CN1841812A - 有机电激发光元件 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 25
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 19
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 claims description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 7
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 5
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 3
- -1 p-phenylene vinylene Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- DBVGLIZLQMRBMY-UHFFFAOYSA-N 2-oxo-2-thiophen-2-ylacetaldehyde Chemical compound O=CC(=O)C1=CC=CS1 DBVGLIZLQMRBMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
本发明提供一种有机电激发光元件,其包括阳极及阴极;配置于上述阳极与上述阴极之间的有机发光层;以及有机电洞传输层,该有机电洞传输层配置于上述阳极与上述有机发光层之间,且包含添加有半导体或导电体金属氧化物的高分子型有机电洞传输材料。
Description
技术领域
本发明是关于一种有机电激发光元件(有机EL元件),特别是关于将含有高分子型有机电洞传输材料的有机电洞传输层改良而成的有机EL元件。
背景技术
有机EL元件于阳极与阴极之间夹有具备导电性与发光性的有机发光层,并通过于正向施加电压,分别将电洞自阳极、电子自阴极注入有机发光层。有机EL元件是于该电洞及电子注入时,电洞与电子再结合产生激发子,并于其张驰时发光的自发光元件。而且,此有机EL元件可应用于低温大面积化工序中,所以可期待应用于下一代薄膜显示器中。
如此有机EL元件中,除了于阳极与阴极之间设置有机发光层之外,还设置有电洞注入层、电洞传输层、电子传输层、电子注入层等数层,以此调节电子或电洞自电极之注入或移动性。作为电洞传输层,由高分子型电洞传输材料而制作,该高分子型电洞传输材料如日本专利特开2004-63408中所揭示,于poly(ethylenedioxy)thiophene聚二氧乙基噻吩(PEDOT)中掺杂polystyrenesulphonic acid聚对苯乙烯磺酸(PSS)之所谓PEDOT:PSS。通过将上述电洞传输层插入阳极与有机发光层之间,与将电洞自包含例如如同ITO之透明电极的阳极直接注入有机发光层的情形相比,可降低电洞的注入势垒(约1.0V→约0.5V)。
然而,含有电洞传输层的有机EL元件于电流驱动时,电洞传输层会使有机发光层劣化,导致寿命缩短。
发明内容
根据本发明一形态,提供一种有机EL元件,其包括:
阳极及阴极;
有机发光层,其配置于上述阳极与上述阴极之间;以及
有机电洞传输层,其配置于上述阳极与上述有机发光层之间,且包含添加有半导体或导电体金属氧化物的材料。
附图说明
图1是表示实施例1的有机EL二极管的剖面图。
图2A、图2B是表示实施例1的有机EL二极管之电流电压特性的特性图。
图3A、图3B是表示比较例1的有机EL二极管之电流电压特性的特性图。
图4是表示于实施例1的有机EL二极管中,亮度及电压相对于驱动时间而变化的特性图。
图5是表示比较例1的有机EL二极管中,亮度及电压相对于驱动时间而变化的特性图。
[符号说明]
1 玻璃基板
2 阳极
3 电洞传输层
4 有机发光层
5 阴极缓冲层
6 阴极
7 干燥剂
8 玻璃罩
9 密封材料
具体实施方式
以下,就本发明的实施形态加以详细说明。
本实施形态的有机EL元件中,于阳极与阴极之间包含有机发光层及有机电洞传输层的积层体上,有机电洞传输层配置为位于上述阳极侧。此有机电洞传输层包含添加有半导体或导电体金属氧化物的高分子型有机电洞传输材料。
上述阳极由如同例如ITO(铟氧化物中掺杂锡的材料)的透明导电材料而制造。
上述阴极具有将Al积层于选自例如功函数较小的碱金属及碱土金属的金属(例如Li、Ca、Ba等)层上的构造。此阴极中,Al亦作为易氧化的碱金属或碱土金属的保护膜而发挥作用。而且,允许于此阴极与有机发光层之间插入包含例如CsF等的阴极缓冲层。
上述有机发光层由具有例如高分子型聚对苯乙炔或聚芴骨架材料而制造。
上述高分子型有机电洞传输材料可使用PEDOT:PSS,该PEDOT:PSS于例如聚(3,4-二氧乙基)噻吩(PEDOT)中掺杂聚对苯乙烯磺酸或其盐(总称为PSS)。此PEDOT:PSS因具有水溶性,所以采用喷墨、印刷技术等,于液体状态下在机电洞传输层上成膜成为可能。
作为添加于上述高分子型有机电洞传输材料的半导体或导电体金属氧化物,较好的是选自例如MoXx(x值为2~3)及VOx(x值为1~2.5)的至少一种氧化物。特别是,MoXx不仅具有导电性,其功函数约为-5V,并且具有自ITO等阳极向发光层(HOMO能级约为5.5~6V)易于电洞注入的优点。而且,使用水溶性MoXx时,可将其预先混合于上述水溶性PEDOT:PSS中,并通过喷墨、印刷技术等,于有机电洞传输层上成膜。
以上是根据实施形态,作为有机电洞传输层,其构成为包含添加有半导体或导电体金属氧化物的高分子型有机电洞传输材料,以此向阳极、阴极间施加电压时,使电洞自阳极穿过有机电洞传输层、且使电子自阴极分别注入至有机发光层,并于使电洞与电子再结合而自发光时,可防止或抑制由上述有机电洞传输层引起的有机发光层劣化。
特别是,可于作为高分子型有机电洞传输材料的PEDOT:PSS中,添加选自作为金属氧化物的MoXx(x值为2~3)及VOx(x值为1~2.5)中至少一种氧化物(例如MoXx)的有机电洞传输层中,抑制或防止向阳极、阴极间施加电压时导致有机发光层劣化。此功能是利用如下结构。
即,施加电压时(驱动时)有机发光层的劣化,是因为自有机电洞传输层PEDOT:PSS中的PSS分离出的SO3扩散至有机发光层中。添加的MoXx混入PEDOT:PSS的高分子链中,可抑制SO3自PSS分离,并进一步抑制含有SO3的高分子链自身向有机发光层扩散。特别是,水溶性钼氧化物(MoXx)混入PEDOT:PSS的高分子链中,可固定高分子链。
因此,通过抑制或防止施加电压时(驱动时)有机发光层的劣化,可获得寿命较长的有机EL元件。
以下,参照图示,就本发明的实施例加以详细说明。
(实施例1)
于例如24mm四方形、0.7mm厚度的玻璃基板表面,用溅射堆积例如厚度为150nm的ITO之后,将其图案化为条纹状而形成阳极。其次,将重量百分比约为2的PEDOT:PSS水溶液、与将白色粉末状氧化钼(MoX3)溶解于28℃纯水中的0.049%的MoX3水溶液,以(PEDOT:PSS水溶液)∶(MoX3水溶液)=10∶2的比例加以混合,调制混合水溶液。以约3000~4000rpm的旋转数将此混合水溶液旋涂于含有上述阳极的玻璃基板表面,在去除发光区域以外的膜之后,以200℃烧成,以此形成电洞传输层。
其次,以2000~3000rpm的旋转数,将墨水旋涂于电洞传输层表面,该墨水使聚芴系蓝色发光聚合物以约2%的浓度溶解于四氢萘溶剂中。接着,通过以150℃烧成而形成有机发光层。另外,发光聚合物墨水的涂布、烧成工序是在手套箱内的氮环境中进行。其次,利用电阻加热方式的真空蒸镀形成含有0.5nm之CsF的阴极缓冲层,并进一步利用该真空蒸镀,将10nm的Mg膜及150nm的Al膜成膜而形成阴极。其后,将厚度为0.5mm的槽内安装有CaO系吸气材料(干燥剂)且具有1.6mm厚度的玻璃罩,与上述玻璃基板对向配置,使该干燥剂位于上述阴极侧,并使用UV硬化树脂进行密封,制造图1所示的有机EL二极管。
所获得的有机EL二极管包括玻璃基板1,该玻璃基板1上形成有表面呈条纹状之阳极2,其包含例如厚度为150nm的ITO。于PEDOT:PSS中添加重量百分比为0.49的氧化钼(MoO3)后的电洞传输层3,形成于含有上述阳极2的上述玻璃基板1的表面。有机发光层4形成于上述电洞传输层3的表面。阴极缓冲层5形成于包括有机发光层4的基板1上。阴极6形成于阴极缓冲层5的表面。安装有干燥剂7的玻璃罩8,隔以含有UV硬化树脂的框状密封材料9与上述玻璃基板1对向配置并得以固定。即,上述有机发光层4的区域由上述玻璃基板1、安装有干燥剂7的玻璃罩8以及框状密封材料9而密封。
(比较例1)
除电洞传输层仅包含PEDOT:PSS以外,以与实施例1相同的方法,制造图1所示的有机EL二极管。
对所获得的实施例1及比较例1的二极管,检测其电流电压特性。图2A、图2B是表示包括电洞传输层的实施例1中二极管的电流电压特性图,该电洞传输层含有PEDOT:PSS+MoO3。图3A、图3B是表示包括电洞传输层的比较例1中二极管的电流电压特性图,该电洞传输层含有PEDOT:PSS。
由如图2A、图2B、图3A,图3B显然可知,实施例1及比较例1中二极管的载波电流(此时为电洞传输)几乎无变化。
而且,对实施例1及比较例1的二极管,检测以约500cd/m2之初期亮度的电流进行低电流驱动时,正面亮度的经时变化。图4是表示包括电洞传输层的实施例1的二极管中,亮度及电压相对于驱动时间而变化的特性图,该电动传输层含有PEDOT:PSS+MoO3。图5是表示包括电洞传输层的比较例1的二极管中,亮度及电压相对于驱动时间而变化的特性图,该电洞传输层含有PEDOT:PSS。
由如图4及图5显然可知,实施例1的二极管与比较例1的二极管相比,可抑制亮度劣化并延长寿命。实施例1的二极管,当于减至初期亮度一半的时间(亮度减半的寿命)呈现时,与比较例1的二极管相比,达到1.8倍的长寿命化。
Claims (9)
1.一种有机电激发光元件,其包括:
阳极及阴极;
有机发光层,其配置于上述阳极与上述阴极之间;以及
有机电洞传输层,其配置于上述阳极与上述有机发光层之间,且包含添加有半导体或导电体金属氧化物的材料。
2.根据权利要求1所述的有机电激发光元件,其中上述金属氧化物及上述材料具有水溶性。
3.根据权利要求1所述的有机电激发光元件,其中上述材料具有于聚(二氧乙基)噻吩中掺杂聚对苯乙烯磺酸或其盐的组成。
4.根据权利要求3所述的有机电激发光元件,其中上述聚(二氧乙基)噻吩是聚(3,4-二氧乙基)噻吩(PEDOT)。
5.根据权利要求1所述的有机电激发光元件,其中上述金属氧化物是选自MoXx(x值为2~3)及VOx(x值为1~2.5)中至少一种氧化物。
6.根据权利要求1所述的有机电激发光元件,其中上述材料是聚(3,4-二氧乙基)噻吩中掺杂聚对苯乙烯磺酸或其盐的水溶性PEDOT:PSS,上述金属氧化物是水溶性MoXx(x表示2~3的整数),将上述水溶性PEDOT:PSS及上述水溶性MoXx于存在水的状态下混合,并通过喷墨或印刷技术将此混合水溶液于上述阳极上成膜形成上述有机电洞传输层。
7.根据权利要求1所述的有机电激发光元件,其中上述有机发光层由具有高分子型聚对苯乙炔或聚芴骨架材料而制造。
8.根据权利要求1所述的有机电激发光元件,其中上述阴极具有将Al积层于选自碱金属及碱土金属的金属(例如Li、Ca、Ba等)层上的构造。
9.根据权利要求1所述的有机电激发光元件,其中上述阴极与上述有机发光层之间进一步配置有包含CsF的阴极缓冲层。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005-100328 | 2005-03-31 | ||
JP2005100328A JP2006286664A (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005100328 | 2005-03-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1841812A true CN1841812A (zh) | 2006-10-04 |
CN1841812B CN1841812B (zh) | 2010-08-25 |
Family
ID=37030709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2006100584624A Expired - Fee Related CN1841812B (zh) | 2005-03-31 | 2006-03-28 | 有机电激发光元件 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060232200A1 (zh) |
JP (1) | JP2006286664A (zh) |
KR (1) | KR100853897B1 (zh) |
CN (1) | CN1841812B (zh) |
TW (1) | TW200644311A (zh) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5137330B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、および電子機器 |
EP1724852A3 (en) | 2005-05-20 | 2010-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
JP4910741B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2012-04-04 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子の製造方法 |
DE102007015468A1 (de) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische strahlungsemittierende Vorrichtung, deren Verwendung sowie ein Herstellungsverfahren für die Vorrichtung |
JP5618458B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2014-11-05 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、製造方法及び塗布液 |
US20100051993A1 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-04 | Casio Computer Co., Ltd. | Light emitting apparatus and manufacturing method thereof |
JP4770896B2 (ja) * | 2008-09-08 | 2011-09-14 | カシオ計算機株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
DE102009022117A1 (de) | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Material für eine Lochtransportschicht mit p-Dotierung |
DE112010003151T5 (de) * | 2009-07-31 | 2012-06-14 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Polymere lichtemittierende Vorrichtung |
JP4659141B1 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-30 | パナソニック株式会社 | 発光素子とその製造方法、および発光装置 |
WO2012017492A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 発光素子とその製造方法、および発光装置 |
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Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19757542A1 (de) * | 1997-12-23 | 1999-06-24 | Bayer Ag | Siebdruckpaste zur Herstellung elektrisch leitfähiger Beschichtungen |
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JP4411828B2 (ja) | 2002-07-31 | 2010-02-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
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JP4396163B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2010-01-13 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
JP4718768B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2011-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP3935886B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2007-06-27 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4110112B2 (ja) | 2004-04-05 | 2008-07-02 | アルゼ株式会社 | 遊戯装置 |
JP4925569B2 (ja) | 2004-07-08 | 2012-04-25 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
KR101030008B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2011-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
-
2005
- 2005-03-31 JP JP2005100328A patent/JP2006286664A/ja active Pending
-
2006
- 2006-03-28 CN CN2006100584624A patent/CN1841812B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-28 TW TW095110737A patent/TW200644311A/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-03-30 KR KR1020060028971A patent/KR100853897B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-03-30 US US11/392,508 patent/US20060232200A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-07-05 US US11/773,609 patent/US7843128B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060232200A1 (en) | 2006-10-19 |
CN1841812B (zh) | 2010-08-25 |
KR100853897B1 (ko) | 2008-08-25 |
KR20060105587A (ko) | 2006-10-11 |
JP2006286664A (ja) | 2006-10-19 |
TWI332721B (zh) | 2010-11-01 |
US20080007162A1 (en) | 2008-01-10 |
US7843128B2 (en) | 2010-11-30 |
TW200644311A (en) | 2006-12-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100825 Termination date: 20160328 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |