CN203337970U - 液晶阵列基板及电子装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种液晶阵列基板及电子装置。所述液晶阵列基板，包括多个呈阵列分布的像素，其中，每一液像素分为主区、第一子区以及第二子区三部分，其中，主区包括第一TFT晶体管，第一子区包括第二TFT晶体管，第二子区包括第三TFT晶体管；每一像素的第一TFT晶体管、第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的栅极均与第一扫描线连接，该第一TFT晶体管的源极与第一数据线连接，漏极与对应的像素电极连接，该第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的源极均与第二数据线连接，漏极分别与对应的像素电极连接。所述电子装置，具有上述液晶阵列基板。本实用新型的液晶阵列基板及电子装置，能够改善大角度下的颜色失真问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种基板，特别涉及一种液晶阵列基板及具有该液晶阵列基板的电子装置。
背景技术
目前，液晶电视、液晶显示器等液晶电子装置越来越普遍。一般的液晶电子装置均具有多角度的显示模式，在多角度的显示模式下，由于在不同视角下观察到的液晶分子的指向不同，会导致大视角下观察到的颜色失真。目前，为了改善大视角的颜色失身，在液晶面板的液晶分子像素设计时，会将一个像素分为两个部分，一部分为主(main)区，另一部分为子(sub)区。通过控制该两个区的电压来改善大视角失真。其中，该分为主区以及子区的设计一般称为LCS(Low Color Shift，低色彩偏移)设计。然而，该像素分为两个部分改善颜色失真效果有限。
实用新型内容
本实用新型提供一种液晶阵列基板及电子装置，能够更好的改善在大角度下的颜色失真问题。
一种液晶阵列基板，包括多个呈阵列分布的像素，其中，每一像素分为主区、第一子区以及第二子区三部分，其中，主区包括第一TFT晶体管，第一子区包括第二TFT晶体管，第二子区包括第三TFT晶体管；每一像素的第一TFT晶体管、第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的栅极均与第一扫描线连接，该第一TFT晶体管的源极与第一数据线连接，漏极与对应的像素电极连接，该第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的源极均与第二数据线连接，漏极分别与对应的像素电极连接。
其中，该像素还包括第四TFT晶体管，该第四TFT晶体管的栅极与第二扫描线连接，源极与该第二TFT晶体管的漏极耦接，漏极与该第三TFT晶体管的漏极电连接。
其中，该第一扫描线用于产生开启或关闭信号控制该第一TFT晶体管、第二 TFT晶体管以及第三TFT晶体管导通或关闭，该第一数据线用于在第一TFT晶体管导通时输入第一数据驱动信号至该主区；该第二数据线用于在第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管导通时输入第二数据驱动信号至该第一子区以及第二子区，其中，第一数据驱动信号不同于第二数据驱动信号。
其中，该像素的主区、第一子区以及第二子区还均包括一液晶电容以及一存储电容，每一液晶电容由该相应的像素电极、公共电极以及夹在该像素电极以及公共电极之间的液晶层所形成，每一存储电容由该相应的像素电极、存储电极以及夹在该像素电极与存储电极之间的介质层所形成，该公共电极与第一公共电压端连接，该存储电极与第二公共电压端连接。
其中，该第一子区还包括第一共享电容以及第二共享电容，该第一共享电容以及第二共享电容串联于该第二TFT晶体管的漏极以及该第一公共电压端之间，该第四TFT晶体管的源极与该第一共享电容以及第二共享电容的连接节点连接而通过该第一共享电容与该第二TFT晶体管的漏极耦接。
一种电子装置，包括一液晶阵列基板，该液晶阵列基板包括多个呈阵列分布的像素，其中，每一像素分为主区、第一子区以及第二子区三部分，其中，主区包括第一TFT晶体管，第一子区包括第二TFT晶体管，第二子区包括第三TFT晶体管；每一像素的第一TFT晶体管、第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的栅极均与第一扫描线连接，该第一TFT晶体管的源极与第一数据线连接，漏极与对应的像素电极连接，该第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的源极均与第二数据线连接，漏极分别与对应的像素电极连接。
其中，该像素还包括第四TFT晶体管，该第四TFT晶体管的栅极与第二扫描线连接，源极与该第二TFT晶体管的漏极耦接，漏极与该第三TFT晶体管的漏极电连接。
其中，该第一扫描线用于产生开启或关闭信号控制该第一TFT晶体管、第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管导通或关闭，该第一数据线用于在第一TFT晶体管导通时输入第一数据驱动信号至该主区；该第二数据线用于在第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管导通时输入第二数据驱动信号至该第一子区以及第二子区，其中，第一数据驱动信号不同于第二数据驱动信号。
其中，该像素的主区、第一子区以及第二子区还均包括一液晶电容以及一存 储电容，每一液晶电容由该相应的像素电极、公共电极以及夹在该像素电极以及公共电极之间的液晶层所形成，每一存储电容由该相应的像素电极、存储电极以及夹在该像素电极与存储电极之间的介质层所形成，该公共电极与第一公共电压端连接，该存储电极与第二公共电压端连接。
其中，该第一子区还包括第一共享电容以及第二共享电容，该第一共享电容以及第二共享电容串联于该第二TFT晶体管的漏极以及该第一公共电压端之间，该第四TFT晶体管的源极与该第一共享电容以及第二共享电容的连接节点连接而通过该第一共享电容与该第二TFT晶体管的漏极耦接。
本实用新型的液晶阵列基板及电子装置，能够更好地改善在大角度下的颜色失真问题。
附图说明
图1是本实用新型一实施方式中的液晶阵列基板的示意图。
图2是本实用新型一实施方式中的液晶阵列基板中的一个像素的等效电路图。
图3是本实用新型一实施方式中的液晶阵列基板中的一个像素的结构示意图。
图4是本实用新型一实施方式中的具有液晶阵列基板的电子装置的方框图。
具体实施方式
请一并参阅图1及图2，图1为本实用新型一实施方式中液晶阵列基板1的示意图。图2是本实用新型一实施方式中的液晶阵列基板中的一个像素的等效电路图。该液晶阵列基板1包括多个呈阵列分布的像素10，该像素10分为一个主区11、第一子区12以及第二子区13。其中，主区11包括第一TFT(thin film transistor，薄膜晶体管)晶体管T1。第一子区12包括第二TFT晶体管T2。第二子区13包括第三TFT晶体管T3。
其中，本实施方式中，每列的像素10均与两个数据线连接，其中，每列的像素10的主区11与一数据线连接，第一、第二子区12、13与另一数据线连接。例如第一列的像素10的主区11与数据线DL1连接，第一、第二子区12、13与DL2连接；第N列的像素10的主区11与数据线DL(2n-1)连接，第一、第二子区12、13与数据线DL2n连接。
每行的像素10的主区11、第一子区12以及第二子区13均与一扫描线连接。例如第一行的像素10的主区11、第一子区12以及第二子区13与扫描线GL1连接，第N-1行的像素10的主区11、第一子区12以及第二子区13均与扫描线GL(n-1)连接，第N行的像素10的主区11、第一子区12以及第二子区13均与扫描线GLn连接。
具体的，以下以图2中所示的第一行第一列的像素10为例描述本实用新型中像素10的具体结构。
如图2所示，像素10的第一TFT晶体管T1、第二TFT晶体管T2以及第三TFT晶体管T3的栅极均与扫描线GL1连接，该第一TFT晶体管T1的源极与数据线DL1连接，漏极与对应的像素电极P连接。该第二TFT晶体管T2以及第三TFT晶体管T3的源极均与数据线DL2连接，漏极分别与对应的像素电极P连接。
该扫描线GL1用于产生开启或关闭信号控制该第一TFT晶体管T1、第二TFT晶体管T2以及第三TFT晶体管T3导通或关闭。该数据线DL1用于在第一TFT晶体管T1管导通时输入第一数据驱动信号至该主区11。该数据线Date2用于在第二TFT晶体管T2以及第三TFT晶体管T3导通时输入第二数据驱动信号至该第一子区12以及第二子区13。
从而，本实用新型中，由于该主区11的第一TFT晶体管T1接收的数据驱动信号与第一子区12的第二TFT晶体管T2以及第二子区13的TFT晶体管T3接收的数据驱动信号不同，从而，施加给主区11与第一、第二子区12、13的驱动电压不一样，而使得主区11与第一、第二子区12、13的显示不同，减少了大视角下的颜色失真。
具体的，该第一TFT晶体管T1、第二TFT晶体管T2以及第三TFT晶体管T3的漏极均与对应的像素电极P连接。该数据线DL1用于在第一TFT晶体管T1管导通时输入第一数据驱动信号至主区11为输入至第一TFT晶体管T1相应连接的像素电极P。该数据线DL2在第二TFT晶体管T2以及第三TFT晶体管T3导通时输入第二数据驱动信号至该第一子区12以及第二子区13为分别输入至该第二TFT晶体管T2以及第三TFT晶体管T3连接的像素电极P。从而，第一TFT晶体管T1连接的像素电极P获得该第一数据驱动信号，与该第二TFT晶体管T2以及第三TFT晶体管T3连接的像素电极P获得该第二数据驱动信号。其中，第 一数据驱动信号与第二数据驱动信号的电压不同，众所周知，像素电极P的电压不同，则驱动液晶分子旋转的角度不同，而使得对应区域的显示不同。即，主区11与第一、第二子区12、13的显示不同，从而减少了大视角下的颜色失真。
进一步的，如图2所示，该像素10还包括第四TFT晶体管T4，该第四TFT晶体管T4的栅极与扫描线DL2连接，源极与该第二TFT晶体管T2的漏极耦接，漏极与该第三TFT晶体管T3的漏极电连接。
其中，如图2所示，该像素1的主区11、第一子区12以及第二子区13还均包括一液晶电容Clc以及一存储电容Cs。每一液晶电容Clc由该相应的像素电极P、公共电极CE以及夹在该像素电极P以及公共电极CE之间的液晶层(图中未示)所形成，每一存储电容Cs由该相应的像素电极P、存储电极SE以及夹在该像素电极P与存储电极SE之间的介质层(图中未示)所形成。
其中，在本实施方式中，该公共电极CE与一第一公共电压端A-com(阵列公共电极电压端)连接，该存储电极SE与第二公共电压端CF-com(彩膜公共电极电压端)连接。在其他实施方式中，该公共电极CE与存储电极SE连接至同一公共电压端。其中，该第一公共电压端A-com以及第二公共电压端CF-com均为零电位。
其中，该第一子区12还包括第一共享电容C1以及第二共享电容C2，该第一共享电容C1以及第二共享电容C2串联于该第二TFT晶体管T2的漏极以及该第一公共电压端A-com之间。该第四TFT晶体管T4的源极与该第一共享电容C1以及第二共享电容C2的连接节点N1连接。从而，该第四TFT晶体管T4的源极通过该第一共享电容C1与该第二TFT晶体管T2的漏极耦接，该第四TFT晶体管T4的源极并通过该第二共享电容C2与该第一公共电压端A-com耦接。
如前所述，该液晶阵列基板1的像素10呈阵列排布。其中，每一行像素10中的第一、第二、第三TFT晶体管T1、T2、T3的栅极均与一扫描线连接。该若干扫描线GL1～GLn依次控制一行像素10中的第一、第二、第三TFT晶体管T1、T2、T3导通。其中，当第一扫描线GL1控制一行像素10中的第一、第二、第三TFT晶体管T1、T2、T3导通时，如前所述，每一像素10中的第一TFT晶体管T1与第二、第三TFT晶体管T2、T3的接收的数据驱动信号不同，从而使得每一像素的主区11与第一、第二子区12、13的显示不同。
而当轮到第二扫描线GL2控制对应行(第二行)的像素10导通时，上一行(第一行)的像素10中的第四TFT晶体管T4同时导通。由于此时上一行像素10中的第一、第二、第三TFT晶体管T1、T2、T3截止。此时，该主区11与第一、第二子区12、13中的存储电容Cs分别对相应的像素电极P放电。同时，第一、第二共享电容C1、C2对该第二TFT晶体管T2的漏极放电，第一、第二共享电容C1、C2还通过该导通的第四TFT晶体管T4对第三TFT晶体管T3的漏极放电。由于第一、第二共享电容C1、C2通过该导通的第四TFT晶体管T4对第三TFT晶体管T3的漏极放电时基本上只有第二存储电容C2对第三TFT晶体管T3的漏极放电。因此，第一、第二共享电容C1、C2对该第二TFT晶体管T2以及第三TFT晶体管T3放电不均衡，导致此时第二TFT晶体管T2的漏极电压与第三TFT晶体管T3的漏极电压不同。即，此时，施加给与第二TFT晶体管T2连接的像素电极P的电压与施加给与第三TFT晶体管T3连接的像素电极P的电压不同。由此导致此时第一子区12与第二子区13的显示不同，而此时主区11仅通过其中存储电容Cs进行放电，主区11的第一TFT晶体管T1的漏极电压与第二TFT晶体管T2、第三TFT晶体管T3的漏极电压均不相同。因此，此时，主区11、第一子区12、第二子区13的显示均不相同，更进一步的改善了大视角下的颜色失真问题。
请参阅图3，在具体结构中，通过将像素10分为一个主区11以及包括第一子区12、第二子区13在内的两个子区的低色彩偏移设计，以及通过如前所述的每一像素液晶连接一个扫描线与两个数据线以及电容与第四TFT晶体管T4的设计，主区11、第一子区12以及第二子区13的液晶分子LC均能旋转如图3所示的四个方向。从而，一个像素10的液晶分子LC能实现旋转4*3＝12个不同的方向(domain)。因此，改善了大视角下的颜色失真问题。
请参阅图4，为具有该液晶阵列基板1的电子装置100的示意图，该电子装置100包括该液晶阵列基板1以及其他必要元件。其中，该电子装置100可为液晶显示器、液晶电视等。
以上具体实施方式对本实用新型进行了详细的说明，但这些并非构成对本实用新型的限制。本实用新型的保护范围并不以上述实施方式为限，但凡本领域普通技术人员根据本实用新型所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。
Claims (10)
1.一种液晶阵列基板，包括多个呈阵列分布的像素，其特征在于：
每一像素分为主区、第一子区以及第二子区三部分，其中，主区包括第一TFT晶体管，第一子区包括第二TFT晶体管，第二子区包括第三TFT晶体管；每一像素的第一TFT晶体管、第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的栅极均与第一扫描线连接，该第一TFT晶体管的源极与第一数据线连接，漏极与对应的像素电极连接，该第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的源极均与第二数据线连接，漏极分别与对应的像素电极连接。
2.如权利要求1所述的液晶阵列基板，其特征在于，该像素还包括第四TFT晶体管，该第四TFT晶体管的栅极与第二扫描线连接，源极与该第二TFT晶体管的漏极耦接，漏极与该第三TFT晶体管的漏极电连接。
3.如权利要求1所述的液晶阵列基板，其特征在于，该第一扫描线用于产生开启或关闭信号控制该第一TFT晶体管、第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管导通或关闭，该第一数据线用于在第一TFT晶体管导通时输入第一数据驱动信号至该主区；该第二数据线用于在第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管导通时输入第二数据驱动信号至该第一子区以及第二子区，其中，第一数据驱动信号不同于第二数据驱动信号。
4.如权利要求2所述的液晶阵列基板，其特征在于，该像素的主区、第一子区以及第二子区还均包括一液晶电容以及一存储电容，每一液晶电容由该相应的像素电极、公共电极以及夹在该像素电极以及公共电极之间的液晶层所形成，每一存储电容由该相应的像素电极、存储电极以及夹在该像素电极与存储电极之间的介质层所形成，该公共电极与第一公共电压端连接，该存储电极与第二公共电压端连接。
5.如权利要求4所述的液晶阵列基板，其特征在于，该第一子区还包括第一共享电容以及第二共享电容，该第一共享电容以及第二共享电容串联于该第二TFT晶体管的漏极以及该第一公共电压端之间，该第四TFT晶体管的源极与该第一共享电容以及第二共享电容的连接节点连接而通过该第一共享电容与该第二TFT晶体管的漏极耦接。
6.一种电子装置，包括一液晶阵列基板，该液晶阵列基板包括多个呈阵列分布的像素，其特征在于：
每一像素分为主区、第一子区以及第二子区三部分，其中，主区包括第一TFT晶体管，第一子区包括第二TFT晶体管，第二子区包括第三TFT晶体管；每一像素的第一TFT晶体管、第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的栅极均与第一扫描线连接，该第一TFT晶体管的源极与第一数据线连接，漏极与对应的像素电极连接，该第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管的源极均与第二数据线连接，漏极分别与对应的像素电极连接。
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该像素还包括第四TFT晶体管，该第四TFT晶体管的栅极与第二扫描线连接，源极与该第二TFT晶体管的漏极耦接，漏极与该第三TFT晶体管的漏极电连接。
8.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该第一扫描线用于产生开启或关闭信号控制该第一TFT晶体管、第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管导通或关闭，该第一数据线用于在第一TFT晶体管导通时输入第一数据驱动信号至该主区；该第二数据线用于在第二TFT晶体管以及第三TFT晶体管导通时输入第二数据驱动信号至该第一子区以及第二子区，其中，第一数据驱动信号不同于第二数据驱动信号。
9.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该像素的主区、第一子区以及第二子区还均包括一液晶电容以及一存储电容，每一液晶电容由该相应的像素电极、公共电极以及夹在该像素电极以及公共电极之间的液晶层所形成，每一存储电容由该相应的像素电极、存储电极以及夹在该像素电极与存储电极之间的介质层所形成，该公共电极与第一公共电压端连接，该存储电极与第二公共电压端连接。
10.如权利要求9所述的电子装置，其特征在于，该第一子区还包括第一共享电容以及第二共享电容，该第一共享电容以及第二共享电容串联于该第二TFT晶体管的漏极以及该第一公共电压端之间，该第四TFT晶体管的源极与该第一共享电容以及第二共享电容的连接节点连接而通过该第一共享电容与该第二TFT晶体管的漏极耦接。
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