有多个通孔100，第一振膜12和第二振膜22的中心位置分别设置有若干细小的通孔200，通孔100起到传导声音的作用，通孔200起到平衡气压的作用。
第一背极板14、第一振膜12、第二背极板24、第二振膜22上分别设置有金属连接点，ASIC芯片3上设置有第一、第二、第三连接部；其中，ASIC芯片3的第一连接部和第一背极板14的金属连接点连接，第二连接部与第二背极板24的金属连接点连接，第三连接部分别与第一振膜12的金属连接点和第二振膜22的金属连接点连接。第一电容和第二电容构成一对差分电容。第一、第二、第三连接部例如为焊盘。
本发明在MEMS麦克风产品中，采用两颗MEMS芯片来进行声波信号的采集，这两颗MEMS芯片有所不同，一颗背极板在上，振膜在下，另外一颗振膜在上，背极板在下，两颗MEMS芯片组成一对差分电容。当有声波进入MEMS麦克风内部后，第一MEMS芯片1和第二MEMS芯片2的电容一个增加，另一个减小。对两颗MEMS芯片的电容变化进行差分，就可以滤除外界的噪声信号提高信噪比。
具体来说，第一MEMS芯片1的第一电容表示为C1，第二MEMS芯片2的第二电容表示为C2，在没有声波作用时，C1＝C2＝C0。当有声波从声孔51进入到麦克风内部时：
如果声压向下作用，参考图2所示，第一振膜12向下运动，导致第一振膜12和第一背极板14之间的间距增加，第一电容C1减小；第二振膜22也向下运动，导致第二振膜22和第二背极板24之间的间距减小，第二电容C2增大。从而第一电容C1<C0<第二电容C2。
如果声压向上作用，参考图3所示，第一振膜12向上运动，导致第一振膜12和第一背极板14之间的间距减小，第一电容C1增大；第二振膜22也向上运动，导致第二振膜22和第二背极板24之间的间距增大，第二电容C2减小。从而第一电容C1>C0>第二电容C2。
第一背极板14、第一振膜12、第二背极板24、第二振膜22均为多晶硅材质；或者第一背极板14、第一振膜12、第二背极板24、第二振膜22均包括氮化硅层和多晶硅层；或者第一背极板14、第一振膜12、第二背极板24、第二振膜22均包括氮化硅层和金属层。氮化硅层主要起支撑作用，多晶硅层或金属层作为电容的极板使用。
参考图4所示是本发明差分电容式MEMS麦克风的第二实施例，和第一实施例的不同之处在于，将麦克风从TOP结构改变为BOTTOM结构，线路板4在第一开孔111位置处开设第一MEMS芯片1的声孔41，在第二开孔211位置处开设第二MEMS芯片的声孔42，这样就可以满足从麦克风下方进音的需求。
参考图5所示是本发明差分电容式MEMS麦克风的第三实施例，和第二实施例的不同之处在于，线路板4与外壳5结合的一侧为线路板4的内侧，另一侧为线路板4的外侧。在线路板4的内侧分别开设有连通第一开孔111的第一声孔41和连通第二开孔211的第二声孔42，线路板4的外侧开设有第三声孔43；第三声孔43位于第一声孔41和第二声孔42中间，第一声孔41经由第一通道44与第三声孔43连通，第二声孔42经由第二通道45与第三声孔43连通。第三实施例在线路板4的中间做出通道，可以使声波进入第三声孔43后，经由第一通道44和第一声孔41到达第一MEMS芯片的振膜，以及经由第二通道45和第二声孔42到达第二MEMS芯片2的振膜。该方案可以对MEMS芯片提供一定的保护，防止粉尘或固体颗粒进入MEMS芯片内部对MEMS芯片的振膜造成破坏。
本发明的差分电容式MEMS麦克风，可以滤除外界的噪声信号，提高信噪比，提高麦克风产品的性能。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种差分电容式MEMS麦克风，其特征在于，包括：
线路板(4)、第一MEMS芯片(1)、以及第二MEMS芯片(2)；
所述第一MEMS芯片(1)包括：设置在所述线路板(4)上的第一基底(11)，所述第一基底(11)设置有上下贯通的第一开孔(111)；设置在所述第一基底上(11)的第一电容，所述第一电容包括位于上方的第一背极板(14)、位于下方的与所述第一背极板(14)相对的第一振膜(12)、以及设置在所述第一背极板(14)和第一振膜(12)之间的第一隔离层(13)；
所述第二MEMS芯片(2)包括：设置在所述线路板(4)上的第二基底(21)，所述第二基底(21)设置有上下贯通的第二开孔(211)；设置在所述第二基底(21)上的第二电容，所述第二电容包括位于下方的第二背极板(24)、位于上方的与所述第二背极板(24)相对的第二振膜(22)、以及设置在所述第二背极板(24)和第二振膜(22)之间的第二隔离层；
所述第一电容和所述第二电容共同构成差分电容。
2.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述第一背极板(14)和第二背极板(24)的感应部分分别设置有多个通孔(100)。
3.根据权利要求2所述的麦克风，其特征在于，所述第一振膜(12)和所述第二振膜(22)的中心位置分别设置有若干细小的通孔(200)。
4.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，还包括与所述线路板(4)围成封装腔体的外壳(5)，所述第一MEMS芯片(1)和第二MEMS芯片(2)位于所述封装腔体内部。
5.根据权利要求4所述的麦克风，其特征在于，所述外壳(5)上开设有声孔(51)。
6.根据权利要求4所述的麦克风，其特征在于，所述线路板(4)在第一开孔(111)位置处开设第一声孔(41)，在第二开孔(211)位置处开设第二声孔(42)。
7.根据权利要求4所述的麦克风，其特征在于，所述线路板(4)与所述外壳(5)结合的一侧为线路板(4)的内侧；所述线路板(4)的内侧分 别开设有连通第一开孔(111)的第一声孔(41)和连通第二开孔(211)的第二声孔(42)，所述线路板(4)的外侧开设有第三声孔(43)；所述第三声孔(43)位于所述第一声孔(41)和第二声孔(42)中间，所述第一声孔(41)经由第一通道(44)与所述第三声孔(43)连通，所述第二声孔(42)经由第二通道(45)与所述第三声孔(43)连通。
8.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述第一背极板(14)、第一振膜(12)、第二背极板(24)、第二振膜(22)均为多晶硅材质。
9.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述第一背极板(14)、第一振膜(12)、第二背极板(24)、第二振膜(22)上分别设置有金属连接点。
10.根据权利要求1-9任一项所述的麦克风，其特征在于，还包括设置于所述线路板上的ASIC芯片(3)，所述ASIC芯片(3)上设置有第一、第二、第三连接部；其中，所述第一连接部和第一背极板(14)连接，所述第二连接部与第二背极板(24)连接，所述第三连接部分别与第一振膜(12)和第二振膜(22)连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520364822.8U CN204652659U (zh) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | 一种差分电容式mems麦克风 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520364822.8U CN204652659U (zh) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | 一种差分电容式mems麦克风 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204652659U true CN204652659U (zh) | 2015-09-16 |
Family
ID=54105365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201520364822.8U Active CN204652659U (zh) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | 一种差分电容式mems麦克风 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204652659U (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104902415A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-09 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种差分电容式mems麦克风 |
| CN109451383A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-08 | 华景科技无锡有限公司 | 一种麦克风 |
| CN110631759A (zh) * | 2019-09-29 | 2019-12-31 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 差压传感器封装结构及电子设备 |
| CN111337187A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-06-26 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 一种微差压模组的封装结构 |
| CN112492491A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-03-12 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | Mems麦克风、微机电结构及其制造方法 |
| CN113259820A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-08-13 | 歌尔微电子股份有限公司 | 麦克风 |
| CN113415781A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-09-21 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 双mems芯片封装结构和双mems芯片封装方法 |
| CN113784265A (zh) * | 2020-06-09 | 2021-12-10 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| CN113784266A (zh) * | 2020-06-09 | 2021-12-10 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| CN113949979A (zh) * | 2020-07-17 | 2022-01-18 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 声音采集装置、声音处理设备及方法、装置、存储介质 |
| CN114205721A (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-18 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| TWI790578B (zh) * | 2020-06-09 | 2023-01-21 | 大陸商通用微（深圳）科技有限公司 | 矽基麥克風裝置及電子設備 |
-
2015
- 2015-05-29 CN CN201520364822.8U patent/CN204652659U/zh active Active
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104902415A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-09 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种差分电容式mems麦克风 |
| WO2016192358A1 (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种差分电容式mems麦克风 |
| CN109451383A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-08 | 华景科技无锡有限公司 | 一种麦克风 |
| CN110631759A (zh) * | 2019-09-29 | 2019-12-31 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 差压传感器封装结构及电子设备 |
| CN111337187A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-06-26 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 一种微差压模组的封装结构 |
| CN113784265A (zh) * | 2020-06-09 | 2021-12-10 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| TWI790577B (zh) * | 2020-06-09 | 2023-01-21 | 大陸商通用微（深圳）科技有限公司 | 矽基麥克風裝置及電子設備 |
| TWI824236B (zh) * | 2020-06-09 | 2023-12-01 | 大陸商通用微（深圳）科技有限公司 | 矽基麥克風裝置及電子設備 |
| TWI790578B (zh) * | 2020-06-09 | 2023-01-21 | 大陸商通用微（深圳）科技有限公司 | 矽基麥克風裝置及電子設備 |
| CN113784266A (zh) * | 2020-06-09 | 2021-12-10 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| CN113949979A (zh) * | 2020-07-17 | 2022-01-18 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 声音采集装置、声音处理设备及方法、装置、存储介质 |
| CN113949976A (zh) * | 2020-07-17 | 2022-01-18 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 声音采集装置、声音处理设备及方法、装置、存储介质 |
| CN113949976B (zh) * | 2020-07-17 | 2022-11-15 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 声音采集装置、声音处理设备及方法、装置、存储介质 |
| CN114205721A (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-18 | 通用微(深圳)科技有限公司 | 硅基麦克风装置及电子设备 |
| CN112492491A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-03-12 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | Mems麦克风、微机电结构及其制造方法 |
| CN113259820A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-08-13 | 歌尔微电子股份有限公司 | 麦克风 |
| CN113259820B (zh) * | 2021-04-26 | 2023-03-14 | 歌尔微电子股份有限公司 | 麦克风 |
| CN113415781B (zh) * | 2021-06-17 | 2023-05-23 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 双mems芯片封装结构和双mems芯片封装方法 |
| CN113415781A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-09-21 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 双mems芯片封装结构和双mems芯片封装方法 |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
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| CP03 | Change of name, title or address | ||
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