CN1895005A

CN1895005A - 有机电致发光元件、导电层叠体和显示装置

Info

Publication number: CN1895005A
Application number: CN 200480037959
Authority: CN
Inventors: 苫井重和; 井上一吉; 渋谷忠夫; 酒井俊男; 松原雅人
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2003-12-19
Filing date: 2004-12-08
Publication date: 2007-01-10
Also published as: CN101453000A; CN101447556A

Abstract

本发明提供一种有机电致发光元件，其由阴极(50)、阳极(20)、以及在上述阴极(50)和阳极(20)之间存在的发光层(40)构成，阳极(20)的至少与发光层(40)接触的部分含有从镧、铈、钕、钐、铕中选择的至少一种以上的元素，和从铬、钨、钽、铌、银、钯、铜、镍、钴、钼、铂、硅中选择的至少一种以上的元素。通过该元件，可以有效地从阳极将空穴注入到发光层中，实现有机EL元件的驱动电压的进一步低电压化，以及基于低电压驱动的长寿命化。

Description

有机电致发光元件、导电层叠体和显示装置

技术领域

本发明涉及有机电致发光(EL)元件、导电层叠体、导电层叠体的制造方法、有机电致发光元件用电极基板和显示装置。

背景技术

有机EL元件是由阳极、阴极、在两者之间保持的发光层构成。在发光层中包括通过由阳极提供的空穴和从阴极提供的电子的复合而发光的发光介质层。通常，为了促进由阳极提供的空穴的注入，空穴注入层或空穴输送层被设置在阳极和发光介质层之间。另外，为了促进由阴极提供的电子的注入，电子注入层或电子输送层被设置在阴极和发光介质层之间。

为了将电荷有效地注入到发光层中，阳极和阴极比较重要，对其构成材料的研究非常盛行。

关于空穴注入电极(阳极)，通常所使用的ITO(掺杂了锡的氧化铟)的功函数为4.6～5.0eV，以TPD(三苯基二胺)为代表的多种空穴输送材料的电离电势较大，为5.6eV。为此，当从ITO向TPD中注入空穴时，存在0.4～1.0eV的能量垒。因此，为了促进从阳极向空穴注入层的空穴注入，提高阳极表面的功函数的方法是有效的。

作为提高ITO的功函数的方法，提出了使ITO表面富含氧的方法。例如，在特开平8-167479号公报中，公开了在室温下制膜ITO之后在氧化性气氛下加热或者氧等离子照射的方法，4.6～5.0eV的功函数上升至5.1～6.0eV。另外，在特开2000-68073号公报中，公开了通过在ITO表面侧使溅射气氛气体的组成富含氧而将功函数增加至5.0～6.0eV的透明电极。

但是，这些方法存在随着时间的经过功函数降低的难点。

因此，为了防止因在空气中放置导致的功函数减少，在特开2001-284060号公报中，公开了在ITO制膜后进行氧离子注入的方法。具体而言，使用通过高频放电生成的氧等离子，在加速电压5kV、15分钟的条件下向ITO中进行离子注入，此时可以使其增加至5.2eV～6.0eV。通过该方法，即使在注入氧离子60分钟后放置于空气中，也能保持较高的功函数6.0eV。但是，就该方法而言，产生高浓度的等离子，需要用于通过控制电极而将离子均匀地照射在基板上的装置，并且不容易大面积地均匀照射氧离子，难以保证一定的质量。

另一方面，在特开2001-043980号公报中，公开了如果在阴极使用透明电极，阳极不需要为透明，材料的选择范围较宽。作为适合的材料，可以使用In-Zn-O、In-Sn-O、ZnO-Al、Zn-Sn-O等导电性氧化物，当然还可以使用Au、Pt、Ni、Pd等金属，或者Cr₂O₃、Pr₂O₅、NiO、Mn₂O₅、MnO₂等黑色的半导体氧化物。特别是该文献中记载了如果使用Cr，即使功函数比较小即为4.5eV，也可以充分提供空穴，作为阳极材料较出色。

但是，为了进一步提高空穴注入性，从原理上更优选功函数较高。即，如果能够从阳极顺利地将空穴注入到发光层中，能够实现有机EL元件的驱动电压的进一步低电压化、以及通过低电压驱动的有机EL元件的长寿命化。

另一方面，关于有机EL元件的阴极，当从阴极侧取出来自发光层的发光时，为了有效地取出到外部，要求阴极除了具有低电阻之外，还需要透明性高。为此，大多使用可见光区域的光线透过率等光学特性出色的银(Ag)。例如，在特开2001-043980号公报中，公开了使用了由Mg-Ag合金构成的阴极的有机EL元件。

但是，Ag是容易扩散(迁移：migration)的金属，因为在形成EL元件的发光层等中扩散，所以成为引起有机EL元件的劣化或短路等的原因。

发明内容

本发明的目的在于，提供具有空穴注入性高的阳极、和/或不引起扩散等而稳定的阴极的有机EL元件和显示装置。

如上所述，在特开2001-043980号公报中，公开了作为阳极，不使用功函数高的金属(Au、Pt、Ni、Pd等)，而能够使用属于功函数低的5族或6族的金属(Cr、Mo、W、Ta、Pd等)。本发明人等发现，通过在这些属于功函数低的5族或6族的金属中加入从镧、铈、钕、钐、铕中选择的至少一种以上的元素，在发挥5族、6族金属特有的密接性或微细加工性的同时，使功函数升高，可以进一步提高空穴的注入效率(第一发明)。

另外，还发现，以含有Ce的氧化物烧结体为靶，在特定的条件下、即在氧分压为0.1Pa以下的溅射气氛中，如果进行溅射，可以得到功函数大且空穴注入效率大的导电层叠体(第二发明)。

进而，还发现，关于阴极，当在阴极层组合使用两种金属，且这些金属的标准氧化还原电位满足一定的关系时，可以抑制元件内的金属原子的扩散(第三发明)。

通过本发明，提供以下的有机EL元件、导电层叠体、导电层叠体的制造方法、有机电致发光元件用电极基板和显示装置。

1.一种有机电致发光元件，由阴极、阳极、以及在上述阴极和阳极之间存在的发光层构成，上述阳极的至少与上述发光层接触的部分含有从镧、铈、钕、钐、铕中选择的至少一种以上的元素，和从铬、钨、钽、铌、银、钯、铜、镍、钴、钼、铂、硅中选择的至少一种以上的元素。

2.在上述1记载的有机电致发光元件中，从上述镧、铈、钕、钐、铕中选择的至少一种以上的元素的总计浓度为0.1～50wt％。

3.在上述1或者2记载的有机电致发光元件中，上述阳极的至少与发光层接触的部分含有铈。

4.在上述1～3记载的任意有机电致发光元件中，上述阳极的至少与发光层接触的部分的功函数为5.0eV以上。

5.一种导电层叠体，具有电绝缘性的透明基材、在上述透明基材上形成的透明导电膜；上述透明导电膜包含至少含有铈(Ce)的氧化物，在采用X射线光电子分光法对上述透明导电膜的表面的位于铈3d轨道的电子的结合能进行测定而得到的曲线图中，当将上述结合能为877eV～922eV之间的总峰面积设为SA，将上述结合能为914eV～920eV之间的总峰面积设为SB时，作为上述SA和上述SB的面积比的SB/SA的值满足下述式(1)。

SB/SA＜0.13 (1)

6.在上述5记载的导电层叠体中，上述透明导电膜含有从由铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、锆(Zr)、镓(Ga)构成的金属元素组中选择的至少一种金属元素，和铈(Ce)以及氧(O)。

7.一种导电层叠体的制造方法，是制造上述5或者6记载的导电层叠体的方法，上述透明导电膜通过溅射法形成，使溅射气氛中的氧分压为0.1Pa以下。

8.一种有机电致发光元件用电极基板，包括上述5～7中任意一项记载的导电层叠体、和在上述导电层叠体上设置的金属导体，上述透明导电膜驱动有机电致发光层。

9.一种有机电致发光元件，包括：上述8记载的有机电致发光元件用电极基板、在上述有机电致发光元件用电极基板上设置的有机电致发光层。

10.一种有机电致发光元件，包括上述5～7任意一项记载的导电层叠体、和在上述导电层叠体上设置的有机电致发光层。

11.一种有机电致发光元件，按顺序至少层叠有阳极层、有机发光层和阴极层，上述阴极层至少含有第一金属和第二金属，上述第一金属的25℃下的标准氧化还原电位(E(A))为-1.7(V)以上，上述第二金属的25℃下的标准氧化还原电位(E(B))满足下述式(2)。

E(A)-1.1≤E(B) (2)

12.一种有机电致发光元件，按顺序至少层叠有阳极层、有机发光层、阴极层和透明导电层，上述阴极层至少含有第一金属和第二金属，上述第一金属的25℃下的标准氧化还原电位(E(A))为-1.7(V)以上，上述第二金属的25℃下的标准氧化还原电位(E(B))满足下述式(2)。

E(A)-1.1≤E(B) (2)

13.在上述11或者12记载的有机电致发光元件中，上述阴极层以上述第一金属为主要成分。

14.在上述11～13记载的任意有机电致发光元件中，上述第一金属是从Al、Cr、Ta、Zn、Fe、Ti、In、Co、Ni、Ge、Cu、Re、Ru、Ag、Pd、Pt、Au中选择的金属。

15.在上述11～14记载的任意有机电致发光元件中，上述第二金属是从Bi、Te、Sn、V、Mo、Nd、Nb、Zr中选择的金属。

16.在上述11～15记载的任意有机电致发光元件中，上述阴极层含有碱金属或碱土金属0.1重量％～5.0重量％。

17.在上述11～16记载的任意有机电致发光元件中，上述阴极层的波长380nm～780nm处的光线透过率为10％以上。

18.在上述11～17记载的任意有机电致发光元件中，上述第一金属是Ag。

19.一种显示装置，是包括上述1～4、9、10和14～21中任意一项记载的有机电致发光元件而构成。

通过本发明，可以有效地将空穴从阳极注入到发光层中，实现有机EL元件的驱动电压的进一步低电压化，以及通过低电压驱动的长寿命化。

另外，本发明的导电层叠体和有机EL元件用电极基板具有高功函数，所以可以将导电层叠体或者有机EL元件用电极基板用作有机EL元件的电极，由此可以实现恒电流驱动时的电压上升减小、长寿命且高亮度的有机EL元件。另外，通过本发明的导电层叠体的制造方法，可以有效得到上述导电层叠体。

另外，本发明的有机EL元件可以抑制作为阴极层而使用的金属在元件内的扩散，可以防止由金属原子的扩散导致的元件的劣化或短路，所以可以实现EL元件的长寿命化。

附图说明

图1是表示实施方式1的有机EL元件的图。

图2是表示实施方式2的一个像素的等效电路的图。

图3是表示实施方式2的有源矩阵型显示装置的图。

图4是表示实施方式2的一个像素的截面结构的图。

图5是表示实施方式3的有机EL元件的图。

图6是表示相当于本发明的铈3d轨道的结合能谱的一例的曲线图。

图7是表示不与本发明相当的铈3d轨道的结合能谱的一例的曲线图。

图8是表示实施方式4的有机EL元件的图。

图9是表示透明导电基板的制造工序的说明图。

图10是表示实施例中的制膜材料的化学式的图。

具体实施方式

下面，参照附图，详细说明第一发明～第三发明的实施方式，但本发明并不被这些实施方式所限定。

[第一发明1]

实施方式1

图1是表示本发明的有机EL元件的一个实施方式的图。在基板上形成阳极20、绝缘层30、发光层40、阴极50，发光层40由空穴注入层42、空穴输送层44、发光介质层46构成，阴极50由金属层22、透明导电层24构成。绝缘层30不是必不可少的层，但为了防止在阳极20-阴极50之间出现短路，所以优选设置该层。

在发光介质层46中，由阳极20提供的空穴和由阴极提供的电子发生复合而发光。该发光通过阴极50从上面被取出。

在本实施方式中，在阳极40的至少与空穴注入层42接触的部分，含有从镧、铈、钕、钐、铕中选择的至少一种以上的元素，和从铬、钨、钽、铌、银、钯、铜、镍、钴、钼、铂、硅中选择的至少一种以上的元素。从镧、铈、钕、钐、铕中选择的至少一种以上的元素的总计浓度，优选为该部分的全部元素的0.1～50wt％，更优选为1～30wt％。

在该阳极20中，通过在功函数比较低的元素中加入从镧、铈、钕、钐、铕中选择的至少一种以上的元素，功函数增加。为此，空穴从阳极20向发光层40的注入效率提高。其结果，有机EL元件的驱动电压降低，可以实现低电压驱动引起的长寿命化。功函数优选为5.0eV以上。

另外，在本实施方式中，由发光层40的发光介质层46产生的发光，一部分直接从阴极50向外部放出，另一部分朝向阳极20方向。阳极20由从镧、铈、钕、钐、铕中选择的至少一种以上的元素，和从铬、钨、钽、铌、银、钯、铜、镍、钴、钼、铂、硅中选择的至少一种以上的元素构成，由发光介质层46产生的发光被其与阳极20的界面反射一部分而逆行，从阴极50一侧发射出来。因此，可以有效地从上面取出由发光层40产生的发光。

另外，本实施方式的有机EL元件是顶部发射型，但阳极20还可以用于底部发射型的有机EL元件。

另外，本实施方式在发光层中包括空穴注入层、空穴输送层，但还可以省略这些层。另外，还可以包括电子注入层、电子输送层、附着改善层、阻挡层等作为其他层。

实施方式2

图2、3、4是表示使用了本发明的有机EL元件的显示装置的一个实施方式的图。

图2是表示有源矩阵型显示装置的一个像素部分的等效电路的图。

在有源矩阵型显示装置中，将多个像素排列成矩阵状，按照被提供的亮度信息控制每个像素的光强度，由此来显示图像。有源矩阵方式是通过设置在像素内部的有源元件(通常是作为绝缘栅型场效应晶体管的一种的薄膜晶体管(TFT))，控制在设置于各像素上的有机EL元件中流过的电流。

像素PXL是由有机EL元件OLED、作为第一有源元件的薄膜晶体管TFT1、作为第二有源元件的薄膜晶体管TFT2以及保持电容Cs构成。有机EL元件在大多数情况下具有整流性，所以有时被称为OLED(有机发光二极管)，图中使用二极管的符号。在图示的例子中，以TFT2的源极S为基准电位(接地电位)，OLED的阴极K连接在Vdd(电源电位)上，另一方面，阳极20连接在TFT2的漏极D上。另一方面，TFT1的栅极G连接在扫描线X上，源极S连接在数据线Y上，漏极D连接在保持电容Cs和TFT2的栅极G上。

为了使PXL进行工作，首先，当使扫描线X为选择状态，向数据线Y施加显示亮度信息的数据电位Vdata时，TFT1导通，保持电容Cs被充电或放电，TFT2的栅极电位与数据电位Vdata一致。当使扫描线X为非选择状态时，TFT1断开(OFF)，TFT2从数据线Y被电断开，但TFT2的栅极电位通过保持电容Cs被稳定保持。借助TFT2流过有机EL元件OLED的电流成为与TFT2的栅极/源极间电压Vgs对应的值，OLED以与TFT2所提供的电流量相对应的亮度持续发光。

如上所述，在图2所示的像素PXL的电路构成中，如果写入一次Vdata，接着，OLED在一帧之间以一定的亮度持续发光直到Vdata被重写。如果将多个这样的像素PXL如图3所示排列成矩阵状，可以构成有源矩阵型显示装置。

如图3所示，就本显示装置而言，用于选择像素PXL的扫描线X1～XN、和提供用于驱动像素PXL的亮度信息(数据电位Vdata)的数据线Y被设置成矩阵状。扫描线X1～XN连接在扫描线驱动电路60上，另一方面，数据线Y连接在数据线驱动电路62上。通过扫描线驱动电路60顺次选择扫描线X1～XN，同时通过数据线驱动电路62从数据线Y重复Vdata的写入，由此可以显示需要的图像。相对于在简单矩阵型的显示装置中，在各像素PXL中含有的发光元件只在所选择的瞬间发光，在图3所示的有源矩阵型显示装置中，在写入结束后各像素PXL的有机EL元件仍持续发光，所以与简单矩阵型相比，更可以降低有机EL元件的峰值亮度(峰值电流)，从上述等角度出发，在特别大型的高清晰度的显示器中变得有利。

图4模式地表示图2所示的像素PXL的截面结构。不过，为了容易图示，只显示OLED和TFT2。OLED按顺序层叠有阳极20、发光层40和阴极50。阳极20按照每个像素分离，基本上为光反射性。阴极50在各像素之间被公共连接，基本上为光透过性。

另一方面，TFT2包括：在由玻璃等构成的基板70的上面形成的栅电极72、在其上面重叠的栅绝缘膜74、和借助该栅绝缘膜74在栅电极72的上面重叠的半导体薄膜76。该半导体薄膜76例如由多晶硅薄膜构成。TFT2具备：成为被提供给OLED的电流的通路的源极S、沟道Ch和漏极D。沟道Ch位于栅电极72的正上方。该底部栅极结构的TFT2被层间绝缘膜78所覆盖，在其上形成有源电极80和漏电极82。在它们的上面借助其他层间绝缘膜84形成有上述的OLED膜。

另外，本实施方式是有源矩阵方式，但还可以是简单矩阵方式。另外，本发明的显示装置还可以采取公知的其他构成。

[第二发明]

实施方式3

图5是表示本发明的有机EL元件的一个实施方式的图。

有机EL元件134相当于在技术方案的范围内记载的有机EL元件的一个例子。该有机EL元件134包括：由玻璃基板110和透明导电膜112所构成的透明导电基板138、空穴输送层126、有机发光层128、电子注入层130、阴极132。

在本实施方式中，其特征在于，制造具有功函数大的透明导电膜112的透明导电基板138。另外，本实施方式的特征还在于，通过使用这样的透明导电基板138作为电极，制造恒电流驱动时的电压上升小、长寿命且高亮度的有机EL元件134。

下面，对各构成部件和制造方法进行说明。

A.导电层叠体

本发明的导电层叠体是具备电绝缘性的透明基材、和在上述透明基材上形成的透明导电膜的导电层叠体，上述透明导电膜包含至少含有铈(Ce)的氧化物，在采用X射线光电子分光法(下面有时会记为XPS法)对位于上述透明导电膜的表面的铈3d轨道的电子(下面有时会简单地记为3d电子)的结合能进行测定而得到的曲线图(下面有时称为Ce_3d峰值)中，当将上述结合能为877eV～922eV之间的总峰面积设为SA，将上述结合能为914eV～920eV之间的总峰面积设为SB时，作为上述SA/上述SB的面积比的SB/SA的值满足下述式(1)。

SB/SA＜0.13 (1)

在这里，作为上述SA的对象范围的877eV～922eV，表示Ce³⁺和Ce⁴⁺的3d电子的结合能。作为上述SB的对象范围的914eV～920eV，表示Ce⁴⁺的3d电子的结合能。因此，通过计算SA和SB的各自的结合能的峰面积的比，可以用SB/SA的值相对规定上述透明导电膜的Ce中的Ce⁴⁺的浓度。即，可以较低地规定上述透明导电膜的Ce中的Ce⁴⁺的浓度。

在图6和图7中表示透明导电膜表面的基于XPS法的铈3d轨道的结合能谱的一个例子。其中，图6和图7的横轴表示Ce的3d电子的结合能的大小(eV)，纵轴表示任意的相对值。另外，就基于XPS法的Ce的3d电子的结合能谱的测定条件，用实施例进行详细描述。

在这些图6和图7中，在Ce的3d电子的结合能谱中，表示作为877eV～922eV之间的总峰面积的SA、和作为914eV～920eV之间的总峰面积的SB。在这里，总峰面积是指在图6和图7所示的上述各范围(877eV～922eV、或者914eV～920eV)内，由X轴和Ce的3d电子的结合能谱所包围的面积。该面积等于图6的Ce的3d电子的结合能谱中在877eV～922eV(或者914eV～920eV)之间积分的值。

另外，图6所示的“Ce的3d电子的结合能谱”相当于在技术方案的范围内记载的“采用X射线光电子分光法对上述透明导电膜的表面的位于铈3d轨道的电子的结合能进行测定而得到的曲线图”的一个例子。

在图6中，表示在作为SB和SA的面积比的SB/SA的值不到0.13的情况下，铈3d轨道的结合能谱的一个例子。另一方面，在图7中，表示在作为SB和SA的面积比的SB/SA的值大于0.13的情况下，铈3d轨道的结合能谱的一个例子。

本发明的透明导电膜的特征如图6所示，作为SB和SA的面积比的SB/SA的值不到0.13。当透明导电膜满足该条件时，具有高功函数。

通过在有机EL元件(下面有时会记为有机电致发光元件)的阳极中使用包括用上述(1)式规定的透明导电膜的导电层叠体，可以提供恒定电流驱动时的电压上升小、长寿命且高亮度的有机EL元件。如上所述，导电层叠体的SB/SA的值可以不到0.13。但优选的值为不到0.08，更优选的值为不到0.03。

在使用X射线光电子分光分析装置(下面有时会记为XPS)，对透明导电膜表面的位于铈3d轨道的电子的结合能进行测定而得到的曲线图中，如果所测定的峰值满足上述式(1)，被认为该透明导电膜表面的功函数为5.6eV以上。另外，该透明导电膜表面的功函数通过紫外光电子分光法来测定。另外，关于功函数的测定条件，用实施例详细描述。

在本发明的导电层叠体中，使通过紫外光电子分光法测定的功函数的值为5.6eV以上的理由在于，当导电层叠体具有功函数不到5.6eV的透明导电膜时，使用该导电层叠体制造的有机EL元件，除了发光亮度降低之外，有时会增高有机EL元件的驱动电压，无法实现其寿命的延长。

本发明提供一种导电层叠体，其特征在于，上述透明导电膜包括：从由铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、锆(Zr)、镓(Ga)构成的金属元素组中选择的至少一种金属元素，和铈(Ce)以及氧(O)。另外，在这里，“包括的”的一个典型例子是透明导电膜含有上述金属原子作为构成元素。

B.导电层叠体的制造方法

本发明提供一种导电层叠体的制造方法，是制造上述导电层叠体的方法，其特征在于，采用溅射法形成透明导电膜，使溅射气氛中的氧分压为0.1Pa以下。

本发明的导电层叠体中的透明导电膜，通过使用了溅射靶的溅射法形成透明基材上。此外，当进行通过该溅射法的制膜时，可以使用各种溅射装置进行，但特别适合使用磁控溅射装置。

使用该磁控溅射装置、在透明基材上对上述透明导电膜进行制膜时的条件如下所示。首先，等离子的输出依据所使用的靶的表面积或层叠的透明导电膜的膜厚发生变动。在本发明中，优选使该等离子输出在每1cm²靶表面积为0.3～4W的范围。另外，此时，通过使制膜时间为5～120分钟，可以得到具有需要膜厚的透明导电膜。即，通过采用上述制膜时间，可以得到用于有机EL元件的适当膜厚。

此时，作为溅射时的气氛气体，优选使用氩气、氮气、氦气等惰性气体，以及这些气体与氧的混合气体。另外，关于溅射压力，根据溅射装置的种类、透明基材-靶间的距离、透明基材的温度等，最佳值发生改变，关于氧分压，优选为0.1Pa以下，进一步优选为0.02Pa以下。

像这样使氧分压为0.1Pa以下的理由在于，当氧分压超过0.1Pa时，在透明导电膜中含有的Ce³⁺与Ce⁴⁺相比减少，SB/SA的值变为0.13以上。

另外，如上所述，在通过XPS对透明导电膜的表面进行测定而得到的Ce_3d峰值中，SA是结合能为877eV～922eV之间的总峰面积，SB是结合能为914eV～920eV之间的总峰面积。

另外，对该导电层叠体中的透明基材没有特别限制，可以使用公知的由透明玻璃、石英、透明塑料、透明陶瓷等构成的板状构件或薄膜状构件。

另外，作为上述透明玻璃的具体例子，可以举出钠钙玻璃、铅硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、硅酸盐玻璃、高硅酸玻璃、无碱玻璃、磷酸盐玻璃、碱性硅酸盐玻璃、石英玻璃、铝硼硅酸玻璃、钡硼硅酸盐玻璃、钠硼硅酸盐玻璃等。

另外，作为上述透明塑料的具体例子，可以举出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯、聚苯乙烯、聚醚砜系树脂、无定形聚烯烃、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、聚磷腈、聚醚醚酮、聚酰胺、聚缩醛系树脂等。

作为上述透明陶瓷的具体例子，可以举出蓝宝石、PLZT、CaF₂、MgF₂、ZnS等。因此，就透明基材的材质或厚度等而言，根据目的导电性透明基材、即导电层叠体的用途、或该导电性透明基材所要求的透明性等进行适当选择。

在上述的透明基材上面，使用包含至少含有铈(Ce)的氧化物的氧化物靶，采用溅射法制作透明导电膜。该氧化物靶例如优选由氧化物烧结体构成。

在这里，关于构成已制作的透明导电膜的组合物，需要在以往公知的透明导电性金属氧化物(In₂O₃、SnO₂、ZnO、CdO、Cd-In-O系、Zn-Al-O系、In-Sn-O系、In-Zn-O系、Zn-Sn-O系、Cd-Sn-O系等)混合铈。

当将这样得到的导电层叠体用作有机EL元件用的电极时，在该导电层叠体中的透明导电膜的导电性不够高的情况下，通过在该透明导电膜上层叠金属导体，降低驱动时的欧姆损失，提高导电性。特别是在为无源矩阵型的有机EL元件的情况下，采用通过顺次扫描使显示电极部发光的方式，所以与有源型的有机EL元件相比，被认为其效果更大。

C.有机电致发光(EL)元件用电极基板

本发明提供有机电致发光元件用电极基板，其包括上述导电层叠体、和在上述导电层叠体上设置的金属导体，其特征在于，上述透明导电膜驱动有机电致发光层。

用于该金属导体的金属是层叠在透明导电膜上以使透明导电膜的导电性提高的金属，只要是导电率比透明导电膜大的金属，就没有特别限制。不过，通过在透明导电膜和金属的界面处的氧化还原反应，对透明导电膜上的金属进行蚀刻之后的透明导电膜表面的功函数有时会减小。为此，用于金属导体的金属的功函数优选大致为4.0eV以上。另外，用于金属导体的金属的更优选的功函数为4.5eV以上。

为了有效地取出来自有机发光层的光，金属导体优选为细金属线。下面，对该细金属线进行说明。

就细金属线的制作方法而言，通常是在导电层叠体的透明导电膜的上面，通过溅射法或真空蒸镀法等的真空过程进行金属的制膜，然后通过蚀刻将已制膜的金属加工成细线图案。本发明采用该常用方法在透明导电膜的上面制作细金属线。

另外，对该金属的蚀刻液没有特别限制，但理想的是选择对透明导电膜几乎没有损坏的蚀刻液，其中的透明导电膜位于被制膜的金属的下方。这样的蚀刻液例如是磷酸、醋酸、硝酸的混酸。另外，还优选在该混酸中添加磺酸、聚磺酸等。

另外，该细金属线的构成还优选为2层、3层等的多层结构，还优选由2种以上的合金构成。作为其多层结构的构成例子，可以举出Ti/Al/Ti、Cr/Al/Cr、Mo/Al/Mo、In/Al/In、Zn/Al/Zn、Ti/Ag/Ti等。另外，作为2种以上的合金，可以举出Al-Si、Al-Cu、Al-Nd、Cu-Zr、Cu-Ni、Cu-Cr、Mo-V、Mo-Nb、Ag-Au-Cu、Ag-Pd-Cu等。

D.有机EL元件

本发明是一种有机EL元件，其特征在于，包括上述有机EL元件用电极基板、和在上述有机EL元件用电极基板上设置的有机电致发光层。

另外，本发明还是一种有机EL元件，其特征在于，包括上述导电层叠体、和在上述导电层叠体上设置的有机电致发光层。

本发明的有机EL元件如上所述，含有功函数大的导电层叠体(或者有机EL元件用电极基板)。为此，该有机EL元件可望实现恒电流驱动时的电压上升小、长寿命以及达到高亮度。

另外，本发明的效果在要求瞬时的高亮度工作的无源驱动方式的有机EL元件中特别有效，但即使在有源驱动方式的有机EL元件中，也一样可望实现高亮度、长寿命的效果。

[第三发明]

本发明的有机EL元件具有按顺序至少层叠了阳极层、有机发光层、阴极层的构成，阴极层至少含有第一金属和第二金属。

在阴极层中使用的第一金属的、在25℃下的标准氧化还原电位(E(A))，为-1.7(V)以上。

作为第一金属的优选例子，可以举出Al、Cr、Ta、Zn、Fe、Ti、In、Co、Ni、Ge、Cu、Re、Ru、Ag、Pd、Pt、Au等。优选的是Ag、Cr、Cu、Pt或者Au，特别优选Ag。

就第二金属而言，其在25℃下的标准氧化还原电位(E(B))与第一金属的关系满足下述式(2)。

E(A)-1.1≤E(B) (2)

第二金属的标准氧化还原电位(E(B))，优选满足

E(A)-0.5≤E(B)，更优选满足E(A)-0.3≤E(B)。

第二金属可以与第一金属相适应而适当选择。优选Bi、Te、Sn、Ni、V、Mo、Nd、Nb、Zr等金属，特别优选Bi、Te、Ni或者Nb。

在本发明中，通过组合使用上述的第一金属和第二金属，可以得到透明性出色且耐久性出色的阴极。因此，可以制造耐久性出色的有机EL元件。推测这是因为第一金属的迁移或溶出被第二金属所抑制。

另外，在本说明书中，标准氧化还原电位是指在25℃、一个大气压下的水中的平衡电位(对标准氢电极)。

阴极层优选以第一金属为主要成分。“主要成分”是指第一金属的量比阴极层中含有的第一金属以外的配合成分的各配合量还多。第一金属占阴极层的量优选为60重量％～99.9重量％，特别优选为80重量％～99重量％。

阴极层优选除了上述第一和第二金属之外，还含有碱金属或碱土金属0.1重量％～5.0重量％。由此，可以降低阴极层的功函数，电子向电子输送层的注入变得顺畅。碱金属或碱土金属在阴极层所占的配合量优选为1重量％～10重量％，特别优选为2重量％～5重量％。

在碱金属或碱土金属当中，特别优选Li、Mg、Ca或者Cs。

阴极层的在波长380nm～780nm处的光线透过率优选为10％以上。如果光线透过率不到10％，无法充分取出在发光层产生的光，所以有可能出现元件的发光效率降低。光线透过率优选为20％以上，特别优选为30％以上。另外，在本说明书中，光线透过率是指在波长380nm～780nm处的平均光线透过率。

阴极层可以通过公知的方法、例如以一定的比率同时蒸镀各金属的方法、同时溅射个金属等方法而形成。

阴极层的厚度优选为0.1～10nm，更优选为0.1～5nm。

在本发明的有机EL元件中，关于阳极层、有机发光层等其他构成要素，可以没有特别限制地使用在有机EL元件中使用的公知部件。下面，对本发明的有机EL元件的具体例子进行说明。另外，本发明的有机EL元件并不限于该实施方式。

实施方式4

图8是表示作为本发明的一个实施方式的有机EL元件的图。

有机EL元件90具有在基板91上按顺序依次层叠阳极层92、空穴输送层93、有机发光层94、电子输送层95、阴极96、以及透明导电层97的结构。

基板91支撑有机EL元件。阳极层92向元件内提供空穴，阴极层96和透明导电层97提供电子。空穴输送层93是从阳极92接收空穴，有助于向有机发光层94输送空穴的层。同样，电子输送层95是从阴极96接收电子，有助于向有机发光层94输送电子的层。有机发光层94是通过电子和空穴的复合而产生光的层。

在有机EL元件90中，具有含有上述的金属的组合的阴极层96。在以往的EL元件中，用于阴极层96的金属例如Ag等因元件的驱动而发生变质，扩散到电子输送层95或有机发光层94等中，所以成为使有机层劣化、或与阳极层2的短路等的原因。

在本发明的有机EL元件中，可以抑制在阴极层中使用的金属的扩散，所以可以有效防止由金属的扩散引起的元件的劣化。因此，可以实现元件的长寿命化。

在有机EL元件90中，基板91可以使用玻璃、聚酯等高分子薄膜或非晶硅等。

阳极层92使用氧化铟-氧化锡(ITO)、氧化铟-氧化锌(IZO)等透明电极，使用Cr、Au等金属。膜厚优选为100nm～200nm。

在空穴输送层93中可以使用公知的物质，例如聚-N-乙烯咔唑衍生物、聚亚苯基亚乙烯基衍生物、聚亚苯基、聚噻吩、聚甲基苯基硅烷、聚苯胺、三唑衍生物、二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉-5-酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、唑衍生物、咔唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴衍生物、腙衍生物、芪衍生物、卟啉衍生物(酞菁等)、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺衍生物、丁二烯化合物、联苯胺衍生物、聚苯乙烯衍生物、三苯基甲烷衍生物、四苯基苯衍生物、星爆(star-burst)聚胺衍生物等。

有机发光层94优选由主体化合物和掺杂剂构成。主体化合物输送电子或空穴中的至少一方电荷。作为主体化合物的优选的例子，可以举出公知的咔唑衍生物、具有含氮原子的缩合杂环骨架的化合物等。主体化合物可以是高分子化合物。作为成为主体的高分子化合物，可以举出含有咔唑的单体、二聚体、三聚体等低聚物，具有咔唑基的高分子化合物等。

在电子输送层95中可以使用公知的二唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物、硝基取代芴酮衍生物、二氧化吡喃衍生物、二苯基醌衍生物、亚芴基甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二萘嵌苯衍生物、8-羟基喹啉衍生物、喹啉衍生物等。

透明导电层97中可以使用公知的透明导电材料，例如氧化锡、ITO、IZO等。另外，还可以使用聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、或它们的衍生物等有机材料。特别优选在150℃以下的低温下对IZO进行制膜。

[实施例]

第一发明

实施例1

制造图1所示的构成的有机EL元件。

作为阳极20，使用铬和铈的合金(功函数：5.3eV)。通过DC溅射在玻璃基板10上以200nm的膜厚使该合金成膜。溅射气体，使用氩气(Ar)，压力为0.2Pa，DC输出为300W。使用平版印刷技术，形成规定形状的图案，得到阳极20。作为蚀刻液，使用ETCH-1(三洋化成工业(株)制)。可以通过该蚀刻液高精度且高再现性地加工铬。进而，在要求加工精度的情况下，还可以进行基于干蚀刻的加工。作为蚀刻气体，可以使用氯(Cl₂)和氧(O₂)的混合气体。特别是如果使用活性离子蚀刻(RIE)，可以进行高精度的加工，而且可以控制蚀刻面的形状。如果在规定的条件下进行蚀刻，可以进行锥(taper)状的加工，可以降低阴极50-阳极20之间的短路。

接着，通过溅射在该基板10上形成膜厚为200nm的二氧化硅(SiO₂)膜，并用作绝缘层30。使用平版印刷技术，按照在阳极20上设置开口的方式加工SiO₂。在SiO₂的蚀刻中使用了氢氟酸和氟化胺的混合液。该开口部成为有机EL元件的发光部分。

接着，将该玻璃基板10放入真空蒸镀装置中，通过蒸镀形成了发光层40和阴极50的金属层52。关于发光层40，使用4，4’，4，4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)作为空穴注入层42，使用双(N-萘基)-N-苯基联苯胺(α-NPD)作为空穴输送层44，使用8-羟基喹啉铝络合物(Alq)作为发光介质层46。在阴极50的金属层52中使用镁和银的合金(Mg:Ag)。属于发光层40的各材料，分别以0.2g填充到电阻加热用的舟皿中，安装在真空蒸镀装置的规定电极上。关于金属层52，将镁0.1g、银0.4g填充到舟皿中，安装在真空蒸镀装置的规定电极上。在将真空室减压至1.0×10^-4Pa之后，向各舟皿施加电压，顺次加热进行蒸镀。通过使用金属掩模，只在规定部分上蒸镀发光层40和金属层52。规定的部分是指在基板10上阳极20漏出的部分。由于不容易只在阳极20露出的部分进行高精度的蒸镀，因此以覆盖阳极20露出的全体部分的方式(到达绝缘层30的边缘的方式)设计蒸镀掩模。首先，蒸镀30nm的MTDATA作为空穴注入层42，蒸镀20nm的α-NPD作为空穴输送层44，蒸镀50nm的Alq作为发光介质层46。进而，共蒸镀镁和银，在发光介质层46上成膜金属层52。镁和银的成膜速度比为9∶1，膜厚为10nm。

最后，移至其他真空室内，通过同样的掩模，使In-Zn-O系的透明导电层54成膜。在成膜中使用DC溅射。就成膜条件而言，使用氩气和氧的混合气体(体积比Ar∶O₂＝1000∶5)作为溅射气体，压力为0.3Pa，DC输出为40W，膜厚为200nm。

在玻璃基板10上使阳极20成膜，测定其反射率，结果在波长460nm处为65％。另外，测定波长460nm处层叠阴极50的透过率，结果为52％。

在本实施例的有机EL元件的阳极-阴极之间施加25mA/cm²的电流，结果驱动电压为7V，从阴极50侧观测930cd/m²的发光亮度。与朝向阳极20方向的发光相当的量被反射并逆行，从阴极50侧发射出来。可以确认良好的载体注入特性和发光特性。另外，在发光面未见黑斑。如此得到的EL元件的评价结果如表1所示。

另外，功函数使用理研计器(株)制AC-1进行测定。

实施例2

在玻璃基板10上使镉和镧的合金(Cr∶La＝90∶10)成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

实施例3

在玻璃基板10上使银和钕的合金(Ag∶Nd＝90∶10)成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

实施例4

在玻璃基板10上使钼和钐的合金(Mo∶Sm＝95∶5)成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

实施例5

在玻璃基板10上使钨和铕的合金(W∶Eu＝95∶5)成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

实施例6

在玻璃基板10上使银、钯、铜和铈的合金(Ag∶Pd∶Cu∶Ce＝95∶0.5∶1∶3.5)成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

实施例7

在玻璃基板10上使钽和钕(Ta∶Nd＝50∶50)的合金成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

实施例8

在玻璃基板10上使铌和铈的合金(Nb∶Ce＝50∶50)成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

实施例9

在玻璃基板10上使镍、钴和铈的合金(Ni∶Co∶Ce＝60∶20∶20)成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

实施例10

在玻璃基板10上使铂和钐的合金(Pb∶Sm＝95∶5)成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

实施例11

在玻璃基板10上使硅和钕的合金(Si∶Nd＝90∶10)成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

实施例12

在玻璃基板10上，作为阳极20，采用溅射法使银成膜且膜厚为190nm，然后以膜厚10nm使氧化铬和氧化铈的合金(CrO₂∶CeO₂＝90∶10)成膜，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

比较例1

在玻璃基板10上，使透明导电膜的ITO成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。在如此制作的有机EL元件的阳极-阴极之间施加25mA/cm²的电流，结果驱动电压为8.5V，来自阴极50侧的发光亮度为250cd/m²，与实施例1的有机EL元件相比，较小。这表示向阳极20方向传播的发光几乎不发生反射，而向玻璃基板10侧射出。

比较例2

在玻璃基板10上使银和铝的合金(Ag∶Al＝50∶50)成膜作为阳极20，并使膜厚为200nm，除此之外，与实施例1完全相同地制作EL元件。如此得到的EL元件的评价结果显示于表1。

表1

	阳极构成组成比	功函数(eV)	阳极的反射率(％)	元件驱动电压(V)	发光亮度(cd·m^-2)
	阳极构成组成比	功函数(eV)	阳极的反射率(％)	元件驱动电压(V)	发光亮度(cd·m^-2)	实施例1	Cr∶Ce＝95∶5	5.3	65	7.0	930
实施例2	Cr∶La＝90∶10	5.2	60	6.8	930	实施例1	Cr∶Ce＝95∶5	5.3	65	7.0	930
实施例2	Cr∶La＝90∶10	5.2	60	6.8	930	实施例3	Ag∶Nd＝90∶10	5.0	70	7.2	950
实施例4	Mo∶Sm＝95∶5	5.0	65	7.2	880	实施例3	Ag∶Nd＝90∶10	5.0	70	7.2	950
实施例4	Mo∶Sm＝95∶5	5.0	65	7.2	880	实施例5	W∶Eu＝95∶5	5.0	60	7.2	650
实施例6	Ag∶Pd∶Cu∶Ce＝95∶0.5∶1∶3.5	5.3	70	6.5	850	实施例5	W∶Eu＝95∶5	5.0	60	7.2	650
实施例6	Ag∶Pd∶Cu∶Ce＝95∶0.5∶1∶3.5	5.3	70	6.5	850	实施例7	Ta∶Nd＝50∶50	5.2	60	6.5	810
实施例8	Nb∶Ce＝50∶50	5.3	60	6.5	780	实施例7	Ta∶Nd＝50∶50	5.2	60	6.5	810
实施例8	Nb∶Ce＝50∶50	5.3	60	6.5	780	实施例9	Ni∶Co∶Ce＝80∶10∶10	5.3	60	6.6	800
实施例10	Pt∶Sm＝95∶5	5.1	60	6.8	850	实施例9	Ni∶Co∶Ce＝80∶10∶10	5.3	60	6.6	800
实施例10	Pt∶Sm＝95∶5	5.1	60	6.8	850	实施例11	Si∶Nd＝90∶10	5.0	60	6.5	800
实施例12	CrO₂∶CeO₂＝95∶5	5.5	55	6.5	800	实施例11	Si∶Nd＝90∶10	5.0	60	6.5	800
实施例12	CrO₂∶CeO₂＝95∶5	5.5	55	6.5	800	比较例1	ITO	4.9	5	8.5	300
比较例2	Ag∶Al＝50∶50	4.0	70	13.0	800	比较例1	ITO	4.9	5	8.5	300

由表1可知，就实施例的有机EL元件而言，空穴的注入性高，所以驱动电压低，元件的发热受到抑制，所以认为发光亮度高。另外，因为可以有效地从上面取出在发光层40产生的发光，所以可以得到良好的上面发光。

第二发明

在有关本发明的实施例中，铈3d轨道的结合能的测定是使用X射线光电子分光分析装置(アルバツクフアイ公司制，ESCA5400，X射线源：Mg-K_α)而进行的。作为该X射线光电子分光分析装置的检测器，使用静电半球型的检测器，将该检测器的通过能(pass energy)设定为35.75eV，峰值的基准是将C_ls设定成284.6eV而测定的。另外，图6和图7所示的透明导电膜表面的铈3d轨道的结合能谱也在该条件下进行测定。

另外，在下述的实施例中测定的“透明导电膜表面的铈3d轨道的结合能谱”，都相当于技术方案中记载的“采用X射线光电子分光法对上述透明导电膜的表面的位于铈3d轨道的电子的结合能进行测定而得到的曲线图”的一个例子。

另外，在下述的任意实施例中，SA是指铈3d轨道的结合能谱中的877eV～922eV之间的总峰面积，SB是指该谱图中的914eV～920eV之间的总峰面积。

另外，就透明导电膜的功函数的值而言，在对透明导电膜进行UV(紫外线)清洗之后，在空气中用光电子分光装置(理研计器公司制，AC-1)进行测定。

实施例13

(1)透明导电基板的制造准备(靶1的制作)

按照如下所述的比率分别准备氧化铟、氧化锡、氧化铈的粉末(所有粉末的平均粒径为1μm以下)材料，并收容于湿式球磨机容器内，其比率是：作为铟的摩尔比的In/(In+Sn+Ce)的值为0.9，作为锡的摩尔比的Sn/(In+Sn+Ce)的值为0.05，作为铈的摩尔比的Ce/(In+Sn+Ce)的值为0.05。用72小时的时间对收容到该湿式球磨机容器内的上述粉末进行混合粉碎，得到粉碎物。

另外，如上所述，当在数学式中使用Sn、In、Ce等元素符号时，各元素符号表示该元素的摩尔数。另外，在下述的实施例中，在数学式中使用Zn、Ga等的情况下，同样地，各元素符号表示该元素的摩尔数。

接着，对得到的粉碎物进行造粒，然后压制成形为直径4英寸、厚5mm的尺寸，得到成形体。将该成形体收容到烧成炉中之后，在1400℃的温度下加热烧成36小时，制作透明导电膜112用的靶1。

(2)透明导电基板的制造

图9是表示本实施例中的透明导电基板138的制造工序的说明图。首先，在高频溅射装置的真空槽内配置厚度为1.1mm、纵长25mm、横宽75mm的透明玻璃基板110、以及制作成的上述靶1。运转高频溅射装置，在减压到上述真空槽内的真空度达到5×10^-4Pa的状态下，将氩气和氧(其体积比为80∶20)导入到上述真空槽内，使溅射压力为0.1Pa。此时，氧气的分压为0.02Pa。图9(1)表示该玻璃基板110的状态，该玻璃基板110相当于技术方案范围内的透明基材的一个例子。另外，这些溅射气体的成分比和溅射气体中的氧分压显示于表2中。

表2

	实施例13	实施例14	实施例15	实施例16	实施例17
	实施例13	实施例14	实施例15	实施例16	实施例17	阳极层材料	In₂O₃SnO₂CeO₂	In₂O₃CeO₂	In₂O₂ZnOCeO₂	In₂O₃SnO₂CeO₂	In₂O₃ZrO₂CeO₂
溅射气体	Ar∶O₂＝80∶20	Ar100％	Ar∶O₂＝95∶5	Ar100％	Ar100％	阳极层材料	In₂O₃SnO₂CeO₂	In₂O₃CeO₂	In₂O₂ZnOCeO₂	In₂O₃SnO₂CeO₂	In₂O₃ZrO₂CeO₂
溅射气体	Ar∶O₂＝80∶20	Ar100％	Ar∶O₂＝95∶5	Ar100％	Ar100％	溅射氧分压/Pa	0.02	0	0.005	0	0
辅助配线	Al	Ag	-	Mo	Cr	溅射氧分压/Pa	0.02	0	0.005	0	0
辅助配线	Al	Ag	-	Mo	Cr	Ce3d峰面积比SB/SA	0.12	0.02	0.025	0.029	0.029
功函数/eV	5.6	5.8	5.9	5.6	5.6	Ce3d峰面积比SB/SA	0.12	0.02	0.025	0.029	0.029
功函数/eV	5.6	5.8	5.9	5.6	5.6	光透过率/％	89	89	89	89	89
阳极层比电阻/Ω·cm	5.4×10^-3	7.7×10^-4	4.9×10^-4	5.0×10^-4	5.0×10^-4	光透过率/％	89	89	89	89	89
阳极层比电阻/Ω·cm	5.4×10^-3	7.7×10^-4	4.9×10^-4	5.0×10^-4	5.0×10^-4	空穴输送层材料	TBDB	TBDB	TBDB	TBDB	TBDB
膜厚/nm	60	60	60	60	60	空穴输送层材料	TBDB	TBDB	TBDB	TBDB	TBDB
膜厚/nm	60	60	60	60	60	有机发光层材料	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1
膜厚/nm	40	40	40	40	40	有机发光层材料	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1
膜厚/nm	40	40	40	40	40	电子注入层材料	Alq	Alq	Alq	Alq	Alq
膜厚/nm	20	20	20	20	20	电子注入层材料	Alq	Alq	Alq	Alq	Alq
膜厚/nm	20	20	20	20	20	阴极层材料	Al/Li	Al/Li	Al/Li	Al/Li	Al/Li
膜厚/nm	200	200	200	200	200	阴极层材料	Al/Li	Al/Li	Al/Li	Al/Li	Al/Li
膜厚/nm	200	200	200	200	200	施加5V时的电流密度(mA/cm²)	1.8	2.0	1.0	2.0	2.0
发光亮度/nit	141	160	160	141	140	施加5V时的电流密度(mA/cm²)	1.8	2.0	1.0	2.0	2.0
发光亮度/nit	141	160	160	141	140	1000hr后的电压上升率	1.7	1.4	1.6	1.7	1.4
判定^*	○	○	○	○	○	1000hr后的电压上升率	1.7	1.4	1.6	1.7	1.4

*：亮度100nit以上且1000hr之后的电压上升率为2.0以内时为○，在其以外时为×。

在上述气氛下，在使真空槽内的玻璃基板110的温度为200℃、使接通电力为100W、制膜时间为14分钟的条件下，使用上述靶1进行溅射。其结果，通过在玻璃基板110上形成厚110nm的透明导电膜112，得到导电层叠体136。其状态如图9(2)所示。

接着，在氩气中，使用Al靶，在透明导电膜112上形成厚120nm的由Al薄膜构成的金属膜114。其状态如图9(3)所示。

接着，使用由磷酸-硝酸-醋酸水溶液(磷酸∶硝酸∶醋酸＝16∶1∶1)构成的蚀刻液，对透明导电膜112/金属膜114进行蚀刻，使金属膜114的宽度为20μm，由此在透明导电膜112上形成由Al构成的细金属线116。其状态如图9(4)所示。

随后，如图9(5)所示，通过草酸水溶液，对使用上述靶1在玻璃基板110上制成的透明导电膜112进行蚀刻。通过该蚀刻，按照将一根由Al构成的细金属线116配置在透明导电膜112的一端的方式进行构图。下面，将这样构图而制作的细金属线116和透明导电膜112总称为图案化电极118。

另外，下面，将玻璃基板110、和该图案化电极118总称为透明导电基板138。该透明导电基板138相当于技术方案范围中记载的有机电致发光元件用电极基板的一个例子。该透明导电基板138如图9(5)所示。

另外，使用靶1而制作的透明导电膜112的宽度为90μm。另外，在上述蚀刻中得到的由Al构成的细金属线116相当于技术方案范围中记载的金属导体的一个例子。

在异丙醇中对该透明导电基板138进行超声波清洗，进而在N₂(氮气)气氛中使其干燥，然后使用UV(紫外线)和臭氧，清洗10分钟。

(3)透明导电基板的物性的测定结果

对使用靶1进行制膜而成的透明导电膜112的比电阻进行测定，结果其值为5.4×10^-3Ω·cm。另外，对图案化电极118的光透过率(波长550nm处的光透过率)进行测定，结果其值为89％。另外，使用光电子分光装置(理研计器公司制、AC-1)对UV清洗后的透明导电基板138中的透明导电膜112的功函数进行测定，结果其值为5.6eV。另外，这些测定结果如表2所示。

接着，使用XPS对上述图案化电极118表面中的Ce_3d峰值进行测定。该测定的结果是，作为上述SB和上述SA的面积比的SB/SA的值为0.12。该测定结果也如表2所示。

(4)有机EL元件的形成

在真空蒸镀装置的真空槽内的基板托架上，安装透明导电基板138，接着，将该真空槽内减压至1×10^-6Torr以下的真空度。在该状态下，在透明导电基板138的图案化电极118上，顺次层叠空穴输送层126、有机发光层128、电子注入层130、阴极层132，得到有机EL元件134。其状态显示于图5。另外，在从形成上述有机发光层128到形成上述阴极层132期间，在真空槽内维持真空状态。如此，在本实施方式中，在一定的真空条件下进行制膜。另外，该有机EL元件134相当于技术方案范围记载的有机电致发光元件的一个例子。

关于通过真空蒸镀法形成这样的有机EL元件134时的条件(材料和顺序)，在下面依次说明。

首先，使用TBDB作为空穴输送层126的材料，在透明导电基板138的透明导电膜112上真空蒸镀60nm的空穴输送层126。接着，使用DPVDPAN和D1作为有机发光层128的材料，真空条件下在上述空穴输送层126上共蒸镀40nm的有机发光层128。此时的DPVDPAN的蒸镀速度为40nm/s，D1的蒸镀速度为1nm/s。

接着，使用Alq作为电子注入层130的材料，在上述有机发光层128上真空蒸镀20nm的电子注入层130。最后，真空蒸镀Al和Li，在电子注入层130上形成阴极层132，由此形成有机EL元件134。此时的Al的蒸镀速度为1nm/s，Li的蒸镀速度为0.01nm/s，Al/Li膜的厚度为200nm。

另外，上述各层的材料以及它们的膜厚显示于表2。另外，TBDB或DPVDPAN、D1、Alq的化学式如图10所示。

(5)所制造的有机EL元件的评价

将得到的有机EL元件134中的阴极层132作为负极，将透明导电膜112作为正极，在两电极之间施加5.0V的直流电压。

此时的电流密度为1.8mA/cm²，测定有机EL元件134的发光亮度，结果其值为141nit(cd/m²)。另外，确认其发光色为蓝色。

进而，作为耐久性评价，以10mA/cm²来恒电流驱动有机EL元件134，当以V₀作为最初的电压，以V作为经过1000小时后的电压时，电压上升率(＝V/V₀)被抑制在1.7。

实施例14

(1)透明导电基板的制造准备(靶2的制作)

按照如下所述的比率准备氧化铟、氧化铈的粉末(所有粉末的平均粒径为1μm以下)并将各材料收容于湿式球磨机容器内，其比率是：作为铟的摩尔比的In/(In+Ce)的值为0.95，作为铈的摩尔比的Ce/(In+Ce)的值为0.05。用72小时的时间对收容到该湿式球磨机容器内的上述粉末进行混合粉碎，得到粉碎物。

通过上述实施例13(1)相同的处理，对该粉碎物进行造粒，压制成形，进行加热烧成，由此制作透明导电膜112用的靶2。

(2)透明导电基板的制造

首先，在高频溅射装置的真空槽内配置与实施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶2。运转高频溅射装置，在减压到上述真空槽内的真空度达到5×10^-4Pa的状态下，将氩气导入到真空槽内，使溅射压力为0.1Pa。图9(1)表示该玻璃基板110的状态。另外，此时，在上述真空槽内，溅射气体的成分为氩气100％，氧分压为0Pa(表2)。

在上述气氛下，在使真空槽内的玻璃基板110的温度为200℃、使接通电力为100W、制膜时间为14分钟的条件下，使用上述靶2进行溅射。其结果，通过在玻璃基板110上形成厚110nm的透明导电膜12，得到导电层叠体136。其状态如图9(2)所示。

接着，在氩气中，使用Ag靶，在透明导电膜112上形成厚120nm的由Ag薄膜构成的金属膜114。其状态如图9(3)所示。

接着，使用由磷酸-硝酸-醋酸水溶液(磷酸∶硝酸∶醋酸＝8∶1∶8)构成的蚀刻液，对透明导电膜112/金属膜114进行蚀刻，使金属膜114的宽度为20μm，由此在透明导电膜112上形成由Ag构成的细金属线116。其状态如图9(4)所示。

随后，如图9(5)所示，通过草酸水溶液，对使用上述靶2制作的透明导电膜112进行蚀刻，使图案与实施例13相同，使其宽度为90μm。将这样构图而制作的细金属线116和透明导电膜112总称为图案化电极118。

另外，下面将玻璃基板110、和该图案化电极118总称为透明导电基板138。该透明导电基板138相当于技术方案范围中记载的有机电致发光元件用电极基板的一个例子。该透明导电基板138如图9(5)所示。另外，在上述蚀刻中得到的由Ag构成的细金属线116相当于技术方案范围中记载的金属导体的一个例子。

(3)透明导电基板的物性的测定结果

对使用靶2进行制膜而成的透明导电膜112的比电阻进行测定，结果其值为7.7×10^-4Ω·cm。另外，对图案化电极118的光透过率(波长550nm处的光透过率)进行测定，结果其值为89％。另外，使用光电子分光装置(理研计器公司制、AC-1)对UV清洗后的透明导电基板138中的透明导电膜112的功函数进行测定，结果其值为5.8eV。另外，这些测定结果如表2所示。

接着，使用XPS对上述图案化电极118表面中的Ce_3d峰值进行测定。该测定的结果是，作为上述SB和上述SA的面积比的SB/SA的值为0.02。该测定结果也如表2所示。

(4)有机EL元件的形成

如图5所示，与实施例13一样，在透明导电基板138的图案化电极118上，顺次层叠空穴输送层126、有机发光层128、电子注入层130、阴极层132，得到有机EL元件134。另外，该有机EL元件134相当于技术方案范围记载的有机电致发光元件的一个例子。

(5)所制造的有机EL元件的评价

此时的电流密度为2.0mA/cm²，测定有机EL元件134的发光亮度，结果其值为160nit(cd/m²)。另外，确认其发光色为蓝色。

进而，作为耐久性评价，以10mA/em²来恒定电流驱动有机EL元件134，当以V₀作为最初的电压，以V作为经过1000小时后的电压时，电压上升率(＝V/V₀)被抑制在1.4。

实施例15

(1)透明导电基板的制造准备(靶3的制作)

按照如下所述的比率准备氧化铟、氧化锌、氧化铈的粉末(所有粉末的平均粒径为1μm以下)并将各材料收容于湿式球磨机容器内，其比率是：作为铟的摩尔比的In/(In+Zn+Ce)的值为0.90，作为锌的摩尔比的Zn/(In+Zn+Ce)的值为0.05，作为铈的摩尔比的Ce/(In+Zn+Ce)的值为0.05。用72小时的时间对收容到该湿式球磨机容器内的上述粉末进行混合粉碎，得到粉碎物。

通过上述实施例13(1)相同的处理，对该粉碎物进行造粒，压制成形，进行加热烧成，由此制作透明导电膜112用的靶3。

(2)导电层叠体的制造

首先，在高频溅射装置的真空槽内配置与实施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶3。运转高频溅射装置，在减压到上述真空槽内的真空度达到5×10^-4Pa的状态下，将氩气和氧(其体积比为95∶5)导入到上述真空槽内，使溅射压力为0.1Pa。此时，氧气的分压为0.005Pa。图9(1)表示该玻璃基板110的状态。另外，这些溅射气体的成分比和溅射气体中的氧分压显示于表2中。

在上述气氛下，在使真空槽内的玻璃基板110的温度为200℃、使接通电力为100W、制膜时间为14分钟的条件下，使用上述靶3进行溅射。其结果，通过在玻璃基板110上形成厚110nm的透明导电膜112，得到导电层叠体136。其状态如图9(2)所示。

随后，通过草酸水溶液，对使用上述靶3进行制膜的透明导电膜112进行蚀刻，并使其宽度为90μm。将按照使其宽度为90μm的方式构图而制作的透明导电膜112称为图案化电极118。

另外，将玻璃基板110、和该图案化电极118总称为导电层叠体136。该导电层叠体136相当于技术方案范围中记载的导电层叠体的一个例子。

在异丙醇中对该导电层叠体136进行超声波清洗，进而在N₂(氮气)气氛中使其干燥，然后使用UV(紫外线)和臭氧，清洗10分钟。

(3)导电层叠体的物性的测定结果

对使用靶3进行制膜而成的透明导电膜112的比电阻进行测定，结果其值为4.9×10^-4Ω·cm。另外，对图案化电极118的光透过率(波长550nm处的光透过率)进行了测定，结果其值为89％。另外，使用光电子分光装置(理研计器公司制、AC-1)对UV清洗后的导电层叠体136中的透明导电膜112的功函数进行了测定，结果其值为5.9eV。另外，这些测定结果如表2所示。

接着，使用XPS对上述图案化电极118表面中的Ce_3d峰值进行测定。该测定的结果是，作为上述SB和上述SA的面积比的SB/SA的值为0.025。该测定结果也如表2所示。

(4)有机EL元件的形成

与实施例13一样，在透明导电基板138的图案化电极118上，顺次层叠空穴输送层126、有机发光层128、电子注入层130、阴极层132，得到有机EL元件134。另外，该有机EL元件134相当于技术方案范围记载的有机电致发光元件的一个例子。

(5)所制造的有机EL元件的评价

此时的电流密度为1.0mA/cm²，测定有机EL元件134的发光亮度，结果其值为160nit(cd/m²)。另外，确认其发光色为蓝色。

进而，作为耐久性评价，以10mA/cm²来恒定电流驱动有机EL元件134，当以V₀作为最初的电压，以V作为经过1000小时后的电压时，电压上升率(＝V/V₀)被抑制在1.6。

实施例16

(1)透明导电基板的制造准备(靶4的制作)

按照如下所述的比率准备氧化铟、氧化锡、氧化铈的粉末(所有粉末的平均粒径为1μm以下)并将各材料收容于湿式球磨机容器内，其比率是：作为铟的摩尔比的In/(In+Sn+Ce)的值为0.90，作为锡的摩尔比的Sn/(In+Sn+Ce)的值为0.05，作为铈的摩尔比的Ce/(In+Sn+Ce)的值为0.05。用72小时的时间对收容到该湿式球磨机容器内的上述粉末进行混合粉碎，得到粉碎物。

通过上述实施例13(1)相同的处理，对该粉碎物进行造粒，压制成形，进行加热烧成，由此制作透明导电膜112用的靶4。

(2)透明导电基板的制造

首先，在高频溅射装置的真空槽内配置与实施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶4。运转高频溅射装置，在减压到上述真空槽内的真空度达到5×10^-4Pa的状态下，将氩气导入到真空槽内，使溅射压力为0.1Pa。图9(1)表示该玻璃基板110的状态。另外，此时，在上述真空槽内，溅射气体的成分为氩气100％，氧分压为0Pa(表2)。

在上述气氛下，在使真空槽内的玻璃基板110的温度为200℃、使接通电力为100W、制膜时间为14分钟的条件下，使用上述靶4进行溅射。其结果，通过在玻璃基板110上形成厚110nm的透明导电膜112，得到导电层叠体136。其状态如图9(2)所示。

接着，在氩气中，使用Mo靶，在透明导电膜112上形成厚120nm的由Mo薄膜构成的金属膜114。其状态如图9(3)所示。

接着，使用六氰和铁(III)酸钾和氢氧化钠的水溶液，对透明导电膜112/Mo薄膜114进行蚀刻，在透明导电膜112上形成宽20μm的由Mo构成的细金属线116。其状态如图9(4)所示。

随后，如图9(5)所示，通过草酸水溶液，对使用上述靶4进行制膜的透明导电膜112进行蚀刻，并使图案与实施例13相同，使其宽度为90μm。将这样构图而制作的细金属线116和透明导电膜112总称为图案化电极118。

另外，下面，将玻璃基板110、和该图案化电极118总称为透明导电基板138。该透明导电基板138相当于技术方案范围中记载的有机电致发光元件用电极基板的一个例子。该透明导电基板138如图9(5)所示。另外，在上述蚀刻中得到的由Mo构成的细金属线116相当于技术方案范围中记载的金属导体的一个例子。

(3)透明导电基板的物性的测定结果

对使用靶4进行制膜而成的透明导电膜112的比电阻进行测定，结果其值为5.0×10^-4Ω·cm。另外，对图案化电极118的光透过率(波长550nm处的光透过率)进行了测定，结果其值为89％。另外，使用光电子分光装置(理研计器公司制、AC-1)对UV清洗后的透明导电基板138中的透明导电膜112的功函数进行了测定，结果其值为5.6eV。另外，这些测定结果如表2所示。

接着，使用XPS对上述图案化电极118表面中的Ce_3d峰值进行测定。该测定的结果是，作为上述SB和上述SA的面积比的SB/SA的值为0.029。该测定结果也如表2所示。

(4)有机EL元件的形成

(5)所制造的有机EL元件的评价

此时的电流密度为2.0mA/cm²，测定有机EL元件134的发光亮度，结果其值为141nit(cd/m²)。另外，确认其发光色为蓝色。

进而，作为耐久性评价，以10mA/cm²来恒定电流驱动有机EL元件134，当以V₀作为最初的电压，以V作为经过1000小时后的电压时，电压上升率(＝V/V₀)被抑制在1.7。

实施例17

(1)透明导电基板的制造准备(靶5的制作)

按照如下所述的比率准备氧化铟、氧化锆、氧化铈的粉末(所有粉末的平均粒径为1μm以下)并将各材料收容于湿式球磨机容器内，其比率是：作为铟的摩尔比的In/(In+Zr+Ce)的值为0.90，作为锆的摩尔比的Zr/(In+Zr+Ce)的值为0.05，作为铈的摩尔比的Ce/(In+Zr+Ce)的值为0.05。用72小时的时间对收容到该湿式球磨机容器内的上述粉末进行混合粉碎，得到粉碎物。

通过上述实施例13(1)相同的处理，对该粉碎物进行造粒，压制成形，进行加热烧成，由此制作透明导电膜112用的靶5。

(2)透明导电基板的制造

首先，在高频溅射装置的真空槽内配置与实施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶5。运转高频溅射装置，在减压到上述真空槽内的真空度达到5×10^-4Pa的状态下，将氩气导入到真空槽内，使溅射压力为0.1Pa。图9(1)表示该玻璃基板110的状态，相当于技术方案范围内记载的透明基材的一个例子。另外，此时，在上述真空槽内，溅射气体的成分为氩气100％，氧分压为0Pa(表2)。

在上述气氛下，在使真空槽内的玻璃基板110的温度为200℃、使接通电力为100W、制膜时间为14分钟的条件下，使用上述靶5进行溅射。其结果，通过在玻璃基板110上形成厚110nm的透明导电膜112，得到导电层叠体136。其状态如图9(2)所示。

接着，在氩气中，使用Cr靶，在透明导电膜112上形成厚120nm的由Cr薄膜构成的金属膜114。其状态如图9(3)所示。

接着，使用硝酸高铈铵和高氯酸的水溶液，对透明导电膜112/Cr薄膜114进行蚀刻，使金属膜114的宽度为20μm，由此在透明导电膜112上形成由Cr构成的细金属线116。其状态如图9(4)所示。

随后，如图9(5)所示，通过草酸水溶液，对使用上述靶5制膜形成的透明导电膜112进行蚀刻，使图案与实施例13相同，其宽度为90μm。将这样进行构图而制作的细金属线116和透明导电膜112总称为图案化电极118。

另外，下面，将玻璃基板110、和该图案化电极118总称为透明导电基板138。该透明导电基板138相当于技术方案范围中记载的有机电致发光元件用电极基板的一个例子。该透明导电基板138如图9(5)所示。另外，在上述蚀刻中得到的由Cr构成的细金属线116相当于技术方案范围中记载的金属导体的一个例子。

(3)透明导电基板的物性的测定结果

对使用靶5进行制膜而成的透明导电膜112的比电阻进行测定，结果其值为5.0×10^-4Ω·cm。另外，对图案化电极118的光透过率(波长550nm处的光透过率)进行了测定，结果其值为89％。另外，使用光电子分光装置(理研计器公司制、AC-1)对UV清洗后的透明导电基板138中的透明导电膜112的功函数进行了测定，结果其值为5.6eV。另外，这些测定结果如表2所示。

接着，使用XPS对上述图案化电极118表面中的Ce_3d峰值进行了测定。该测定的结果是，作为上述SB和上述SA的面积比的SB/SA的值为0.029。该测定结果也如表2所示。

(4)有机EL元件的形成

(5)所制造的有机EL元件的评价

此时的电流密度为2.0mA/cm²，测定有机EL元件134的发光亮度，结果其值为140nit(cd/m²)。另外，确认其发光色为蓝色。

进而，作为耐久性评价，以10mA/cm²恒定电流驱动有机EL元件134，当以最初的电压为V₀，以经过1000小时后的电压为V时，电压上升率(＝V/V₀)被抑制在1.4。

实施例18

(1)透明导电基板的制造准备(靶6的制作)

按照如下所述的比率准备氧化铟、氧化镓、氧化铈的粉末(所有粉末的平均粒径为1μm以下)并将各材料收容于湿式球磨机容器内，其比率是：作为铟的摩尔比的In/(In+Ga+Ce)的值为0.90，作为镓的摩尔比的Ga/(In+Ga+Ce)的值为0.05，作为铈的摩尔比的Ce/(In+Ga+Ce)的值为0.05。用72小时的时间对收容到该湿式球磨机容器内的上述粉末进行混合粉碎，得到粉碎物。

通过上述实施例13(1)相同的处理，对该粉碎物进行成形，加热烧成，制作透明导电膜112用的靶6。

(2)透明导电基板的制造

首先，在高频溅射装置的真空槽内配置与实施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶6。运转高频溅射装置，在减压到上述真空槽内的真空度达到5×10^-4Pa的状态下，将氩气导入到真空槽内，使溅射压力为0.1Pa。图9(1)表示该玻璃基板110的状态。另外，此时，在上述真空槽内，溅射气体的成分为氩气100％，氧分压为0Pa(表3)。

表3

	实施例18	实施例19	比较例3	比较例4	比较例5
	实施例18	实施例19	比较例3	比较例4	比较例5	阳极层材料	In₂O₃GaO₂CeO₂	In₂O₃SnO₂CeO₂	In₂O₂CeO₂	In₂O₃SnO₂	In₂O₃ZnO
溅射气体	Ar100％	Ar∶O₂＝80∶20	Ar∶O₂＝70∶30	Ar∶O₂＝90∶10	Ar100％	阳极层材料	In₂O₃GaO₂CeO₂	In₂O₃SnO₂CeO₂	In₂O₂CeO₂	In₂O₃SnO₂	In₂O₃ZnO
溅射气体	Ar100％	Ar∶O₂＝80∶20	Ar∶O₂＝70∶30	Ar∶O₂＝90∶10	Ar100％	溅射氧分压/Pa	0	0.1	0.15	0.01	0
辅助配线	Mo/Al/Mo	Al	Al	Al	Al	溅射氧分压/Pa	0	0.1	0.15	0.01	0
辅助配线	Mo/Al/Mo	Al	Al	Al	Al	Ce3d峰面积比SB/SA	0.029	0.12	0.13	无Ce峰值	无Ce峰值
功函数/eV	5.6	5.6	4.9	4.8	4.9	Ce3d峰面积比SB/SA	0.029	0.12	0.13	无Ce峰值	无Ce峰值
功函数/eV	5.6	5.6	4.9	4.8	4.9	光透过率/％	90	89	89	91	89
阳极层比电阻/Ω·cm	5×10^-4	5×10^-3	8.0×10^-3	2.0×10^-4	4.0×10^-4	光透过率/％	90	89	89	91	89
阳极层比电阻/Ω·cm	5×10^-4	5×10^-3	8.0×10^-3	2.0×10^-4	4.0×10^-4	空穴输送层材料	TBDB	TBDB	TBDB	TBDB	TBDB
膜厚/nm	60	60	60	60	60	空穴输送层材料	TBDB	TBDB	TBDB	TBDB	TBDB
膜厚/nm	60	60	60	60	60	有机发光层材料	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1
膜厚/nm	40	40	40	40	40	有机发光层材料	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1	DPVDPAN、D1
膜厚/nm	40	40	40	40	40	电子注入层材料	Alq	Alq	Alq	Alq	Alq
膜厚/nm	20	20	20	20	20	电子注入层材料	Alq	Alq	Alq	Alq	Alq
膜厚/nm	20	20	20	20	20	阴极层材料	Al/Li	Al/Li	Al/Li	Al/Li	Al/Li
膜厚/nm	200	200	200	200	200	阴极层材料	Al/Li	Al/Li	Al/Li	Al/Li	Al/Li
膜厚/nm	200	200	200	200	200	施加5V时的电流密度(mA/cm²)	2.0	1.6	1.3	1.4	1.4
发光亮度/nit	135	108	60	80	90	施加5V时的电流密度(mA/cm²)	2.0	1.6	1.3	1.4	1.4
发光亮度/nit	135	108	60	80	90	1000hr后的电压上升率	1.4	1.9	3.0	1.5	1.5
判定^*	○	○	×	×	×	1000hr后的电压上升率	1.4	1.9	3.0	1.5	1.5

*：亮度100nit以上且1000hr以后的电压上升率为2.0以内时为○，在其以外时为×。

在上述气氛下，在使真空槽内的玻璃基板110的温度为200℃、使接通电力为100W、制膜时间为14分钟的条件下，使用上述靶6进行溅射。其结果，通过在玻璃基板110上形成厚110nm的透明导电膜112，得到导电层叠体136。其状态如图9(2)所示。

接着，在氩气中，使用Mo靶和Al靶，形成Mo(10nm)/Al(100nm)/Mo(10nm)的金属膜114。

接着，使用六氰和铁(III)酸钾和氢氧化钠的水溶液，对Mo薄膜进行蚀刻，使用磷酸-硝酸-醋酸水溶液(磷酸∶硝酸∶醋酸＝16∶1∶1)，对Al薄膜进行蚀刻，使(Mo/Al/Mo)的金属膜14的宽度为20μm，由此在透明导电膜112上形成由(Mo/Al/Mo)构成的细金属线116。

随后，为了使图案与实施例13相同，利用草酸水溶液，对使用该靶6形成的透明导电膜112进行蚀刻，使其宽度为90μm。将这样构图而制作的细金属线116和透明导电膜112总称为图案化电极118。

另外，下面，将玻璃基板110、和该图案化电极118总称为透明导电基板138。该透明导电基板138相当于技术方案范围中记载的有机电致发光元件用电极基板的一个例子。另外，在上述蚀刻中得到的由(Mo/Al/Mo构成的细金属线116相当于技术方案范围中记载的金属导体的一个例子。

(3)透明导电基板的物性的测定结果

对使用靶6进行制膜而成的透明导电膜112的比电阻进行测定，结果其值为5.0×10^-4Ω·cm。另外，对图案化电极118的光透过率(波长550nm处的光透过率)进行了测定，结果其值为90％。另外，使用光电子分光装置(理研计器公司制、AC-1)对UV清洗后的透明导电基板138中的透明导电膜112的功函数进行了测定，结果其值为5.6eV。另外，这些测定结果如表3所示。

接着，使用XPS对上述图案化电极118表面中的Ce_3d峰值进行测定。该测定的结果是，作为上述SB和上述SA的面积比的SB/SA的值为0.029。该测定结果也如表3所示。

(4)有机EL元件的形成

(5)所制造的有机EL元件的评价

此时的电流密度为2.0mA/cm²，测定有机EL元件134的发光亮度，结果其值为135nit(cd/m²)。另外，确认其发光色为蓝色。

实施例19

(1)透明导电基板的制造准备(靶7的制作)

通过与上述实施例13(1)相同的处理，对该粉碎物进行造粒，压制成形，进行加热烧成，由此制作透明导电膜112用的靶7。

(2)透明导电基板的制造

首先，在高频溅射装置的真空槽内配置与实施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶7。运转高频溅射装置，在减压到上述真空槽内的真空度达到5×10^-4Pa的状态下，将氩气和氧(其体积比为80∶20)导入到上述真空槽内，使溅射压力为0.5Pa。此时，氧分压为0.1Pa。图9(1)表示该玻璃基板110的状态。另外，这些溅射气体的成分比和溅射气体的氧分压显示于表3中。

在上述气氛下，在使真空槽内的玻璃基板110的温度为200℃、使接通电力为100W、制膜时间为14分钟的条件下，使用上述靶7进行溅射。其结果，通过在玻璃基板110上形成厚110nm的透明导电膜112，得到导电层叠体136。其状态如图9(2)所示。

接着，使用磷酸-硝酸-醋酸水溶液(磷酸∶硝酸∶醋酸＝16∶1∶1)，对透明导电膜112/金属膜114进行蚀刻，使金属膜114的宽度为20μm，由此在透明导电膜112上形成由Al构成的细金属线116。其状态如图9(4)所示。

随后，如图9(5)所示，为使图案与实施例13相同，利用草酸水溶液，对使用该靶7形成的透明导电膜112进行蚀刻，并使其宽度为90μm。将这样构图而制作的细金属线116和透明导电膜112总称为图案化电极118。

另外，下面，将玻璃基板110、和该图案化电极118总称为透明导电基板138。该透明导电基板138相当于技术方案范围中记载的有机电致发光元件用电极基板的一个例子。该透明导电基板138如图9(5)所示。另外，在上述蚀刻中得到的由Al构成的细金属线116相当于技术方案范围中记载的金属导体的一个例子。

(3)透明导电基板的物性的测定结果

对使用靶7进行制膜而成的透明导电膜112的比电阻进行测定，结果其值为5.0×10^-3Ω·cm。另外，对图案化电极118的光透过率(波长550nm处的光透过率)进行测定，结果其值为89％。另外，使用光电子分光装置(理研计器公司制、AC-1)对UV清洗后的透明导电基板138中的透明导电膜112的功函数进行测定，结果其值为5.6eV。另外，这些测定结果如表3所示。

接着，使用XPS对上述图案化电极118表面中的Ce_3d峰值进行测定。该测定的结果是，作为上述SB和上述SA的面积比的SB/SA的值为0.12。该测定结果也如表3所示。

(4)有机EL元件的形成

(5)所制造的有机EL元件的评价

此时的电流密度为1.6mA/cm²，测定有机EL元件134的发光亮度，结果其值为108nit(cd/m²)。另外，确认其发光色为蓝色。

进而，作为耐久性评价，以10mA/cm²恒定电流驱动有机EL元件134，当以最初的电压为V₀，以经过1000小时后的电压为V时，电压上升率(＝V/V₀)被抑制在1.9。

比较例3

(1)透明导电基板的制造准备(靶8的制作)

通过上述实施例13(1)相同的处理，对该粉碎物进行造粒，压制成形，进行加热烧成，由此制作透明导电膜112用的靶8。

(2)透明导电基板的制造

首先，在高频溅射装置的真空槽内配置与实施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶8。运转高频溅射装置，在减压到上述真空槽内的真空度达到5×10^-4Pa的状态下，将氩气和氧(其体积比为70∶30)导入到上述真空槽内，使溅射压力为0.5Pa。此时，氧的分压为0.15Pa。图9(1)表示该玻璃基板110的状态。另外，这些溅射气体的成分比和溅射气体中的氧分压显示于表3中。

在上述气氛下，在使真空槽内的玻璃基板110的温度为200℃、使接通电力为100W、制膜时间为14分钟的条件下，使用上述靶8进行溅射。其结果，通过在玻璃基板110上形成厚110nm的透明导电膜112，得到导电层叠体136。其状态如图9(2)所示。

随后，如图9(5)所示，对利用该靶8制成的透明导电膜112，利用草酸水溶液进行蚀刻，以使其图案与实施例13相同。将这样构图而制作的细金属线116和透明导电膜112总称为图案化电极118。

另外，下面，将玻璃基板110、和该图案化电极118总称为透明导电基板138。该透明导电基板138如图9(5)所示。

(3)透明导电基板的物性的测定结果

对使用靶8进行制膜而成的透明导电膜112的比电阻进行测定，结果其值为8.0×10^-3Ω·cm。另外，对图案化电极118的光透过率(波长550nm处的光透过率)进行测定，结果其值为89％。另外，使用光电子分光装置(理研计器公司制、AC-1)对UV清洗后的透明导电基板138中的透明导电膜112的功函数进行测定，结果其值为4.9eV。另外，这些测定结果如表3所示。

接着，使用XPS对上述图案化电极118表面中的Ce_3d峰值进行测定。该测定的结果是，作为上述SB和上述SA的面积比的SB/SA的值为0.13。该测定结果也如表3所示。

(4)有机EL元件的形成

如图5所示，与实施例13一样，在透明导电基板138的图案化电极118上，顺次层叠空穴输送层126、有机发光层128、电子注入层130、阴极层132，得到有机EL元件134。

(5)所制造的有机EL元件的评价

此时的电流密度为1.3mA/cm²，测定了有机EL元件134的发光亮度，结果其值为60nit(cd/m²)。另外，确认其发光色为蓝色。

进而，作为耐久性评价，以10mA/cm²恒定电流驱动有机EL元件134，当以最初的电压为V₀，以经过1000小时后的电压为V时，电压上升率(＝V/V₀)为3.0，变化较大。

比较例4

(1)透明导电基板的制造准备(靶9的制作)

按照如下所述的比率准备氧化铟、氧化锡的粉末(所有粉末的平均粒径为1μm以下)并将各材料收容于湿式球磨机容器内，其比率是：作为铟的摩尔比的In/(In+Sn)的值为0.95，作为锡的摩尔比的Sn/(In+Sn)的值为0.05。用72小时的时间对收容到该湿式球磨机容器内的上述粉末进行混合粉碎，得到粉碎物。

通过上述实施例13(1)相同的处理，对该粉碎物进行造粒，压制成形，进行加热烧成，由此制作透明导电膜112用的靶9。

(2)透明导电基板的制造

首先，在高频溅射装置的真空槽内配置与实施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶9。运转高频溅射装置，在减压到上述真空槽内的真空度达到5×10^-4Pa的状态下，将氩气和氧(其体积比为90∶10)导入到上述真空槽内，使溅射压力为0.1Pa。此时，氧的分压为0.01Pa。图9(1)表示该玻璃基板110的状态。另外，这些溅射气体的成分比和溅射气体的氧分压显示于表3中。

在上述气氛下，在使真空槽内的玻璃基板110的温度为200℃、使接通电力为100W、制膜时间为14分钟的条件下，使用上述靶9进行溅射。其结果，通过在玻璃基板110上形成厚110nm的透明导电膜112，得到导电层叠体136。其状态如图9(2)所示。

随后，如图9(5)所示，对利用该靶9制成的透明导电膜112，利用草酸水溶液进行蚀刻，以使其图案与实施例13相同。将这样构图而制作的细金属线116和透明导电膜112总称为图案化电极118。

(3)透明导电基板的物性的测定结果

对使用靶9进行制膜而成的透明导电膜112的比电阻进行测定，结果其值为2.0×10^-4Ω·cm。另外，对图案化电极118的光透过率(波长550nm处的光透过率)进行测定，结果其值为91％。另外，使用光电子分光装置(理研计器公司制、AC-1)对UV清洗后的透明导电基板138中的透明导电膜112的功函数进行测定，结果其值为4.8eV。另外，这些测定结果如表3所示。另外，因为在该透明导电膜112中不含Ce，所以没有实施XPS的测定。

(4)有机EL元件的形成

(5)所制造的有机EL元件的评价

此时的电流密度为1.4mA/cm²，测定了有机EL元件134的发光亮度，结果其值为80nit(cd/m²)。另外，确认其发光色为蓝色。

进而，作为耐久性评价，以10mA/cm²恒定电流驱动有机EL元件134，当以最初的电压为V₀，以经过1000小时后的电压为V时，电压上升率(＝V/V₀)成为1.5。

比较例5

(1)透明导电基板的制造准备(靶10的制作)

按照如下所述的比率准备氧化铟、氧化锌的粉末(所有粉末的平均粒径为1μm以下)并将各材料收容于湿式球磨机容器内，其比率是：作为铟的摩尔比的In/(In+Zn)的值为0.93，作为锌的摩尔比的Zn/(In+Zn)的值为0.03。用72小时的时间对收容到该湿式球磨机容器内的上述粉末进行混合粉碎，得到粉碎物。

通过上述实施例13(1)相同的处理，对该粉碎物进行造粒，压制成形，进行加热烧成，由此制作透明导电膜112用的靶10。

(2)透明导电基板的制造

首先，在高频溅射装置的真空槽内配置与实施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶110。运转高频溅射装置，在减压到上述真空槽内的真空度达到5×10^-4Pa的状态下，将氩气导入到上述真空槽内，使溅射压力为0.1Pa。图9(1)表示该玻璃基板110的状态。另外，此时，在上述真空槽内，溅射气体的成分为氩气100％，氧分压为0Pa(表3)

在上述气氛下，在使真空槽内的玻璃基板110的温度为200℃、使接通电力为100W、制膜时间为14分钟的条件下，使用上述靶110进行溅射。其结果，通过在玻璃基板110上形成厚110nm的透明导电膜112，得到导电层叠体136。其状态如图9(2)所示。

接着，在氩气中，使用Al靶，形成厚120nm的由Al薄膜构成的金属膜114。其状态如图9(3)所示。

随后，如图9(5)所示，对利用该靶10制成的透明导电膜112，利用草酸水溶液进行蚀刻，以使其图案与实施例13相同。将这样构图而制作的细金属线116和透明导电膜112总称为图案化电极118。

(3)透明导电基板的物性的测定结果

对使用靶10进行制膜而成的透明导电膜112的比电阻进行测定，结果其值为4.0×10^-4Ω·cm。另外，对图案化电极118的光透过率(波长550nm处的光透过率)进行测定，结果其值为89％。另外，使用光电子分光装置(理研计器公司制、AC-1)对UV清洗后的透明导电基板138中的透明导电膜112的功函数进行测定，结果其值为4.9eV。另外，这些测定结果如表3所示。另外，因为在该透明导电膜112中不含Ce，所以没有实施XPS的测定。

(4)有机EL元件的形成

(5)所制造的有机EL元件的评价

此时的电流密度为1.4mA/cm²，测定有机EL元件134的发光亮度，结果其值为90nit(cd/m²)。另外，确认其发光色为蓝色。

第三发明

实施例20

按照如下所示的步骤制造图8所示的有机EL元件。

使用厚1.1mm的玻璃作为基板91，在其上通过溅射使50nm的Cr成膜，作为阳极层92。在异丙醇中对该带Cr的玻璃进行超声波清洗5分钟，然后用纯水清洗5分钟，最后再次用异丙醇进行5分钟的超声波清洗。

将清洗后的基板固定在市售的真空蒸镀装置(日本真空技术(株)制)的基板托架上，在钼制电阻加热舟皿中放入N，N’-二苯基-N，N’-双-(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(下面，成为TPDA)200mg，另外，还在其他钼制电阻加热舟皿中放入4，4’-(2，2-二苯基乙烯基)联苯(下面，称为DPVBi)，将真空室内减压至1×10^-4Pa。

接着，将已放入了TPDA的上述电阻加热舟皿加热至215～220℃，以0.1～0.3nm/sec的蒸镀速度在带Cr的玻璃基板上堆积TPDA，形成膜厚60nm的空穴输送层93。此时的基板温度为室温(约25℃)。

不将其从真空室中取出，而是将已放入DPVBi的上述钼制电阻加热舟皿加热至220℃，以0.1～0.2nm/sec的蒸镀速度在空穴输送层93上堆积DPVBi，使膜厚40nm的有机发光层94成膜。此时的基板温度也为室温。

如上所述，从真空室中取出顺次有阳极层92、空穴输送层93、有机发光层94成膜的基板，在上述发光层的上面设置不锈钢制的掩模，然后再固定在基板托架上。

接着，在钼制电阻加热舟皿中放入铝鳌合络合物(Alq：(8-羟基喹啉)铝)200mg，并安装到真空室内。

进而，向包覆氧化铝的钨制筐(basket)中放入银(Ag)锭8g，另外，在另外的钼制舟皿中放入铋(Bi)带1g，进而还在另外钼制舟皿中放入镁(Mg)1g。然后将真空室内减压至2×10^-4Pa，首先，将已放入Alq的舟皿通电加热至280℃，以0.3nm/sec的蒸镀速度将Alq蒸镀20nm，使电子输送层95成膜。

接着，将Ag以9nm/sec的速度、将Bi以0.8nm/sec的速度、将Mg以0.2nm/sec的速度，分别同时蒸镀，得到膜厚2nm的由Ag-Bi-Mg蒸镀膜构成的阴极层96。通过高频感应等离子发光分光分析装置(ICP)对Ag、Bi、Mg在阴极层中所占的含量进行测定，其结果分别为90重量％、8重量％、2重量％。

最后，作为透明导电层97，采用常规的溅射法形成膜厚150nm的ITO，制作图8所示的有机EL元件。

实施例21～实施例34、和比较例6～比较例8

除了如表4～6所示更改阴极层的构成之外，与实施例20一样制作有机EL元件。

关于在实施例21～实施例34、和比较例6～比较例8中制作的有机EL元件，阴极层的组成、各金属的标准氧化还原电位、阴极层的光线透过率、和性能评价的结果如表4～6所示。另外，评价通过以下的方法进行。

(1)金属的标准氧化还原电位

以与在各实施例中制作的阴极层相同的条件，在玻璃基板上蒸镀金属。将该试样浸渍在通过盐桥与标准氢电极(半电池)连接的0.1M高氯酸锂的水溶液中，用恒电位仪(北斗电工公司制)进行电位测定。

(2)阴极层的光线透过率

在形成有机EL元件时，在El基板托架的附近设置玻璃基板，仅在阴极成膜时打开光闸(shutter)，由此以单层膜(2nm)在玻璃基板上形成Ag-Bi-Mg蒸镀膜。使用分光光度计(UV-3100：岛津制作所制)测定该带蒸镀膜的基板在380nm～780nm处的光线透过率，评价该波长区域的平均光线透过率。

(3)发光强度

通过CS-1000(ミノルタ制)，对使电极间的电流为30mA/cm²时的、元件的初始发光亮度进行测定。

(4)寿命试验

在(3)的条件下，对元件在室温下连续驱动2000小时后的元件发光强度进行评价。

(5)元件的劣化评价

关于(4)的寿命试验后的元件，用光学显微镜(倍率：20倍)从阴极侧观察元件的表面，评价试验前后的外观变化。

(6)评价

当寿命试验后的发光强度为初始发光强度的0.5倍以上，而且在劣化评价中金属电极几乎没有出现变化时，评价为○，在其以外时，评价为×。

表4

	实施例20	实施例21	实施例22	实施例23	实施例24	实施例25	实施例26	实施例27
	实施例20	实施例21	实施例22	实施例23	实施例24	实施例25	实施例26	实施例27	A.第一金属^*1	Ag：0.78	Cr：-0.42	Ce：0.0	Zn：-0.96	Al：-1.66	Ti：-0.37	In：-0.34	Co：1.92
B.第二金属^*2	Bi：-0.32	Te：-0.34	Sn：0.15	V：-0.26	Zr：-1.53	Cr：-0.42	Nb：-0.75	Pt：1.20	A.第一金属^*1	Ag：0.78	Cr：-0.42	Ce：0.0	Zn：-0.96	Al：-1.66	Ti：-0.37	In：-0.34	Co：1.92
B.第二金属^*2	Bi：-0.32	Te：-0.34	Sn：0.15	V：-0.26	Zr：-1.53	Cr：-0.42	Nb：-0.75	Pt：1.20	C.第三成分	Mg	Mg	Li	Mg	Mg	Mg	Mg	Mg
上述A∶B∶C成分的组成(重量比)	90∶8∶2	50∶48∶2	60∶35∶5	90∶5∶5	80∶10∶10	75∶20∶5	60∶30∶10	50∶30∶20	C.第三成分	Mg	Mg	Li	Mg	Mg	Mg	Mg	Mg
上述A∶B∶C成分的组成(重量比)	90∶8∶2	50∶48∶2	60∶35∶5	90∶5∶5	80∶10∶10	75∶20∶5	60∶30∶10	50∶30∶20	阴极的光线透过率(％)	70	30	35	20	50	30	40	35
发光强度(cd/m²)	250	150	160	100	180	100	120	110	阴极的光线透过率(％)	70	30	35	20	50	30	40	35
发光强度(cd/m²)	250	150	160	100	180	100	120	110	2000小时后的发光强度(cd/m²)	190	130	100	80	150	80	90	90
寿命试验后的外观	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	2000小时后的发光强度(cd/m²)	190	130	100	80	150	80	90	90
寿命试验后的外观	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	评价	○	○	○	○	○	○	○	○

^*1：表中的数字是第一金属或第二金属的标准氧化还原电位(V vs.NHE)。

表5

	实施例28	实施例29	实施例30	实施例31	实施例32	实施例33	实施例34
	实施例28	实施例29	实施例30	实施例31	实施例32	实施例33	实施例34	A.第一金属^*1	Ni：-0.23	Ce：0.0	Cu：0.34	Ru：0.46	Pd：0.92	Pt：1.20	Ag：0.78
B.第二金属^*1	Bi：-0.32	Te：-0.34	Sn：0.15	V：-0.26	Ge：0.0	Cu：0.34	Bi：-0.32	A.第一金属^*1	Ni：-0.23	Ce：0.0	Cu：0.34	Ru：0.46	Pd：0.92	Pt：1.20	Ag：0.78
B.第二金属^*1	Bi：-0.32	Te：-0.34	Sn：0.15	V：-0.26	Ge：0.0	Cu：0.34	Bi：-0.32	C.第三成分	Mg	Mg	Mg	Mg	Mg	Mg	无
上述A∶B∶C成分的组成(重量比)	48∶40∶12	80∶10∶10	60∶30∶10	85∶10∶5	85∶10∶5	90∶8∶2	80∶20∶0	C.第三成分	Mg	Mg	Mg	Mg	Mg	Mg	无
上述A∶B∶C成分的组成(重量比)	48∶40∶12	80∶10∶10	60∶30∶10	85∶10∶5	85∶10∶5	90∶8∶2	80∶20∶0	阴极的光线透过率(％)	35	45	40	30	35	15	70
发光强度(cd/m²)	105	150	150	120	130	250	150	阴极的光线透过率(％)	35	45	40	30	35	15	70
发光强度(cd/m²)	105	150	150	120	130	250	150	2000小时后的发光强度(cd/m²)	80	120	120	90	100	190	120
寿命试验后的外观	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	2000小时后的发光强度(cd/m²)	80	120	120	90	100	190	120
寿命试验后的外观	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	无变化	评价	○	○	○	○	○	○	○

表6

	比较例6	比较例7	比较例8
	比较例6	比较例7	比较例8	A.第一金属^*1	Ag：0.78	Ag：0.78	V：-0.26
B.第二金属^*1	Zn：-0.96	无	Zr：-1.53	A.第一金属^*1	Ag：0.78	Ag：0.78	V：-0.26
B.第二金属^*1	Zn：-0.96	无	Zr：-1.53	C.第三成分	Mg	Mg	Mg
上述A∶B∶C成分的组成(重量比)	60∶30∶10	90∶0∶10	80∶15∶5	C.第三成分	Mg	Mg	Mg
上述A∶B∶C成分的组成(重量比)	60∶30∶10	90∶0∶10	80∶15∶5	阴极的光线透过率(％)	70	92	30
发光强度(cd/m²)	150	200	100	阴极的光线透过率(％)	70	92	30
发光强度(cd/m²)	150	200	100	2000小时后的发光强度(cd/m²)	30	30	10
寿命试验后的外观	有斑点	有斑点	有斑点	2000小时后的发光强度(cd/m²)	30	30	10
寿命试验后的外观	有斑点	有斑点	有斑点	评价	×	×	×

由表4～6的结果可以确认，本发明的有机EL元件抑制阴极层的劣化，与比较例的元件相比，寿命更长。

产业上的可利用性

本发明的有机EL元件和显示装置，可以用作各种民用工业用的显示器，具体而言可以用作移动电话、PDA、导航装置、监视器、TV等的显示器。

Claims

1.一种有机电致发光元件，其由阴极、阳极、以及在上述阴极和阳极之间存在的发光层构成，

上述阳极的至少与上述发光层接触的部分含有从镧、铈、钕、钐、铕中选择的至少一种以上的元素，和从铬、钨、钽、铌、银、钯、铜、镍、钴、钼、铂、硅中选择的至少一种以上的元素。

2.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，

从上述镧、铈、钕、钐、铕中选择的至少一种以上元素的总计浓度为0.1～50wt％。

3.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，

上述阳极的至少与发光层接触的部分含有铈。

4.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，

上述阳极的至少与发光层接触的部分的功函数为5.0eV以上。

5.一种导电层叠体，具有电绝缘性的透明基材、在上述透明基材上形成的透明导电膜，其中

上述透明导电膜包含至少含有铈(Ce)的氧化物，

在采用X射线光电子分光法对上述透明导电膜表面的位于铈3d轨道的电子的结合能进行测定而得到的曲线图中，当将上述结合能为877eV～922eV之间的总峰面积设为SA，将上述结合能为914eV～920eV之间的总峰面积设为SB时，作为上述SA和上述SB的面积比的SB/SA的值满足下述式(1)；

SB/SA＜0.13 (1)。

6.如权利要求5所述导电层叠体，其中，

上述透明导电膜含有从由铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、锆(Zr)、镓(Ga)构成的金属元素组中选择的至少一种金属元素，和铈(Ce)以及氧(O)。

7.一种导电层叠体的制造方法，是制造权利要求5或者6所述的导电层叠体的方法，

通过溅射法形成上述透明导电膜，使溅射气氛中的氧分压为0.1Pa以下。

8.一种有机电致发光元件用电极基板，包括：

权利要求5或者6所述的导电层叠体、和在上述导电层叠体上设置的金属导体，

上述透明导电膜驱动有机电致发光层。

9.一种有机电致发光元件，包括：

权利要求8所述的有机电致发光元件用电极基板、在上述有机电致发光元件用电极基板上设置的有机电致发光层。

10.一种有机电致发光元件，包括

权利要求5或者6所述的导电层叠体、和在上述导电层叠体上设置的有机电致发光层。

11.一种有机电致发光元件，按顺序至少层叠有阳极层、有机发光层和阴极层，其中

上述阴极层至少含有第一金属和第二金属，

上述第一金属的25℃下的标准氧化还原电位(E(A))为-1.7(V)以上，

上述第二金属的25℃下的标准氧化还原电位(E(B))满足下述式(2)；

E(A)-1.1≤E(B) (2)。

12.一种有机电致发光元件，按顺序至少层叠有阳极层、有机发光层、阴极层和透明导电层，其中

上述阴极层至少含有第一金属和第二金属，

E(A)-1.1≤E(B) (2)。

13.如权利要求11或者12所述的有机电致发光元件，其中，

上述阴极层以上述第一金属为主要成分。

14.如权利要求11或者12所述的有机电致发光元件，其中，

上述第一金属是从Al、Cr、Ta、Zn、Fe、Ti、In、Co、Ni、Ge、Cu、Re、Ru、Ag、Pd、Pt、Au中选择的金属。

15.如权利要求11或者12所述的有机电致发光元件，其中，

上述第二金属是从Bi、Te、Sn、V、Mo、Nd、Nb、Zr中选择的金属。

16.如权利要求11或者12所述的有机电致发光元件，其中，

上述阴极层含有碱金属或碱土金属0.1重量％～5.0重量％。

17.如权利要求11或者12所述的有机电致发光元件，其中，

上述阴极层的波长380nm～780nm处的光线透过率为10％以上。

18.如权利要求11或者12所述的有机电致发光元件，其中，上述第一金属是Ag。

19.一种显示装置，包括权利要求1～4、和9～12中任意一项所述的有机电致发光元件而构成。