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CN203872324U - 一种主动降噪耳机及其降噪麦克风信号无源限幅电路 - Google Patents

一种主动降噪耳机及其降噪麦克风信号无源限幅电路 Download PDF

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CN203872324U
CN203872324U CN201420153029.9U CN201420153029U CN203872324U CN 203872324 U CN203872324 U CN 203872324U CN 201420153029 U CN201420153029 U CN 201420153029U CN 203872324 U CN203872324 U CN 203872324U
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CN
China
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noise reduction
capacitor
diode
active noise
reduction microphone
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
CN201420153029.9U
Other languages
English (en)
Inventor
吴海全
师瑞文
钟晓军
覃显卓
迈克尔·列斐伏尔
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Shenzhen Grandsun Electronics Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Grandsun Electronics Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shenzhen Grandsun Electronics Co Ltd filed Critical Shenzhen Grandsun Electronics Co Ltd
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Abstract

本实用新型属于耳机领域,提供了一种主动降噪耳机及其降噪麦克风信号无源限幅电路。所述主动降噪耳机包括左耳降噪麦克风、右耳降噪麦克风、左耳喇叭、右耳喇叭以及主动降噪处理芯片,所述降噪麦克风信号无源限幅电路包括:连接在所述左耳降噪麦克风与所述主动降噪处理芯片之间的第一无源限幅模块;以及连接在所述右耳降噪麦克风与所述主动降噪处理芯片之间的第二无源限幅模块。所述降噪麦克风信号无源限幅电路使得主动降噪耳机外型和结构设计方便灵活,大幅度降低产品开发设计和生产成本,电路简易、方便、可靠。

Description

一种主动降噪耳机及其降噪麦克风信号无源限幅电路
技术领域
本实用新型属于耳机领域,尤其涉及一种主动降噪耳机及其降噪麦克风信号无源限幅电路。
背景技术
耳机降噪的方法有两种,主动降噪和被动降噪,主动降噪功能就是通过降噪系统产生与外界噪音相等的反向声波,将噪音中和,从而实现降噪的效果,主动降噪耳机带有与外界噪声抗衡的降噪电路,它们大部分采用体积较大的头戴式设计,可利用耳塞棉和耳机外壳等构造阻挡外界噪声,进行第一轮隔音,同时也为了有充足的空间安装主动降噪电路以及电源。
但是,现有的主动降噪耳机需要通过复杂的声学腔体设计和结构设计来实现降噪的稳定性,设计周期长,声学腔体结构设计不灵活,开发和制造成本高。
实用新型内容
本实用新型提供了一种主动降噪耳机的降噪麦克风信号无源限幅电路,旨在解决现有主动降噪耳机需要通过复杂的声学腔体设计和结构设计来实现降噪的稳定性的问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型是这样实现的:一种主动降噪耳机的降噪麦克风信号无源限幅电路,所述主动降噪耳机包括左耳降噪麦克风、右耳降噪麦克风、左耳喇叭、右耳喇叭以及主动降噪处理芯片,所述降噪麦克风信号无源限幅电路包括:
连接在所述左耳降噪麦克风与所述主动降噪处理芯片之间的第一无源限幅模块;以及
连接在所述右耳降噪麦克风与所述主动降噪处理芯片之间的第二无源限幅模块。
进一步地,所述主动降噪耳机还包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1以及第二电容C2;
所述左耳降噪麦克风的电源端通过所述第一电阻R1与所述主动降噪处理芯片的第一偏置电压输出端连接,所述第一电容C1连接在所述第一偏置电压输出端与地之间,所述主动降噪处理芯片的第一信号输出端与所述左耳喇叭连接;
所述右耳降噪麦克风的电源端通过所述第二电阻R2与所述主动降噪处理芯片的第二偏置电压输出端连接,所述第二电容C2连接在所述第二偏置电压输出端与地之间,所述主动降噪处理芯片的第二信号输出端与所述右耳喇叭连接。
进一步地,所述主动降噪处理芯片为前馈式或反馈式主动降噪处理芯片。
进一步地,所述第一无源限幅模块包括:
第三电阻R3、第三电容C3、第四电容C4、第一二极管D1以及第二二极管D2;
所述第三电容C3的第一端与所述主动降噪处理芯片的第一降噪信号输入端连接,所述第三电容C3的第二端与所述第一二极管D1的的阳极、所述第二二极管D2的阴极以及所述第四电容C4的第一端连接,所述第四电容C4的第二端与所述左耳降噪麦克风的信号输出端连接,所述第一二极管D1的阴极和所述第二二极管D2的阳极与所述第三电阻R3的第一端连接,所述第三电阻R3的第二端接地。
进一步地,所述第二无源限幅模块包括:
第四电阻R4、第五电容C5、第六电容C6、第三二极管D3以及第四二极管D4;
所述第五电容C5的第一端与所述主动降噪处理芯片的第二降噪信号输入端连接,所述第五电容C5的第二端与所述第三二极管D3的的阳极、所述第四二极管D4的阴极以及所述第六电容C6的第一端连接,所述第六电容C6的第二端与所述左耳降噪麦克风的信号输出端连接,所述第三二极管D3的阴极和所述第四二极管D4的阳极与所述第四电阻R4的第一端连接,所述第四电阻R4的第二端接地。
进一步地,所述第一二极管D1和/或所述第二二极管D2的型号为B5817W_SOD123_1A。
进一步地,所述第三二极管D3和/或所述第四二极管D4的型号为B5817W_SOD123_1A。
本实用新型提供了一种主动降噪耳机,所述主动降噪耳机包括如上所述的降噪麦克风信号无源限幅电路。
在本实用新型中,通过第一无源限幅模块和第二无源限幅模块将左/右降噪麦克风中的噪音信号消除后传送给主动降噪处理芯片,改变了现有技术只能通过改变复杂的声学腔体结构来实现的结构设计,使得主动降噪耳机外型和结构设计方便灵活,大幅度降低产品开发设计和生产成本,电路简易、方便、可靠。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的降噪麦克风信号无源限幅电路的模块结构图;
图2是本实用新型实施例提供的降噪麦克风信号无源限幅电路的电路结构图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
图1示出了本实用新型实施例提供的降噪麦克风信号无源限幅电路的模块结构,为了便于说明,仅列出与本实用新型实施例相关的部分,详述如下:
本实用新型实施例提供了一种主动降噪耳机的降噪麦克风信号无源限幅电路,该主动降噪耳机包括左耳降噪麦克风LM、右耳降噪麦克风RM、左耳喇叭LL、右耳喇叭RL以及主动降噪处理芯片U1,该降噪麦克风信号无源限幅电路包括:
连接在左耳降噪麦克风LM与主动降噪处理芯片U1之间的第一无源限幅模块101;以及
连接在右耳降噪麦克风RM与主动降噪处理芯片U1之间的第二无源限幅模块102。
作为本实用新型一实施例,该主动降噪耳机还包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1以及第二电容C2;
左耳降噪麦克风LM的电源端通过第一电阻R1与主动降噪处理芯片U1的第一偏置电压输出端连接,第一电容C1连接在主动降噪处理芯片U1的第一偏置电压输出端与地之间,主动降噪处理芯片U1的第一信号输出端与左耳喇叭LL连接;
右耳降噪麦克风RM的电源端通过第二电阻R2与主动降噪处理芯片U1的第二偏置电压输出端连接,第二电容C2连接在主动降噪处理芯片U1的第二偏置电压输出端与地之间,主动降噪处理芯片U1的第二信号输出端与右耳喇叭RL连接。
在本实用新型实施例中,左耳降噪麦克风LM通过第一电阻R1与主动降噪处理芯片U1的第一偏置电压输出端连接,获取直流工作电压;右耳降噪麦克风RM通过第二电阻R2与主动降噪处理芯片U1的第二偏置电压输出端连接,获取直流工作电压。
作为本实用新型一实施例,主动降噪处理芯片U1为前馈式或反馈式主动降噪处理芯片。
作为本实用新型一实施例,第一无源限幅模块101包括:
第三电阻R3、第三电容C3、第四电容C4、第一二极管D1以及第二二极管D2;
第三电容C3的第一端与主动降噪处理芯片U1的第一降噪信号输入端连接,第三电容C3的第二端与第一二极管D1的的阳极、第二二极管D2的阴极以及第四电容C4的第一端连接,第四电容C4的第二端与左耳降噪麦克风LM的信号输出端连接,第一二极管D1的阴极和第二二极管D2的阳极与第三电阻R3的第一端连接,第三电阻R3的第二端接地。
在本实用新型实施例中,第三电容C3和第五电容C5用于隔离直流电,作为可选的,当主动降噪处理芯片U1的输入脚没有直流电压时,可以去掉第三电容C3和第五电容C5,第三电阻R3和第四电阻R4的阻值是可以进行调节的,调节R3和R5的阻值可以调节箝位电压。
作为本实用新型一实施例,第二无源限幅模块102包括:
第四电阻R4、第五电容C5、第六电容C6、第三二极管D3以及第四二极管D4;
第五电容C5的第一端与主动降噪处理芯片U1的第二降噪信号输入端连接,第五电容C5的第二端与第三二极管D3的的阳极、第四二极管D4的阴极以及第六电容C6的第一端连接,第六电容C6的第二端与左耳降噪麦克风LM的信号输出端连接,第三二极管D3的阴极和第四二极管D4的阳极与第四电阻R4的第一端连接,第四电阻R4的第二端接地。
作为本实用新型一实施例,第一二极管D1和/或第二二极管D2的型号为B5817W_SOD123_1A。
作为本实用新型一实施例,第三二极管D3和/或第四二极管D4的型号为B5817W_SOD123_1A。
下面对本实用新型实施例提供的降噪麦克风信号无源限幅电路的工作原理进行说明,详述如下:
在本发明实施例中,第一无源限幅模块101与第二无源限幅模块102的电路结构和外部连接都相同,下面仅以第一无源限幅模块101为例对其工作原理进行说明,左耳降噪麦克风LM将采集到由左耳喇叭LL抖动或挤压而产生的瞬变电压信号通过第四电容C4耦合进入第一无源限幅模块101,第一无源限幅模块101将比预设阈值高的瞬变电压进行消除后通过第三电容C3耦合进入主动降噪处理芯片U1,主动降噪处理芯片U1将噪音信号做相应处理后从左耳喇叭输出。
当左耳降噪麦克风LM采集到由左耳喇叭LL抖动或挤压而产生的瞬变电压为正压信号时,通过第一二极管D1和第三电阻R3箝位在+0.1V以下;
当左耳降噪麦克风LM采集到由左耳喇叭LL抖动或挤压而产生的瞬变电压为负压信号时,通过第二二极管D2和第三电阻R3箝位在-0.1V以下;
经过正负箝位后的瞬变电压信号小于正负0.1V进入主动降噪处理芯片U1进行处理,进而防止和消除因耳机(左/右耳机喇叭)抖动或者受到挤压而产生的过大的瞬变电压信号产生的噪音。
本实用新型实施例还提供了一种主动降噪耳机,该主动降噪耳机包括上述降噪麦克风信号无源限幅电路。
在本实用新型实施例中,通过第一无源限幅模块和第二无源限幅模块将左/右降噪麦克风中的噪音信号消除后传送给主动降噪处理芯片,改变了现有技术只能通过改变复杂的声学腔体结构来实现的结构设计,使得主动降噪耳机外型和结构设计方便灵活,大幅度降低产品开发设计和生产成本,电路简易、方便、可靠。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种主动降噪耳机的降噪麦克风信号无源限幅电路,所述主动降噪耳机包括左耳降噪麦克风、右耳降噪麦克风、左耳喇叭、右耳喇叭以及主动降噪处理芯片,其特征在于,所述降噪麦克风信号无源限幅电路包括: 
连接在所述左耳降噪麦克风与所述主动降噪处理芯片之间的第一无源限幅模块;以及 
连接在所述右耳降噪麦克风与所述主动降噪处理芯片之间的第二无源限幅模块。 
2.如权利要求1所述的降噪麦克风信号无源限幅电路,其特征在于,所述主动降噪耳机还包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1以及第二电容C2; 
所述左耳降噪麦克风的电源端通过所述第一电阻R1与所述主动降噪处理芯片的第一偏置电压输出端连接,所述第一电容C1连接在所述第一偏置电压输出端与地之间,所述主动降噪处理芯片的第一信号输出端与所述左耳喇叭连接; 
所述右耳降噪麦克风的电源端通过所述第二电阻R2与所述主动降噪处理芯片的第二偏置电压输出端连接,所述第二电容C2连接在所述第二偏置电压输出端与地之间,所述主动降噪处理芯片的第二信号输出端与所述右耳喇叭连接。 
3.如权利要求1所述的降噪麦克风信号无源限幅电路,其特征在于,所述主动降噪处理芯片为前馈式或反馈式主动降噪处理芯片。 
4.如权利要求1所述的降噪麦克风信号无源限幅电路,其特征在于,所 述第一无源限幅模块包括: 
第三电阻R3、第三电容C3、第四电容C4、第一二极管D1以及第二二极管D2; 
所述第三电容C3的第一端与所述主动降噪处理芯片的第一降噪信号输入端连接,所述第三电容C3的第二端与所述第一二极管D1的的阳极、所述第二二极管D2的阴极以及所述第四电容C4的第一端连接,所述第四电容C4的第二端与所述左耳降噪麦克风的信号输出端连接,所述第一二极管D1的阴极和所述第二二极管D2的阳极与所述第三电阻R3的第一端连接,所述第三电阻R3的第二端接地。 
5.如权利要求1所述的降噪麦克风信号无源限幅电路,其特征在于,所述第二无源限幅模块包括: 
第四电阻R4、第五电容C5、第六电容C6、第三二极管D3以及第四二极管D4; 
所述第五电容C5的第一端与所述主动降噪处理芯片的第二降噪信号输入端连接,所述第五电容C5的第二端与所述第三二极管D3的的阳极、所述第四二极管D4的阴极以及所述第六电容C6的第一端连接,所述第六电容C6的第二端与所述左耳降噪麦克风的信号输出端连接,所述第三二极管D3的阴极和所述第四二极管D4的阳极与所述第四电阻R4的第一端连接,所述第四电阻R4的第二端接地。 
6.如权利要求4所述的降噪麦克风信号无源限幅电路,其特征在于,所述第一二极管D1和/或所述第二二极管D2的型号为B5817W_SOD123_1A。 
7.如权利要求5所述的降噪麦克风信号无源限幅电路,其特征在于,所述第三二极管D3和/或所述第四二极管D4的型号为B5817W_SOD123_1A。 
8.一种主动降噪耳机,其特征在于,所述主动降噪耳机包括如权利要求1-7任一项所述的降噪麦克风信号无源限幅电路。 
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN106162410A (zh) * 2016-08-16 2016-11-23 歌尔股份有限公司 一种降噪耳机
WO2019024278A1 (zh) * 2017-08-04 2019-02-07 歌尔科技有限公司 音频降噪方法及装置
CN110971737A (zh) * 2019-11-11 2020-04-07 嘉兴市科讯电子有限公司 有源降噪自动电话

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Address after: Longgang District of Shenzhen City, Guangdong province 518116 Ping Street Takahashi Industrial Park East Area

Patentee after: SHENZHEN GRANDSUN ELECTRONIC Co.,Ltd.

Address before: Longgang District of Shenzhen City, Guangdong province 518116 Ping Street Takahashi Industrial Park East Area

Patentee before: SHENZHEN GRANDSUN ELECTRONIC Co.,Ltd.

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