CN203912198U - 抗干扰的电容式麦克风 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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Abstract
本实用新型公开了一种抗干扰的电容式麦克风，涉及声电产品技术领域，包括声电转换模块，所述声电转换模块的一端电连接一场效应管的栅极G，所述声电转换模块的另一端与所述场效应管的源极S短接，所述场效应管的漏极D与所述源极S之间并联有抗干扰电路，所述抗干扰电路与所述漏极D电连接的一端电连接信号输出端子，所述抗干扰电路与所述源极S电连接的一端电连接接地端子，所述抗干扰电路包括同时并联在所述漏极D和所述源极S之间的电容C1和电容C2，还包括串联在所述漏极D与所述信号输出端子之间的磁珠FB1，及串联在所述源极S与所述接地端子之间的磁珠FB2。此麦克风抗干扰能力强，声学性能好，品质更高。
Description
技术领域
本实用新型涉及声电产品技术领域，特别涉及一种抗干扰的电容式麦克风。
背景技术
电容式麦克风是利用电容大小的变化，将声音信号转化为电信号，也称为驻极体麦克风。由于此种麦克风的信号内阻很大，为了将声音产生的电压信号引出来并加以放大，其输出端必须使用场效应管，故现有的电容式麦克风的电路原理图如图1所示：包括声电转换模块ECM，声电转换模块ECM为麦克风中的固定极板和可移动的振膜及其它辅助零件组成的可变电容器，声电转换模块ECM的一端电连接场效应管FET的栅极G，声电转换模组的另一端接地(即电连接接地端子B)，场效应管FET的漏极D电连接信号输出端子A，场效应管的源极S接地(即电连接接地端子B)。为了降低干扰信号对麦克风的影响，减少麦克风的噪音，技术人员在场效应管FET的漏极D和源极S之间并联了抗干扰器件C，抗干扰器件C包括同时并联在场效应管FET的漏极D和源极S之间的电容C1和电容C2。由于电容过滤的干扰信号的频率一般在900MHz～1800MHz之间，然而在麦克风的工作环境中还存在一些频率在900MHz～1800MHz之外的干扰信号，如频率在100MHz～900MHz及1800MHz～3000MHz之间的干扰信号,现有的电容式麦克风的电路根本不能有效滤除掉频率在100MHz～900MHz及1800MHz～3000MHz之间的噪声，而这些干扰信号同样会使得麦克风产生噪音等不良，降低了电容式麦克风的品质,严重时影响到麦克风的性能。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种抗干扰的电容式麦克风，对100MHz～3000MHz的干扰信号都有较好的滤波效果,声学性能更好，品质更高。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：
一种抗干扰的电容式麦克风，包括声电转换模块，所述声电转换模块的一端电连接一场效应管的栅极G，所述声电转换模块的另一端与所述场效应管的源极S短接，所述场效应管的漏极D与所述源极S之间并联有抗干扰电路，所述抗干扰电路与所述漏极D电连接的一端电连接信号输出端子，所述抗干扰电路与所述源极S电连接的一端电连接接地端子，所述抗干扰电路包括同时并联在所述漏极D和所述源极S之间的电容C1和电容C2，还包括串联在所述漏极D与所述信号输出端子之间的磁珠FB1，及串联在所述源极S与所述接地端子之间的磁珠FB2。
作为一种实施方式，所述磁珠FB1串联在所述漏极D与所述电容C1的一端之间，所述磁珠FB2串联在所述源极S与所述电容C1的另一端之间。
作为另一种实施方式，所述磁珠FB1串联在所述电容C2的一端与所述信号输出端子之间，所述磁珠FB2串联在所述电容C2的另一端与所述接地端子之间。
其中，所述磁珠FB1和所述磁珠FB2的规格均为100MHz，100Ω～1800Ω。
其中，所述电容C1和所述电容C2的容值均为10pF～100pF。
采用了上述技术方案后，本实用新型的有益效果是：
由于本实用新型抗干扰的电容式麦克风包括声电转换模块，声电转换模块电连接有场效应管，场效应管电连接有抗干扰电路，抗干扰电路包括同时并联在场效应管的漏极D和源极S之间的电容C1和电容C2，还包括串联在场效应管的漏极D与信号输出端子间的磁珠FB1，及串联在场效应管的源极S与接地端子之间的磁珠FB2。电容C1和电容C2可以过滤掉频段在900MHz～1800MHz的干扰信号，磁珠FB1和磁珠FB2可以过滤掉频段在100MHz附近的干扰信号。本实用新型电容式麦克风的抗干扰电路采用电容与磁珠相结合的结构，不仅可以过滤掉频段在900MHz～1800MHz的干扰信号，同时还可以过滤掉频段在100MHz～900MHz及1800MHz～3000MHz的干扰信号(如图4和图5所示)，提高了麦克风抗干扰的能力，降低了不同频段干扰信号对麦克风性能的影响，有效的减少了麦克风的噪音，提升了电容式麦克风的品质。
附图说明
图1是现有技术中电容式麦克风的电路原理图；
图2是本实用新型抗干扰的电容式麦克风实施例一和实施例二的电路原理图；
图3是本实用新型抗干扰的电容式麦克风实施例三和实施例四的电路原理图；
图4是本实用新型抗干扰的电容式麦克风实施例一和实施例三的仿真图；
图5是本实用新型抗干扰的电容式麦克风实施例二和实施例四的仿真图；
具体实施方式
下面结合附图和实施例，进一步阐述本实用新型。
实施例一：
如图2所示，一种抗干扰的电容式麦克风，包括声电转换模块ECM，声电转换模块ECM为麦克风中的固定极板和可移动的振膜及其它辅助零件组成的等效可变电容器。声电转换模块ECM的一端电连接一场效应管FET的栅极G，声电转换模块ECM的另一端与场效应管FET的源极S短接。场效应管FET的漏极D与源极S之间并联有抗干扰电路FB+C，抗干扰电路FB+C与漏极D电连接的一端电连接信号输出端子A，抗干扰电路FB+C与源极S电连接的一端电连接接地端子B。抗干扰电路FB+C包括同时并联在漏极D与源极S之间的电容C1和电容C2，还包括串联在漏极D与电容C1的一端之间的磁珠FB1，及串联在源极S与电容C1另一端的磁珠FB2。
在本实用新型中，磁珠FB1和磁珠FB2的取值范围在100Ω～1800Ω(100MHz)之间可选，电容C1和电容C2的取值范围在10pF～100pF。这种电容+磁珠的组合方式,不仅可以过滤掉频段为900MHz～1800MHz的干扰信号，同时还可以过滤掉频段为100MHz～900MHz的干扰信号。本实施方式的仿真结果如图4所示，其可过滤掉频段为100MHz～3000MHz的干扰信号。可见本实施方式不仅可以过滤掉频段为900MHz～1800MHz的干扰信号，同时还可以过滤掉频段为100MHz～900MHz以及1800MHz～3000MHz的干扰信号，提高了麦克风抗干扰的能力，降低了不同频段干扰信号对麦克风性能的影响，有效的减少了麦克风产生噪音的现象，提升了电容式麦克风的品质。
实施例二：
如图2所示，本实施方式与实施例一基本相同，其不同之处在于：
电容C1的容值为33pF，可过滤掉频段为900MHz的干扰信号；电容C2的容值为100pF，可过滤掉频段为1000MHz的干扰信号。故本实施方式的仿真结果如图5所示，其同样可过滤掉频段为100MHz～3000MHz的干扰信号。
实施例三：
如图3所示，本实施方式与实施例一基本相同，其不同之处在于：
磁珠FB1串联在电容C2的一端与信号输出端子A之间，磁珠FB2串联在电容C2的另一端与接地端子B之间。
本实施方式中磁珠FB1和磁珠FB2的规格均为100MHz，100Ω～1800Ω；电容C1的容值为10pF，可过滤掉频段为1800MHz的干扰信号；电容C2的容值为33pF，可过滤掉频段为900MHz的干扰信号。本实施方式的仿真结果如图4所示，其可过滤掉频段为100MHz～3000MHz的干扰信号。
实施例四：
如图3所示，本实施方式与实施例三基本相同，其不同之处在于：
电容C1的容值为33pF，可过滤掉频段为900MHz的干扰信号；电容C2的容值为100pF，可过滤掉频段为1000MHz的干扰信号。故本实施方式的仿真结果如图5所示，其同样可过滤掉频段为100MHz～3000MHz的干扰信号
由上述各实施例可知，本实用新型电容式麦克风的抗干扰电路采用电容与磁珠相结合的结构，不仅可以过滤掉频段在900MHz～1800MHz的干扰信号，同时还可以过滤掉频段在100MHz～900MHz及1800MHz～3000MHz的干扰信号，提高了电容式麦克风的抗干扰能力，降低了不同频段干扰信号对电容式麦克风性能的影响，有效的减少了电容式麦克风的噪音，提升了电容式麦克风的品质。实施方案的麦克风应用于高频干扰信号源比较复杂的环境下，会比现在普通电路的麦克风有更好的抗RF干扰效果。
本实用新型不局限于上述具体的实施方式，本领域的普通技术人员从上述构思出发，不经过创造性的劳动，所作出的种种变换，均落在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.抗干扰的电容式麦克风，包括声电转换模块，所述声电转换模块的一端电连接一场效应管的栅极G，所述声电转换模块的另一端与所述场效应管的源极S短接，所述场效应管的漏极D与所述源极S之间并联有抗干扰电路，所述抗干扰电路与所述漏极D电连接的一端电连接信号输出端子，所述抗干扰电路与所述源极S电连接的一端电连接接地端子，其特征在于，所述抗干扰电路包括同时并联在所述漏极D和所述源极S之间的电容C1和电容C2，还包括串联在所述漏极D与所述信号输出端子之间的磁珠FB1，及串联在所述源极S与所述接地端子之间的磁珠FB2。
2.根据权利要求1所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述磁珠FB1串联在所述漏极D与所述电容C1的一端之间，所述磁珠FB2串联在所述源极S与所述电容C1的另一端之间。
3.根据权利要求1所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述磁珠FB1串联在所述电容C2的一端与所述信号输出端子之间，所述磁珠FB2串联在所述电容C2的另一端与所述接地端子之间。
4.根据权利要求2或3所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述磁珠FB1和所述磁珠FB2的规格均为100MHz，100Ω～1800Ω。
5.根据权利要求4所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述电容C1和所述电容C2的容值均为10pF～100pF。
6.根据权利要求5所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述电容C1的容值为10pF，所述电容C2的容值为33pF。
7.根据权利要求5所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述电容C1的容值为33pF，所述电容C2的容值为100pF。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420287805.4U CN203912198U (zh) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 抗干扰的电容式麦克风 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420287805.4U CN203912198U (zh) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 抗干扰的电容式麦克风 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203912198U true CN203912198U (zh) | 2014-10-29 |
Family
ID=51786439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420287805.4U Expired - Lifetime CN203912198U (zh) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 抗干扰的电容式麦克风 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN203912198U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110442221A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-11-12 | 芜湖康爱而电气有限公司 | 一种基于电源芯片的dsp供电电路 |
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2014
- 2014-05-30 CN CN201420287805.4U patent/CN203912198U/zh not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110442221A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-11-12 | 芜湖康爱而电气有限公司 | 一种基于电源芯片的dsp供电电路 |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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